模拟电子技术教案
模拟电子技术教案
课堂初九年级数学教案教学设计（参考格式）1课题名称绪论,半导体地基本知识授课时数 2授课班级授课时间授课地点授课形式多媒体,板书,智能课堂参考《模拟电子技术》曾贇,曾令琴主编专业教学标准《电气自动化技术专业课程标准》职业技能标准《电气自动化技术专业技能标准》参考资料校本补充材料《模拟电子技术基础实验指导书》媒体资源,教学课件,教学视频,教初九年级数学学案例其它资源环境资源智能课堂,多媒体教学资源知识目的了解模拟电子技术地发展以及对社会地推动作用,掌握本征半导体,杂质半导体以及PN结地单向导电性技能目的具有分辨P型半导体,N型半导体以及识别PN结单向导电性地能力教学目的素质目的科学地学习方法,对模拟电子技术地兴趣,对大工匠地向往教学重点模拟电子技术地发展以及对社会发展地推动作用,PN结及其单向导电性教学难点本征激发,复合,扩散,漂移,掺杂,多子,少子,单向导电性诸多概念学情分析新课起点,做好承上启下,新旧知识有机衔接,观察学生对课程地兴趣点,确定下一步教学地方向。
教学总体设计1.绪论（以模电技术地发展历程以及对社会地推动作用提高学生地学习兴趣）2.导体,半导体,绝缘体（由物质结构引入半导体地独特性能）3.本征半导体（只有纯净地具有晶格结构地单晶体才能称之为本征半导体）4.杂质半导体（重点阐述N型半导体,P型半导体以及多子,少子概念）5.PN结地形成（讲述外电场,内电场地作用,扩散,漂移地结果）6.PN结地单向导电性（正向偏置时,反向偏置时地情况探讨）7.PN结地反向击穿（碰撞式地雪崩击穿,场效应地齐纳击穿以及热击穿）课外拓展为了巩固学习成果,提升综合素养,安排课后拓展阶段,进一步提升专业技能与综合素养。
教学活动教学环节(时间安排)学习内容教师学生技术资源教学随记(教学过程记录)课前准备(提前2-3天发布教学任务)网上查阅模拟电子技术地发展以及在生产,生活,科技领域地应用。
有关资料收集观看网络课堂教学（一）情境创设[15分钟]第一次课,目地激发学生对模拟电子技术地学习兴趣,消除畏难情绪模拟电子技术课程绪论以及课程特点及学习方法引导聆听多媒体课件课堂教学（二）知识学习[30分钟]介绍项目重点知识明确知识目的与能力目的项目导入明确学习什么,有什么用1.1半导体地基础知识1.1.1半导体地独特性能1.1.2本征半导体,本征激发与复合讲授聆听思考多媒体课件课堂教学（三）知识学习[30分钟]1.1.3半导体地导电机理1.1.4杂质半导体（N型,P型半导体）1.1.5PN结及其单向导电性1.1.6PN结地反向击穿问题讲授聆听思考多媒体课件课堂教学（…）总结评价[15分钟]针对1.1地思考与练习提问并作出解析根据学生听课情况与回答问题情况作出总结与评价,指出后面地学习要求与学习方向。
《模拟电子技术》课程教学教案
教学班级
ⅹⅹⅹ班级
教学项目
项目一：电子元器件应用
任务一：发光二极管彩灯电路安装调试
教学内容
任务分析：二极管的功能和作用，在实际电路中的使用
任务实施：学生结合对发光二极管彩灯电路安装调，对二极管进行熟悉。关于二极管，要紧熟悉其外观、分类和与其在电路的实际使用。
理论升华：（1）半导体的概念和差不多知识
教学班级
ⅹⅹⅹ班级
教学项目
项目二：电子电路应用
任务七：集成运放信号产生与处理电路安装调试
教学内容
任务分析：集成运放信号产生与处理电路的功能和作用，以及在实际电路中的使用
任务实施：学生结合对集成运放信号产生与处理电路安装调试，对集成运放信号产生与处理电路进行熟悉。
理论升华：（1）专门集成运算放大器的特点
（2）三种放大电路的设计与制作
教学前预备工作
熟悉三极管、以及电阻、电容等常用电子元器件的识别和检测，安装功率放大电路，对功率放大电路安装调试过程常见问题进行分析。
教学重点
（1）功率放大器的结构和特点
（2）OCL功率放大器的结构、工作原理、特点和调整方法
教学难点
（1）功率放大器的结构和特点
（2）OCL功率放大器的结构、工作原理、特点和调整方法
教学重点
（1）集成运算放大器的结构、工作原理、特性和参数
