材料分析方法 第五章(3)

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材料分析方法总结

材料分析方法总结

第一章 X 射线物理学基础一、X 射线产生的主要装置和条件 主要装置:阳极靶材、阴极灯丝条件:a. 大量自由电子;b. 定向高速运动;c. 运动路径上遇到障碍(靶材)二、短波限一个电子在与阳极靶撞击时,把全部能量给予一个光子,这就是一个光量子所能获得的最大能量,即:h c/λ=eU ,此时光量子的波长即为短波限λSWL 。

三、连续X 射线(强度公式)大量电子在与靶材碰撞的过程中,能量不断减小,光子所获得的能量也不断减小,形成了一系列由短波限λSWL 向长波方向发展的连续波谱。

连续谱强度21iZU K I四、特征X 射线(莫塞莱定律)当X 射线管两端的电压增高到某一特定值U k 时,在连续谱的特定的波长位置上,会出现一系列强度很高,波长范围很窄的线状光谱,它们的波长对一定材料的阳极靶材有严格恒定的数值,此波长可作为阳极靶材的标志或特征,所以称为特征谱或标识谱。

莫塞莱定律:Z K 21) U - U ( i K I m n 3 (Un 为临界激发电压,原子序数Z 越大,Un 越大)五、X 射线吸收(透射)公式——(质量吸收系数:单质、化合物(固溶体、混合物)) 单质 m tm m e I eI I 00化合物ni i mim w 1六、光电效应、荧光辐射、俄歇效应光电效应:当入射X 射线光量子能量等于或略大于吸收体原子某壳层电子的结合能时,电子易获得能量从内层逸出,成为自由电子,称为光电子,这种光子击出电子的现象称为光电效应。

荧光辐射:因光电效应处于相应的激发态的原子,将随之发生如前所述的外层电子向内层跃迁的过程,同时辐射出特征X 射线,称X 射线激发产生的特征辐射为二次特征辐射,称这种光致发光的现象为荧光效应。

俄歇效应:原子K 层电子被击出后, L 层一个电子跃入 K 层填补空位,而另一个L 层电子获得能量逸出原子成为俄歇电子,称这种一个K 层空位被两个 L 层空位代替的过程为俄歇效应。

光电效应——光电子荧光辐射——荧光X 射线(二次X 射线) 俄歇效应——俄歇电子七、吸收限及其两个应用:滤波片的选择、靶材的选择吸收限:欲激发原子产生K、L、M等线系的荧光辐射,入射X 射线光量子的能量必须大于或至少等于从原子中击出一个K、L、M层电子所需的能量W K、W L、W M,如,W K= h K = hc / K,式中, K、 K是产生K系荧光辐射时,入射X射线须具有的频率和波长的临界值。

材料分析方法 第五章(2)

材料分析方法 第五章(2)

式中:f—原子散射因子, 显然 f ≦ Z
S0 •A•
f 的物理意义:
•C
f=
一个原子散射波的振幅 一个电子散射波的振幅

S
D

• 2q B• •
➢如何得到f值? ➢(1) 由sinq/λ值, ➢ 从右图可查到f 值。
➢(2)由sinq/λ值, ➢查本书附录6, ➢可得到f 值。
总结: 一个原子的散射
➢其坐标为(0, 0, 0),原子散射因子为f,
➢代入结构因子表达式:
FHKL = fj exp[2i(Hxj + Kyj + Lzj)] 得 FHKL = f e2i( 0+0+0) = f
则 |FHKL|2 =f2
结论:在简单点阵情况下,FHKL不受HKL 的影响,即HKL为任意整数时,都能产生 衍射。
FHKL = f e2i(0) + f ei(H+K) + f ei(H+L) + f
ei(K+L)
= f [1 + (-1)(H+K) + (-1)(H+L) + (1)(K+L)]
➢可见:
①当H、K、L全为奇数或偶数时,则 (H+K)、(H+L)、(K+L)均为偶数,这时: FHKL = 4f, ∴ |FHKL|2 = 16f2; ②当H、K、L中有2个奇数一个偶数或2个 偶 数 1 个 奇 数 时 , 则 ( H+K) 、 ( H+L) 、
= f [e2i0 + ei(H+K)] = f [1 + (-1)(H+K)]
➢由FHKL = f [1 + (-1)(H+K)] ➢可见:对于底心C点阵:

