模拟电子技术基础

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附件1 理论课程教学大纲编写模版

《数值计算方法》教学大纲

课程英文名称:Methods of Numerical Computation

课程编号:学时:72

一、课程教学对象:全日制本科信息与计算科学专业

二、课程性质、目的和任务:

科学计算技术是计算机应用的一个重要方面,数值计算方法又叫数值分析,主要介绍在计算机上求解数值问题的计算方法的建立、理论及应用。通过教学使学生具备数值分析的基础知识与技能,为以后进一步从事科学计算方面的学习、研究和应用打下基础。要求学生牢固掌握基本概念、基本理论和方法建立的原理,掌握科学与工程计算中常用计算方法的构造及误差分析,讨论方法的稳定性、复杂性等,并将算法设计与计算机的实现紧密相结合,提高在计算机上解题的技巧与能力。本课程主要向学生介绍数值分析的基本方法以及数值分析研究中的一些较新的成果。包含解线性代数方程组的直接法、解线性代数方程组的迭代法、解非线性方程的迭代法、矩阵特征值与特征向量的计算、代数插值、函数逼近、数值积分与数值微分、常微分方程初值问题的数值解法等基本内容。通过教学使学生掌握各种常用数值算法的构造原理和过程分析,提高算法设计和理论分析能力。为能在计算机上解决科学计算问题打好基础。

三、对先修课的要求

学生在学习本课之前,应先修课程:数学分析,高等代数,常微分方程,数学软件

四、课程的主要内容、基本要求和学时分配建议(总学时数: 72=62+10)

第1章绪论及基本概念 2学时

介绍数值分析的研究对象与特点,算法分析与误差分析的主要内容,明确学习和掌握数值分析的基本理论在科学计算中的重要性和必要性。

(一)基本要求

1. 了解数值分析研究的对象及其特点;

2.了解误差的来源及分类;

3.掌握误差与有效数字的概念;

4.掌握数值运算的误差估计方法;

5.了解算法数值稳定性的概念;

6.了解避免误差危害的若干原则。

(二)重点

1.有效数字的概念;

2.绝对误差、相对误差的概念。

(三)难点

有效数字与误差的关系。

第2章函数插值8学时

(1)代数插值是函数逼近的重要方法,也是数值积分、数值微分及微分方程数值解法的基础。常用的插值法有适用于非等距节点的拉格朗日插值多项式、牛顿插值多项式,还有适用于等距节点的牛顿前差插值多项式和牛顿后差插值多项式;为了插值多项式能与被插函数较好地吻合,我们讨论了埃尔米特插值多项式,包括其公式的推导和误差分析;(2)鉴于高次插值的不稳定性,在插值点较多情况下,一般采用分段低次插值法,此类

方法计算简单且具有良好的稳定性和收敛性,应用较广泛;样条插值函数也是分段插值函数,它可以保证分段插值函数在整个区间上具有连续的二阶导数,因此具有较好的光滑性,收敛性和稳定性;(3)增加函数插值的MATLAB 编程及应用。

(一)基本要求

1. 了解插值函数及其相关定义;

2. 掌握Lagrange 插值多项式及其函数的性质,了解插值余项与误差估计相关概念;

3. 掌握均差和Newton 插值公式;

4. 掌握差分与等距节点插值公式;

5. 了解Hermite 插值公式;

6. 了解分段低次插值法;

7. 掌握三次样条插值的定义及其三次样条插值函数的构造方法,了解三次样条插值函数的收敛性与误差估计。

(二)重点

1.Lagrange 插值;

2.Newton 插值;

3.Hermite 插值。

(三)难点

三次样条插值。

第3章 函数逼近与曲线拟合 8学时

(1)函数逼近问题的是对于给定函数)(x f ,在另一类较简单的函数类中找到一个函数)(x p ,使)(x p 与)(x f 之差在某种度量意义下最小。最常用的度量标准有两种,即一致逼近和平方逼近。(2)曲线拟合的最小二乘法也是函数逼近的常用方法,即对于给定的一组数据,根据最小二乘原则在某一函数类中选择函数,使其拟合所给数据,在工程中具有广泛的应用。(3)增加函数逼近与曲线拟合的MATLAB 编程及上机。

(一)基本要求

1. 掌握范数、内积、赋范线性空间和权函数的概念;

2. 掌握勒让德多项式、切比晓夫多项式的概念及其性质;

3. 理解最佳一致逼近多项式的基本概念,掌握最佳一次逼近多项式的求法;

4.理解最佳平方逼近多项式的基本概念,掌握最佳平方逼近多项式的求法;

5.理解最小二乘法、曲线拟合的基本概念,掌握最小二乘拟合多项式的求法。

(二)重点与难点

1.最佳一致逼近多项式的基本概念及其计算方法;

2.最佳平方逼近多项式的基本概念及其计算方法;

3.最小二乘拟合的基本概念及其计算方法。

第4章 数值积分与数值微分 8学时

(1)用插值多项式近似代替被积函数,从而导出积分与微分的近似计算公式是数值积分与数值微分的基本方法。对于数值积分,在等距节点下,可导出牛顿-柯特斯公式,此类公式构造方便,算法简单;在不等距节点下,可导出高斯求积公式,其精度较高,但节点没有规律,构造的技巧性较高。(2)对于数值微分,用插值多项式的导数近似代替原函数的导数是最常用的方法。外推法的基本思想即可用于数值积分,推导出精度较高,稳定性好的龙贝格算法,也可用于数值微分,得到外推算法,精密地求得导数值。(3)增加数值积分与数值微分的MATLAB 编程及上机。

(一)基本要求

1. 掌握数值积分的基本思想,理解代数精度的概念;