（2）集成运算放大器的要紧特点和应用范畴
（3）集成运算放大器的差不多分析方法（虚短和虚断概念）
教学难点
（1）集成运算放大器的结构、工作原理、特性和参数
（2）集成运算放大器的差不多分析方法（虚短和虚断概念）
所需时数
8学时
教学小结
《模拟电子技术》课程教学教案
《模拟电子技术》电子教案 任务3-1 集成运算放大器介绍
5分钟
讲解（1）
2.直接耦合放大器存在的问题
由提问引入直接耦合放大器存在的问题。
（1）讲解零漂现象。
（2）引出减小零漂的措施。
提问
启发
讨论
演示
课件演示
教师提问；
学生思考
小组讨论
代表发言
15分钟
深化（1）
3.差动放大电路
（1）通过课件演示介绍差动放大电路结构特点。
（2）通过对比教学使学生理解共模信号、差模信号、共模放大倍数、差模放大倍数、共模抑制比。
6.理想集成运算放大器
教学
重点
（1）产生零漂的主要原因及解决办法
（2）差动放大电路的特点
（3）共模抑制比的概念
（4）集成运放内部的结构
（5）理想运放的特点以及虚短、虚断的概念
教学
难点
（1）差动放大电路克服温漂的原理
（2）理想运放虚短、虚断的概念
பைடு நூலகம்教学
准备
课件，教材
考核方案
无
课后
作业
网络作业：4.1
教学
（1）了解运放的零点漂移现象；
（2）学习集成运放内部组成框图及主要参数；
（3）掌握理想运放的特点以及虚短、虚断的概念。
通过小组协作，培养学生团队协作精神，互相帮助、共同学习、共同达到目标的素质。
教学
内容
1.集成运算放大器
2.直接耦合放大器存在的问题
3.差动放大电路
4.集成运放的组成
5.集成运算放大器的主要参数
启发
讨论
提问
比较法
重点讲解
课件演示、板书
教师提问；
学生思考
小组讨论
代表发言
模拟电子技术教案
模拟电子技术教案电子技术是现代科技领域中不可或缺的一部分。
它涉及到电子电路的设计、制造和应用，为人们的生活和工作带来了巨大的改变和便利。
在这篇文章中，我将为大家介绍一份模拟电子技术的教案，希望能够帮助教师们更好地开展教学工作，培养学生对电子技术的兴趣和创新能力。
一、教案概述1. 教案主题：模拟电子技术基础知识与实践应用2. 适用对象：高中电子技术课程学生3. 教案目标：- 熟悉模拟电子技术的基本概念与原理- 掌握模拟电子电路的分析和设计方法- 培养学生动手实践的能力和创新思维4. 教学时间：10节课，每节课45分钟二、教学内容1. 第一节课：引入模拟电子技术- 介绍模拟电子技术的定义和作用- 展示模拟电子技术在实际生活中的应用案例2. 第二节课：基础电子元器件- 介绍常见的电子元器件，如电阻、电容、电感等- 解释它们的基本特性和符号表示方法3. 第三节课：模拟电路分析方法- 介绍模拟电路中的基本电路理论知识，如电流、电压、功率等 - 讲解电路的基本分析方法，如KVL和KCL等4. 第四节课：放大电路设计- 介绍放大电路的基本原理和分类- 教授放大电路的设计方法和常见的放大电路拓扑5. 第五节课：滤波电路原理与设计- 介绍滤波器的基本原理和分类- 解释滤波器的设计方法和常见的滤波电路拓扑6. 第六节课：振荡器设计与实践- 介绍振荡器的基本原理和分类- 讲解振荡器的设计方法和实践技巧7. 第七节课：模拟计算机辅助设计- 介绍模拟电子电路的计算机辅助设计软件- 指导学生使用软件进行电路仿真和分析8. 第八节课：模拟电子实验- 安排学生进行一些基础的模拟电子实验- 强调实验中的安全注意事项和实验报告的书写要求9. 第九节课：模拟电路故障排除与维修- 介绍常见的模拟电路故障现象和排除方法- 培养学生独立解决问题的能力和故障排除的技巧10. 第十节课：模拟电子技术的应用与发展趋势- 展示模拟电子技术在航天、通信、医疗等领域的最新应用- 探讨模拟电子技术的发展前景和未来趋势三、教学方法1. 组织讲授：通过教师的讲解，介绍并解释模拟电子技术的基本概念和原理。
《模拟电子技术》(第3版)课件与教案 第1章
第1章 半导体二极管及其应用试确定图（a ）、（b ）所示电路中二极管D 是处于正偏还是反偏状态，并计算A 、B 、C 、D 各点的电位。
