微电子器件与IC设计基础 习题解 4
电子元件考题及参考答案
电子元器件试题及参考答案 一、填空题： 1、电阻是电子设计中应用最多的元器件之一,在电路中多用来进行 降压、限流、上拉等.电阻用 “R ” 表 示﹐它的基本单位是 欧姆(Ω) 2、电阻的定义：是一个在电路中起阻碍作用的一个元器件。 3、电阻的单位换算：1M Ω（兆欧）=1000K Ω（千欧）=1000000Ω（欧姆） 4、色环电阻中颜色 棕、红、橙、黄、绿、蓝、紫、灰、白、黑来分别表示1、2、3、4、 5、 6、 7、 8、 9、0数值，用颜色金、银、本色来表示它的误差值为 ±5%、±10%、±20%。 5、常用的直插电阻有三种﹕金属膜电阻﹑碳膜电阻﹑水泥电阻。 6．电阻按材质分：有碳膜电阻、金属膜电阻、线绕电阻、水银电阻等。 7、电阻按焊接方式分：可分插件电阻和贴片电阻。 8、电阻按用途：光敏电阻、压敏电阻。 9、正温度系数的热敏电阻阻值随温度上升而增大。 10、色环电阻按功率：有1W 、2W 、1/2W 、1/4W 、1/8W ，色环电阻体积越大功率越大。 11、电容的定义：是一个在电路中起储存电作用的一个元器件。 12、电容按工作特性及电路的作用：可分为固定电容器、可变电容器和半可变电容器三类。 13、电容符号:如下图 其中a 为电解电容的符号，b 为普通瓷介电容的符号 a b 14、电容用字母“C ”表示﹐它的基本单位是法拉(F) 。 15、电容的单位换算：1F （法拉）= 103 mF(毫法)= 106 μF(微法)= 109 n F(納法)= 1012 pF(皮法) 16、电容按材料及结构：可分为云母电容、瓷介电容、电解电容等。其中 瓷介电容 和 云母电容 无极 性之分，而 电解电容 有极性之分，在组装时要特别小心，如果按装反，很容易造成 损坏 或 爆炸。 17、电感在电路中一般用“L ”表示，基本单位是 亨利(H)。 18、电感的定义:电感是一个通直隔交的电子元器件，它一般主要用虑波电路以及高频电路中。 19、二极管：从它的名字可解释为有两个极的元器件，它在电路中一般用D 表示。 20、二极管的种类繁多，从它的工作场所可分为整流二极管（这类是我们日常所用到最多的一类）、稳 压二极管、发光二极管、光电二极管等。 21、三极管元件是各种电子设备的关键元件,在电路中能起放大、振荡、调制、开关等多种作用。 22、三极管有三个极，即发射极（e ）、基极（b ）、集电极(c)。 23、三极管依型号分别有( PNP )与( NPN ); 24、三极管最基本的作用是放大作用。 25、IC 零件脚是以IC 表面标有 圆点、缺口、或条形为IC 的极性方向。 26、常见的IC 脚位判定方法有： a) 双排：缺口朝左，引脚朝下，逆时针方向旋转为第一脚； b) 单排：印刷字体面对自己，脚朝下从左到右为引脚的正确顺序； c) 四边对角边形：圆点或缺口朝左，引脚朝下，逆时针方向旋转为第一脚。 27、在IC 贴件时要注意其 极性 ,插错方向会使IC 烧坏﹐使用时以PCB 板上印刷的IC 圆形 有缺口(凹 槽) 的一方进行区分其极性﹐贴件时IC 正面有 极性标示 的一方须对准 缺口(凹槽) 。 C? ELECTRO1C?CAP
微电子器件_刘刚前三章课后答案
课后习题答案 1.1 为什么经典物理无法准确描述电子的状态？在量子力学 中又是用什么方法来描述的？ 解：在经典物理中，粒子和波是被区分的。然而，电子和光子是微观粒子，具有波粒二象性。因此，经典物理无法准确描述电子的状态。 在量子力学中，粒子具有波粒二象性，其能量和动量是通过这样一个常数来与物质波的频率ω和波矢建立联系的，即 c h p h E ====υω υ 上述等式的左边描述的是粒子的能量和动量，右边描述的则是粒子波动性的频率ω和波矢。 1.2 量子力学中用什么来描述波函数的时空变化规律？ 解：波函数ψ是空间和时间的复函数。与经典物理不同的是，它描述的不是实在的物理量的波动，而是粒子在空间的概率分布，是一种几率波。如果用()t r ,ψ表示粒子的德布洛意波的振幅，以()()()t r t r t r ,,,2 ψψψ*=表示波的强度，那么，t 时刻在r 附近的小体积元z y x ???中检测到粒子的概率正比于()z y x t r ???2,ψ。
1.3 试从能带的角度说明导体、半导体和绝缘体在导电性能上的差异。 解：如图1.3所示，从能带的观点 来看，半导体和绝缘体都存在着禁 带，绝缘体因其禁带宽度较大 (6~7eV)，室温下本征激发的载流子 近乎为零，所以绝缘体室温下不能 导电。半导体禁带宽度较小，只有1~2eV ，室温下已经有一定数量的电子从价带激发到导带。所以半导体在室温下就有一定的导电能力。而导体没有禁带，导带与价带重迭在一起，或者存在半满带，因此室温下导体就具有良好的导电能力。 1.4 为什么说本征载流子浓度与温度有关？ 解：本征半导体中所有载流子都来源于价带电子的本征激发。由此产生的载流子称为本征载流子。本征激发过程中电子和空穴是同时出现的，数量相等，i n p n ==00。对于某一确定的半导体材料，其本征载流子浓度为kT E V C i g e N N p n n ==002 式中，N C ，N V 以及Eg 都是随着温度变化的，所以，本征载流子浓度也是随着温度变化的。 1.5 什么是施主杂质能级？什么是受主杂质能级？它们有何异同？
电子元件基础知识试题
