二硫化钼的结构与性质
二硫化钼结构式
二硫化钼结构式
二硫化钼是一种黑色的晶体，其化学式为MoS2。
它是一种层状结构的化合物，每个晶胞含有一个中心的钼原子，被六个硫原子环绕，形成了一个六角形的蜂窝状结构。
以下是有关二硫化钼的更多详细信息：
物理性质：
- 外观：黑色晶体
- 密度：4.7 g/cm³
- 熔点：1185 ℃
- 沸点：≥2000 ℃
- 硬度：1-2.5（莫氏硬度）
化学性质：
- 二硫化钼是一种化学惰性物质，不会与水反应。
- 它可以在加热的条件下与氧反应，生成二氧化钼和硫化物。
- 它也可以与氯气反应，生成六氯合钼酸盐。
制备方法：
- 二硫化钼可以通过热还原法制备。
首先，将钼粉和硫粉混合，然后在高温下加热。
这会使钼和硫反应，生成二硫化钼。
- 另外一种制备方法是溶剂热法。
这种方法将钼酸和硫粉混合，并加入一种有机溶剂。
在高温下加热，溶剂会被气化，使得钼酸和硫反应生成二硫化钼。
应用：
- 二硫化钼在工业上广泛应用。
它被用作润滑剂，能够降低金属的磨损和摩擦系数。
- 它也可以用于催化剂、半导体器件和锂离子电池中。
- 另外，二硫化钼也用于生产金属配方油漆和染料。
二硫化钼化合价
二硫化钼化合价二硫化钼是一种重要的无机化合物，化学式为MoS2。
它由钼和硫元素组成，其中钼的化合价为+4，硫的化合价为-2。
在化学结构中，每个钼原子与六个硫原子形成八面体结构，硫原子形成了六角形的层状结构。
二硫化钼具有许多特殊的化学和物理性质，在工业和科学领域有着广泛的应用。
首先，我们来了解二硫化钼的结构和形态。
二硫化钼是一种黑色固体，具有典型的层状结构。
每个钼原子与六个硫原子形成了六角形层，相邻的层通过弱的范德华力进行堆叠。
每个钼原子与三个硫原子键合，形成了类似于八面体的构型。
这种特殊的结构使得二硫化钼在化学和物理性质上具有一些独特的特点。
二硫化钼具有良好的润滑性能。
其层状结构中的原子层可以相互滑动，使其在高温和高压条件下表现出优异的润滑性能。
这使得二硫化钼在润滑剂、摩擦材料和涂料等领域中得到广泛应用。
此外，二硫化钼还表现出良好的电子传输性能。
每个钼原子的+4价和每个硫原子的-2价使得该化合物具有导电性。
二硫化钼常用于电子元件中，如薄膜晶体管和光电探测器等。
其导电性还使得二硫化钼成为一种重要的催化剂，用于促进化学反应的进行。
二硫化钼还具有优异的光学特性。
由于层状结构的存在，二硫化钼可吸收截至红外光谱的一部分光线，其色彩呈现为深蓝黑色。
这种特殊的光学性质使得二硫化钼在染料敏化太阳能电池和光电子器件等领域中具有广泛的应用。
除了上述特性，二硫化钼还表现出许多其他的独特性质。
例如，它是一种半导体，具有优异的热稳定性和耐腐蚀性。
它还可以吸附分子和离子，并用于储氢和储能等方面。
总之，二硫化钼是一种重要的无机化合物，具有许多独特的化学和物理性质。
它在润滑剂、电子元件、催化剂和光电子器件等领域中有着广泛的应用。
对于理解其化合价和特性，能够帮助我们更好地利用和发展其应用潜力。
二硫化钼的分子级设计与合成
二硫化钼的分子级设计与合成二硫化钼（MoS2）是一种常见的二维材料，具有优异的机械、电学、光学性质，因此在多个领域都具有广泛应用前景。
其中，MoS2的分子级设计与合成是热门研究方向之一，本文将就该问题展开讨论。
一、MoS2的结构与性质MoS2是由Mo和S元素组成的层状结构材料，其中Mo原子位于S原子形成的六角晶格中心。
每个Mo原子周围固定有六个S原子，形成六个三角形。
在这样的六角形基础上，两个相邻的S原子被共用，形成磷酸盐结构。
MoS2具有二维结构，层间仅由van der Waals力相互吸引，在层内具有显著的电子输运特性。
MoS2的光电响应性能优异，主要可归因于其直接带隙（1.8eV）和有限的减反射能力。