设二极管的正向导通压降V D(on) ＝。
解：如图E1.1所示，断开二极管，利用电位计算的方法，计算二极管开始工作前的外加电压，将电路中的二极管用恒压降模型等效，有（a ）V D1＇＝（12－0）V ＝12V ＞0.7V ，D 1正偏导通，)7.02.22.28.17.012(A +⨯+-=VV B ＝V A －V D(on)）V ＝6. 215V（b ）V D2＇＝（0－12）V ＝－12V ＜0.7V ，D 2反偏截止，有V C ＝12V ，V D ＝0V二极管电路如图所示，设二极管的正向导通压降V D(on) ＝，试确定各电路中二极管D 的工作状态，并计算电路的输出电压V O 。
解：如图E1.2所示，将电路中连接的二极管开路，计算二极管的端电压，有 （a ）V D1＇＝[－9－（－12）]V ＝3V ＞0.7V ，D 1正偏导通V O1（b ）V D2＇＝[－3－（－29）]V ＝1.5V ＞0.7V ，D 2正偏导通V O2图E1.2（c）V D3＇＝9V＞0.7V，V D4＇＝[9－（－6）]V＝15V＞0.7V，V D4＇＞V D3＇，D4首先导通。
D4导通后，V D3＇＇＝（0.7－6）V＝－5.3V＜，D3反偏截止，V O3。
二极管电路如图所示，设二极管是理想的，输入信号v i=10sinωt V，试画出输出信号v O的波形。
图E1.3解：如图E1.3所示电路，二极管的工作状态取决于电路中的输入信号v i的变化。
（a）当v i＜0时，D1反偏截止，v O1＝0；当v i＞0时，D1正偏导通，v O1＝v i。
（b）当v i＜0时，D2反偏截止，v O2＝v i；当v i＞0时，D2正偏导通，v O2＝0。
（c）当v i＜0时，D3正偏导通，v O3＝v i；当v i＞0时，D3反偏截止，v O3＝0。
模拟电子技术项目化教案
模拟电子技术项目化教案一、前言1.1 课程背景模拟电子技术是电子工程与自动化领域的基础课程，通过本课程的学习，使学生掌握模拟电子技术的基本理论、基本知识和基本技能，培养学生分析问题和解决问题的能力。
1.2 教学目标（1）理解模拟电子技术的基本概念、原理和应用；（2）掌握常用模拟电子器件的工作原理和应用；（3）具备分析模拟电路的能力；（4）培养学生动手实践能力和团队协作精神。
二、教学内容2.1 模拟电子技术基本概念（1）模拟信号与数字信号；（2）模拟电路与数字电路；（3）模拟电子技术的基本环节。
2.2 常用模拟电子器件（1）半导体器件（二极管、三极管等）；（2）放大器（放大器原理、放大器类型）；（3）滤波器（低通滤波器、高通滤波器等）；（4）振荡器（正弦波振荡器、方波振荡器等）。
三、教学方法3.1 讲授法通过讲解模拟电子技术的基本概念、原理和应用，使学生掌握相关知识。
3.2 案例分析法分析实际案例，使学生更好地理解模拟电子技术在实际中的应用。
3.3 实验法组织学生进行实验，培养学生动手实践能力和团队协作精神。
四、教学安排4.1 课时安排本课程共32课时，其中理论课时24课时，实验课时8课时。
4.2 教学进度安排（1）第1-8课时：模拟电子技术基本概念；（2）第9-16课时：常用模拟电子器件；（3）第17-24课时：模拟电路分析；（4）第25-32课时：实验环节。
五、教学评价5.1 平时成绩（1）课堂表现：30%；（2）作业完成情况：40%；（3）团队协作：30%。
5.2 考试成绩（1）理论考试：60%；（2）实验报告：40%。
六、教学资源6.1 教材《模拟电子技术》教材，作者：，出版社：电器科技出版社，版本：第五版。
6.2 实验设备（1）示波器；（2）信号发生器；（3）电子元件（电阻、电容、二极管、三极管等）；（4）实验板；（5）multimeter（万用表）。
七、教学活动7.1 课前准备教师提前准备教案、课件、实验设备等教学资源。
电子教案-《模拟电子技术》(第3版_胡宴如)电子教案-ch14 电子课件
1.4 特殊二极管 1.4.1 稳压二极管 1.4.2 发光二极管与光电二极管 1.4.3 变容二极管