电子元件基础知识试题 姓名：分数： 一、填空（每空1分共60分） 1.电阻是在电路中起作用的一段。 2.电感是应用原理用导线一圈靠一圈饶制而成的元件。 3.电阻在电路中的作用：。 4.电解电容一般以脚的长短确定正负极,通常长脚为短脚为。 5.电阻的单位：电容的单位：电感的单位：。 6.二极管根据半导体材料可分为：和。 7.晶体二极管的主要作用有：等。 8.三极管有三个电极：，按材料分和两种，而每一种又有型和型两种。 9.通常三极管在电路中起和两种作用。 10.变压器的主要参数有：。 11.继电器在电路中具有：和的作用。 12.请画出下列电子元件的代表符号： 电阻；电容：电感：变压器： 二极管：三极管： 13.请写出下列大写字母所代表的电子元件。 L R D C T IC 14.单位换算： 1Ω= KΩ= mΩ1H＝mH＝μH 1F＝mF＝μF＝nF＝pF 15.请写出下列色环电阻和无极性电容的值及误差。 蓝灰红金红红橙棕棕棕黑黄红黄绿灰棕金682K 103J 259G 二、判断题（每题1分共10分） 1.色环电阻的表示方法是：每一色环代表一位有效数字。（） 2.变压器有变换电压和变换阻抗的作用。（） 3.二极管和三极管在电路上的作用相同。（） 4.电感的单位是用大写字母L表示。（） 5.电子元件在检验时只要功能OK，外观无关紧要。（） 6.发光二极管（LED）通常情况下脚长的为负极，脚短的为正极。( ) 7.我厂生产的M-800型和ET-1000型电动胶纸机使用的是直流电。（） 8.使用在调谐回路上的电感线圈对Q值要求较高。（） 9.两根长度相同的铜线，粗的一根电阻值较大。（） 10.贴片电容是没有极性的。（）
微电子器件__刘刚前三章课后答案(DOC)
课后习题答案 1.1 为什么经典物理无法准确描述电子的状态？在量子力学 中又是用什么方法来描述的？ 解：在经典物理中，粒子和波是被区分的。然而，电子和光子是微观粒子，具有波粒二象性。因此，经典物理无法准确描述电子的状态。 在量子力学中，粒子具有波粒二象性，其能量和动量是通过这样一个常数来与物质波的频率ω和波矢k 建立联系的，即 k n c h p h E ====υ ω υ 上述等式的左边描述的是粒子的能量和动量，右边描述的则是粒子波动性的频率ω和波矢k 。 1.2 量子力学中用什么来描述波函数的时空变化规律？ 解：波函数ψ是空间和时间的复函数。与经典物理不同的是，它描述的不是实在的物理量的波动，而是粒子在空间的概率分布，是一种几率波。如果用()t r ,ψ表示粒子的德布洛意波的振幅，以 ()()()t r t r t r ,,,2 ψψψ*=表示波的强度，那么，t 时刻在r 附近的小体 积元z y x ???中检测到粒子的概率正比于()z y x t r ???2,ψ。
1.3 试从能带的角度说明导体、半导体和绝缘体在导电性能上的差异。 解：如图1.3所示，从能带的观点来看，半导体和绝缘体都存在着禁带，绝缘体因其禁带宽度较大(6~7eV)，室温下本征激发的载流子近乎为零，所以绝缘体室温下不 能导电。半导体禁带宽度较小，只有1~2eV ，室温下已经有一定数量的电子从价带激发到导带。所以半导体在室温下就有一定的导电能力。而导体没有禁带，导带与价带重迭在一起，或者存在半满带，因此室温下导体就具有良好的导电能力。 1.4 为什么说本征载流子浓度与温度有关？ 解：本征半导体中所有载流子都来源于价带电子的本征激发。由此产生的载流子称为本征载流子。本征激发过程中电子和空穴是同时出现的，数量相等，i n p n ==00。对于某一确定的半导体材料，其本征载流子浓度为kT E V C i g e N N p n n ==002 式中，N C ，N V 以及Eg 都是随着温度变化的，所以，本征载流子浓度也是随着温度变化的。 1.5 什么是施主杂质能级？什么是受主杂质能级？它们有何异同？
电子元件基础知识培训考试试题及答案
电子元件基础知识考试试题 部门：姓名：分数： 一、单项选择题：（每题2分，共30分） 1、二极管在电路板上用( B ) 表示。 A、C B、D C、R 2.、一色环电阻颜色为：红-黑-黑-橙-棕其阻值为( C)。 A、200Ω B、20K C、200K 3、47KΩ±1%电阻的色环为( C )。 A、黄-紫-橙-金 B、黄-紫-黑-橙-棕 C、黄-紫-黑-红-棕 4、电感线圈的单位符号是( B)。 A.L B.H C.R 5、下图所示的二极管，描述正确的是( B )图。 A、黑色端代表正极 B、黑色端代表负极 C、以上描述都不对 6、电容量的基本单位是（ C ） A.欧姆 B.亨利 C.法拉 7、电容器上面标示为107，容量应该是（ B ） A.10μF B.100μF C.1000μF 8、4环色环电阻第四环颜色是银色，对应的误差多少？( B ) A.5% B.10% C.15% 9、前四环为棕黑黑红的五环电阻标值为多少？（ B ） A.100欧姆 B.10K欧姆 C.1K欧姆 10、贴片电阻的阻值为5.1K，那么上面的标号应该为( B ) A.511 B.512 C.513 11 、电容的单位换算正确的是( C ) A.1F=1000000μF B. 1μF =1000000pF C.以上都是 12、电阻按照封装来分非为:( A ) A.贴片电阻，插件电阻 B.水泥电阻，功率电阻 C.色环电阻，标码电阻 13、电感的单位换算正确的是( A ) A.1H=1000,000uH B.1H=1000,000，000uH C.1mH=1000,000uH 14、如何判断发光二极管的管脚极性？( A ) A.发光二极管的长脚为正极 B.发光二极管的长脚为负极 C.有的二极管有环状标志的一端是正极 15、贴片电阻的封装是:( A ) A.0805 B.SOT-23 C.TO-92 二、填空题：（每空1分，共30分) 1. 电阻用字母R 表示，电阻的基本单位是Ω或者（欧姆）,电容用字母 C 表示。 2. 电容的基本单位是 F 或者(法拉) ，二极管用字母 D 表示，IC用字母U 表示。 3. 为保护静电敏感元件，在人接触静电敏感元件时要：穿防静电衣，戴防静电帽，戴防静电手环。 4、配戴静电环时必须戴紧。对静电敏感元件有IC ，,晶体管等。（至少写一种）