材料分析方法主要内容

材料分析方法主要内容

数字索引也称Hanawalt 索引,它采用组合法,将最强线 按照面间距的大小进行分组。当检索者完全没有待测样 品的物相或元素信息时,可以使用这种索引。
24
第五章 物相分析及点阵参数精确测定
物相定性分析方法?
通过X射线衍仪获得待测试样各衍射峰的晶面间距d和衍 射峰相对强度I/I1后,物相鉴定可按以下步骤进行: 1. 从前反射区(2<90)中选取强度最大的三根衍射线, 并使其d值按强度递减的次序排列,再将其余线条按强度 递减顺序列于三强线之后。 2. 从Hanawalt索引中找到对应的d1(最强线面间距)组。 3. 按次强线的面间距d2找到接近的几行。在同一组中,各
替的过程称为俄歇效应,跃出的L层电子称俄歇电子,
其能量EKLL也具有吸收元素的特征能量。
5
第一章 X射线物理学基础
由光电效应所造成的入射能量的消耗即为X射线的真吸
收。真吸收中除荧光辐射和俄歇效应外,还包括X射线
穿过物质时引起的热效应。 荧光X射线和俄歇电子都是物质化学成分的信号。荧光
效应通常用于重元素(Z>20)的成分分析,而俄歇效
7. 若待测样第三个d值在索引中找不到对应,说明该衍射花样 的最强线与次强线不属于同一物相,必须从待测花样中选取 下一根线作为次强线,并重复3~5的检索程序。 8. 当找到第一物相之后,可将其线条剔除,并将残留线条的强 度归一化,再按程序1~5检索其它物相。 26
第五章 物相分析及点阵参数精确测定
应则主要用于表层轻元素的成分分析。 单色X射线光源的获得方法:选择原子序比靶元素小 1~2的元素制成滤波片放置在光路上, 可吸收不需要 的辐射而得到基本单色的光源。
6
第一章 X射线物理学基础
X射线在穿过物质后,有一部分偏离了原来的方向,发

材料失效分析(第五章-疲劳)

材料失效分析(第五章-疲劳)
9
§2
疲劳裂纹萌生与扩展机理(模型)
一、疲劳裂纹萌生机理 1、挤出挤入模型—Wood模型
10
金属表面形成的挤出脊与挤入沟
11
2、位错销毁模型—藤田模型
两列平行的异号刃位错,在相距几个原子间隔 (约10埃)的两平行滑移面上互相对峙塞积;
由于这种位错排列所产生的高拉应力引起原子 面分离,形成孔洞
12
20
锯齿形断口或棘轮花样
轴类零件在交变扭转应力作用下产生的 有应力集中(轴颈)+扭矩作用
多源裂纹
裂纹以螺旋状方式向前扩展,最后汇合于轴的中央 若为单向交变扭转应力——棘轮花样 若为双向交变扭转应力——锯齿状断口
21
锯齿形断口
棘轮花样
22
3、瞬断区
形貌:具有断口三要素(放射区、剪切唇)的特征
对于塑性材料,断口为纤维状、暗灰色 对于脆性材料,断口为结晶状 位置:自由表面 断面中心
7
4、疲劳断裂过程
疲劳裂纹的萌生: 表面(次表面、内部) 疲劳裂纹的扩展(两个阶段)
8
第一阶段:裂纹起源于材料表面,向内部扩展
范围较小,约2—5个晶粒之内 显微形貌不好分辨 与拉伸轴约成45°角,裂纹扩展主要是由于τ 的作用
扩展速度很慢,每一应力循环只有埃数量级
第二阶段:断面与拉伸轴垂直,凹凸不平 裂纹扩展路径是穿晶的 扩展速度快,每一应力循环微米数量级 显微特征:疲劳辉纹
3、空穴模型—Mott模型
由于螺位错围绕着环形通道,进行连续交叉滑移运动, 结果从表面上挤出了材料的一个舌片,并相应地形成 了一个空穴,这个空穴就是疲劳裂纹源
13
4、位错交叉滑移模型—Cottrell和Hull模型
14
二、疲劳裂纹扩展模型

