二次电子倍增实验腔设计
二次电子
应用
二次电子一般都是在表层5~10nm深度范围内发射出来的，它对样品的表面形貌十分敏感，因此，能非常有效 的显示样品的表面形貌。
但二次电子的产额和原子序数之间没有明显的依赖关系，所以不能用它来进行成分分析。
二次电子的原理被应用在电子倍增管、光电倍增管、微通道板、法拉第杯与戴利侦测器等侦测元件，也用在 扫描电子显微镜。
成像
编
二次电子像主要是反映样品表面10nm左右的形貌特征，像的衬度是形貌衬度，衬度的形成主要取于样品表面 相对于入射电子束的倾角。
如果样品表面光滑平整（无形貌特征），则不形成衬度；而对于表面有一定形貌的样品，其形貌可看成由许 多不同倾斜程度的面构成的凸尖、台阶、凹坑等细节组成，这些细节的不同部位发射的二次电子数不同，从而产 生衬度。
二次电子像分辨率高、无明显阴影效应、场深大、立体感强，是扫描电镜的主要成像方式（特别适用于粗糙 样品表面的形貌观察），在材料及生命科学等领域有着广泛的应用
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二次电子
在入射电子束作用下被轰击出来并离开样品表面的样品 原子的核外电子
01 基本介绍
03 能量
目录
02 产生 04 原理
05 应用
07 成像
目录
06 崩
Hale Waihona Puke 二次电子：在入射电子束作用下被轰击出来并离开样品表面的样品原子的核外电子叫做二次电子。二次电子 一般都是在表层5~10nm深度范围内发射出来的，它对样品的表面形貌十分敏感，因此，能非常有效的显示样品的 表面形貌。二次电子的能量较低，一般不超过50eV。大多数二次电子只带有几个电子伏的能量。
崩
二次电子崩：当初始电子崩发展到阳极时，初始电子崩中的电子迅速跑到阳极上中和电量。留下来的正离子 作为正空间电荷使后面的电场受到畸变和加强，同时向周围放射出大量光子。这些光子在附近的气体中导致光游 离，在空间产生二次电子。它们在正空间电荷所畸变和加强了的电场的作用下，又形成新的电子崩，称二次电子 崩。
光电倍增管特性实验
光电倍增管特性实验【实验目的】1、熟悉光电倍增管的基本构成和工作原理，掌握光电倍增管参数的测量方法；2、掌握光电倍增管高压电源模块的使用方法；3、学习光电倍增管输出信号的检测和变换处理方法。
【基本原理】1．光电倍增管结构及工作原理光电倍增管是一种真空管，它由光窗、光电阴极、电子光学系统、电子倍增系统和阳极五个主要部分组成。
电子倍增系统为使光电倍增管正常工作，光电倍增管中阴极（K）和阳极（A）之间分布有多个电子倍增极Dn。
如图2所示，在管外的阴极（K）和各个倍增极及阳极（A）引脚之间串联多个电阻Rn,由Rn形成的分压电阻使各个倍增极相对阴极而言加上了逐步升高的正电压，要在阴极（K）和阳极（A）之间加上500～3000V左右的高电压，目的是吸引并加速从阴极飞出的光电子，并使他们飞向阳极。
图1是流过分压器回路的电流，被叫做分压器电流，它和后面图1中回路电流Ib叙述的输出线性有很大的关系。
I可近似用工作电压V除以分压电阻之和的值来b表示。
光电倍增管的输出电流主要是来自于最后几级，为了在探测脉冲光时，不使阳极脉动电流引起极间电压发生大的变化，常在最后几级的分压电阻上并联电容。
图中和电阻并联的电容Cn-3、Cn-2、Cn-1、Cn就是因此而设计的。
本实验系统使用的电子倍增系统为环形聚焦型。