微电子器件与IC设计基础第二版第1章习题
第一章 思考题： 1.1简单解释原子能级和晶体能带之间的联系和区别。 答：在孤立原子中，原子核外面的电子受到这个原子核所带正电荷的作用，按其能量的大小分布在不同的电子轨道上绕核运转。 原子中不同轨道上电子能量的大小 用彼此有一定间隔的横线段组成的 能级图来表示（见图1.1b）。能级的 位置越高，表示该能级上电子的能量 就越大。原子结合成晶体后，一个原 子核外的电子除了受到这个原子核 所带正电荷以及核外电子所带负电 荷的作用以外，还要受到这个原子周 围其它原子所带正负电荷的作用。也 就是说，晶体中的电子是在原子核的 正电荷形成的周期性势场中作如图 1.1（a）中箭头所示的共有化运动。 正因为如此，原来描述孤立原子中电 子能量大小的能级就被分裂成为一 系列彼此相距很近的准连续的能级， 其形状好似一条条反映电子能量大小的带子，故称之为能带，见图1.1（b）。 1.2以硅为例，解释什么是施主杂质和施主能级？什么是受主杂质和受主能级？ 答：以硅为例，见图1.2（a）， 如果在单晶硅中掺入Ⅴ族元素 的杂质磷（P+），磷原子()P将 取代Ⅳ族的硅(Si)原子的位置 而成为所谓的施主杂质。因为 磷原子外层有五个价电子，它 和周围的四个硅原子形成共价 键后还多出一个电子，这个多 余的电子受到磷原子核的微弱 束缚力而绕着该原子核做一定 半径的圆周运动，它只需要吸 收很小的能量（百分之几个电 子伏特）就能挣脱磷原子核的 束缚而成为可以在整个晶体中 运动的准自由电子，原来的磷 原子则成为了磷离子()+P，称 之为正电中心。从电子能量大小的观点来看，导带底能量E C表示导带中速度为零的电子所
电子元件基础知识培训考试试题及答案
DIP电子元件基础知识考试试题 部门：姓名：工号：分数： 一、单项选择题：（每题1分，共30分） 1、根据作业指导书或样板之要求，该焊元件没焊，焊成其它元件叫（ C )。 A、焊反 B、漏焊 C、错焊 2、加锡的顺序是( A ) 。 A、先加热后放焊锡 B、先放锡后焊 C、锡和烙铁同时加入 3、根据作业指导书或样板之要求，不该断开的地方断开叫( B)。 A、短路 B、开路 C、连焊 4、二极管在电路板上用( B ) 表示。 A、C B、D C、R 5、电烙铁焊接完成后与被焊体约( B)度角移开 A、30 B、45 C、60 6.、一色环电阻颜色为：红-黑-黑-橙-棕其阻值为( C)。 A、200Ω B、20K C、200K 7、烙铁海绵加应加多少水为合适( B )。 A、不用加水 B、对折海绵，水不流出为准 C、加水超过海绵顶面 8、47KΩ±1%电阻的色环为( C )。 A、黄-紫-橙-金 B、黄-紫-黑-橙-棕 C、黄-紫-黑-红-棕 9、电烙铁短时间不使用时，应( A )。 A、给烙铁头加少量锡 B、关闭电烙铁电源 C、不用对烙铁进行处理 10、元件引脚的剪脚高度为( B)。 A、0.5MM以下 B、0.5-2.5MM C、2.5MM以上 11、电感线圈的单位符号是( B )。 A.L B.H C.R 12、连接器(插座)插件时，连接器底面与板面允许的最大间距为( A)。 A、0.4MM B、1MM C、1.5MM 13、用烙铁进行焊接时，速度要快，一般焊接时间应不超过( B )。 A、1 秒 B、3秒 C、5秒 14、焊接时，当烙铁头上有锡氧化的焊锡或锡渣，正确的做法是( C)。 A、不用理会，继续焊接 B、在纸筒或烙铁架上敲掉 C、在烙铁架的海绵上擦掉 15、电容器容量与电荷关系是（ B ） A、电容量越大，存储电荷越少 B、电容量越大，存储电荷越多 C、电容量越小，存储电荷越多 16、下列所示( C )不是造成虚焊的原因。 A、焊锡固化前，用其他东西接触过焊点 B、加热过度、重复焊接次数过多 C、烙铁的撤离方法不当 17、下图所示的不良焊点为( C)。 A、少锡 B、裂锡 C、假焊
微电子器件基础题13页word文档
“微电子器件”课程复习题 一、填空题 1、若某突变PN 结的P 型区的掺杂浓度为163 A 1.510cm N -=?，则室温下该区的平衡多子浓度p p0与平衡少子浓度n p0分别为（ ）和（ ）。 2、在PN 结的空间电荷区中，P 区一侧带（负）电荷，N 区一侧带（正）电荷。内建电场的方向是从（N ）区指向（P ）区。 3、当采用耗尽近似时，N 型耗尽区中的泊松方程为（ ）。由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（ ）。 4、PN 结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（短），内建电场的最大值就越（大），内建电势V bi 就越（大），反向饱和电流I 0就越（小），势垒 电容C T 就越（ ），雪崩击穿电压就越（低）。 5、硅突变结内建电势V bi 可表为（ ），在室温下的典型值为 （0.8）伏特。 6、当对PN 结外加正向电压时，其势垒区宽度会（减小），势垒区的势垒 高度会（降低）。 7、当对PN 结外加反向电压时，其势垒区宽度会（变宽），势垒区的势垒 高度会（增高）。 