数字集成电路试题及答案

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试题标准答案模版A4-数字集成电路设计A答案[1]

试题标准答案模版A4-数字集成电路设计A答案[1]
充电——>放电;为了使延时最小,充电过程要求所有的内部电容充电,因此ABCDE=10011;放电过程要求所有的内部电容全部放电,因此ABCDE=10010;
三、计算题(共25分,第一题10分,第二题15分)
1.已知集成电路中Al1层参数如下:单位长度电容120aF/um;单位长度电阻Ω/um。计算在该层长为12cm的导线传播延时。为减小此导线的传播延时将此导线3等分并插入2个传播延时为80ps的反相器,计算在这种情况下各层上整个导线的传播延时。
解:1)
2.将每道大题得分和总分填入得分栏中。
共 页 第 页
.ห้องสมุดไป่ตู้
图1. 测试配置装置
解: 当R=30kΩ,
假设晶体管处于线性区。
证明该晶体管处于线性区。
四、设计题(共30分,每题10分)
1.使用互补CMOS电路实现逻辑表达式 ,当反相器的NMOS W/L=2, PMOS W/L=4时输出电阻相同,根据这个确定该网络中各个器件尺寸。
5简述静态CMOS电路的优缺点。
答:静态CMOS电路在电源的两条轨线之间电压的摆幅,即VOH=VDD,VOL=GND。由于上拉和下拉网络是互斥网络,因此电路没有静态功耗。但存在有两个主要问题:一是有N个输入的门uyao晶体管数目为2N个,大大增加了它的实现面积;二是静态CMOS门的传播延时随扇入数的增加而迅速增加。
因此,
3 考虑图3,
a.下面的CMOS晶体管网络实现什么逻辑功能反相器的NMOS W/L=4,
PMOS W/L=8时输出电阻相同,根据这个确定该网络中各个器件尺寸。
b.最初的输入模式是什么,必须采用哪一种输入才能取得最大传输延时
考虑在内部节点中的电容的影响。(给出分析过程)

《数字集成电路》期末试卷(含答案)

《数字集成电路》期末试卷(含答案)

浙江工业大学 / 学年第一学期 《数字电路和数字逻辑》期终考试试卷 A姓名 学号 班级 任课教师一、填空题(本大题共10小题,每空格1分,共10分)请在每小题的空格中填上正确答案。

错填、不填均无分。

1.十进制数(68)10对应的二进制数等于 ;2.描述组合逻辑电路逻辑功能的方法有真值表、逻辑函数、卡诺图、逻辑电路图、波形图和硬件描述语言(HDL )法等,其中 描述法是基础且最直接。

3.1A ⊕可以简化为 。

4.图1所示逻辑电路对应的逻辑函数L 等于 。

A B L≥1&CYC图1 图25.如图2所示,当输入C 是(高电平,低电平) 时,AB Y =。

6.两输入端TTL 与非门的输出逻辑函数AB Z =,当A =B =1时,输出低电平且V Z =0.3V ,当该与非门加上负载后,输出电压将(增大,减小) 。

7.Moore 型时序电路和Mealy 型时序电路相比, 型电路的抗干扰能力更强。

8.与同步时序电路相比,异步时序电路的最大缺陷是会产生 状态。

9.JK 触发器的功能有置0、置1、保持和 。

10.现有容量为210×4位的SRAM2114,若要将其容量扩展成211×8位,则需要 片这样的RAM 。

二、选择题(本大题共10小题,每小题2分,共20分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。

错选、多选或未选均无分。

11.十进制数(172)10对应的8421BCD 编码是 。

【 】A .(1111010)8421BCDB .(10111010)8421BCDC .(000101110010)8421BCD D .(101110010)8421BCD12.逻辑函数AC B A C B A Z +=),,(包含 个最小项。

【 】A .2B .3C .4D .513.设标准TTL 与非门AB Z =的电源电压是+5V ,不带负载时输出高电平电压值等于+3.6V ,输出低电平电压值等于0.3V 。