由光阴极发射出来的光电子被第一倍增极电压加速撞击到第一倍增极，以致发生二次电子发射，产生多于入射光电子数目的电子流。
这些二次电子发射的电子流又被下一个倍增极电压加速撞击到下一个倍增极，结果产生又一次的二次电子发射，连续地重复这一过程，直到最末倍增极的二次电子发射被阳极收集，光电子经过从第1极到最多19极的倍增电极系统，可获得10倍到108倍的电流倍增之后到达阳极。
这时可以观测到，光电倍增管的阴极产生的很小的光电子电流，已经被放大成较大的阳极输出电流。
通常在阳极回路要接入测量阳极电流的仪表，为了安全起见，一般使阳极通过RL接地，阴极接负高压。
光电倍增管的作用原理
光电倍增管的作用原理光电倍增管是一种用于检测光子的电子器件，它具有很高的灵敏度和放大倍数，因此在科研实验、医学诊断、核物理实验等领域有着广泛的应用。
光电倍增管的作用原理主要包括光电效应、电子倍增和电子收集三个部分。
首先，光电倍增管的作用原理之一是光电效应。
当光子入射到光电倍增管的光阴极表面时，光子的能量被转化为电子的动能，从而使光阴极上的电子被激发并逸出，形成电子云。
这个过程就是光电效应，它是光电倍增管起作用的基础。
其次，光电倍增管的作用原理还包括电子倍增。
在光电效应激发出的电子云进入光电倍增管内部后，会经过一系列的电子倍增过程。
这是通过在光电倍增管内部设置一系列的二次发射表面和倍增极来实现的。
电子在这些表面上发生二次发射，从而使电子数目呈指数级增长，达到放大的效果。
最后，光电倍增管的作用原理还涉及电子收集。
在电子倍增过程之后，产生的大量电子会被收集到阳极上，形成电子流。
这个电子流的大小与入射光子的能量成正比，因此可以用来测量光子的能量大小。
总的来说，光电倍增管的作用原理是通过光电效应将光子能量转化为电子的动能，然后通过电子倍增和电子收集过程放大电子数目，并最终形成电子流。
这样就实现了对光子的探测和测量，从而在各个领域发挥着重要作用。
在实际应用中，光电倍增管的性能和特点决定了它在科研和工程中的广泛应用。
例如，在核物理实验中，光电倍增管可以用于测量辐射能量和粒子轨迹；在医学诊断中，光电倍增管可以用于放射性药物的检测和放射性成像；在天文观测中，光电倍增管可以用于探测星光和宇宙射线等。
因此，光电倍增管的作用原理对于我们理解其工作原理和应用具有重要意义。
总之，光电倍增管的作用原理是通过光电效应、电子倍增和电子收集三个过程，将光子能量转化为电子流，并最终实现对光子的探测和测量。
这种原理的应用使得光电倍增管在科研和工程中有着广泛的用途，对于推动科学技术的发展具有重要意义。
二次电子发射效应
二次电子发射效应
当具有一定能量或速度的电子轰击金属表面时，会引起电子从被轰击的金属表面发射出来，这种现象称为二次电子发射（也称次级电子发射）。
入射电子撞击材料诱发的二次电子发射现象在现代电子仪器与器件，如电子倍增管、扫描电镜、俄歇电子能谱仪中有着重要的应用。
二次电子发射效应同时也会影响一些带电粒子束装置和电子物理器件的性能[1_3]。
例如，在各类加速器、大功率微波器件、空间微波器件乃至太赫兹器件中，一定能量的种子电子与真空室或器件内部金属表面发射碰撞而激发出二次电子，二次电子受电场的加速又与表面作用产生新的二次电子。
如果二次电子产额大于1，就可能引起二次电子倍增放电。
这种电子倍增放电通常会降低相关装置和器件的性能和工作稳定性。
近年来，基础研宄、航天、国防等领域又对电子倍增放电阈值提出了更高的要求。