8、在P 型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度n p 与外加电压V 之间的关 系可表示为（ ）。若P 型区的掺杂浓度173A 1.510cm N -=?，外加电压V = 0.52V ，则P 型区与耗尽区边界上的少子浓度n p 为（ ）。 9、当对PN 结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（高）；当对PN 结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（低）。 10、PN 结的正向电流由（空穴扩散Jdp ）电流、（电子扩散电流Jdn ）电流和（势垒区复合电流Jr ）电流三部分所组成。 11、PN 结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（多子）；PN 结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（少子）。 12、当对PN 结外加正向电压时，由N 区注入P 区的非平衡电子一边向前扩散，一边（复合）。每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（ ）。 13、PN 结扩散电流的表达式为（ ）。这个表达式在正 向电压下可简化为（ ），在反向电压下可简化为（ ）。 14、在PN 结的正向电流中，当电压较低时，以（复合）电流为主；当电 压较高时，以（扩散）电流为主。 15、薄基区二极管是指PN 结的某一个或两个中性区的长度小于（少子扩 散长度）。在薄基区二极管中，少子浓度的分布近似为（线性）。
清华大学半导体器件张莉期末考题
发信人: smallsheep (final examination), 信区: Pretest 标题: 微电子器件 发信站: 自由空间 (Mon Jun 20 10:27:10 2005), 站内 填空： 一，已知af，aR，和IES，求Ics=____（互易关系） 二.bjtA和bjtB。一个集电极是N－，一个集电极是N＋ 问： 哪个饱和压降大___， 那个early电压大___ 那个容易电流集边___. 哪个容易穿通电压大_____ 哪个容易击穿BVCBO.____, 三.发射结扩散电容应该包括那几个时间常数的影响 简答： 1.β和ft对Ic的特性有很大的相似之处，比如在小电流段都随Ic的减小而减小，在大电流段都随Ic的增大而减小。请解释原因 2.总结一下NN+结的作用。 大题： 1.对于杂质浓度分布为NAB(x)=NAB(0)exp（－λx/WB)的分布，用moll－rose方法推出基区少子分布和渡越时间。 2.给了WB，WE，和其它一堆参数，求β，a,hef.... 求IB，Ic， 求π模型参数，gm，go，gu.. 3.画图，上升时间t0，t1’，t2’三点处的能带图，和少子分布图 总体来说很简单。好像很多人都很得意，ft！ 发信人: willow (我要我的自由), 信区: Pretest 标题: 半导体器件-张莉 发信站: 自由空间 (Wed Jun 23 21:38:40 2004), 站内 A卷 1。以下那些是由热载流子效应引起的。。。 。。。6个选项，待补充。。。 2。何谓准静态近似 3。为了加快电路开关时间参数应如何选取 。。。参数，电容，fT,beita,待补充 4。CE律的参数变化， Vt,xSiO2,N,结深 按照参数的变化规律下列效应将如何变化 （1）掺杂浓度N引起：...5种效应，待补充。。。//sigh,我把N弄反了，5个空全错
832微电子器件考试大纲详细
考试科目832微电子器件考试形式笔试（闭卷） 考试时间180分钟考试总分150分 一、总体要求 主要考察学生掌握“微电子器件”的基本知识、基本理论的情况，以及用这些基本知识和基本理论分析问题和解决问题的能力。 二、内容 1．半导体器件基本方程 1）半导体器件基本方程的物理意义 2）一维形式的半导体器件基本方程 3）基本方程的主要简化形式 2．PN结 1）突变结与线性缓变结的定义 2）PN结空间电荷区的形成
4）耗尽区宽度、内建电场与内建电势的计算5）正向及反向电压下PN结中的载流子运动情况6）PN结的能带图 7）PN结的少子分布图 8) PN结的直流伏安特性 9）PN结反向饱和电流的计算及影响因素 10）薄基区二极管的特点
11）大注入效应 12）PN结雪崩击穿的机理、雪崩击穿电压的计算及影响因素、齐纳击穿的机理及特点、热击穿的机理13）PN结势垒电容与扩散电容的定义、计算与特点 14）PN结的交流小信号参数与等效电路 15）PN结的开关特性与少子存储效应
2）基区输运系数与发射结注入效率的定义及计算 3）共基极与共发射极直流电流放大系数的定义及计算 4）基区渡越时间的概念及计算 5）缓变基区晶体管的特点 6）小电流时电流放大系数的下降 7）发射区重掺杂效应 8）晶体管的直流电流电压方程、晶体管的直流输出特性曲线图
9）基区宽度调变效应 10）晶体管各种反向电流的定义与测量 11）晶体管各种击穿电压的定义与测量、基区穿通效应12）方块电阻的概念及计算
13）晶体管的小信号参数 14）晶体管的电流放大系数与频率的关系、组成晶体管信号延迟时间的四个主要时间常数、高频晶体管特征频率的定义、计算与测量、影响特征频率的主要因素
电子元器件基础知识考试试题及答案