数字集成电路习题答案

数字集成电路习题答案

W / L 1 根据VGS和VDS确定其处于线性、饱和还是截止状态,并求 I D
的值。
解: (1)nm os:
VGT VGS VT 0 2.5 0.43 2.07 VDS
nm os 处于饱和区 ,Vmin VGT 2.07
2 W V ' I D kn ( )(VGT Vmin min )(1 VDS ) L 2 2 2 . 07 115 (2.072 )(1 0.06 2.5) 2 283.3A
VT0(V)
NMOS PMOS 0.43 -0.4
(V0.5)
0.4 -0.4
VDSAT(V)
0.63 -1
k’(A/V2)
115×10-6 -30×10-6
(V-1)
0.06 -0.1
1.假设设计一个通用0.25m CMOS工艺的反相器,其中PMOS晶体管的 最小尺寸为(W=0.75m,L=0.25m,即W/L=0.75/0.25) , NMOS晶体管 的最小尺寸为(W=0.375m,L=0.25m,即W/L=0.375/0.25) 求出g,VIL,VIH,NML,NMH
( R1 R2 R5 )C5
DCLK 3 R1C1 R1C2 ( R1 R3 )C3 R1C4 R1C5
(b)
DCLK 1 R1C1 ( R1 R2 )C2 R1C3 ( R1 R2 R4 )C4 ( R1 R2 )C5
9 RC
DCLK 2 R1C1 ( R1 R2 )C2 R1C3 ( R1 R2 )C4
( R1 R2 R5 )C5 9 RC
DCLK 3 R1C1 R1C2 ( R1 R3 )C3 R1C4 R1C5

《数字集成电路》期末试卷B(含答案)

《数字集成电路》期末试卷B(含答案)

浙江工业大学 / 学年第一学期 《数字电路和数字逻辑》期终考试试卷B姓名 学号 班级 任课教师一、填空题(本大题共10小题,每空格1分,共10分)请在每小题的空格中填上正确答案。

错填、不填均无分。

1.(1011111.01)2=( )102.若10010110是82421BCD 码的一组代码,则它对应的十进制数是________。

3.逻辑函数B A AB F +=的反函数F =________。

4.不会出现的变量取值所对应的最小项叫做 。

5.组合逻辑电路任何时刻的稳定输出仅仅只决定于__________各个输入变量的取值。

6.描述时序逻辑电路的逻辑表达式有驱动方程、________________和输出方程。

7.1K ×4位ROM ,有 位地址输入。

8.要把模拟量转化成数字量一般要经过四个步骤,分别称为采样、保持、________、编码。

9.D/A 转换器的主要参数有 、转换时间和转换精度。

10.集成单稳态触发电路的暂稳态维持时间取决于 。

二、选择题(本大题共10小题,每小题2分,共20分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。

错选、多选或未选均无分。

11.若已知Y XY YZ Z Y XY +=++,判断等式=+++))()((Z Y Z Y Y X Y Y X )(+成立的最简单方法是依据 规则。

【 】A .代入规则B .对偶规则C .反演规则D .互补规则12.F (A ,B ,C )的任意两个最小项之积等于 。

【 】 A .0 B .1 C .ABC D .ABC13.+0+1A A A ⋅⋅等于 。

【 】 A .0 B .1 C . A D .A 14.将TTL 与非门正常使用时,多余的输入端应 。

【 】 A .全部接高电平 B .部分接高电平,部分接地 C .全部接地 D .部分接地,部分悬空 15. S R 触发器不具有 功能。

集成电路应用工程师招聘笔试题及解答2024年

集成电路应用工程师招聘笔试题及解答2024年

2024年招聘集成电路应用工程师笔试题及解答(答案在后面)一、单项选择题(本大题有10小题,每小题2分,共20分)1.(数字)集成电路中,逻辑门电路是构成各种逻辑功能的基本单元。