2.理解插值型求积公式的基本概念,了解求积公式收敛性与稳定性的概念;

3.了解Newton-Cotes 求积公式的构造方法;

4. 掌握梯形公式、Simpsen 公式及其复化梯形公式、复化Simpsen 公式和余项表示公式;

5. 掌握Guass 型求积公式的一些基本特点,能利用正交多项式构造二点及三点Guass-Legndre 、

Guass-Chebyshev求积公式;

6.掌握数值微分的基本思想,会利用插值法构造数值微分公式,掌握二点及三点微分公式;

7. 会利用数值积分来构造数值微分公式。

(二)重点与难点

1.代数精度;

2.梯形公式、Simpsen公式及其复化梯形公式、复化Simpsen公式;

3.Guass型求积公式。

第5章解线性代数方程组的直接法 6学时

(1)了解研究求解线性代数方程组的数值方法的必要性。算法的分类及直接法的应用范围。高斯消去法是解线性代数方程组的最常用的直接法,也是其它类型直接法的基础。在此方法基础上加以改进,可得选主元的高斯消去法,其数值稳定性更高。(2)矩阵的三角分解法是基于高斯消去法思想的另一种求解线性代数方程组的直接法。当线性代数方程组的系数矩阵为特殊的对称正定阵时,又有平方根法及其改进方法。在实际问题中经常回遇到系数矩阵为三对角阵的情况,求解此类线性代数方程组可用追赶法。(3)增加解线性代数方程组的直接法的MATLAB编程及上机。

(一)基本要求

1. 掌握Gauss消去法和Gauss主元素消去法;

2.熟练运用矩阵三角分解法解线性方程组;

3.掌握追赶法和平方根法;

4.理解向量和矩阵范数的定义,掌握基本性质、定理;

5.了解矩阵的条件数,知道相关基本性质、定理;

6.知道矩阵的QR分解。

(二)重点

1.Gauss消去法;

2.矩阵三角分解;

3.矩阵的算子范数。

(三)难点

矩阵三角分解,矩阵的算子范数。

第6章解线性代数方程组的迭代法 8学时

(1)了解算法的分类及迭代法的应用范围及构造迭代法时必须考虑的收敛性和收敛速度问题。雅可比迭代法是最基本的迭代法,在此基础上加以改造即得高斯-塞德尔迭代法。SOR方法是高斯-塞德尔迭代法的加速方法。在SOR方法的迭代过程中改变分量的计算顺序即得SSOR方法。(2)在用同一种方法求解不同的线性代数方程组时,常会产生不同的效果。这涉及到所解线性代数方程组的性态。系数矩阵的条件数是度量线性代数方程组良态或病态的主要指标。迭代法的收敛性分析是研究解线性代数方程组的迭代法时必须考虑的问题。对于上述常用的迭代法,须掌握其收敛的条件。而对一般的迭代法,掌握其收敛性分析的基本方法和主要结果有助于我们进一步探究新的迭代法。(3)增加解线性代数方程组的迭代法的MATLAB编程及上机。

(一)基本要求

1. 理解迭代法的基本概念;

2.掌握Jacob迭代法、Gauss-Sedeil迭代法,知道SOR迭代法;

3.知道矩阵的谱半径的概念和严格对角占优矩阵的定义;

4.理解迭代法的收敛性,掌握判别Jacob迭代法、Gauss-Sedeil迭代法收敛性的基本方法。

(二)重点

1.Jacob迭代法;

2.Gauss-Sedeil迭代法;

3.收敛性的判别方法。

(三)难点

收敛性的判别方法和收敛速度。

第7章解非线性方程的迭代法 6学时

(1)了解研究解非线性方程的数值计算方法的必要性和主要研究内容。二分法是求单实根的有效方法。其优

点是算法简单,收敛性可以得到保证。但不能用于求复根和偶数重根。迭代法是一种逐步逼近根的方法,它使用某个固定公式反复校正根的近似值,使之达到精度要求。研究迭代法必须考虑收敛性和收敛速度问题及其加速方法。牛顿法是用线性方程代替非线性方程作为其近似方程,用近似方程的根作为原方程根的近似值。牛顿法在单根附近具有局部收敛性,并且至少具有平方收敛速度。但对初始指的选取比较苛刻。此外,牛顿法可用于求重根及多项式方程的复根。弦截法是用差商代替牛顿迭代公式中的导数,分为单点弦截法和双点弦截法。双点弦截法具有超线性收敛速度,但其使用需给出两个初始值。(2)上述迭代法的基本思想也可用于非线性方程组的求解。相应地我们有求解非线性方程组的牛顿法。为了减少计算量,可用某个矩阵近似代替雅可比矩阵,从而引出牛顿法的各种变形算法。(3)增加解非线性代数方程迭代法的MATLAB编程及上机。

(一)基本要求

1. 了解非线性方程的一些基本概念,如:有根区间、代数基本定理、单根、重根、全局收敛、局部收敛、收敛阶;

2.掌握二分法,了解其误差估计,知道二分法的优缺点;

3.了解不动点迭代法的基本原理,掌握不动点的存在性与迭代法的收敛性、收敛阶的判定;

4.熟练掌握Newton迭代法求根公式及其收敛性、收敛阶;掌握求重根的Newton迭代公式;

5.知道弦截法和抛物线法的计算公式;

6.了解非线性方程组的Newton迭代公式。

(二)重点

1.二分法;

2.不动点迭代法;