《材料科学基础》课件——第五章相平衡与相图第一节第二节第三节第四节

《材料科学基础》课件——第五章相平衡与相图第一节第二节第三节第四节

相和相平衡
Байду номын сангаас四、自由度与相律
1、自由度:平衡系统中独立可变的因素
自由度数:独立可变的强度变量的最大数目
(强度变量与广度变量的区别)
2、相律:自然规律
在平衡系统中由于受平衡条件的制约,系统内
存在的相数有一定限制。 组元数 相数P≥1
吉布斯相律:不可为负数
f=c-p+n
外界影 响因素
通常外界影响因素只考虑T、P,所以f=c-p+2
• 掌握匀晶,包晶,共晶相图的特点,进而了解二元合金的一些平衡凝固,固 相转变的规律。
• 重点难点: • 二元系相图的建立,杠杆定律 • 包晶相图,共晶相图,共晶合金 • 相图分析,各种液固,固相转变的判断
材料的性能决定于内部的组织结构,而组织结构
又由基本的相所组成。
相:均匀而具有物理特性的部分,并和体系的其他 部分有明显界面。
晶型转变过程都是在恒温下进行,并伴随有体 积、密度的变化。 2、SiO2系统相图 α-石英与β-石英相变相当慢, β-石英常因冷却过快而被保留 到室温,在常压下,低于573℃
单元系相图
β-石英很稳定,所以自然界或低温时最常见的是 β-石英。晶型转变时,体积效应特别显著。 Al2O3、ZrO2也具有多晶型转变。 3、聚合物相图 (1)状态由分子间作用力决定,分子间约束力弱
共晶相图,平衡凝固,共晶合金,包晶相图,形成化合物的相图,含有双液 共存区的相图,熔晶相图等 ,二元相图的几何规律 ,单相,双相及三相共 存区,相图特征 ,二元系相图的分析,分析的方法与步骤,分析举例。
• 教学目的: • 学习相平衡与相图的基本知识,了解相图在材料科学学习中的重要性,学会
相图的使用。

第五章 材料的相结构及相图

第五章 材料的相结构及相图

11924F
第一节
材料的相结构
表5-4 钢中常见的间隙化合物
表5-5 钢中常见间隙化合物的硬度及熔点
11924F
第一节
材料的相结构
图5-7 MgCu结构
11924F
第一节
材料的相结构
图5-8 拉弗斯相中B原子分布和四面体堆垛方式
11924F
第二节
二元相图及其类型
一、相图的基本知识 1.相律 2.二元相图的成分表示方法与相图的建立
11924F
第一节
材料的相结构
图5-5 铜金合金电阻率与成分的关系
11924F
第一节
材料的相结构

图5-6 Ni-Mn合金的饱和磁矩
11924F
第一节
二、中间相 1.正常价化合物 2.电子化合物
材料的相结构
表5-2 铜合金中常见的电子化合物
3.尺寸因素化合物
11924F
第一节
材料的相结构
表5-3 简单结构的间隙化合物成分范围
11924F
第三节
复杂相图分析
图5-35 Cu-Sn相图
11924F
第三节
复杂相图分析
图5-36
Mg2SiO4-SiO2系相图
11924F
第三节
复杂相图分析
图5-37 ZrO2-SiO2系相图
11924F
第三节
复杂相图分析
三、铁-碳合金相图
图5-38 铁-碳相图
11924F
第三节
复杂相图分析
11924F
第三节
复杂相图分析
一、分析方法 1)相图中若有稳定中间相,可依此把相图分为几个部分, 根据需要选取某一部分进行分析。 2)许多相图往往只标注单相区,为了便于分析相图,应 根据“相区接触法则”填写各空白相区,也可用组织 组成物填写相图。 3)利用典型成分分析合金的结晶过程及组织转变,并利 用杠杆定律分析各相相对量随温度的变化情况。 二、复杂相图分析举例 1. Cu-Sn合金系相图(图5-44) 2. Mg2SiO4-SiO2系相图

材料分析方法 第五章(2)

材料分析方法 第五章(2)
(HKL)
I
简单立方P格子
o
40o 2q
60o
(2) 计算体心点阵晶胞的FHKL与|FHKL|2 值 每个晶胞中有2个同类原子,其坐标为 (0, 0, 0), (1/2, 1/2, 1/2)。这两个原子散射 因子均为 f ,代入结构因子表达式: FHKL = fj exp[2i(Hxj + Kyj + Lzj)] 得FHKL = f e2i(0+0+0) + f e2i( H/2+K/2+L/2) = f [e2i0 + ei(H+K+L)] = f [1 + (-1)(H+K+L)]
• Z+ • 1s • • 2s • 2p •