另一方面，表面形貌虽然给扫描电镜成像提供了一种有益的二次电子衬度机制[4]，但复杂的表面形貌反过来又会影响表面成像和分析的可靠性与精度。
所以，进一步了解和研宄复杂表面条件下的二次电子发射特性对各类电子物理装置与器件和表面成像和分析技术的发展，有着重要的意义。
cr332光电倍增管参数
cr332光电倍增管参数CR332光电倍增管是一种常用于光电探测器中的设备，具有很高的灵敏度和放大倍数。
本文将从光电倍增管的工作原理、结构特点、性能参数等方面进行介绍。
一、工作原理光电倍增管是一种利用光电效应和二次电子倍增效应来放大光信号的器件。
当光子进入光电倍增管时，首先与光阴极相互作用，使光阴极发射出光电子。
然后，这些光电子被电子倍增部分的倍增极板吸引，经过倍增极板的二次电子倍增效应，最终形成一个电子雨，进而产生一个可观测的电流信号。
二、结构特点CR332光电倍增管的主要结构包括光阴极、倍增极板、阳极和玻璃外壳。
光阴极一般采用碱金属化合物涂层，能够对光进行有效的吸收，并产生光电子。
倍增极板由多个金属环形电极组成，通过高压电场使光电子在电子倍增过程中逐级放大。
阳极用于收集放大后的电子，产生最终的电流信号。
玻璃外壳则起到保护光电倍增管内部结构的作用。
三、性能参数1. 增益：光电倍增管的增益是指输入光信号经过光电倍增管放大后的倍数。
CR332光电倍增管的增益一般在1×10^5至1×10^7之间，具有较高的放大效果。
2. 噪声等效光电流：噪声等效光电流是指光电倍增管在无光信号输入时产生的等效电流。
CR332光电倍增管的噪声等效光电流一般在10^-11A级别，较低的噪声水平有助于提高光电检测器的信噪比。
3. 品质因数：品质因数是指光电倍增管输出信号的稳定性和一致性。
CR332光电倍增管的品质因数通常在10至20之间，品质因数越高，说明光电倍增管输出信号的稳定性越好。
4. 线性范围：线性范围是指光电倍增管能够线性放大光信号的范围。
CR332光电倍增管的线性范围一般在几个微安到几十毫安之间，具有较宽的线性范围。
5. 时间响应：时间响应是指光电倍增管从光信号输入到输出响应的时间。
CR332光电倍增管的时间响应一般在纳秒级别，具有较快的响应速度。
6. 工作电压：工作电压是指光电倍增管正常工作所需的电压。
光电倍增管制作方法
光电倍增管制作方法光电倍增管是一种常用于粒子物理实验、核物理实验和光电检测等领域的光电转换装置。
其原理是通过将入射的光子转换成一系列电子级连产生倍增效应，从而使弱光信号得以被放大到可以被检测的强度。
下面将介绍光电倍增管的制作方法。
1.光阴极制备光电倍增管的光阴极是产生光电子的关键部件。
常见的材料有碱金属，如铯、钾等。
制备光阴极的方法有热释电子法和光电效应法。
热释电子法是将碱金属材料加热至一定温度，使其表面产生光电发射。
光电效应法是利用光照射碱金属材料，使其表面光电发射。
制备光阴极时需要注意材料的纯度和表面的光滑度。
2.硐光屏制备硐光屏是光电倍增管的关键部件之一，用于接收光电子，并将其转化成荧光光子。
制备硐光屏时常用的材料有硐钠和硐锑。
首先将硐钠或硐锑粉末与粘结剂混合，制备成粘结剂-硐材料糊状。
然后将糊状物涂覆在玻璃或金属基板上，并进行烘干，使其形成硐光屏。
3.多级倍增极制备多级倍增极是光电倍增管的核心组成部分，它实现了光电子的倍增效应。
常用的多级倍增极材料有镉镉镉镉镉镉镉镉镉镉镉镉。
制备多级倍增极时，首先将多级倍增极的基底涂覆一层绝缘层，常用的绝缘材料有氧化镁。