3.Newton迭代法。

(三)难点

各种迭代法收敛性定理的证明、收敛阶的估计。

第8章矩阵特征值与特征向量的计算 8学时

(1)乘幂法是一种计算实矩阵的按模最大的特征值及其相应的特征向量的方法。其特点是不破坏原始矩阵,直接使用原矩阵进行计算。而反幂法常用于求按模最小的特征值及其相应的特征向量,其有效性依赖于特征值的分布情况。(2)雅可比方法、QR方法都属于变换法,经过正交相似变换,将原矩阵化为易于求特征值的特殊形式。优点是收敛速度快,稳定性好。(3)增加矩阵特征值与特征向量的计算的MATLAB编程及上机。

(一)基本要求

1. 了解Gerschgorin圆盘定理;

2.掌握幂法与反幂法求解矩阵模最大特征值和最小特征值及相应的特征向量;

3.掌握带原点位移的幂法与反幂法;

4.了解计算矩阵特征值的QR方法。

(二)重点

1.Gerschgorin圆盘定理;

2.幂法与反幂法;

3.带原点位移的幂法与反幂法。

(三)难点

计算矩阵特征值的QR方法。

第9章常微分方程初值问题的数值解 8学时

(1)对于常微分方程初值问题,最常用的龙格-库塔方法,它除了具有较高的精度,还有自动起步和便于调节步长的优点。线性多步法的计算量较少,但一般不能自行启动,需借助单步法提供初值。(2)收敛性和稳定性从两个不同的角度描述了数值方法的可靠性。本章着重讨论了单步法的收敛性和稳定性。鉴于数值稳定性的分析相当复杂,为了讨论简单起见,常用试验方程来检验常微分方程初值问题的数值解法的数值稳定性。(3)增加常微分方程初值问题数值解法的MATLAB编程及上机。

(一)基本要求

1. 熟练掌握欧拉方法及其变形公式,能用这些公式求解微分方程初值问题的数值解;

2.理解龙格-库塔法的基本思想,能用经典龙格-库塔公式求解微分方程初值问题的数值解;

3.掌握单步法局部截误差及阶的定义,能求局部截误差来确定方法的阶;

4.了解线性多步法的基本思想;

5.了解绝对稳定的概念和绝对稳定区间的求法。

(二)重点

1.欧拉方法及其变形公式;

2.龙格-库塔法;

3.单步法局部截误差及阶的定义。

(三)难点

绝对稳定区间的求法。

五、实验内容和实验要求

1. 基本要求

“数值计算方法”实验课程作为“数值计算方法”课程的必要实践环节,主要目的是让学生在学习了理论教学中关于典型数学问题的数值求解方法后,能够构造求解该类问题数值解的算法,并编程上机实现算法,在上机过程中加强对算法的理解,并应用算法去解决实际问题,另外通过编程练习提高学生的程序设计能力。该实验课程共有5个实验,每次实验都要求学生根据相应的实验要求设计算法、上机用Matlab编程实现算法并撰写实验报告。

2

六、教材及参考书

1.理论课教材:李庆扬, 王能超, 易大义. 数值分析[M].北京:清华大学出版社2003.6.

2. 实验课教材:薛毅. 数值分析与实验[M].北京:北京工业大学出版社2005.

3.

3.主要参考文献

[1] 韩旭里,《数值计算方法》,复旦大学出版社,2009.5.

[2] 傅凯新, 黄云清, 舒适. 数值计算方法[M].长沙:湖南科学技术出版社2002.6.

[3] 王沫然.MATLAB6.0与科学计算[M].北京:电子工业出版社 2001.9.

本课程建议采用以多媒体教学手段为主,黑板板书为辅的教学形式,充分发挥多媒体教学手段信息量大、板书分析细致等特点

七、考核方式

期末考试(闭卷)占70%,实验上机占20%,平时作业占10%。

执笔人:王奇生编写日期:2010.05.15

审核人:_________ 日期:____________

模拟电子技术基础试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空(18分) 1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2.如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ,桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ,经过电容滤波后为 12 V ,二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3.差分放大电路,若两个输入信号u I1u I2,则输出电压,u O 0 ;若u I1 =100μV ,u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ;共模输入电压u Ic =90 μV 。 4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz 时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通 滤波器。 5.若三级放大电路中A u 1A u 230dB ,A u 320dB ,则其总电压增益为 80 dB ,折合为 104 倍。 6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到 78.5% ,但这种功放有 交越 失真。 7.集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空(20分) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V ,-9.3 V ,则这只三极管是( A )。 A .NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。 A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。 A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻,R S 为常数,为使下限频率f L 降低,应( D )。 A . 减小C ,减小R i B. 减小C ,增大R i C. 增大C ,减小 R i D. 增大C ,增大 R i 5.如图所示复合管,已知V 1的β1 = 30,V 2的β2 = 50,则复合后的β约为( A )。 A .1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( D )。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( A )。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8.与甲类功率放大方式相比,乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1