同时，MoS2还具有高度的机械稳定性，在某些情况下比石墨烯更加优越。
这些性质赋予MoS2极高价值并吸引了大量研究人员的热情。
二、MoS2的分子级设计与合成MoS2材料种类较多，目前主要分为三类：单层MoS2、多层MoS2(具有多个层数)和纳米MoS2(粒径< 100nm)。
其中，单层MoS2在储能、光电响应等领域表现出色。
因此，对于单层MoS2的设计与合成备受关注。
在此基础上，多层MoS2和纳米MoS2的研究也备受关注。
1、单层MoS2的分子级设计与合成单层MoS2可通过化学气相沉积（CVD）法和电子束蒸发法（EBE）等技术制备。
其中，低压CVD法是目前最为普遍的合成方式，一般需要在高温下进行（> 800℃）。
然而，这种方法的缺点是存在较大的制备复杂度。
近年来，分子级设计成为制备高质量MoS2的重要方法。
这种方法涉及到在分子层次上设计MoS2的组成，并通过先进的实验技术实现其合成。
2、多层MoS2的分子级设计与合成多层MoS2的制备方法与单层类似，主要是使用CVD技术。
不同的是，多层MoS2的制备需要调节温度，时间和反应气体中Mo和S的浓度，以控制层数。
此外，多层MoS2在外场下表现出的性质也是该领域研究的重点，引入外场可以对MoS2的能带结构、晶格形变和动力学特性等进行调控。
二硫化钼晶体结构
二硫化钼晶体结构二硫化钼是一种常见的金属硫化物，化学式为MoS2。
它具有特殊的晶体结构，被广泛应用于电子器件、摩擦材料和催化剂等领域。
本文将详细介绍二硫化钼晶体的结构。
二硫化钼晶体是由钼原子和硫原子通过共价键连接而成的。
在晶体结构中，每个钼原子被六个硫原子包围，而每个硫原子则与三个钼原子相连。
这种特殊的排列方式使得二硫化钼具有层状结构。
每个层由一个钼原子层和两个硫原子层组成，钼原子层和硫原子层交替排列。
这种层状结构使得二硫化钼具有许多独特的性质。
二硫化钼晶体具有优异的机械性能。
由于层状结构中硫原子之间的相互作用较强，使得二硫化钼具有较高的硬度和强度。
这使得二硫化钼在摩擦材料中具有出色的耐磨性能，广泛应用于润滑剂和摩擦片等领域。
二硫化钼晶体具有优异的电子特性。
由于层状结构中钼原子层和硫原子层之间的相互作用较弱，使得二硫化钼具有较好的电子传输性能。
这使得二硫化钼在电子器件中具有重要的应用价值。
例如，二硫化钼可以用作场效应晶体管中的通道材料，可以实现低功耗和高性能的电子器件。
二硫化钼晶体还具有优异的光学性能。
由于层状结构中钼原子层和硫原子层之间的相互作用较弱，使得二硫化钼具有较好的光吸收和光发射性能。
这使得二硫化钼在光电子器件中具有重要的应用潜力。
例如，二硫化钼可以用作太阳能电池中的吸收层材料，可以实现高效的光电转换效率。
二硫化钼晶体具有独特的层状结构，赋予其优异的机械、电子和光学特性。
这使得二硫化钼在电子器件、摩擦材料和催化剂等领域具有广泛的应用前景。
通过对二硫化钼晶体结构的深入研究，可以进一步发掘其潜在的应用价值，并推动相关领域的发展和创新。
二硫化钼的相对分子质量
二硫化钼的相对分子质量二硫化钼（MoS2）是一种重要的无机化合物，其相对分子质量为160.07 g/mol。
它由一个钼原子和两个硫原子组成，具有独特的结构和性质。
二硫化钼是一种黑色固体，常见的形态有片状、粉末状和纳米线状。
它的片状结构由多层MoS2片堆叠而成，其中每一层由钼原子和硫原子交替排列形成一个二维晶格。
这种结构使得二硫化钼具有层间滑动性，使其成为一种理想的润滑材料。
此外，二硫化钼的纳米线状结构也具有优异的电子传输性能，因此在纳米电子器件中有广泛的应用。
二硫化钼具有许多重要的物理和化学性质。
首先，它是一种具有半导体特性的材料，其导电性能与层数有关。
单层MoS2表现出优异的电子迁移率和光电性能，使其成为二维电子学研究领域的热点。