S0
一般情况下,若O点放一个原子,内有Z个电 子,由于各电子散射在同一方向的位相不同, 将会发生干涉, 而使P点散射强度有所减弱, Ia < Z 2 Ie 比照式Ia = Z2 Ie,引入因子f, 将原子散射强度表达为:Ia = f2 Ie • S 式中:f—原子散射因子, D • S0 •A• 显然 f ≦ Z 2q • f 的物理意义: B• •C f= 一个原子散射波的振幅 一个电子散射波的振幅
由FHKL = f [1 + (-1)(H+K+L)] 可见: ① 当H + K + L =奇数时, FHKL = 0, ∴ |FHKL|2 = 0。 ② 当H + K + L = 偶数时, FHKL = 2f ∴ |FHKL|2 = 4f2。
结论: 在体心点阵中,只有当H+K+L为偶数时才 能产生衍射
体心点阵中,只有当H+K+L=偶数时, 才 能产生衍射, 例: 存在110, 200, 211, 220, 310, 222…等 反射, 其指数平方和(H2+K2+L2)之比: 2:4:6:8:10:12…

14第五章 (3).ppt

14第五章 (3).ppt

图5-16
产品线条的活性关系是属于划分后的寻线组的特性,所以表现产品线 条活性的数据就应用到前文说的寻线间角度和长度的比值。在针对某一特 定产品分析时,提取出的产品寻线数值会表现出某一特定的活性范围,这 个范围基本可以概括为该产品的活性区间,并可以作为产品设计和改良的 依据,如图5-16。
5.7产品线条的优化 产品优化将的是在产品设计过程中,或是已有产品的分析后发现问题 后,需要对产品进行改进优化的过程。因为设计本身是一个复杂的过程,对 产品的评价标准也是一个多元化的思维方法,在产品优化过程中,实际上并 没有严格统一的标准,我们只能针对产品所体现出的特征和产品本身具备的 特性来做概括性的优化。这里,笔者建议从宏观和微观的两方面对产品进行 优化。 首先我们了解宏观层面的产品特征。正如前文提到过的产品活性概念,所 有的产品都是具有其特定的品质特性。这种特性往往或表现为产品表面线条 的不同活性特征。这种活性特征便是产品宏观所呈现的品质特性。在产品的 改良优化过程中,有方向性的将产品表现需要变化的线条或是需要添加的附 件控制在这一特定的活性范围内,先对的,这种改良方式将会是产品呈现出 的客观状态更加和谐自然。 相对于宏观层面,微观优化是将宏观涉及不到的细节线条做方向性的 优化。如产品本身会有一些标志LOGO,这些元素是无法被改变的,这样会导 致某些线条在活性范围内仍不能达到最佳的状态,使得该处的形态出现突兀 不自然的情况。针对这种情况,需要我们利用微观的具体线条的修改,是产 品的每个角落都能够和谐统一起来。
所谓同向线,就是两条互寻线的曲率半径中心在同一侧的,例如图5-12(a) 所示。反向线,就是两条互寻线的曲率半径中心在相反外侧的,例如5-12(b) 所示。相对线,就是两条互寻线的曲率半径中心在相反内侧的,例如图5-12(c) 所示。无关线,就是两条互寻线的曲率无法找到明确的几何联系的,例如图512(d)所示。呼应线,就是两条互寻线的形状有呼应关系的,例如尺寸级别的产品,对其表面线条研究时划分寻线组的具体 方式和方法。需要说明的是,所以的划分方法并不是严格而原则性的,在进行 产品设计和改良的时候,设计师完全可以根据实际产品和客观环境要求以及设 计师自己的个人理解感受进行合理的划分。
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复子、离子、 分子、原子团等)抽象为几何点,从而得 到一个空间阵列. ◆阵胞 : 在点阵中选择一个由阵点连接 而成的平行六面体来表达晶体结构的周期 性.
◆阵胞的描述 : 由表示其形状与大小的 3 个矢量a、b、c来描述。 ◆点阵常数: 矢量a、b、c 的长度(a、b、 c)以及矢量间的夹角 、 、 。 c
c