模拟电子技术基础_知识点总结

第一章半导体二极管 1.本征半导体 单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge 导电能力介于导体和绝缘体之间。 特性:光敏、热敏和掺杂特性。 本征半导体:纯净的、具有完整晶体结构的半导体。在一定的温度下,本征半导体内的最重要的物 理现象是本征激发(又称热激发),产生两种带电性质相反的载流子(空穴和自由电子对),温度越 高,本征激发越强。 空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位,使局部显示+q 电荷的空位宏观定向运动。 在一定的温度下,自由电子和空穴在热运动中相遇,使一对自由电子和空穴消失的现象称为复合。当热激发和 复合相等时,称为载流子处于动态平衡状态。 2 ?杂质半导体 在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 P型半导体:在本征半导体中掺入微量的3价元素(多子是空穴,少子是电子)。 N型半导体:在本征半导体中掺入微量的5价元素(多子是电子,少子是空穴)。 杂质半导体的特性 载流子的浓度:多子浓度决定于杂质浓度,几乎与温度无关;少子浓度是温度的敏感函数。 体电阻:通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 在半导体中,存在因电场作用产生的载流子漂移电流(与金属导电一致),还才能在因载流子 浓度差而产生的扩散电流。 3.PN 结 在具有完整晶格的P型和N型半导体的物理界面附近,形成一个特殊的薄层(PN结)。 PN结中存在由N区指向P区的内建电场,阻止结外两区的多子的扩散,有利于少子的漂移。 PN结具有单向导电性:正偏导通,反偏截止,是构成半导体器件的核心元件。 正偏PN结(P+,N-):具有随电压指数增大的电流,硅材料约为0.6-0.8V,锗材料约为0.2-0.3V < 反偏PN结 (P-, N+):在击穿前,只有很小的反向饱和电流Is。 4.半导体二极管 普通的二极管内芯片就是一个PN结,P区引出正电极,N区引出负电极。单向导电性:正向导通,反向截止。

模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第三章

第3章 多级放大电路 自测题 一、现有基本放大电路: A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.共源电路 E.共漏电路 根据要求选择合适电路组成两级放大电路。 (1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ,电压放大倍数大于3000 ,第一级应采用( A ),第二级应采用( A )。 (2)要求输入电阻大于10MΩ,电压放大倍数大于300 ,第一级应采用( D ),第二级应采用( A )。 (3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ,电压放大倍数数值大于100 , 第一级应采用( B ),第二级应采用( A )。 (4)要求电压放大倍数的数值大于10 ,输入电阻大于10MΩ,输出电阻小于100Ω,第一级应采用( D ),第二级应采用( B )。 (5)设信号源为内阻很大的电压源,要求将输入电流转换成输出电压,且1000o ui i U A I =>,输出电阻R o <100 ,第一级应采用采用( C ),第二级应( B )。 二、选择合适答案填入空内。 (1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( C 、D )。 A .电阻阻值有误差 B .晶体管参数的分散性 C .晶体管参数受温度影响 D .电源电压不稳 (2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( C )。 A .便于设计 B .放大交流信号 C .不易制作大容量电容 (3)选用差动放大电路的原因是( A )。 A .克服温漂 B .提高输入电阻 C .稳定放大倍数 (4)差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的( A ),共模信号是两个输入端信号的( C )。 A.差 B.和 C.平均值 (5)用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻,将使单端电路的( B )。 A .差模放大倍数数值增大 B .抑制共模信号能力增强 C .差模输入电阻增大 (6)互补输出级采用共集形式是为了使( C )。 A.放大倍数的数值大 B.最大不失真输出电压大 C.带负载能力强 三、电路如图T3·3所示,所有晶体管均为硅管,β均为200,'200bb r =Ω,静态时 0.7BEQ U V ≈。试求: (1)静态时T l 管和T 2管的发射极电流。 (2)若静态时0O u >,则应如何调节R c2的值才能使0O u =? 若静态0O u =V ,则R c2=?,电压放大倍数为多少?

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向) 导电性。 2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温 度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其 反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集) 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳 定交流输出电流采用(串联)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=(1/ F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(), ()称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号, 而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互 补功率放大器。 13、OCL电路是()电源互补功率放大电路; OTL电路是()电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻 ()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于() 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信 号是运载信息的工具,称为()。

模拟电子技术基础全套教案

《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的: 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数,掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法;使学生具有一定的实践技能和应用能力;培养学生分析问题和解决问题的能力,为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求: 1.掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2.掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析,熟悉改进放大电路,理解多级放大电路的耦合方式及分析方法,理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法,理解放大电路的频率特性概念及分析。 3.掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法,理解负反馈对放大电路性能的影响,熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算,了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4.了解集成运算放大器的组成和典型电路,理解理想运放的概念,熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路;掌握一般直流电源的组成,理解整流、滤波、稳压的工作原理,了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材: 杨栓科编,《模拟电子技术基础》,高教出版社 主要参考书目: 康华光编,《电子技术基础》(模拟部分)第四版,高教出版社 童诗白编,《模拟电子技术基础》,高等教育出版社, 张凤言编,《电子电路基础》第二版,高教出版社, 谢嘉奎编,《电子线路》(线性部分)第四版,高教出版社,

陈大钦编,《模拟电子技术基础问答、例题、试题》,华中理工大学出版社,唐竞新编,《模拟电子技术基础解题指南》,清华大学出版社, 孙肖子编,《电子线路辅导》,西安电子科技大学出版社, 谢自美编,《电子线路设计、实验、测试》(二),华中理工大学出版社, 绪论 本章的教学目标和要求: 要求学生了解放大电路的基本知识;要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排:(采用多媒体教学) §1-1 电子系统与信号0.5 §1-2 放大电路的基本知识0.5 本章重点: 放大电路的基本认识;放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式:课堂讲授 本章课时安排: 1 本章的具体内容: 1节 介绍本课程目的,教学参考书,本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法; 介绍放大电路的基本认识;放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。

模拟电子技术基本练习题(解)教学文稿

模拟电子技术基本练 习题(解)