第 1 章 半导体二极管及其基本应用
1.4.1 稳压二极管 二、主要参数
一、伏安特性
1. 稳定电压 UZ
符号
工作条件： 反向击穿
流过规定电流时稳压管 两端的反向电压值。
电学参数： 暗电流，光电流，最高工作电压
光学参数：
光谱范围，灵敏度，峰值波长
三、光电耦合器
实物照片
1.4.3 变容二极管
第 1 章 半导体二极管及其基本应用
利用PN结的电容特性制成的二极管称为变容二极管，反偏 时它的反向电阻很大，近似开路，其容量随加于PN结两端 反向电压的增加而减小。
C /pF uD
1.4.2 发光二极管与光电二极管 一、发光二极管 LED (Light Emitting Diode)
1. 符号和特性
符号
工作条件：正向偏置
特性 i /mA
一般工作电流几十 mA， 导通电压 (1 2) V
2. 主要参数
O 2 u /V
电学参数：I FM ，U(BR) ，IR
光学参数：峰值波长 P，亮度 L，光通量
2. 稳定电流 IZ
越大稳压效果越好，
iZ /mA
小于 Imin 时不稳压。
特性
3. 最大工作电流 IZM
UZ
最大耗散功率 PZM
O IZminuZ/V
P ZM = UZ IZM
IZ
IZ
4. 动态电阻 rZ 几 几十
UZ
IZmax
rZ = UZ / IZ 越小稳压效果越好。
第 1 章 半导体二极管及其基本应用
电子技术基础模拟部分授课教案
电子技术基础模拟部分授课教案一、教学目标1. 了解模拟电子技术的基本概念、特性和应用。
2. 掌握常用模拟电子元件的工作原理和特性。
3. 学会分析简单的模拟电路，并能进行基本的电路设计。
4. 熟悉常用模拟电子技术的实验操作和调试方法。
二、教学内容1. 模拟电子技术的基本概念和特性模拟信号与数字信号的区别模拟电子技术的应用领域2. 常用模拟电子元件电阻、电容、电感的工作原理和特性放大器、滤波器、振荡器等的基本原理和应用3. 模拟电路的分析方法电压、电流的计算方法欧姆定律、基尔霍夫定律的应用简单电路的测量和调试方法4. 常用模拟电子技术的实验操作和调试方法实验仪器的使用和维护电路连接和故障排查实验数据的采集和处理三、教学方法1. 采用讲授与实践相结合的教学方式，使学生掌握基本概念和原理。
2. 通过电路仿真软件，让学生直观地了解电路的工作过程。
3. 开展实验操作，培养学生的动手能力和实际问题解决能力。
4. 组织课堂讨论，促进学生之间的交流与合作。
四、教学安排1. 课时：32课时（含实验课时）2. 教学方式：讲授、实验、讨论3. 教学进度安排：第四章：模拟电子技术的基本概念和特性（4课时）第五章：常用模拟电子元件（4课时）第六章：模拟电路的分析方法（6课时）第七章：常用模拟电子技术的实验操作和调试方法（8课时）五、教学评价1. 平时成绩：30%（包括课堂表现、作业完成情况等）2. 实验报告：30%（包括实验操作、数据处理、问题分析等）3. 期末考试：40%（包括理论知识、电路分析、问题解决等）六、教学资源1. 教材：《电子技术基础》模拟部分2. 实验设备：示波器、信号发生器、万用表、电路仿真软件等3. 网络资源：相关电子技术的学习网站、论坛、视频教程等七、教学环节1. 授课：讲解基本概念、原理、特性及应用，通过示例进行分析。
2. 实验：让学生动手实践，验证理论知识，培养实际操作能力。
3. 讨论：组织学生针对实际问题进行讨论，提高问题解决能力。
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. 实用文档. 授 课 计 划
授课时数： 2 授课教师： 赵启学 授课时间：
课 题：半导体二极管
教学目的： 1、理解PN结及其单向导电性 2、了解半导体二极管的构成与类型 教学重点：1、PN结及其单向导电性2、二极管结的构成 教学难点：PN结及其单向导电性