其次，二硫化钼具有优异的光学性质，在可见光范围内具有较高的吸收率和低的反射率，因此在光学器件中有广泛的应用潜力。
此外，二硫化钼对气体分子具有较高的吸附能力，因此可以用作气体传感器的材料。
二硫化钼还具有优异的力学性能。
由于其层状结构，二硫化钼在垂直于层面方向上具有较高的强度和刚度，但在平行于层面方向上具有较弱的相互作用力，因此易于剥离成单层结构。
这种单层二硫化钼具有非常薄的厚度和较大的比表面积，使其在催化、电化学和传感等领域具有广泛的应用前景。
二硫化钼的制备方法多种多样，包括机械剥离法、化学气相沉积法、溶剂热法等。
其中，机械剥离法是一种简单有效的方法，可以制备出大面积的二硫化钼片。
化学气相沉积法和溶剂热法则适用于制备纳米线状或纳米片状的二硫化钼材料。
二硫化钼作为一种重要的无机化合物，具有独特的结构和性质。
它在润滑、电子学、光学、力学等领域具有广泛的应用潜力。
随着对二硫化钼的深入研究，相信它的应用前景会越来越广阔。
二硫化钼的三种晶相
二硫化钼的三种晶相摘要：一、引言二、二硫化钼的晶体结构及其特点1.β-MoS2晶体结构2.α-MoS2晶体结构3.γ-MoS2晶体结构三、三种晶相的性质与应用1.物理性质2.化学性质3.应用领域四、结论正文：一、引言二硫化钼（MoS2）是一种具有广泛应用的过渡金属硫属化合物。
在自然界中，二硫化钼存在多种晶体结构，其中最为常见的有β-MoS2、α-MoS2和γ-MoS2三种晶相。
本文将对这三种晶相进行简要概述，以期为相关领域的研究和应用提供参考。
二、二硫化钼的晶体结构及其特点1.β-MoS2晶体结构β-MoS2晶体属于六方晶体结构，也称为六方硫化钼。
在这种结构中，钼原子呈六角形排列，每个钼原子与两个硫原子形成共价键。
层与层之间的范德华力较弱，使得β-MoS2具有良好的层状结构，易于在层间滑动。
2.α-MoS2晶体结构α-MoS2晶体为四方晶体结构，也称为四方硫化钼。
在这种结构中，钼原子呈四方形排列，每个钼原子与两个硫原子形成共价键。
与β-MoS2相比，α-MoS2的层间范德华力较强，导致其层间滑移困难。
3.γ-MoS2晶体结构γ-MoS2晶体为六方双锥结构，每个钼原子与四个硫原子形成共价键。
这种结构中，钼原子呈六角形排列，形成双锥状空间结构。
γ-MoS2的层间范德华力较弱，有利于层间滑移。
三、三种晶相的性质与应用1.物理性质在物理性质方面，三种晶相的钼硫键长度、晶格常数和层间距离等参数有所不同。
此外，随着晶体结构的变化，它们的导电性、热稳定性、光学性质等也存在差异。
2.化学性质在化学性质方面，二硫化钼具有良好的还原性能，可作为催化剂和催化剂载体。
同时，它还具有优异的抗磨损性能，可用于制造润滑剂。
3.应用领域三种晶相的二硫化钼均具有广泛的应用。
例如，在电子、光学和能源领域，二硫化钼可作为优良的半导体材料；在润滑领域，二硫化钼作为抗磨损添加剂，可提高润滑油的性能；在环保领域，二硫化钼可用于处理工业废水，具有良好的脱硫、脱硝效果。
二硫化钼的结构与应用
二硫化钼的结构与应用二硫化钼（MoS2）是一种具有层状结构的化合物，由一层钼原子和两层硫原子构成，其结构类似于石墨。
每一层钼原子形成一个六角晶格，而硫原子则填补在晶格空隙中形成六角形的结构。
多层的二硫化钼叠加在一起形成一种多层结构，称为缕金属硫化钼（layered metal dichalcogenides）。
二硫化钼在物理、化学和材料科学领域具有广泛的应用。
以下是几个主要的方面：1.电子学：二硫化钼是一种具有半导体性质的材料，具有宽带隙和低维特性。
它可以制备成薄膜或纳米片，在光电子器件（如光伏电池和光电导器件）、输运器件（如场效应晶体管）和逻辑电路等方面具有应用潜力。
二硫化钼的电子特性可以通过控制层数和电场进行调节，广泛应用于高性能的电子元件制备。