电子技术基础(模拟部分)综合练习题 2010-12-12 一.填空题:(将正确答案填入空白中) 1.N型半导体是在本征半导体中掺入3价元素,其多数载流子是电子,少数载流子是空穴。P型半导体是在本征半导体中掺入 5价元素,其多数载流子是空穴,少数载流子是电子。 2.为使三极管能有效地有放大作用,要求三极管的发射区掺杂浓度最高;基区宽度最薄;集电结结面积最大。 3.三极管工作在放大区时,发射结要正向偏置,集电结反向偏置,工作在饱和区时,发射结要正向偏置,集电结正向偏置,工作在截止区时,发射结要反向偏置,集电结反向偏置。 4.工作在放大状态的三极管,流过发射结的电流主要是扩散电流,流过集电结的电流主要是漂移电流。 5.某三极管,其α=0.98,当发射极电流为2mA,其基极电流为0.04mA,该管的β值为 49。 6.某三极管,其β=100,当集电极极电流为5mA,其基极电流为0.05mA,该管的α值为 0.99。 7.某三极管工作在放大区时,当I B从20μA增大到40μA,I C从1mA变成 2mA。则该管的β约为 50。 8.半导体三极管通过基极电流控制输出电流,所以它属于电流控制器件。其输入电阻较低;场效应管通过栅极电压控制输出电流,所以它属于 电压控制器件。其输入电阻很高。

9.晶体管的三个工作区是放大区,截止区,饱和区。场效应的三个工作区是可变电阻区,饱和区,截止区。 10.场效应管又称单极型管,是因为只有一种载流子参与导电;半导体三极管又称双极型管,是因为有两种载流子参与导电。 11.串联式直流稳压电源是由组成取样电路;比较放大器; 基准电压和调整管。 12.集成运算放大器的内部电路是由偏置电路 , 中间放大器 , 输入级和 输出级四部分组成。 13.在一个三级放大电路中,已知A v1=20;A v2=-100;Av3=1,则可知这三级放大电路中A1是共基极组态;A2是共射极组态;A3是共集电极组态。14.正弦波振荡电路一般是由如下四部分组成放大器;反馈网络; 稳幅电路和选频网络。 15.为稳定放大电路的输出电流和提高输出电阻,在放大电路中应引入电流串联负反馈。 16.PNP三极管基区中的多数载流子是电子。少数载流子是空穴。17.对于放大电路,所谓开环是指放大电路没有反馈支路。 18.为稳定放大电路的输出电压和增大输入电阻,应引入电压串联负反馈。19.单相桥式整流电路中,设变压器的副边电压为V2,则输出直流电压的平均值为0.9V2。 20.差动放大电路中,共模抑制比K CMR是指差模电压放大倍数与共模电压放大倍数之比的绝对值。 二.选择题

(完整版)模拟电子技术基础-知识点总结

模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V 阳 >V 阴 ( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V 阳

模拟电子技术基础考试试题复习资料

第1页 共5页 一、填空(共20空,每空 1 分,共 20 分,所有答案均填写在答题纸上) 1、场效应管被称为单极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域,当三极管工作在 区时, b I Ic β<。 3、场效应管可分为 型场效应管和结型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中,共 基本放大电路只能放大电压不能放大电流。 5、在绘制电子放大电路的直流通路时,电路中出现的 视为开路, 视为短路,信号源可视为为短路但应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有直接耦合、阻容耦合、 和 耦合等。 7、晶体管是利用 极电流来控制 极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的交流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚断是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈,通常令输出电压为零,看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈不复存在则为 。 11、仅存在于放大电路的交流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由 、 、输出级和偏置电路四部分组成。 13、如果集成运放的某个输入端瞬时极性为正时,输出端的瞬时极性也为正,该输入端是 相输入端,否则该输入端是 相输入端。 14、差分放大电路的差模放大倍数和共模放大倍数是不同的, 越大越好, 越小越好。 二、单项选择题(共10题,每题 2 分,共 20分;将正确选项的标号填在答题纸上) 1、稳压二极管如果采用正向接法,稳压二极管将 。 A :稳压效果变差 B :稳定电压变为二极管的正向导通压降 C :截止 D :稳压值不变,但稳定电压极性发生变化 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结正向偏置,则此管的工作状态为 。 A :饱和状态 B :截止状态 C :放大状态 D :不能确定 3、测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示,该管为 。 A : PNP 型硅管 B :NPN 型锗管 C : NPN 型硅管 D :PNP 型锗管

“模拟电子技术基础”课程教学大纲

“模拟电子技术基础”课程教学大纲 课程名称:模拟电子技术基础 教材信息:《模拟电子电路及技术基础(第三版)》,孙肖子主编 主讲教师:孙肖子(西安电子科技大学电子工程学院副教授) 学时:64学时 一、课程的教学目标与任务 通过本课程教学使学生在已具备线性电路分析的基础上,进一步学习包含有源器件的线性电路和线性分析、计算方法。使学生掌握晶体二极管、稳压管、晶体三极管、场效应管和集成运放等非线性有源器件的工作原理、特性、主要参数及其基本应用电路,掌握各种放大器、比较器、稳压器等电路的组成原理、性能特点、基本分析方法和工程计算及应用技术,获得电子技术和线路方面的基本理论、基本知识和基本技能。培养学生分析问题和解决问题的能力,为以后深入学习电子技术其他相关领域中的内容,以及为电子技术在实际中的应用打下基础。 二、课程具体内容及基本要求 (一)、电子技术的发展与模电课的学习MAP图(2学时) 介绍模拟信号特点和模拟电路用途,电子技术发展简史,本课程主要教学内容,四种放大器模型的结构、特点、用途及增益、输入电阻、输出电阻等主要性能指标,频率特性和反馈的基本概念。 1.基本要求 (1)了解电子技术的发展,本课程主要教学内容,模拟信号特点和模拟电路用途。 (2)熟悉放大器模型和主要性能指标。

