模拟电子技术(第2版)第四章习题
第五章 线性集成电路的应用
练习题
一、填空题：
1. 一阶RC 高通电路截止频率决定于RC 电路 常数的倒数，在截止频率处输出信号比通带内输出信号小 dB 。
2. 共集电极、共基极放大电路的 频特性比共发射极放大电路的好。
3. 使用大功率集成功放时，为保证器件使用安全和性能正常，一般应按规定外接_____装置。
4. 应用集成功放组成功放电路时，若采用 电源供电，则输出构成OCL 电路；采用 电源供电，则输出构成OTL 电路。
5. 特征频率f T 越高，三极管的 频性能越好。
6. 一阶滤波电路阻带幅频特性以 /十倍频斜率衰减，二阶滤波电路则以 /十倍频斜率衰减。阶数越 ，阻带幅频特性衰减的速度就越快，滤波电路的滤波性能就越好。
7. 某集成运放闭环应用时放大倍数为200，带宽为100kHz ，则该运放的单位增益带宽为 。 8. 某集成运放单位增益带宽为1MHz ，则当用于放大100kHz 信号时，放大倍数最高可达 倍。 9. 一阶RC 低通电路截止频率决定于RC 电路 常数的倒数，在截止频率处输出信号比通带内输出信号小 dB 。
10. 只允许某一频段的信号通过，而该频段之外的信号不能通过的电路，称为 滤波电路，某一频段的信号不能通过，而该频段之外的信号均能通过的电路，称为 滤波电路。
11. 低频信号能通过而高频信号不能通过的电路称为 滤波电路，高频信号能通过而低频信号不能通过的电路称为 滤波电路。
12. 阻容耦合放大电路的电压增益与频率有关，电压增益在低频区下降主要是由于 的作用，在高频区下降主要是由于 的作用。
13. 滤波器按其通过信号频率范围的不同，可以分为 滤波器、 滤波器、 滤波器、 滤波器和全通滤波器。
14. 当有用信号频率高于1kHz 时，为滤除低频信号，应采用截止频率为 的 通滤波电路。 15. 特征频率f T 即随着频率的升高，当β值下降到等于 时所对应的频率。
二、计算分析题
1. 某电路传输函数为71010.5f j U U A i o
u ＋==??? ，试分析：（1）求转折点频率；（2）求通带增益分贝值；（3）
画出其幅频特性渐近波特图；（4）此为 通电路。
2. 图示交流放大电路中，稳压管稳定电压为12V ，试求：（1）运放2、3、6脚的静态电位；（2）中频放大倍数、输入电阻、下限频率。
3.图示交流放大电路中，R F =10kΩ，R1=100Ω， C1=10μF，集成运放的单位增益带宽为1MH Z ，试：
（1）求中频增益分贝值、上限频率、下限频率和三分贝带宽；
（2）已知u i=10sin2000πt (mV) ，求u o的表达式。
4.图示交流放大电路中，R F =270kΩ，R1=R2=30kΩ， C1=0.1μF，集成运放的单位增益带宽为5MH Z ，试求该电路的中频放大倍数、输入电阻、上限频率、下限频率。
5.试判断下图所示各电路属于哪种类型（低通、高通、带通、带阻）的有源滤波电路，是几阶滤波电路。
（b）
（c）（d）
6.某电压放大器的理想波特图如图所示，试：（1）指出当输入100kHz正弦波时u0和u i的相位关系；（2）
求中频放大倍数A um值、下限频率f L、上限频率f H和三分贝带宽BW。
7.图示集成功放应用电路中，V CC=10V，试估算最大不失真输出功率P om ，指出电路中电容C3的主要作
用。
8. 电路如图所示，试画出...i o u U U A =
的幅频特性渐近波特图，求出截止频率及通带增益，并指出电路
名称。
9. 图示交流放大电路中，R F =100k Ω，R 1=2k Ω， C 1=1μF ，集成运放的单位增益带宽为10MH Z ，试求该电路的中频放大倍数、上限频率、下限频率和三分贝带宽。
10. 已知某集成运放741的开环带宽BW=7Hz ，开环差模增益A ud =2×105，转换速率S R =0.5V/μS 。试求单位增益带宽BW G ；若闭环增益A uf =10，试求运放小信号最高工作频率f max ；若工作频率为20kHz ，试求集成运放最大不失真输出电压幅度U om
11. 试画出三极管的混合p 型高频小信号等效电路，并指出电路中电容的含义。 12. 某电路传输函数为f
j U U A i o
u /10010.8-==??? ，试分析：（1）求转折点频率；（2）求通带增益分贝值；（3）画出其幅频特性渐近波特图；（4）此为 通电路。
《模拟电子技术》复习题10套及答案
. 《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。 2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由，，和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的（）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性C反向击穿特性 2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。 A空穴B三价元素硼C五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P沟道增强型MOS型 B P沟道耗尽型MOS型 C N沟道增强型MOS型 D N沟道耗尽型MOS型 E N沟道结型 F P沟道结型