然后，在绝缘层上进行多次涂覆金属电极材料，并在每一层金属电极与金属电极之间涂覆一层绝缘层，形成相互交错的多级倍增极结构。
4.去泵组件装配去泵组件主要由驱动极、网极和收集极组成，用于移除倍增极堆积在上面的离子。
驱动极通常采用金属材料，如钨和钼。
网极是一个细孔板，用于收集电子并引导离子穿过紧密的通道触及到离子系统束缚结构上。
收集极用于收集离子。
5.灌注与密封在完成上述步骤后，将制备好的各个部件组装在一起，然后进行灌注与密封。
灌注是指将相对应的工质（气体或液体）充填到光电倍增管中，通常使用的工质有氩气和乙醇。
灌注完成后，对光电倍增管进行密封，以防止工质的泄漏。
6.反应和测试制备完成的光电倍增管需要进行一系列的反应和测试，确保其正常工作。
测试可以包括测试光电倍增管的增益、响应时间、噪声等，以及检验光电倍增管的真空度和密封性能。
二次电子成像的原理及特征
二次电子成像的原理及特征
二次电子成像是一种常见的电子显微技术，用于观察材料表面的形貌和结构。
其原理和特征如下：
原理：
1. 加速：将待观察的材料表面暴露在真空中，并通过加速电压使电子获得足够的能量。
2. 激发：加速的电子轰击材料表面，发生电离和激发过程，产生大量次级电子。
3. 探测：次级电子通过感应极板或电子倍增器等探测装置，形成电子信号。
4. 放大：电子信号经过放大处理后，形成图像显示。
特征：
1. 表面成像：二次电子成像主要观察样品表面的形貌和结构。
由于次级电子的能量较低，其穿透深度较浅，主要反映了材料表面的微观形貌。
2. 高分辨率：二次电子成像具有高分辨率的优点，可以观察到样品表面的细节结构，达到亚纳米级别的分辨能力。
3. 行扫描：二次电子成像一般采用行扫描的方式，通过电子束在样品表面上进行水平方向的扫描，形成整个图像。
4. 三维效果：由于次级电子主要来自于样品表面，因此二次电子成像可以呈现出较好的三维效果，可以准确显示样品的凹凸和形貌特征。
总之，二次电子成像是一种用于观察材料表面的高分辨率电子显微技术，具有高
分辨率、表面成像、行扫描和三维效果等特征。
二次发射微波电子枪的模拟计算及其特性分析
第13卷 第5期强激光与粒子束V o l .13,N o .5 2001年9月H IGH POW ER LA SER AND PA R T I CL E BEAM S Sep .,2001 文章编号:100124322(2001)0520615204二次发射微波电子枪的模拟计算及其特性分析Ξ何文灿, 裴元吉, 金 凯, 吴从凤(中国科学技术大学国家同步辐射实验室,安徽合肥230029) 摘 要: 采用U RM EL 2T 程序进行了二次发射微波电子枪的腔内电磁计算和特性分析。
同时利用U RM EL 2T 得出的腔内轴向电场及自编程序,模拟电子在该高频场作用下的运动。
计算表明二次发射微波电子枪确实具有相位选择性,进而探讨了腔形尺寸、射频电场强度对相位选择性和产生二次倍增的有关条件的影响,以及输出电子的能量稳定性。
模拟结果表明,这类电子枪(M PG )可得到高电流密度(5303A c m 2)及短脉冲(3.15～10.00p s )的电子束。
关键词: 微波电子枪;二次发射;微脉冲;自然聚束;冷阴极;选择相位 中图分类号:TL 503.3 文献标识码:A 微波电子枪及由其组成的预注入系统是近年来发展的一种可提供低发射度、皮秒级、强流、相对论性电子束团的装置[1,2],它是利用高功率微波在谐振腔中建立强电场,并用该强电场加速位于谐振腔内阴极发射的电子,使之得到相对论性电子束流[3]。