2.(数字)数字电路设计中,集成电路芯片的功耗主要由电压决定,与电流无关。

3.(数字)模拟信号与数字信号在集成电路中的转换,一般需要通过模数转换器(ADC)或数模转换器(DAC)。

4.(数字)集成电路制造工艺中,光刻技术主要用于制作电路图案。

3.集成电路中,哪种类型的晶体管具有高速、低噪声和良好的频率响应特性?A. 二极管B. 晶体管(BJT)C. 场效应晶体管(FET)D. 变压器4.在集成电路设计中,哪种封装形式最适合用于大批量生产和应用?A. 插件式B. 芯片级封装C. 陶瓷封装D. 环氧树脂封装5.在集成电路设计中,以下哪个选项是常用的数字信号处理算法?A.傅里叶变换B.卷积运算C.快速傅里叶变换D.以上都是6.集成电路的哪种封装形式主要用于高性能、高频率的芯片?A.针脚式B.表面贴装式(SMD)C.插件式D.以上都是7.在集成电路设计中,以下哪个因素对电路的性能影响最大?A. 电源电压B. 地线布局C. 热设计D. 噪声干扰8.以下哪种封装形式适用于高集成度的集成电路芯片?A. 芯片上引线封装B. 插件式封装C. 塑料封装D. 模块化封装9.在集成电路设计中,以下哪个步骤不属于常见的工艺步骤?A. 物理验证B. 逻辑综合C. 器件建模D. 芯片封装 10. 在CMOS工艺中,以下哪种器件主要用于实现电流放大?A. 晶体管B. 反相器C. 二极管D. 传输门二、多项选择题(本大题有10小题,每小题4分,共40分)1.关于集成电路的基本构成,以下哪些说法是正确的?A. 集成电路主要由晶体管构成B. 集成电路的集成度越高,电路性能越好C. 集成电路中不包括电容器和电阻器D. 集成电路由多个电子元器件集成在一起形成微型化电路2.在集成电路设计中,以下哪些因素是必须考虑的?A. 工艺制造能力B. 市场需求和趋势C. 硬件资源的成本D. 操作系统的兼容性3.在集成电路设计中,以下哪个选项是用来描述电路性能的主要参数?A. 电阻B. 电容C. 速度D. 功率E. 电流4.集成电路的制造工艺通常包括哪些步骤?A. 设计B. 制版C. 制造D. 装配E. 测试5.关于集成电路的应用,以下哪些说法是正确的?A. 集成电路主要应用在计算机硬件领域。