电子元器件基础知识考试试题及答案 部门： 姓名 得分： 一、 填空题（每题5分，共30分） 1. 电阻器是利用材料的电阻特性制作出的电子元器件，常用单位有欧姆（Ω）、千欧（KΩ）和兆欧（MΩ）， 各单位之间的转换关系为1MΩ=103KΩ＝106Ω。 2. 电阻器阻值的标示方法有直标法、数字法和色标法。 3. 电感器是用导线在绝缘骨架上单层或多层绕制而成的，又叫电感线圈。 4. 二极管按材料分类，可分为锗管和硅管。 5. 三极管按导电类型可分为PNP 型和NPN 型。 6. 碳膜电阻为最早期也最普遍使用的电阻器，利用真空喷涂技术在瓷棒上面喷涂一层碳膜，再将碳膜外层加工切割成螺旋纹状，依照螺旋纹的多寡来定其电阻值，螺旋纹愈多时表示电阻值愈大。 二、 判断题（每题5分，共25分） 1. 电阻量测不能带电测试，待测物要独立存在。 （正确） 2. 电阻器按安装方式可分为：固定电阻、可调电阻、特种电阻（敏感电阻）。 （正确） 3. 二极管又称晶体二极管，简称二极管，可以往两个方向传送电流。 （错误） 4. 三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。具有两个电极，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。 （错误） 5. 扼流线圈又称为扼流圈、阻流线圈、差模电感器，是用来限制交流电通过的线圈，分高频阻流圈和低频阻流圈。 （正确） 三、 简答题（每题15分，共45分） 1. 读出右图两个色环电阻的阻值及误差,并根据电容的标识方法读出贴片电容212J 和104K 的电容值及误差。 答： 1. 270Ω，5% 2. 200 KΩ，1% 3. 212J: 21*102 pF=2100 pF=2.1 nF , 5% 4. 104K: 10*104 pF=100 nF , 10% 2. 简述右图符号分别表示那些特性的晶体管。 答： 1. 普通二极管 2. 稳压二极管 3. 发光二极管 4. 光电二极管 3．列举3个常用的电子元器件并简述其用万用表简单的检测方法。 答： 1. 电阻器：万用表电阻档直接测量。 2．电容器：容量用万用表直接测量，充放电采用适当的电阻档观察阻值变化确定。 3. 电感器：万用表的Rx1挡，测一次绕组或二次绕组的电阻值，有一定阻值为正常。 4. 二极管：用万用表测量正反向电阻，用万用表二极管档测量正反向压降。 5. 三极管：用万用表二极管档位判断三极管基极和类型，利用数字万用表h FE 档可测出三极管的集电 极C 和发射极E ，测出正反向压降。 1 2
微电子器件 课程基本要求
微电子器件 钟智勇 办公室：<微电子楼>217室 电话：83201440 E mail: zzy@https://www.360docs.net/doc/919419452.html, -mail:zzy@uestc edu cn 8:00--10:00 周二晚上8:00 答疑时间：周二晚上 答疑时间：
教材与参考书 1、教材与参考书 教材： 教材 微电子器件（第3版），陈星弼，张庆中，2011年 参考书 参考书： 1.半导体器件基础，B.L.Anderson, R.L.Anderson, 清华大学出版社，2008年 2.半导体器件基础，Robert F. Pierret, 电子工业出版社，2004年 2半导体器件基础Robert F Pierret电子工业出版社 3.集成电路器件电子学（第三版），Richard S. Muller,电子工业出版社， 2004年 4.半导体器件物理与工艺（第二版），施敏，苏州大学出版社，2002年 5.半导体物理与器件（第三版），Donald A. Neamen, 清华大学出版社， 2003年 6. Physics of Semiconductor Devices( 3th Edition), S M Sze, Wiley- Interscience, 2007
2、学时、成绩构成与考核 总学时数：72学时 其中课堂讲授：60学时，实验：12 学时 成绩构成： 70分期中考试：分平时：10分实验：10 期末考试：70 分、期中考试：10分、平时：10 分、实验：10 分考试形式：闭卷考试
3、课程要求 1、网上只公布教材的标准课件与参阅资料，请做好笔记！ 网址：网络学堂：http://222.197.183.243/wlxt/course.aspx?courseid=0311下载密码i 下载密码：micro 2、请带计算器与作业本上课！ 请带计算器与作业本上课！ 3、鼓励学生学习，以下情况加分（最高加分为5分）： 鼓励学生学习以下情况加分（最高加分为 3.1 完成调研作业并在期末做presentation(ppt)者 3.2 在黑板上完成课堂练习者 3.3 指出教材错误及对教学/教材提出建设性意见者
电工资格证考试电子电路中常用的元件练习题集锦附参考答案(推荐)
电子电路中常用的元件习题参考答案 一、填空题： 1. PN结的单向导电性指的是 PN结正向偏置时导通，反向偏置时阻断的特性。 2. 硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时，其发射结电压U BE分别为 0.7 V和 0.3 V。 3. 晶体三极管有两个PN结，分别是发射结和集电结，分三个区域饱和区、放大区和截止区。晶体管的三种工作状态是放大状态、饱和状态和截止状态。 4. 一个NPN三极管发射结和集电结都处于正偏，则此三极管处于饱和状态；其发射结和集电结都处于反偏时，此三极管处于截止状态；当发射结正偏、集电结反偏时，三极管为放大状态。 5. 物质按导电能力强弱可分为导体、绝缘体和半导体。 6. 本征半导体掺入微量的三价元素形成的是 P 型半导体，其多子为空穴。 7. 