到目前为止,已有的微波电子枪利用热阴极、光阴极、场致发射阴极、铁电体阴极、等离子体阴极等来产生电子束,它们已应用于不同要求的电子加速器,但在产生低发射度、高亮度的束流时也存在一些问题。
例如热阴极微波电子枪的电子反轰现象使输出束流不稳定;光阴极电子枪由于阴极容易中毒而影响其寿命,且需要复杂昂贵的脉冲激光系统;场致发射阴极的工艺还不成熟[3～5]。
利用射频腔里的二次电子发射和谐振放大倍增产生自然聚束的电子束团,是最近几年研究发展起来的一种新型电子枪。
光电倍增管特性理科物理实验报告-实验步骤数据分析讨论全套
光电倍增管特性实验报告一、实验目的与实验仪器目的（1）掌握光电倍增管结构以及工作原理。
（2）学习掌握光电倍增管基本特性。
（3）学习掌握光电倍增管基本参数的测量方法。
（4）了解光电倍增管的应用。
仪器光电倍增管及微弱光实验仪、光通路组件、光电倍增管及封装组件、BNC 线、示波器二、实验原理（要求与提示：限400字以内，实验原理图须用手绘后贴图的方式）1、灵敏度1.1阴极灵敏度。
光电阴极的光电流除以入射光通量FE为入射到阴极的光照度，S为光电阴极的面积1.2阳极光照灵敏度。
阳极输出电流与照射阴极上光通量的比值2、放大倍数G一定的入射光通量和阳极电压下，阳极与阴极电流间的比值或阳极和阴极灵敏度的比值3、阳极伏安特性光通量一定时，阳极电流和总电压之间的关系。
光电倍增管的增益G与二次倍增极电压E 之间的关系n为倍增极数，b为与倍增管材料有关的常数。
4、暗电流。
当光电倍增管完全与光照隔绝时，加上工作电压后阳极电路里仍会有输出电流，称为暗电流。
引起因素：热电子发射，场致发射，放射性同位素的核辐射，光反馈，离子反馈，极间漏电等5、光电特性一定工作电压下，阳极输出电流与光通量之间的曲线关系6、时间特性光电子从光电阴极发射经过倍增极达到阳极的时间7、光谱特性光电倍增管的阴极将入射光的能量转换为光电子。
其转换效率（阴极灵敏度）随入射光的波长而变三、实验步骤（要求与提示：限400字以内）按照要求连接电路，接通电源，每个实验前都需要重新按照要求设置一下初始状态（电压和光照等）1、阴极灵敏度。
缓慢调节光照度，使照度计显示0.5LX，保持光照度不变，电压调节至负80V,记下电流2、阳极灵敏度。
同1，光照度显示0.1LX，电压调至负400V，记下电流3、阴极光电特性。
电压调至负80V，保持不变，调节光照度0、0.5、1.0、1.5、2.0、2.5、3.0、3.5、4.0LX依次记录此时电流；将阴极电压调至负50V重复上述操作。
4、阳极光电特性。
北航第二次光电子实验报告
0 4.3 0 4 315.8 17
0.5 15.2 1 5 335.7 18
1 42.3 2 6 348.9 19
1.5 92 5 7 359.1 19
2 161.4 9 8 367.1 19
2.5 238.2 12 9 373.6 19
3 280 15 10 378.6 19
3.5 300.9 16
16.5 16 15.5 15 14.5 14 13.5 13 13.033 13.464 13.79 14.056 14.289 14.469
输入电压/V U/mV R/kΩ I/uA
2 28.935 1 30
4 29.875 1 31
中光下（8 圈） 6 30.558 1 32
8 31.128 1 32.5