2024年贵州铜仁技术学校数字集成电路基础综合模拟试卷含答案

2024年贵州铜仁技术学校数字集成电路基础综合模拟试卷含答案

《2024年贵州铜仁技术学校数字集成电路基础综合模拟试卷》一、单项选择题(每题2分,共30分)1.数字电路中,基本的逻辑关系不包括以下哪种?()A.与B.或C.非D.乘2.在二进制数系统中,数字101对应的十进制数是()A.4B.5C.6D.73.以下哪种门电路是实现“与”逻辑功能的?()A.与门B.或门C.非门D.异或门4.一个8位二进制数能表示的最大无符号整数是()A.255B.127C.256D.5115.数字集成电路按集成度可分为小规模、中规模、大规模和超大规模集成电路,其中中规模集成电路(MSI)包含的逻辑门数量范围大致是()A.1-10个B.10-100个C.100-1000个D.1000-10000个6.在数字电路中,触发器的主要功能是()A.实现逻辑运算B.存储一位二进制信息C.进行信号放大D.控制电路的时钟信号7.以下哪种计数器是按照二进制编码规律进行计数的?()A.同步二进制计数器B.异步二进制计数器C.同步十进制计数器D.异步十进制计数器8.数字电路中,用来将并行数据转换为串行数据的电路称为()A.编码器B.译码器C.数据选择器D.数据分配器9.对于一个3输入与门,当输入分别为1、0、1时,其输出为()A.0B.1C.不确定D.以上都不对10.在数字电路的时序分析中,时钟信号的主要作用是()A.提供稳定的电源电压B.确定电路的工作频率和各操作的先后顺序C.直接参与逻辑运算D.用于检测电路故障11.以下关于数字集成电路功耗的说法,正确的是()A.功耗只与电路的工作电压有关B.功耗只与电路的工作频率有关C.功耗与工作电压和工作频率都有关系D.功耗与电路的逻辑功能有关,与电压和频率无关12.能够实现将输入的四位二进制代码转换为对应的十进制数字输出的电路是()A.4-2编码器B.2-4译码器C.二进制-十进制译码器D.十进制-二进制编码器13.在数字电路中,当两个输入信号同时发生变化时,可能会导致输出出现短暂不稳定状态的现象称为()A.竞争冒险B.电平转换C.信号延迟D.时钟偏移14.数字电路中常用的表示逻辑电平的标准有TTL和CMOS,其中CMOS电路的主要优点是()A.速度快B.功耗低C.抗干扰能力强D.逻辑电平范围宽15.要实现一个简单的数字时钟功能,可能会用到以下哪种数字集成电路?()A.计数器、译码器和显示器驱动电路B.编码器、数据选择器和放大器C.触发器、与门和非门D.数据分配器、异或门和振荡器二、多项选择题(每题3分,共30分)1.数字电路的特点包括()A.信号在时间和数值上都是离散的B.抗干扰能力相对较强C.便于集成化D.易于进行逻辑设计和分析E.对电源电压要求不严格2.以下属于基本逻辑门电路的有()A.与门B.或门C.非门D.与非门E.异或门3.在数字电路中,常用的数制转换方法有()A.二进制转十进制B.十进制转二进制C.二进制转十六进制D.十六进制转二进制E.十进制转十六进制4.数字集成电路中的寄存器主要用于()A.临时存储数据B.实现数据的移位操作C.进行逻辑运算D.作为计数器的一部分E.控制电路的时钟信号5.以下关于计数器的说法正确的有()A.计数器可以用来统计输入脉冲的个数B.同步计数器中所有触发器的时钟信号是同步的C.异步计数器中各触发器的时钟信号是异步的D.十进制计数器是按照十进制编码规律进行计数的E.计数器的计数范围是固定的,不能改变6.以下哪些电路属于组合逻辑电路?()A.编码器B.译码器C.数据选择器D.数据分配器E.触发器7.在数字电路设计中,为了避免竞争冒险现象,可以采取的措施有()A.增加冗余项B.引入选通脉冲C.改变电路的逻辑结构D.降低电路的工作频率E.提高电路的工作电压8.以下关于数字电路中时钟信号的描述,正确的有()A.时钟信号是周期性的脉冲信号B.时钟信号的频率决定了电路的工作速度C.不同的数字电路可能需要不同频率的时钟信号D.时钟信号在电路中起到同步各部分操作的作用E.时钟信号的占空比必须是50%9.数字电路中常用的显示器件有()A.发光二极管(LED)显示器B.液晶显示器(LCD)C.阴极射线管(CRT)显示器D.等离子显示器E.有机发光二极管(OLED)显示器10.以下哪些因素会影响数字集成电路的性能?()A.制造工艺B.工作温度C.电源电压D.逻辑设计E.封装形式三、填空题(每空1分,共20分)1.数字电路中,逻辑变量只有两种取值,通常用()和1来表示。

数字集成电路测试题

数字集成电路测试题

A 衬底 B 扩散区 C 有源区 D 接触孔和通孔
© Digital Integrated Circuits2nd
提交
Inverter
单选题 1分 最符合阈值电压定义的说法是 。
A 漏端电流为1μA时的栅源电压
B 漏端电流10倍于泄露电流时的栅源电压
衬底载流子浓度和有源区载流子浓度相 C 等时的栅源电压
芯片中的金属线和PCB中的金属线一样, A 可以是多层的。
B
CMOS集成电路是在一块正方形的硅片 上制造的。
光刻机的作用是通过激光在硅片上刻画 C 集成电路版图。
光刻胶的作用是将集成电路所需的不同 D 材料层胶合在一起。
© Digital Integrated Circuits2nd
提交
Inverter
D MOgrated Circuits2nd
提交
Inverter
单选题 1分 电路互连线上的延时td 与长度L的关系是 。
A
td L
B
td L2
C
td L3/2
D
td L3
© Digital Integrated Circuits2nd
数字集成电路 ch1-ch4习题集
Jan M. Rabaey Anantha Chandrakasan Borivoje Nikolic
© Digital Integrated Circuits2nd
Inverter
单选题 1分
在集成电路0.25μm工艺中,晶体管的最小沟 道长度由 决定。
A 光刻精度 B 消费者和代工厂 C 电路工程师 D 电源电压
C 无穷大的“断开”电阻和有限的“导通”电阻。
© Digital Integrated Circuits2nd

1+X集成电路理论试题(附答案)

1+X集成电路理论试题(附答案)