某晶体三极管三个电极的电位分别是：V1＝2V，V2＝1.7V，V3＝－2.5V，可判断该三极管管脚“1”为发射极，管脚“2”为基极，管脚“3”为集电极，且属于锗材料 PNP 型三极管。 8. 稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅二极管，工作在特性曲线的反向击穿区。 二、判断题： 1.在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。（对） 2. 二极管两端加上正向电压就一定会导通。（错） 3. 用万用表测试晶体管好坏时，应选择欧姆档中比较大的量程。（错） 4. PNP管放大电路中，U CC的极性为负，说明发射结反偏，集电结正偏。（错） 5. 晶体管可以把小电流放大成大电流。（对） 6. 晶体管可以把小电压放大成大电压。（错） 7. 晶体管可用较小电流控制较大电流。（对） 8. 如果晶体管的集电极电流大于它的最大允许电流I CM，则该管被击穿。（错）
微电子技术前沿复习(带答案的哦)
微电子前沿复习提纲 看一些微电子技术发展的知识 1.请给出下列英文缩写的英文全文，并译出中文： CPLD: Complex Programmable Logic Device复杂可编程逻辑器件 FPGA: Field－Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL:generic array logic 通用阵列逻辑 LUT: Look-Up-Table 显示查找表 IP: Intellectual Property 知识产权 SoC: System on Chip 片上系统 2.试述AGC BJT器件实现AGC特性的工作原理; 试说明为什么 AGC BJT的工作频率范围受限? AGC 即自动增益控制（Automatic Gain Control） ? AGC BJT器件实现AGC特性的工作原理：当输入增加时，输出会同时增加，我们 可利用双极型晶体管的大注入效应和大电流下的基区扩展--kirk效应，衰减增益， 使放大系数降低，则达到了稳定输出的目的。 ?工作频率范围受限原因： 1) 、自动增益控制特性与频率特性是相矛盾，实现AGC需要基区展宽，而器件 的工作频率与基区宽度的平方成反比，要实现大范围的自动增益控制，要求 宽基区，使得工作频率范围受限。 2) 、实现AGC要求基区大注入,基区掺杂浓度低时，易于发生大注入效应，而基 区掺杂浓度动愈低，器件高频噪声愈差，使得工作频率范围受限。 3.为什么双栅MOSFET具有良好的超高频(UHF)特性？ 双栅MOSFET结构如图： 1) 、双栅MOS的端口 Gl靠近源极，对应的基区宽度短，加高频信号，称信号栅，可以实现超高频。 G2靠近漏极，对应的基区宽度较宽，有良好的AGC性能，加固定偏置或AGC电压，作增益控制栅。 2) 、它通过第二个栅极G2交流接地, 可在第一个栅极G1和漏极D之间起到有效的 静电屏蔽作用, 从而使得栅极与漏极之间的反馈电容(是Miller电容)大大减小，则 提高了频率。 4.为什么硅栅、耐熔金属栅能实现源漏自对准，而铝栅不行？实现
电子元件考题及参考答案
电子元器件试题及参考答案 一、填空题： 1、电阻是电子设计中应用最多的元器件之一,在电路中多用来进行降压、限流、上拉等.电阻用“R”表 示﹐它的基本单位是欧姆(Ω) 2、电阻的定义：是一个在电路中起阻碍作用的一个元器件。 3、电阻的单位换算：1MΩ（兆欧）=1000KΩ（千欧）=1000000Ω（欧姆） 4、色环电阻中颜色棕、红、橙、黄、绿、蓝、紫、灰、白、黑来分别表示1、2、3、4、 5、 6、 7、 8、 9、0数值，用颜色金、银、本色来表示它的误差值为±5%、±10%、±20%。 5、常用的直插电阻有三种﹕金属膜电阻﹑碳膜电阻﹑水泥电阻。 6．电阻按材质分：有碳膜电阻、金属膜电阻、线绕电阻、水银电阻等。 7、电阻按焊接方式分：可分插件电阻和贴片电阻。 8、电阻按用途：光敏电阻、压敏电阻。 9、正温度系数的热敏电阻阻值随温度上升而增大。 10、色环电阻按功率：有1W、2W、1/2W、1/4W、1/8W，色环电阻体积越大功率越大。 11、电容的定义：是一个在电路中起储存电作用的一个元器件。 12、电容按工作特性及电路的作用：可分为固定电容器、可变电容器和半可变电容器三类。 13、电容符号:如下图 其中a为电解电容的符号，b为普通瓷介电容的符号 a b 14、电容用字母“C”表示﹐它的基本单位是法拉(F)。 15、电容的单位换算：1F（法拉）= 103 mF(毫法)= 106 μF(微法)= 109 n F(納法)= 1012 pF(皮法) 16、电容按材料及结构：可分为云母电容、瓷介电容、电解电容等。其中瓷介电容和云母电容无极 性之分，而电解电容有极性之分，在组装时要特别小心，如果按装反，很容易造成损坏或爆炸。 17、电感在电路中一般用“L”表示，基本单位是亨利(H)。 18、电感的定义:电感是一个通直隔交的电子元器件，它一般主要用虑波电路以及高频电路中。 19、二极管：从它的名字可解释为有两个极的元器件，它在电路中一般用D表示。 20、二极管的种类繁多，从它的工作场所可分为整流二极管（这类是我们日常所用到最多的一类）、稳 压二极管、发光二极管、光电二极管等。 21、三极管元件是各种电子设备的关键元件,在电路中能起放大、振荡、调制、开关等多种作用。 22、三极管有三个极，即发射极（e）、基极（b）、集电极(c)。 23、三极管依型号分别有( PNP )与( NPN ); 24、三极管最基本的作用是放大作用。 