(3)了解反馈基本概念和反馈分类。 (二)、集成运算放大器的线性应用基础(8学时) 主要介绍各种理想集成运算应用电路的分析、计算,包括同/反相比例放大、同/反相相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路和有源滤波等电路的分析、计算,简单介绍集成运放的实际非理想特性对应用电路的影响及实践应用中器件选择的依据和方法。 1.基本要求 (1)了解集成运算放大器的符号、模型、理想运放条件和电压传输特性。 (2)熟悉在理想集成运放条件下,对电路引入深反馈对电路性能的影响,掌握“虚短”、“虚断”和“虚地”概念。 (3)掌握比例放大、相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路的分析、计算。 (4)了解二阶有源RC低通、高通、带通、带阻和全通滤波器的传递函数、幅频特性及零极点分布,能正确判断电路的滤波特性。 (5)熟悉集成运算放大器的主要技术指标的含义,了解实际集成运放电路的非理想特性对实际应用的限制。 2.重点、难点 重点:各种集成运放应用电路的分析、计算和设计。 难点:有源滤波器的分析、计算和集成运放非理想特性对实际应用的影响,。 (三)、电压比较器、弛张振荡器及模拟开关(4学时) 主要介绍简单比较器、迟滞比较器和弛张振荡器的电路构成、特点、用途、传输特性及主要参数的分析、计算,简单介绍单片集成电压比较器和模拟开关的特点、主要参数和基本应用。

模拟电子技术基础试题(1)

浙江理工大学《模拟电子技术基础》试题(1) 一、填空(共30分,1分/空) 1、在本征半导体中加入 价元素可形成N 型半导体,加入 价元素可形成P 型半导体。 2、在一个交流放大电路中,测出某三极管三个管脚对地电位:①端为1.5V 、②端为4V 、③端为2.1V ,则①端为 极、②端为 极、②端为 极,该管子为 型。 3、集成运放实际上是一种高性能的直接耦合放大电路。通常由 、 、 和 等四部分组成。 4、放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 ,而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 。 5、为了增大放大电路的输入电阻,应引入 负反馈;为了增大放大电路的输出电阻,应引入 负反馈。 6、电路如图1.1所示,已知集成运放的开环差模增益和差模输入电阻均近于无穷大,最大输出电压幅值为±14V 。填空:电路引入了 (填入反馈组态)交流负反馈,电路的输入电阻趋近于 ,电压放大倍数=f u A 。设V U I 1=,则=O U ;若1R 开路,则O U 变为 V ;若1R 短路,则O U 变为 V ;若2R 开路,则O U 变为 V ;若2R 短路,则O U 变为 V 。 图1.1 7、 比例运算电路的输入电流等于零,而 比例运算电路的输入电流等于流过反馈电阻中的电流。 8、当信号频率等于石英晶体的串联谐振频率或并联谐振频率时,石英晶体呈 ;当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时,石英品体呈 ;其余情况下石英晶体呈 。 9、已知电路如图1.2所示,电路中D 1和D 2管的作用是消除 。 图1.2 10、整流的目的是 ;直流稳压电源中滤波电路的目的是 。 二、 判断题(20分,1分/题) 1、因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。 ( ) 2、所有二极管都不能正常工作在击穿区。 ( ) 3、可以说任何放大电路都有功率放大作用。 ( ) 4、只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。 ( ) 5、阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立。 ( ) 6、只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。 ( ) 7、若放大电路的放大倍数为负,则引入的反馈一定是负反馈。 ( ) 8、若放大电路引入负反馈,则负载电阻变化时,输出电压基本不变。 ( ) 9、只要在放大电路中引入反馈,就一定能使其性能得到改善。 ( ) 10、放大电路的级数越多,引入的负反馈越强,电路的放大倍数也就越稳定。 ( ) 11、凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。 ( ) 12、在运算电路中,集成运放的反相输入端均为虚地。 ( )

模拟电子技术基础试题汇总

模拟电子技术基础试题汇总 一.选择题 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将( )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管处于( ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( )。 ( A)温度稳定性( B)单向导电性( C)放大作用( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生 ( )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示,二极管导通电压U D=,关于输出电压的说法正确的是( )。 A:u I1=3V,u I2=时输出电压为。 B:u I1=3V,u I2=时输出电压为1V。 C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。 D:只有当u I1=,u I2=时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。 A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高 C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻R b变高。

8. 直流负反馈是指( ) A. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中,A 为理想运放,则电路的输出电压约为( ) A. - B. -5V C. - D. - 11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV ,则差模输 入电压△υid 为( ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与低阻负载间接入 ( )。 A. 共射电路 B. 共基电路 C. 共集电路 D. 共集-共基串联电路 13. 在考虑放大电路的频率失真时,若i υ为正弦波,则o υ( ) A. 有可能产生相位失真 B. 有可能产生幅度失真和相位失真 C. 一定会产生非线性失真 D. 不会产生线性失真 14. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是,前者的运 放通常工作在( )。 A. 开环或正反馈状态 B. 深度负反馈状态 C. 放大状态 D. 线性工作状态 15. 多级负反馈放大电路在( )情况下容易引起自激。 A. 回路增益F A &&大 B 反馈系数太小

模拟电子技术基础考试试题答案

一、填空(共20空,每空 1 分,共 20 分,所有答案均填写在答题纸上) 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域,只有当三极管工作在 区时,关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中,共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时, 视为短路, 视为短路,但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈,通常令输出电压为零,看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解,三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比,而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题(共10题,每题 2 分,共 20分;将正确选项的标号填在答题纸上) 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时,稳压二极管 。 A :稳压效果变差 B :仍能较好稳压,但稳定电压变大 C :反向截止 D :仍能较好稳压,但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结反向偏置,则此管的工作状态为 。 A :饱和状态 B :截止状态 C :放大状态 D :不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100,现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管,正确的说法是 。