1+X集成电路理论试题(附答案)一、单选题(共39题,每题1分,共39分)1.SOP封装的芯片一般采用( )形式进行包装。

A、卷盘B、编带C、料管D、料盘正确答案:B答案解析:SOP封装因其体积小等特点,一般采用编带包装形式。

2.转塔式分选机常见故障不包括()。

A、真空吸嘴无芯片B、测试卡与测试机调用的测试程序错误C、料轨堵塞D、IC定位错误正确答案:D3.打开安装好的keil软件,点击工具栏“魔术棒”按钮,点击()选项,选择目标芯片。

A、TargetB、C/C++C、DebugD、Device正确答案:D4.重力分选机自动装料步骤中将待测料管放在筛选机的入料区内,料管随传送带上升到()。

A、入料区B、显示区C、废料区D、激光检测区正确答案:D5.以全自动探针台为例,上片过程中,当承重台下降到指定位置时,( )。

A、红色指示灯亮B、红色指示灯灭C、绿色指示灯亮D、绿色指示灯灭正确答案:B答案解析:以全自动探针台为例,承重台前的两个按钮指示灯:绿色表示上升,红色表示下降。

承重台下降到指定位置后,下降指示灯灭,即红色指示灯灭。

6.重力式分选机进行自动上料筛选,当检测到传送带上的料管放置不符合要求时,下一步对料管的操作是( )。

A、拔出塞钉B、进入空管槽C、进入上料槽D、放回上料区正确答案:D答案解析:激光检测到不符合要求的料管会重新放回上料区,等待下次筛选。

7.料盘外观检查的步骤正确的是( )。

A、查询零头(若有)→零头检查→检查外观→电路拼零→零头储存B、检查外观→查询零头(若有)→零头检查→电路拼零→零头储存C、查询零头(若有)→零头检查→电路拼零→零头储存→检查外观D、检查外观→零头储存→查询零头(若有)→零头检查→电路拼零正确答案:B答案解析:料盘外观检查的步骤:检查外观→查询零头(若有)→零头检查→电路拼零→零头储存。

8.下列描述错误的是()。

A、重力式分选机可分为并行测试和串行测试B、并行测试一般是进行单项测试(可根据测试卡的数量进行 1 site/2 sites/4 sites测试),适用于普通DIP/SOP封装的芯片C、串行测试一般是进行多项测试,适用于DIP24/DIP27等模块电路D、并行测试时模块电路依次进行不同电特性参数的测试正确答案:D9.进行料盘包装时,一个内盒中通常装有( )袋真空包装完的料盘。

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北京大学信息学院考试试卷
考试科目: 数字集成电路原理 考试时间 姓名: 学号:
题 号 一 二






九 十
总分
分 数 阅卷人
以下为答题纸,共 6 页
一、填空
1、(4分)CMOS 逻辑电路中NMOS 管是( 增强 )型,PMOS 管是(增强)
型; NMOS 管的体端接( 地 ),PMOS 管的体端接( VDD )。

2、(8分)CMOS 逻辑电路的功耗由3部分组成,分别是( 动态功耗 )、(开关过程中的短路功耗)和( 静态功耗 );增大器件的阈值 电压有利于减小( 短路功耗和静态 )功耗。

3、(6分)饱和负载NMOS 反相器的3个主要缺点是:( 输出高电平有阈值损失 ),( 输出低电平不是0,与比例因子Kr 相关 ), ( 输出低电平时有静态功耗 ) 。

4、(3分)三态输出电路的3种输出状态是:( 高电平 ), ( 低电平 )和( 高阻态 )。

二、(12分)画出实现ABC D C B A Y +++=)(的静态CMOS 电路,如果所有MOS
管的导电因子都是K ,分析几个输入同步变化的等效反相器的导电因子(K Neff 和K Peff ),在什么输入状态下电路有最小的低电平噪声容限。

Kneff = 1/(1/3k + 1/k) + k/3 = 3k/4 + k/3 = (13/12)K;
Kpeff = 1/(1/3k + 1/k) + k/3 = (13/12)K;
当 D = 1 ,A、B、C 同步变化时,上拉通路3个串联的PMOS 管起作用,下拉支路所有NMOS 都起作用,Kneff 最大 , Kpeff 最小,传输特性曲线在最左边。