25、IC零件脚是以IC表面标有圆点、缺口、或条形为IC的极性方向。 26、常见的IC脚位判定方法有： a)双排：缺口朝左，引脚朝下，逆时针方向旋转为第一脚； b)单排：印刷字体面对自己，脚朝下从左到右为引脚的正确顺序； c)四边对角边形：圆点或缺口朝左，引脚朝下，逆时针方向旋转为第一脚。 27、在IC贴件时要注意其极性,插错方向会使IC烧坏﹐使用时以PCB板上印刷的IC圆形有缺口(凹 槽) 的一方进行区分其极性﹐贴件时IC正面有极性标示的一方须对准缺口(凹槽)。 28、允许误差中，F代表±1%，J代表±5%，K代表±10%，M代表±20%， G代表±2%。 29、常用的PCB板类型有：单层板（单面板），双层板（多面板），多层板（多面板）；目前我们公司的PCB 板常用的三个镀层有：无铅喷锡，有铅喷锡，沉金。
电子科技大学《微电子器件》课程重点与难点
重点与难点 第1章半导体器件基本方程 一般来说要从原始形式的半导体器件基本方程出发来求解析解是极其困难的，通常需要先对方程在一定的具体条件下采用某些假设来加以简化，然后再来求其近似解。随着半导体器件的尺寸不断缩小，建立新解析模型的工作也越来越困难，一些假设受到了更大的限制并变得更为复杂。简化的原则是既要使计算变得容易，又要能保证达到足够的精确度。如果把计算的容易度与精确度的乘积作为优值的话，那么从某种意义上来说，对半导体器件的分析问题，就是不断地寻找具有更高优值的简化方法。要向学生反复解释，任何方法都是近似的，关键是看其精确程度和难易程度。此外，有些近似方法在某些条件下能够采用，但在另外的条件下就不能采用，这会在后面的内容中具体体现出来。 第2章PN结 第2.1节PN结的平衡状态 本节的重点是PN结空间电荷区的形成、内建电势的推导与计算、耗尽区宽度的推导与计算。 本节的难点是对耗尽近似的理解。要向学生强调多子浓度与少子浓度相差极其巨大，从而有助于理解耗尽近似的概念，即所谓耗尽，是指“耗尽区”中的载流子浓度与平衡多子浓度或掺杂浓度相比可以忽略。
第2.2节PN结的直流电流电压方程 本节的重点是对PN结扩散电流的推导。讲课时应该先作定性介绍，让学生先在大脑中建立起物理图象，然后再作定量的数学推导。当PN结上无外加电压时，多子的扩散趋势正好被高度为qV bi的势垒所阻挡，电流为零。外加正向电压时，降低了的势垒无法阻止载流子的扩散，于是构成了流过PN结的正向电流。正向电流的电荷来源是P区空穴和N区电子，它们都是多子，所以正向电流很大。外加反向电压时，由于势垒增高，多子的扩散变得更困难。应当注意，“势垒增高”是对多子而言的，对各区的少子来说，情况恰好相反，它们遇到了更深的势阱，因此反而更容易被拉到对方区域去，从而构成流过PN结的反向电流。反向电流的电荷来源是少子，所以反向电流很小。 本节的难点是对有外加电压时势垒区两旁载流子的运动方式的理解、以及电子（空穴）电流向空穴（电子）电流的转化。 第2.3节准费米能级与大注入效应 本节的重点是PN结在外加正向电压和反向电压时的能带图、大注入条件及大注入条件下的PN结电流公式。 本节的难点是大注入条件下自建场的形成原因。要向学生说明，大注入自建场的推导与前面进行过的非均匀掺杂内建场的推导在本质上是相同的，都是令多子电流密度方程为零而解出电场，这也是分析微电子器件时的一种常用方法。 第2.4节PN结的击穿 本节的重点是利用雪崩击穿临界电场和通过查曲线来求得雪崩击穿电压的方法，以及PN结的实际结构（高阻区的厚度和结深）对击穿电压的影响，这些都是实际工程中的常见问题。
新人教版四年级语文上册-单元期中期末专项练习-第八组达标检测B卷及答案
第八组达标测试卷 一、基础达标。(共43分) 1．在加点字的正确读音下画“——”。(6分) 潜．入深海(qián qiǎn) 筛．选(shān shāi) 烹． 调(pēng hēng) 例．如(lì liè) 盐碱．(jiǎn xián) 储． 存(cǔ chǔ) 崭．新(zhǎn zhàn) 船舶．(bō bó) 凌． 空(lín líng) 提供．(gōng gòng) 奇迹．(jī jì) 楷模． (mú mó) 2．比一比，再组词。(4分) ?????赖（ ）懒（ ） ?????辐（ ）副（ ） ?????舶（ ）泊（ ） ?????综（ ）棕（ ） 3．正确书写词语。(8分) 4．连一连。(8分) 5．还原下面广告中的成语，找出改动的字画圈，把正确的字写在括
号里。(3分) 服装广告：百衣百顺()蚊香广告：默默无蚊() 磁化杯广告：有杯无患() 摩托车广告：骑乐无穷() 淋浴器广告：湿出有名() 软件广告：无网不胜() 6．用正确的关联词填空。(4分) (1)科学家们提出，鸟类()和恐龙有亲缘关系，()很可能 就是一种小型恐龙的后裔。 (2)()食用，太空归来的这些特殊乘客()有很多用武之地 呢！ (3)电脑根据这些气象资料，为主人提供一个()节能()舒 适的家居环境。 (4)()太空蔬菜走进了千家万户，()我们餐桌上的菜肴更 丰富了。 7．句子训练。(10分) (1)我国科学家在辽宁西部首次发现了保存有羽毛印痕的恐龙化石。 (缩句) ________________________________________________________ (2)靠什么呼风唤雨呢？靠的是现代科学技术。(仿写) ________________________________________________________ (3)满天的星星在夜空中闪烁着光芒。(改为比喻句) ________________________________________________________ (4)我走上阳台。我去看爸爸养的金鱼。(合成一句话)