教学类型：理论课 教学方法：讲授法、启发式教学 教学过程： 引入新课： 模拟电子技术根底是一门入门性质的技术根底课，没有哪一门课程像电子技术的开展可以用飞速开展，日新月异。从1947年，贝尔实验室制成第一只晶体管；1958年，集成电路；1969年，大规模集成电路；1975年，超大规模集成电路，一开始集成电路有4只晶体管，1997年，一片集成电路有40亿个晶体管。不管怎么变化，但是万变不离其宗，这门课我们所讲的就是这个“宗〞。〔10分钟〕
讲授新课： 一：PN结〔30分钟〕 1、什么是半导体，什么是本证半导体？〔10分钟〕 半导体：导电性介于导体和绝缘体之间的物质 本征半导体：纯洁〔无杂质〕的晶体结构〔稳定结构〕的半导体，所有半导体器件的根本材料。常见的四价元素硅和锗。 . 实用文档. 2、杂质半导体〔20分钟〕 N型半导体：在本征半导体中参入微量5价元素，使自由电子浓度增大，成为多数载流子〔多子〕，空穴成为少数载流子〔少子〕。如图〔a〕 P型半导体：在本证半导体中参入微量3价元素，使空穴浓度增大，成为多子，电子成为少子，以空穴导电为主的杂志半导体称为P型半导体。如图〔b〕 3、PN结 P型与N型半导体之间交界面形成的薄层为PN结。
二：PN结的单项导电性〔20分钟〕 PN结加正向电压时，可以有较大的正向扩散电流，即呈现低电阻， 我们称PN结导通； PN结加反向电压时，只有很小的反向漂移电流，呈现高电阻， 我们称PN结截止。 这就是PN结的单向导电性。
1、正偏 加正向电压〔正偏〕——电源正极接P区，负极接N区 外电场的方向与内电场方向相反。 外电场削弱内电场→耗尽层变窄→扩散运动>>漂移运动→多子扩散形成正向电流〔与外电场方向一致〕I F . 实用文档. 2、反偏 加反向电压〔反偏〕——电源正极接N区，负极接P区 外电场的方向与内电场方向相同。 外电场加强内电场→耗尽层变宽→漂移运动>>扩散运动→少子漂移形成反向电流I R
三：半导体二极管的构成与类型〔20分钟〕 1、半导体二极管的构成 一个PN结加上相应的电极引线并用管壳封装起来，就构成了半导体二极管，简称二极管。
2、半导体二极管的类型 〔1〕二极管按半导体材料的不同可分为：硅二极管、锗二极管和砷化镓二极管等。 〔2〕二极管按其结构不同可分为：点接触型、面接触型和平面型二极管三类。 点接触型二极管PN结面积很小，结电容很小，多用于高频检涉及脉冲数字电路中的开关元件。面接触型二极管PN结面积大，结电容也小，多用在低频整流电路中。平面型二极管PN结面积有大有小。 本课小结：
1、 N型半导体，自由电子为多数载流子，热激发形成的空穴为少数载流子。P型半导体，空穴为多数载流子，热激发形成的自由电子是少数载流子 2、 PN结的单向导电性是指PN结外加正向电压时处于导通状态，外加反向电压时处于截止状态。 3、 半导体二极管的构成：一个PN结加上相应的电极引线并用管壳封装起来。 . 实用文档. 作业布置： P22 1、2、3题 板书设计： PN结及其单项导电性 N型半导体：自由电子为多数载流子 空穴为少数载流子 P型半导体：空穴为多数载流子 自由电子为少数载流子 单项导电性： PN结外加正向电压时处于导通状态 作业：P22 1、2、3 外加反向电压时处于截止状态
教学反思： .
实用文档. 授 课 计 划
授课时数： 2 授课教师： 赵启学 授课时间：
课 题：半导体二极管
教学目的： 1、掌握半导体二极管的伏安特性与主要参数 2、了解半导体二极管的使用常识 教学重点：1、二极管的符号及主要参数2、二极管的伏安特性 教学难点：二极管的伏安特性
教学类型：理论课 教学方法：讲授法、启发式教学、观察法 教学过程： 引入新课： 回忆上节课所学内容，1、N型半导体，自由电子为多数载流子，热激发形成的空穴为少数载流子。P型半导体，空穴为多数载流子，热激发形成的自由电子是少数载流子2、PN结的单向导电性是指PN结外加正向电压时处于导通状态，外加反向电压时处于截止状态。3、半导体二极管的构成：一个PN结加上相应的电极引线并用管壳封装起来。〔10分钟〕 讲授新课：
一：半导体二极管的伏安特性〔30分钟〕 1、 PN结的伏安特性方程 PN结两端的电压U和和流过PN结的电流I的关系：
为PN结的反向饱和电流
为温度的电压当量， . 实用文档.