三、(12分)分析下面2个电路的逻辑功能,若所有输入高电平都
是5V、输入低电平都是0V,电源电压是5V,所有MOS 管的阈值电压绝对值都是0.8V,分析2个电路的输出高、低电平和主要优缺点。

(1) (2) 电路 1) ⎩⎨
⎧=======+=V
B A V
B A Vol B A AB Y 2.4Voh 15Voh 0,0,时,时, ,
电路 2) B A B A B A AB Y +=++=,低电平0V ,高电平 4.2V 电路1)结构简单,节省面积,逻辑电平与输入状态相关,驱动能力差,噪声容限小。

电路2)结构规整,逻辑灵活,改变输入信号可以实现对AB 的多种操作,输出高电平有阈值损失,驱动能力差,噪声容限小。

四、 (10分)写出下图电路的逻辑表达式,推导输出高、低电平,
已知,V DD =5V , V TN = -V TP =1V 。

解:这是类PMOS电路,B A Y +=。

输出高电平的时候有直流通路,高电平决定于K Peff 和K N 。

输出高电平时,PMOS在线性区,NMOS在饱和区。

K Peff [(0-V DD -V TP )2-(0-V out -V TP )2]=K N (V DD -V TN )2
代值,化简得:
||3216TP r OH out V K V V +−==
若要求V OH 足够大,则要求16>>32K r ,即K r <<1/2。

输出低电平V OL =0。

五、(10分)画出ECL 电路的电流开关部分的电路图,简单说明为什么2个集电
极电阻取不同值。

因为 2
IL
IH BB V V V +=
,当Vin 是低电平Vil 时,T1截止,T2导通,有电流流过Rc2,使Vc2 = Vcc – Ie2Rc2,Vc1 = Vcc。

当Vin 是高电平时,T1导通,T2截止 Vc1 = Vcc – Ie1Rc1,Vc2 = Vcc,由于Vbb 和Vih 不同,T1导通和T2导通时电流不同,为了使输出低电平相同,应使 Vcc – Ie1Rc1 = Vcc – Ie2Rc2,因此
1
2
21E E c c I I R R =两个集电极电阻不同。

六、(20分)如图电路实现什么功能;如果所有MOS管取相同尺寸,W=4μm,L=0.8μm,Cox=2×10-7F/cm 2
,电源电压是5V,所有MOS管阈值电压的绝对值都是0.8V,μn=2μp=600cm 2
/Vs,每个MOS管的源或漏pn结的平均结电容近似是栅电容的0.4倍,(1)根据给定的输入波形,画出V1
和Vout波形,标出转变点的电平值,不考虑延迟时间;(2)计算时钟
频率的上限(r
r f
f /
/1t t .8ττ==
)。

解: V out =A(B+C)
(1) 因为Φ=0时,当A,B是高电平时,C 1和C 2都充电到高电平。

当Φ=1时,C
为高电平使C 2放电到0。

而因为A是低电平,V 1保持预充的高电平5V。

当A变高,C变低后,引起电荷分享,使V 1下降,V 1由下面两种情况中高的电平决定:
)(2
1
1TN DD DD V V C C V V −−
=……………①
12
11C C V V DD
+=
………………………………②
由①得:V 1=3.2V 由②得:V 1=3.5V
所以电荷分享后V 1的高电平下降为 3.5V。

该电平送入CMOS反相器,使M P2饱和
导通,M N1线性导通。

有K N2[(V 1-V TN )2
-(V 1-V out -V TN )2
]=K P2(V 1-V DD -V TP )2
忽略V out 2
项,代值得:V out =0.045V
(2)
)
(2121max r f t t f +=
DD
Neff f f V K C t 1
118
.18.1==τ
DD P D L r r V K C C t 2228
.18.1+==τ
代值得:t r2=1.32×10-10
s,f max =2.5GHz
七、(15分)如图是什么功能电路,如果要求输出在时钟上升边变化,标出
每个传输门的时钟信号ck;根据给出的输入波形画出输出波形(假定初始时输出是低电平);利用这个电路实现T 触发器功能(T=1输出翻转,T=0输出保持),如何增加控制电路,画出实现的逻辑图。

解:
输出波形
加入控制电路如下得到T
触发器 实现逻辑:out
out
out
out
out
V
T
TV
V
V
Q
Q
T
Q
T
V
+
=
=
+
=。

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