《模拟电子技术基础》典型习题解答

半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示,已知u i=5sinωt (V),二极管导通电压U D=0.7V。试画出u i 与u O的波形,并标出幅值。 图P1.1 解图P1.1 解:波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2(a)所示,其输入电压u I1和u I2的波形如图(b)所示,二极管导通电压U D=0.7V。试画出输出电压u O的波形,并标出幅值。 图P1.2 解:u O的波形如解图P1.2所示。

解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA ,最大功耗P ZM =150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。 图P1.3 解:稳压管的最大稳定电流 I ZM =P ZM /U Z =25mA 电阻R 的电流为I ZM ~I Zmin ,所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ~I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z =6V ,最小稳定电流I Zmin =5mA ,最大稳定电流I Zmax =25mA 。 (1) 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值; (2) 若U I =35V 时负载开路,则会出现什么现象?为什么? 图P1.4 解:(1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I =15V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I =35V 时,稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ,所以U O =U Z =6V 。 (2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5(a )、(b )所示,稳压管的稳定电压U Z =3V ,R 的取值合适,u I 的波

模拟电子技术基础pdf

模拟电子技术基础模拟电子技术基础https://www.360docs.net/doc/943034984.html,简介1.电子技术的发展2.模拟信号和模拟电路3.电子信息系统的组成4.模拟电子技术的基础课程的特点5.如何学习本课程6.课程目的7.测试方法HCH atsin https://www.360docs.net/doc/943034984.html, 1,电子技术的发展,电子技术的发展,促进计算机技术的发展,使其“无处不在”,广泛用过的!广播和通信:发射机,接收机,公共地址,录音,程控交换机,电话,移动电话;网络:路由器,ATM交换机,收发器,调制解调器;行业:钢铁,石化,机械加工,数控机床;运输:飞机,火车,轮船,汽车;军事:雷达,电子导航;航空航天:卫星定位,监测医疗:伽马刀,CT,B超检查,微创手术;消费类电子产品:家用电器(空调,冰箱,电视,音响,摄像机,照相机,电子手表),电子玩具,各种警报器,安全系统HCH a https://www.360docs.net/doc/943034984.html,电子技术的发展在很大程度上反映了在组件开发中。1904年,1947年和1958年,从电子管到半导体管再到集成电路,集成电子管应运而生,晶体管得到了成功的开发。HCH atsin与电子管,晶体管和集成电路的比较https://www.360docs.net/doc/943034984.html,半导体组件的发展,贝尔实验室在1947年制造了第一个晶体管,在1958年制造了集成电路,在1969年制造了LSI,在1975年制造了第一

个集成电路四个晶体管,而1997年单个集成电路中有40亿个晶体管。一些科学家预测,集成度将提高10倍/ 6年,到2015或2020年达到饱和。学习电子技术课程应始终注意发展电子技术!hch a tsin https://www.360docs.net/doc/943034984.html,要记住的一些科学家!第一个晶体管的发明者(由贝尔实验室的John Bardeen,William schockley和Walter bradain发明)在1947年11月底发明了该晶体管,并于12月16日正式宣布了“晶体管”的诞生。他获得了诺贝尔物理学奖。1956年。1972年,他因超导研究而获得诺贝尔物理学奖。1958年9月12日,第一个集成电路及其发明者Ti的Jack Kilby在德州仪器公司的实验室中实现了将电子设备集成到半导体材料中的想法。42年后,他获得2000年诺贝尔物理学奖。“奠定了现代信息技术的基础”。

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工 作点过高,容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示,二极管导通电压U D=0.7V,关于输出电压的说法正确的是( B )。 A:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为1V。 C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。 D:只有当u I1=0.3V,u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高 C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中,A为理想运放,则电路的输出电压约为( A ) A. -2.5V B. -5V C. -6.5V D. -7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

模拟电子技术基础》典型习题解答

半导体器件的基础知识 电路如图所示,已知u i =5sin ωt (V),二极管导通电压U D =。试画出u i 与u O 的波形,并标出幅值。 图 解图 解:波形如解图所示。 电路如图(a )所示,其输入电压u I1和u I2的波形如图(b )所示,二极管导通电压U D =。试画出输出电压u O 的波形,并标出幅值。 图 解:u O 的波形如解图所示。 解图 已知稳压管的稳定电压U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA ,最大功耗P ZM =150mW 。试求图所示电路中电阻R 的取值范围。 图 解:稳压管的最大稳定电流 I ZM =P ZM /U Z =25mA 电阻R 的电流为I ZM ~I Zmin ,所以其取值范围为 已知图所示电路中稳压管的稳定电压U Z =6V ,最小稳定电流I Zmin =5mA ,最大稳定电流I Zmax =25mA 。 (1) 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值; (2) 若U I =35V 时负载开路,则会出现什么现象为什么 图 解:(1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 当U I =15V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 当U I =35V 时,稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ,所以U O =U Z =6V 。 (2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。 电路如图(a )、(b )所示,稳压管的稳定电压U Z =3V ,R 的取值合适,u I 的波形如图(c )所示。试分别画出u O1和u O2的波形。 图 解图 解:波形如解图所示 测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子,并分别说明它们是硅管还是锗管。 图 解:晶体管三个极分别为上、中、下管脚,答案如解表所示。