(完整word版)微电子器件与IC设计基础_第2版,刘刚,陈涛,课后答案.doc
课后习题答案 1.1 为什么经典物理无法准确描述电子的状态？在量子力学中又是用什么方法来描述的？ 解：在经典物理中，粒子和波是被区分的。然而，电子和光子是微观粒子，具有波粒二象性。因此，经典物理无法准确描述电子的状态。 在量子力学中，粒子具有波粒二象性，其能量和动量是通过这样一个常数来与物质波的频率和波矢 k 建立联系的，即 E h h p n k c 上述等式的左边描述的是粒子的能量和动量，右边描述的则是粒子波动性的频率和波矢k。 1.2量子力学中用什么来描述波函数的时空变化规律？ 解：波函数是空间和时间的复函数。与经典物理不同的是，它描述的不是实在的物理量 的波动，而是粒子在空间的概率分布，是一种几率波。如果用r , t 表示粒子的德布洛意 r ,t 2 r , t 表示波的强度，那么，t 时刻在 r 附近的小体积元 波的振幅，以r ,t x y z 中检测到粒子的概率正比于 2 r ,t x y z 。 1.3 试从能带的角度说明导体、半导体和绝缘体在导电性能上的差异。 解：如图 1.3 所示，从能带的观点来看，半导体和 绝缘体都存在着禁带，绝缘体因其禁带宽度较大 (6~7eV) ，室温下本征激发的载流子近乎为零，所 以绝缘体室温下不能导电。半导体禁带宽度较小， 只有1~2eV ，室温下已经有一定数量的电子从价 带激发到导带。所以半导体在室温下就有一定的 导电能力。而导体没有禁带，导带与价带重迭在 一起，或者存在半满带，因此室温下导体就具有 良好的导电能力。 1.4 为什么说本征载流子浓度与温度有关？ 解：本征半导体中所有载流子都来源于价带电子的本征激发。由此产生的载流子称为本征载流子。本征激发过程中电子和空穴是同时出现的，数量相等，n0 p0 n i。对于某一确定 的半导体材料，其本征载流子浓度为 2 n0 p0 N C N V e E g kT n i 式中， N C，N V以及 Eg 都是随着温度变化的，所以，本征载流子浓度也是随着温度变化的。
最新微电子器件基础题
微电子器件基础题
“微电子器件”课程复习题 一、填空题 1、若某突变PN 结的P 型区的掺杂浓度为163A 1.510cm N -=?，则室温下该区的平衡多子浓度p p0与平衡少子浓度n p0分别为（ ）和（ ）。 2、在PN 结的空间电荷区中，P 区一侧带（负）电荷，N 区一侧带（正）电 荷。内建电场的方向是从（N ）区指向（P ）区。 3、当采用耗尽近似时，N 型耗尽区中的泊松方程为（ ）。由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（ ）。 4、PN 结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（短），内建电场的最大值就 越（大），内建电势V bi 就越（大），反向饱和电流I 0就越（小），势垒电容C T 就越（ ），雪崩击穿电压就越（低）。 5、硅突变结内建电势V bi 可表为（ ），在室温下的典型值为（0.8）伏 特。 6、当对PN 结外加正向电压时，其势垒区宽度会（减小），势垒区的势垒高度 会（降低）。 7、当对PN 结外加反向电压时，其势垒区宽度会（变宽），势垒区的势垒高度 会（增高）。 8、在P 型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度n p 与外加电压V 之间的关系可 表示为（ ）。若P 型区的掺杂浓度173 A 1.510cm N -=?，外加电压V = 0.52V ，则P 型区与耗尽区边界上的少子浓度n p 为（ ）。 9、当对PN 结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平 衡少子浓度（高）；当对PN 结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（低）。 10、PN 结的正向电流由（空穴扩散Jdp ）电流、（电子扩散电流Jdn ）电流和 （势垒区复合电流Jr ）电流三部分所组成。 11、PN 结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（多子）；PN 结的 反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（少子）。 12、当对PN 结外加正向电压时，由N 区注入P 区的非平衡电子一边向前扩散，一边（复合）。每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（ ）。 13、PN 结扩散电流的表达式为（ ）。这个表达式在正向电压下可简 化为（ ），在反向电压下可简化为（ ）。 14、在PN 结的正向电流中，当电压较低时，以（复合）电流为主；当电压较 高时，以（扩散）电流为主。 15、薄基区二极管是指PN 结的某一个或两个中性区的长度小于（少子扩散长 度）。在薄基区二极管中，少子浓度的分布近似为（线性）。 16、小注入条件是指注入某区边界附近的（非平衡少子）浓度远小于该区的 （平衡多子）浓度，因此该区总的多子浓度中的（非平衡）多子浓度可以忽略。 17、大注入条件是指注入某区边界附近的（非平衡少子）浓度远大于该区的 （平衡多子）浓度，因此该区总的多子浓度中的（平衡）多子浓度可以忽略。