a

b
b
a
◆阵胞与点阵的关系: 阵胞在空间的重复堆砌 → 空间点阵 ◆阵胞只有14种,称14种布拉菲点阵
◆按阵胞中阵点位置的不同,14种布拉菲 点阵可分为4种点阵类型(P、C、I、F) ◆按阵胞形状的不同, 14种布拉菲点阵 可归纳为7个晶系 ◆晶体结构与空间点阵的关系: 晶体结构 = 空间点阵 + 结构基元.
I = FHKL
110
2
1+cos22q -2M • e A( q ) • PHKL • • sin2qcosq
-Fe, 体心立方点阵
211
200
220
END
习题
5.说明原子散射因子f、结构因子F、结构振幅|F| 及干涉函数|G|2各自的物理意义。 8.“衍射线在空间的方位仅取决于晶胞的形状与 大小,而与晶胞中的原子位置无关;衍射线的强 度则仅取决于晶胞中原子位置,而与晶胞形状及 大小无关”,此种说法是否正确?
A (m, n, p)
S0
S0
NA r M
S S
O (0,0,0)
O
晶胞A的散射波为:|F| Ee exp(iΦ) 小晶体散射波T为所有晶胞散射波的求和:
(ma+nb+pc) T = ∑ |F| Ee eiΦ = |F| Ee ∑ eik·
N N
展开并且两边平方,就换算成强度:
k Im= Ie |F|2 ∑ei ma·
q
五、多晶体衍射积分强度 1.多晶体参与衍射的晶粒数目 粉末多晶体衍射的厄瓦尔德图解
如右图,(HKL)晶面 对应的倒易点均匀地 布满在半径为r*HKL 的球面上,通常把这 个球面称为倒易球。 倒易球与反射球的交 线是一个圆,从这个 交线圆向反射球心连 线形成衍射圆锥。
在理想情况下, 只有倒易球与反射球交 线圆上的倒易点满足衍射必要条件; 实际上, 位于倒易球面阴影环带上的倒 易点也能参与衍射。
Im= Ie
令|G|2
|F|2
=
sin2 N1ψ
1
sin2
ψ1
1