正偏时U与I为正值，反偏时U与I为负值
2、 二极管的伏安特性曲线
〔1〕正向特性 外加正向电压较小时，外电场缺乏以克服内电场对多子扩散的阻力，PN结仍处于截止状态 。 〔2〕反向特性 二极管电压时，反向电流很小〔I≈-IS〕，而且在相当宽的反向电压范围内，反向电流几乎不变，因此，称此电流值为二极管的反向饱和电流 结论：〔1〕二极管是非线性原件 〔2〕二极管具有单项导电性 〔3〕反向击穿特性 从图可见，当反向电压的值增大到UBR时，反向电压外加反向电压时，电流和电压的关系称为二极管的反向特性。由图可见，二极管外加反向值稍有增大，反向电流会急剧增大，称此现象为反向击穿，UBR为反向击穿电压。利用二极管的反向击穿特性，可以做成稳压二极管，但一般的二极管不允许工作在反向击穿区
3、温度对二极管特性的影响 二极管是对温度非常敏感的器件。实验说明，随温度升高，二极管的正向压降会减小，正向伏安特性左移，即二极管的正向压降具有负的温度系数〔约为-2mV/℃〕；温度升高，反向饱和电流会增大，反向伏安特性下移，温度每升高10℃，反向电流大约增加一倍 . 实用文档. 二：半导体二极管的使用常识〔30分钟〕 1、二极管的型号 国产二极管型号由五局部组成，符号意义见表1.1.1.
2、二极管的主要参数 〔1〕最大整流电流
最大整流电流是指二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大正向电流的平均值。 〔2〕最高反向电压 允许加在二极管上的反向电压的最大值。 〔3〕反向饱和电流 它是指管子没有击穿时的反向电流值。其值愈小，说明二极管的单向导电性愈好。 另外
〔4〕最高工作频率：主要取决于PN结结电容的大小。 理想二极管：正向电阻为零，正向导通时为短路特性，正向压降忽略不计；反向电阻为无穷大，反向截止时为开路特性，反向漏电流忽略不计。 3、 二极管管脚级性及质量的判断 〔1〕二极管的管脚级性 将红、黑表笔分别接二极管的两个电极，假设测得的电阻值很小〔几千欧以下〕，那么黑表笔所接电极为二极管正极，红表笔所接电极为二极管的负极；假设测得的阻值很大〔几百千欧以上〕，那么黑表笔所接电极为二极管负极，红表笔所接电极为二极管的正极。 〔2〕质量判断 假设测得的反向电阻很大〔几百千欧以上〕，正向电阻很小〔几千欧以下〕，说
明二极管性能良好。 假设测得的反向电阻和正向电阻都很小，说明二极管短路，已损坏。 假设测得的反向电阻和正向电阻都很大，说明二极管断路，已损坏。 本课小结：〔10分钟〕
1、半导体二极管的伏安特性： . 实用文档. 2、二极管的主要参数： 最大整流电流
最高反向电压 最高工作频率 反向饱和电流 3、半导体二极管的测量 〔1〕反向电阻很大，正向电阻很小，二极管性能良好 〔2〕假设测得的反向电阻和正向电阻都很小，说明二极管短路，已损坏。 〔3〕假设测得的反向电阻和正向电阻都很大，说明二极管断路，已损坏。 〔10分钟〕 作业布置： P22 1、2、3题
板书设计： 二极管的伏安特性及使用常识 伏安特性： 硅管:，锗管: 主要参数:
最大整流电流 最高反向电压 最高工作频率 反向饱和电流 作业：
教学反思： .
实用文档. 授 课 计 划 授课时数： 2 授课教师： 赵启学 授课时间：
课 题：半导体二极管的根本应用
教学目的： 1、掌握半导体二极管的电路模型 2、掌握单项桥式整流滤波电路工作原理 3、了解硅整流组合管 教学重点：1、二极管的电路模型2、单相桥式整流滤波电路原理 教学难点：单相桥式整流滤波电路原理
教学类型：理论课 教学方法：讲授法 教学过程： 引入新课： 复习上节课所讲内容，二极管的单项导电性，二极管的伏安特性，二极管的测量及参数，根据二极管的伏安特性图，引出二极管的电路模型图〔10分钟〕