3.5 6.855 8
5 5.5 13.06 15.617 14 16.5 输入电压 8V 1 1.5 1.15 1.845 2 2.5 5 5.5 13.641 16.312 15 17.5 输入电压 12V 1 1.5 1.176 1.19 2 3 5 14.073 15.5 5.5 16.831 18.5
300 250 200 150 100 50 0 0 2 4 6 8 10 R=1kΩ R=0.75kΩ R=0.5kΩ R=0.25kΩ
0 13 0 13 0 13 0 13.1
2 20.6 2 20.7 2 20.5 2 20.9
4 32.3 4 50.7 4 50.6 4 50.8
6 75.1 6 106.1 6 106.3 6 106.5
光电子实验报告
光敏二极管特性测试
1. 测量暗电流
选取电源电压U = 12V，可变电阻R = 102.40Ω，测得暗电流I = 0.2μA。 可知其等价暗电阻为������暗 ≈ 60������Ω。
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５ 装 配 调 试
图 ８为 二 次 电子 倍 增 实 验 腔 实 物 图 。实 验 腔 装 配 完 成 后， 我们 对实 验腔共 进 行 了两次 真 空 检漏 。第 一 次检 漏 是 将
实验 腔 与检漏 仪 的真空 泵组 连接 ， 其它 孔洞 装上 盲板 ， 当腔 内 真 空达 到 １ ． ０ Ｐ ａ左右 ， 漏率 小 于 １ ３ ． ３／ ｉ Ｐ ａ・Ｌ ／ ｓ ， 通 过针 孔 喷 枪 对疑似 漏处 喷射 少 量 的氦 气 ， 利 用 真空 检 漏 仪来 检 测 实 验 腔 是否漏 气 ； 第二 次检漏 是将 各 个部件 完整 装好 后抽 真空 ， 其 余 步骤 与第 一次检 漏类 似 ， 先 确定 没有 大 的漏气 存在 ， 再 次运 用 检漏仪 检漏 。 对 短路 盘和 主 电极 调节 机 构 的调 试 结果 表 明 ， 实验 要 求 的调节 范 围均在所 设 计 的极 限位 置 以 内 ， 实 现 了在 同轴 的情
１ ２ ０ ｍｍ行 程 的 连 续 调 节 ， 满足 设 计 要 求 。 关键 词 ： 二 次电子倍 增 实验腔 ； 结构 设计 ； 运 动 调 节 设 计
１ 引 言
二 次 电子倍 增 （ Ｍｕ ｌ ｔ ｉ ｐ ａ ｃ ｔ ｏ ｒ ） 是 普 遍存 在 于 射频 系统 中的一 种 现 象 。２ Ｏ世 纪 ６ Ｏ年 代 至今 ， 二
加载 ， 射频 电场 无法建 立 ＿ ６ ］ 。 本研 究搭 建观测 射频 建场 时二 次 电子倍增 瞬 态行 为的 实验 腔 ， 详 细研究 实 验腔结 构设计 、 冷 却 设 计 以及 真空 系统下 内杆 和短 路盘 实现 同轴 运动 的设计 中存 在 的技术 问题及 解 决方案 。随后将 在
起 温度 的变化 ， 为 了使 实验 腔稳定 工作 ， 必 须进行 冷却 设计 。
＊
作者简介 ： 马超 凡 （ １ ９ ９ ０ 一） ， 男， 大专 ， 主要 从 事 加 速 器运 行 与 维 护 等 相 关 工 作 。
Ｅｍａ ｉ ｌ ： ｍｃ ｆ ９ ８ ７ ６ ５ ４ ３ ２ ｌ ＠１ ６ ３ ． ｃ ｏ ｎ ｒ
第 ２期
马超 凡 等 ： 二 次 电子 倍 增 实Fra bibliotek验 腔 设 计
７ ９