2.摩擦学：二硫化钼具有优良的摩擦学性能，可以用作润滑剂和固体润滑材料。
其层状结构使得摩擦剧烈运动时能够形成相对面间的滚动，有效减小摩擦系数和磨损。
二硫化钼润滑剂可以应用于高温和高负载情况下的机械部件和金属加工。
3.催化剂：二硫化钼具有优异的催化性能，常用于化学工业中的催化反应。
例如，它可以用作氢化反应的催化剂，用于制备氢气和烃类燃料。
此外，二硫化钼还可以用于氧化反应、电化学反应、光催化反应等领域。
4.电池材料：二硫化钼在锂离子电池和钠离子电池等储能器件中具有潜在的应用。
其层状结构和高比表面积可以增加电极与电解质的接触面积，提高电极容量和循环稳定性。
此外，二硫化钼还可以与其他材料复合，提高电池性能和循环寿命。
5.传感器：二硫化钼可以通过表面修饰和掺杂等方式制备成传感器，用于检测环境中的化学物质和生物分子。
例如，二硫化钼纳米片可以用于制备气体传感器，用于检测有毒气体和燃气泄漏。
此外，二硫化钼还可以用于生物传感和医学诊断，例如，用于检测DNA或蛋白质的存在和浓度。
以上只是二硫化钼在科学研究和工程应用中的一些主要方面，随着研究的深入和技术的发展，二硫化钼的应用领域还将不断扩大。
二硫化钼半导体
二硫化钼半导体二硫化钼是一种重要的半导体材料，具有广泛的应用前景和研究价值。
本文将从介绍二硫化钼的基本性质、制备方法、光电特性以及应用领域等方面进行阐述。
二硫化钼是一种黑色固体，化学式为MoS2。
它具有层状结构，每层由一个钼原子和两个硫原子组成。
这种层状结构使得二硫化钼在垂直于层面的方向上呈现出优异的电学和光学性能。
二硫化钼的制备方法有多种，其中最常见的是化学气相沉积法和机械剥离法。
化学气相沉积法通过在适当的反应条件下使气态前驱体分解沉积在基底上，可以得到高质量的二硫化钼薄膜。
机械剥离法则是通过机械力将二硫化钼层剥离下来，得到单层或多层的二硫化钼材料。
二硫化钼的光电特性也是其重要的研究方向之一。
由于其层状结构，二硫化钼在不同层面上具有不同的光学性质。
例如，单层二硫化钼具有显著的光电转换效应，可以用于制备高性能的光电器件。
此外，二硫化钼还具有优异的光吸收和光致发光性能，可应用于光电探测、光子学和光催化等领域。
二硫化钼在能源、电子器件以及催化剂等领域具有广泛的应用前景。
例如，二硫化钼可以作为光催化剂用于水分解产氢，实现清洁能源的生产。
此外，二硫化钼还可以用于制备柔性电子器件，如柔性显示屏和柔性传感器等。
另外，二硫化钼还可以用于电池材料、超级电容器和储氢材料等领域。
二硫化钼作为一种重要的半导体材料，具有广泛的应用前景和研究价值。
通过对二硫化钼的基本性质、制备方法、光电特性以及应用领域等方面的介绍，我们可以更好地了解和认识这一材料，并为其进一步研究和应用提供了基础。
希望在未来的科学研究和工程实践中，二硫化钼能够发挥更大的作用，为人类的发展和进步做出贡献。
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二硫化钼的结构与性质作者：***
来源：《中国科技纵横》2018年第24期
摘要：近年来，二硫化钼被越来越多的应用于半导体领域。
二硫化钼有着许多特殊的性质，特别是当二硫化钼由块体转为单层时，能带结构由间接带隙变为直接带隙，带隙宽度约1.9eV。
相较于单层石墨烯的零带隙来说，单层二硫化钼弥补了其在能带结构方面的不足，拓宽了二维半导体材料的应用范围。
单层二硫化钼因其特殊的晶体结构和能带结构，在光电子、微电子等领域有着良好的应用前景。
关键词：二硫化钼；二维层状结构；能带结构；光电性质
中图分类号：TB383.1 文献标识码：A 文章编号：1671-2064（2018）24-0254-03
二硫化钼属于过渡族金属二硫化物，即transition metal dichalcogenide，缩写为TMDC。