《模拟电子技术基础》考试试卷一_附答案_模电

模拟电子技术基础试卷一附答案 一.(10分)设二极管采用恒压降模型且正向压降为0.7V,试判断下图中各二极管是否导通,并求出图(a)电路在v i=5sinωt V时的输出v o波形以及图(b)电路的输出电压V o1。 (a) (b) 二.(10分)放大电路如图所示。已知: R b1=62K,R b2=15K,R s=10K,R c=3K, R e=1K,R L=3K,C1=C2=10μ,C e=220μ, V CC=+15V,β=80,V BE=0.7V。 1.说明电路属于何种组态, 画出该电路的直流通路;(5分) 2.计算该电路的静态工作点。(5分) 3.画小信号等效电路,求电压放大倍数,输入 电阻,输出电阻。 4.说明电路属于何种组态, 三.(18分)放大电路如图所示。已知C足够大,场效应管的参数g m=0.8ms,R2=6.8KΩ,三极管的参数β=50,r be=0.5K,R3=90KΩ,R4=10KΩ,R5=4KΩ,R6=1.5KΩ,R L=4KΩ。 1.画出其小信号模型等效电路。(4分) 2.计算电路的电压放大倍数A v、输入电阻R i和输出电阻R o。(10分) 3.若R s=10K时,计算源电压放大倍数A vs,说明R6对电路频率响应的影响。(4分)

四.(12分)反馈放大电路如图示。 1.判断各电路中级间交流反馈的极性(要求在图上标出反馈极性)。(4分) 2.对于级间交流反馈为负反馈的电路,进一步判断反馈的类型,同时按深度负反馈的条件估算电路的闭环电压增益(写出表达式)。并简单说明电路对输入电阻,输出电阻的影响,对信号源内阻有什么要求?(8分) (a ) (b ) 五.(10分)集成运算放大器构成的运算电路如图示,求电路的输出电压。 1.求出电路(a )的输出电压。(4分) 2.在电路(b )中,设t =0时v c =0,此时加入v i =1V ,求t =40ms 时v o =?(6分) (a ) (b ) 六.(10分)电路如图所示,试用相位平衡条件判断哪个能振荡,哪个不能振荡(要 求在电路中应标出i V ,o V ,f V 以及它们的瞬时极性)?对能振荡的电路写出振荡频率的表达式。 (a ) (b ) 七.(10分)比较器电路如图所示,设运放是理想器件。 1.求门限电压值V th ,并画出比较器的电压传输特性

《模拟电子技术基础》题库

《模拟电子技术基础》题库 一、填空题 1-12(第一章) 1、杂质半导体有型和型之分。 2、PN结最重要的特性是__________,它是一切半导体器件的基础。 3、PN结的空间电荷区变厚,是由于PN结加了__________电压,PN结的空间电荷区变窄,是由于PN 结加的是__________电压。 4、N型半导体中多数载流子是,P型半导体中多数载流子是,PN结具 有特性。 5、发射结偏置,集电结偏置,则三极管处于饱和状态。 6、P型半导体中空穴为载流子,自由电子为载流子。 7、PN结正偏时,反偏时,所以PN结具有导电性。 8、反向电流是由载流子形成,其大小与有关,而与外加电压。 9、三极管是控制元件,场效应管是控制元件。 10当温度升高时,三极管的等电极电流I,发射结压降UBE。 11、晶体三极管具有放大作用时,发射结,集电结。 12、漂移电流是电流,它由载流子形成,其大小与有关,而与 外加电压。 13-19(第二章) 13、放大电路中基极偏置电阻Rb的作用是__________。 14、两级放大电路的第一级电压放大倍数为100,即电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB,第二 级电压增益为26dB,则两级总电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB。 15、有偶数级共射电路组成的多级放大电路中,输入和输出电压的相位_________,有奇数级组成的多 级放大电路中,输入和输出电压的相位__________。 16、电压负反馈稳定的输出量是__________,使输出电阻__________,电流负反馈稳定的输出量_______, 使输出电阻__________。 17、稳压二极管是利用二极管的__________特性工作的。 18、晶闸管阳极和阴极间加__________,控制极加适当的__________,晶闸管才能导通。 19、在输入V2单相半波整流电路中,二极管承受的最大反向电压为V RM,负载电压为V O。 20-26(第三章) 20、甲类功放的最大缺点是_______; 21、双极型三极管是控制器件,场效应管是控制器件;结型场效应管的栅源极之间 必须加偏置电压,才能正常放大工作。

模拟电子技术基础试卷1答案

院(系)_________________专业_______________________班级___________姓名__________________学号_________________ ……………………密………………………封……………………线………………………… 《模拟电子技术基础》试卷1 答案 一、填空题(请将答案填在相应的答题线上。每空2分,共22分) 1.在本征半导体中加入五价元素可以形成 N 型半导体。 2.当温度升高时晶体管的反向饱和电流CBO I 将 增大 。(填“增大”或者“减 小”或者“不变”)。 3.电路如图1-1所示,设二极管导通电压D 0.7U =V ,则该电路的输出电压值U = V 。 4.电路如图1-2所回示,则该电路输出电压O u 与输入电压I u 的关系为 I O -du u RC dt = 。 5.已知某共射放大电路的对数幅频特性如图1-3所示,则其中频电压放大倍数um ||A ? 为 100 ,电路的下限频率L f = 10 Hz 。 I ? 图1-1 图1-2 图1-3 6.按照滤波电路的工作频率,通过某一频率范围的信号,频率低于此范围的信号及高于此范围的信号均被阻止的滤波器称为 带通 滤波器。 7.正弦波振荡电路的平衡条件为 1A F ? ? = 。 8.正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为RC 、RL 和石英晶体三种电路,其中 石英晶体 振荡电路的振荡频率最为稳定。 9.直流稳压电源由 整流 电路、滤波电路和稳压电路组成。 10.在串联型线性稳压电源中,调整管、基准电压电路、输出电压采样电路和 比较放大 电路是基本组成部分。

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