sin2 N2ψ
2
sin2
ψ2
2

sin2 N3ψ
sin2 ψ
3 3
3
sin2 N1ψ sin2
ψ1

sin2 N2ψ sin2
ψ2

sin2 N3ψ sin2 ψ
3
则: Im= Ie |F|2 |G|2 |G|2 = Im / (Ie|F|2) = Im / Ib |G|2 称为干涉函数,其物理意义: 一个晶体的散射强度与一个晶胞的散射强 度之比。
ψ 1 = Hπ, ψ 2 = Kπ, ψ 3 = Lπ (H, K, L 为整数) 将ψ 1 = ½a· k, ψ 2 = ½b· k, ψ 3 = ½c· k, 以及k = 2π (S –S0)/λ 带入上式,得: a· (S0 – S) = Hl b· (S0 – S) = Kl c· (S0 – S) = Ll 也就是说:在严格符合劳埃方程的方 向上,将获得衍射的最大强度.
例: BaTiO3立方相的粉末XRD图, 图中P为各 (HKL)面的多重性因子
P=12
简单立方P格子
P=6
P=8 P=6 P=24
40o 2q
P=24
P=12
20o
60o
根据2dsinq = l, 等同晶面的2 q都相同,
因此,衍射线重叠。
对于给定的HKL反射,衍射仪探测到的 强度是单一(HKL)面衍射强度的PHKL倍,
2.一个实际小晶体的衍射积分强度
一个理想小晶体的衍射强度: Im = Ib |G|2 = Ie |F|2 |G|2 , 一个实际小晶体的散射强度应是一个理 想小晶体散射强度在G≠0空间内的积分,即 衍射积分强度。 Im= Ie |F|2 |G|2 dq d
3 1 l = Ie |F|2 V 2 sin2q V0 式中: V0—晶胞体积;ΔV—小晶体体积。
温度因子e-2M < 1, 表达式为:
式中:h —普朗克常数; ma—原子的质量; K—玻耳兹曼常数; Θ —晶体的特征温度平均值; x = Θ/T,其中T是试样的热力学温度; Φ(x) —德拜函数; q—布拉格角; λ— X射线波长。
多晶体衍射的总积分强度公式 将多重性因子PHKL, 吸收因子A(q), 温度 因子 e-2M 乘入到单位弧长的衍射积分强度 公式中, 得到多晶体衍射的总积分强度:
3 l 2
I m = I e FHKL
1 2 ΔV• sin 2q V0
Δq个实际参与 (HKL) 衍射的晶粒的衍 射积分强度I多: l3 2 1 I多 = I e 2 V• FHKL • 4sinq V0
衍射环单位弧长的积分强度为I':
V 2 1+cos22q I' = I0 FHKL • • 2 3 2 32π R m c 4 V0 sin2qcosq
∴需将多重性因子PHKL乘入强度公式中。
PHKL值可查本书附录9 (P330)。
附录9 各晶面族的多重性因子列表
指数
晶系
立方
菱方、六方
H00
0K0
00L
HHH HH0 HK0
0KL
H0L HHL HKL
P 6 6 4 2 2 8 12 6 4 8 24 12 8 24 48 24 16
正方
斜方
未记录整个衍射环的总积分强度(I多),
而是比较单位长度衍射环的积分强度。
∴应该将I多除以衍射环的长度, 使结果
具有可比性。
I' =
I多
2πRsin2θ
V 2 1+cos22q F = I0 • HKL • 2 3 2 4 32π R m c V0 sin2qcosq
l3 e 4
六、影响衍射强度的其它因素
A(θ)数据可查阅相关资料。
(2) 平板样品的吸收因子A 衍射仪采用平板试样,
其吸收因子A =1/(2μ), 与q无关 如果知道μ, 就可计算吸收因子A值.
3. 温度因子
晶体中的原子始终围绕其平衡位置振动,
温度越高振动越剧烈。
原子热振动使原来严格满足布拉格条件
的相干散射产生附加相位差,从而使衍射 强度减弱。 ∴需在强度公式中乘以温度因子 e-2M , 以校正强度值。
角因 子
温 度 因 子
吸 收 因 子
实际工作一般只考虑强度的相对值。
对同一衍射花样中同一物相的各根衍射
线, I 0
V • 值相同, 2 3 2 32π R m c 4 V0 若要比较它们之间的相对强度, 仅需计算
l3 e 4
I = FHKL
2
1+cos22q -2M • e A( q ) • PHKL • • sin2qcosq
参加 (HKL) 衍射的晶粒数Δq
样品晶粒总数q
环带面积ΔS 倒易球面积S
q S 2p r * sin (90° - q )r *dq cosq = = = dq 2 * q S 4p (r ) 2
r*-倒易球半径; r*Δq -环带宽。
cos q = q • dq ∴ q
2
多晶体的 (HKL)衍射积分强度I多 = 一个晶粒的衍射积分强度Im 实际参与 (HKL) 衍射的晶粒数Δq
2 N3-1
p=0
k ∑ei pc·
2
= Ie |F|2

1
1 2 k sin 2 N2b· 1 k sin2 2 b·

1 2 k sin 2 N3c·
sin2
1 c· k 2
= Ie
|F|2
sin2 N1ψ sin2
ψ1

sin2 N2ψ sin2
2
ψ2

sin2 N3ψ sin2 ψ
3
3
其中ψ 1 = ½a· k, ψ 2 = ½b· k, ψ 3 = ½c· k
m=0 N1-1
2 N2-1
n=0
k ∑ei nb·
2 N3-1
p=0
2
k ∑ei pc·
注意:强度 振幅2 ,Im = T2, Ie = Ee2
k ∑ei nb· k Im=Ie |F|2 ∑ei ma·
m=0 n=0
1 2 k sin 2 N1a· 1 k sin2 2 a·
N1-1
2 N2-1
(q ) =
I0
入 射 线 强 度
l R e
入 射 线 波 长 样 品 到 辐 射 探 测 器 距 离 电 子 电 荷
m c V V0 |F|
电 光X 单 子 速射 位 质 线 晶 量 照 胞 射 体 的 积 样 品 体 积 结 构 振 幅
PHKL j (q ) e -2 M A(q )
多 重 性 因 子
将多重性因子PHKL, 吸收因子A(q), 温度 因子 e-2M 乘入到单位弧长的衍射积分强度 公式中, 得到多晶体衍射的总积分强度:
l3 e 4
(q ) =
四、小晶体散射与衍射积分强度 1.小晶体散射波的合成与干涉函数
一个理想小晶体可以看成由晶胞在三维空
间周期重复排列而成。 因此,求出一个晶胞的散射波之后,按位 相对所有晶胞的散射波进行叠加,就得到整个 A (m, n, p) 晶体的散射波。
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