TMDC的化学式可写为MX2，其中M代表第IV族Zr、Ti、Hf，第V族V、Nb、Ta和第VI 族元素Mo、W等元素，而X代表S、Se、Te。
分层过渡金属硫化物是一类重要的二维材料，包括三种属性：金属性、半金属性和半导体性。
二硫化钼是一种典型的分层范德瓦耳斯材料，具有半导体特性[1]。
本文主要阐述二硫化钼的能带结构、光电特性以及单层二硫化钼的制备与检测等内容。
1 二硫化钼的结构与性质
1.1 晶体结构
二硫化钼块体具有八面体配位的四方晶系（1T）、钼原子三棱柱配位的六方对称晶系
（2H）和斜方对称晶系（3R）三种晶体结构，其中最稳定最常见的状态是六方对称结构。
在二维二硫化钼薄膜中，既存在钼原子三方柱面体配位的1H结构，也存在八面体配位的1T构型，其中最稳定的是1H构型[2]。
单层二硫化钼由S-Mo-S三层原子构成[3]，如图1所示，夹层每个S原子和中间层的三个Mo原子通过共价键结合，中间层每个Mo原子通过共价键与两个夹层的六个S原子相结合，在二硫化钼层内具有很强的平面化学键，保证了二维材料的稳定性。
由于二硫化钼层与层通过范德瓦尔斯力结合，层间距约为0.65nm，耦合作用很弱，因而很容易被分离成独立的单层材料。
对于二硫化钼块体或多层材料，即使很小的剪切力也可以导致分子层间发生滑动，因此常用做高级固体润滑剂。
1.2 能带结构和光电特性
根据导电能力的不同，材料可分为导体，绝缘体，半导体，其中绝缘体与半导体都存在带隙（价带顶与导带底之间的禁带），主要区别为绝缘体的禁带较宽，常温条件下几乎不导电，而半导体材料的禁带宽度较小，一般低于3eV，在常温下已有部分电子可以被激发跃迁到导带，同时在价带形成空穴，具有一定的导电能力[4]。
二硫化钼块体和单层二硫化钼薄膜能带结构图如图2所示[3]，从二硫化钼块体能带结构图可以看出，价带顶和导带底对应的波矢k值不同，即具有不同的动量（hk），意味着电子在跃迁过程中不仅发生能量的变化，还发生动量的变化，这种动量的变化以释放或吸收声子（即晶格振动）的形式体现，该种半导体类型称之为间接带隙半导体。
二硫化钼块体材料表现出典型的间接带隙半导体特性，有激子吸收，但不存在光致发光效应，禁带宽度为1.2eV。
二硫化钼块体材料逐层减薄，当小于100nm时，层间耦合作用不断减小，由于量子限制效应，带隙逐渐增大。
从单层二硫化钼能带结构图可以看出价带顶和导带底对应的波矢k值相同，电子跃迁表现为直接跃迁，即跃迁过程中只有能量发生变化，动量不变，这种跃迁只需要光子的参与，而不需要额外的声子，因此更容易发生，量子效率更高[5]。
单层二硫化钼薄膜表现为直接带隙半导体，带隙宽度为1.9eV[6]。
二维二硫化钼克服了石墨烯零带隙的不足，可以有较低的截止电流，高开关比，在半导体器件领域有更广泛的应用。
二维二硫化钼可以通过吸附不同的分子来实现带隙的调控[7]，及其特殊的层状结构，使其在光致发光、光吸收等方面有着独特的物理特性，从而在光电领域也有巨大的应用潜力[1]。
，而，所以，对于单层二硫化钼，当光子能量时，即光波长时，光子被吸收，当光波长，光透过或散射。
2 二硫化钼的制备与检测
2.1 单层MoS2的制备研究
目前单层MoS2薄膜的制备方法主要有磁控溅射法、微机械剥离法、液相超声法、锂离子插层法、化学气相沉积法（CVD）等[2]。
机械剥离法一般是利用特殊胶带对MoS2块体材料反复剥离，破坏MoS2的范德瓦耳斯力，最终形成单层MoS2薄膜，这种方法工艺简单，制备的单层MoS2薄膜表现出良好的载流子迁移率，是目前最常用的制备方法。
但这种方法耗时长、可重復性差，难以制备大面积MoS2薄膜。
离子插层法是在超声条件下，利用溶剂的表面张力对MoS2进行剥离，使单层MoS2分散于溶剂中，离心干燥后获得二维MoS2材料，这种方法操作简单且适合规模化生产，但是也存在制备MoS2薄膜层数不均匀的不足。