梯形 螺纹段 长 ２ ０ ０ ｉ Ｔ ｌ ｍ， 保 证 了调节 电极 间距 的范 围要 求 。由 于 电极 问距 不 经 常调 节 、 调 节 范 围 比 较大 等特 点 ， 设 计 曾采用 塞块 式调 节 ， 塞 块高 度为 １ ５ １ Ｔ ｉ ｍ， 但 因存 在 可操作 性差 、 内杆 管壁 需 加厚 等
摘 要 ：设计 了一套研 究建 场 时二 次电子倍 增 瞬态行 为规 律 的 实验 腔 。通过 建
模计 算得 到 了实验 腔本振 模与 结 构参数 的关 系， 确 定 了它的 主要 结构 尺 寸 。实验 腔
的设 计 工作主要 包括 结 构设计 、 冷 却设计 、 真 空 系统 下 内杆和 短路 盘 实现 同轴运 动 的 设计 等 。加 工完成 后 调 试 结 果表 明 ， 实验 腔 能 够 实现 短 路 盘 ４ ０ ０ ｍｍ 行 程 和 内杆
第 ２期
２ ０ １ ４年 ６月
高
能
量
密
度
物
理
ＮＯ ．２
ＨＩ Ｇ Ｈ ＥＮ ＥＲＧ Ｙ ＤＥＮ ＳＩ ＴＹ ＰＨ Ｙ ＳＩ ＣＳ
ｊ ｕ ｎ ． ，２ ０ １ ４
二 次 电子 倍 增 实 验 腔 设 计
马超凡， 龙泉红， 庞 健， 何小中， 李 洪
（ 中国工程物理研究院流体物理研究所 １ ０ ６室 ， 四川 绵 阳 ６ ２ １ ９ ９ ９ ）
况下 ， 对 短路 盘 １ ５ ０ ￣５ ５ ０ ｍｍ 以 及 对 主 电 极 相 对 于 外 部 电 极
该装 置上 开展 相关研 究 工作 ， 以期 揭示建 场 时二次 电子倍增 的 瞬态行 为规 律 ， 为加速 器设 计和稳 定
运行 提供 重要 依据 和参 考 。
２ 设 计 目的及 功 能实 现
在考 察平 板 电极 间二次 电子倍 增 的瞬态 特性 时 ， 可将 实 验 腔 的 电极 部分 设 计 为 平行 板 电容 结 构， 并在 腔体 外部 留有探 测器 安装 孔 ， 以便 记 录二 次 电 子倍 增 瞬 态 行 为 ； 目前 实 验 室 只有 ７ ２ ＭＨｚ
一
种是 电磁 场峰 值 随束流 负载 变化 而 变化 ｌ ４ ］ 。后 一种 假 设 适 用 于 高 Ｑ 值 高频 腔 ， 这是 因为 高 频
系统 在建场 时发 生二 次 电子倍 增时 ， 电磁 场峰 值不 仅受 到功 率源参 数 的影 响 ， 还 与二次 电子 的运 动 行 为 相关联 。由于束 流负 载作 用 ， 二 次 电子 电流可 以引起 高频 腔严 重失 谐 ， 导致射 频功 率无 法完 全
的信 号 源 ， 必 须设计 相 匹配 的谐振 腔 ； 由于 实验 时要 调节 两平 板 电极 间距 ， 因此 需 要设 计 一 套 调谐
结构 ， 使 得实 验腔 内谐 振频率 锁定 在 ７ ２ ＭＨｚ ； 二 次电子 倍增 实验 要求 真空 度低 于 １ ． ０ ｍＰ ａ ， 实际设
计 时实验 腔 的真空 度为 ０ ． １ ｍＰ ａ ， 以满 足工 作 的要 求 ； 实 验过 程 中 ， 大 功 率射 频 电磁 场 的引 入会 引
次电子倍 增 理论 及数值 模拟 工作 主要 集 中在对 二 次 电子 倍 增 稳态 行 为规 律 ［ １ － ３ ］ 及 电磁 场 已经 加 载
情 况下 二次 电子 倍增 瞬态行 为 规律 的研究 ｌ ＿ ３ ］ ， 而 建场 时瞬 态特性 的研 究结 果较 少 。 目前对 电磁 场 已经加 载情 况下 瞬态 行为 的研究 有两 种假 设 ， 一 种是 电磁 场 峰值 固定不 变Ｉ ３ ］ ， 另