锂离子插层法是在正丁基锂的正己烷溶液中混合MoS2粉体，此时，锂离子插入到MoS2块体中，正丁基锂与水或其他质子性溶剂反应产生气体，增大MoS2的层间距，从而得到多层或单层MoS2，该方法不足之处是在去掉MoS2插层中的离子时，多层（或单层）二硫化钼纳米薄膜极易团聚，操作也很繁琐。
化学气相沉积（CVD）工作原理是将反应物高温加热气化，在载流气体的传输下沉积到基片上，生成固态化合物。
其本质是将反应物进行传输、反应、生成的过程。
虽然 CVD法目前制备的MoS2薄膜电子迁移率还相对较低，无法达到机械剥离薄膜的迁移率，但是CVD法仍是制备大面积高质量单层MoS2薄膜最有潜力的方法。
CVD法生长MoS2薄膜是在双温区管式退火炉中完成的，如图3所示。
载气为氩气（Ar），利用机械泵排气。
硫粉和MoO3粉末同时升温到目标温度，分别为150℃和550℃，此时，MoO3慢速升华，与硫蒸气反应，反应式为：
生成MoS2沉积于SiO2/Si衬底上，反应完毕后开始升温衬底温度，直到700℃，恒温
60min，对MoS2薄膜退火处理，促进MoS2重结晶，可以制备单层MoS2薄膜。
2.2 单层MoS2的拉曼光谱检测
当光和物质之间发生非弹性散射时，散射光既具有波长等于激发光波长的弹性分量，又具有波长比激发光的波长更长或更短的分量，这称为拉曼效应。
这种弹性散射称为瑞利散射，非弹性散射称为拉曼散射。
拉曼光谱是拉曼散射和瑞利散射的组合以形成的光谱。
拉曼光谱可应用于纳米材料的研究、生物材料的特性研究和材料识别以及催化材料性能的在线测量等方面。
因拉曼光谱对材料的结构变化比较敏感，而薄膜制备的条件不同会导致结构变化，如材料浓度、退火温度等因素，因此拉曼光谱是薄膜分析领域的重要工具。
拉曼光谱分析技术在石墨烯、过渡金属硫化物等层状材料的研究中发挥了重要作用[8]。
实验制备的MoS2薄膜样品，通常采用拉曼光谱法根据经验数值进行判断其层数。
二硫化钼晶体结构属于D46h（P63/mmc）空间群，为非线性分子，每个晶胞有6个原子，其具有3N-6=12个振动模式：Γ=E1g+2E2g+2E1u+E2u+A1g+2A2u+2B2g+B1u，在这12个振动模式中，A1g、E1g、E12g、E22g模式具有拉曼活性[9]。
根据选择定则的限制，E1g模式一般不表现出来，E22g模式是MoS2分子层间振动相关模式，能量很低，无法由共聚焦拉曼光谱仪测得。
A1g为平面外振动模式，E12g为平面内振动模式，是最容易观测到的两个振动模式。
当二硫化钼厚度逐渐变薄时，层之间的范德瓦尔斯力逐渐减小，层间耦合相互作用逐渐消失，导致A1g和E12g振动模式发生偏移。
A1g振动模式逐渐红移，而E12g振动模式逐渐蓝移，造成模式A1g和E12g之间的能量差逐渐减小。
当MoS2为单层时能量差达到最小，Huang，M.Y.等人，对此进行了观测，并总结的规律[9]，如图4所示，当MoS2为单层时，能量差大约为19～20个波数，随着厚度增加能量差逐渐变大，到7层时达到25，与体材料接近。
因此可以利用这一方法对MoS2薄膜的厚度进行经验判定。
3 结语
单层二硫化钼作一种新兴的二维半导体材料，在半导体领域有着越来越重要的作用，可以说是在石墨烯之后最受人关注的二维半导体材料。
二硫化钼由块体转为二维半导体材料时，能带结构由间接带隙变为直接带隙，带隙宽度约1.9eV，弥补了零带隙二维半导体材料的不足。
作为二维半导体，单层二硫化钼能够完美的展现传统半导体所具有的特点，其超薄结构则是传统半导体无法比拟的。
因此，超薄透明的二维半导体也是一个有潜力的发展方向。
参考文献
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