. 图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。 A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃ B 1：ｃ、2：e 、3：ｂ C 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅ D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。 A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。 A 差 B 和 C 算术平均 8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。 A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况 9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。 A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联 10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（ ） A D1导通，D2导通 B D1导通，D2截止 C D1截止，D2导通 D D1截止，D2截止 三、判断题 （ ）1、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。 （ ）2、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。 （ ）3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。 （ ）4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。 （ ）5、集成运放内部第一级是差分放大电路，因此它有两个输入端。 （ ）6、只有两个晶体管的类型相同（都为NPN 管或都为PNP 管时）才能组成复合管。 （ ）7、RC 桥式振荡电路只要R ｆ≤2R １就能产生自激振荡。 （ ）8、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。 （ ）9、电压负反馈可以稳定输出电压。 （ ）10、直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。 四、分析题 + + +++ +------Rb1Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V B=50 Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2图2-3 图2-6 图2-4 图2-5图3-1 ++++++ ------D2R Rb1Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V B=50 Uo Ui Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1 +2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5 图3-1
模拟电子技术基础学习指导与习题解答(谢红主编)第二章
第二章思考题与习题解答 2-1 判断正确(√)与错误(×)。 电路的静态是指： (1)输入交流信号的幅值不变时的电路状态。( ) (2)输入交流信号的频率不变时的电路状态。( ) (3)输入交流信号且幅值为零时的状态。( ) (4)输入端开路时的状态。( ) (5)输入直流信号时的状态。( ) 目的澄清静态的概念。 解(1) ×。因为这是动态概念。 (2) ×。理由与(1)相同。 (3) √。即当 i 0 U=时的状态，也就是正弦波过零点对应的状态就是静态。 (4) ×。输入端开路时不能保证 i 0 U=的条件，可能有干扰信号从输入端窜入，因此不 能保证静态。 (5) ×。这仍然是动态概念。 2-2 试判断图题2-2(a)～(i)所示各电路对交流正弦电压信号能不能进行正常放大，并说明理由。
图题2-2 目的 检查放大电路是否能正常放大。 分析 一个能正常工作的放大电路应该同时满足四个原则，缺一不可。这就是：①e 结正偏，c 结反偏。由直流电源CC V 与BB V 保证。②信号能输入。③信号能输出。④波形基本不失真。由合适的工作点保证。 检查一个电路，只要有一个原则不满足就不能正常放大。 解 图(a)不能正常放大。因为BB V 的极性接反了，使e 结反偏。 图(b)不能放大。原因是CC V 极性接反了，使c 结正偏。 图(c)不能放大。因为b R =0，使信号i U 通过短路线以及CC V 对地交流短路，加不到晶体管上，从而o U =0。 图(d)不能放大。因为e 结处于零偏置。 图(e)能正常工作。因为四个原则均满足。 图(f)不能放大。因为电容C 有隔直作用，使BB V 不能在b R 上产生偏置电流，即BQ I =0，
《模拟电子技术基础》典型习题解答
半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。 图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。 图P1.2 解：u O的波形如解图P1.2所示。
解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。 图P1.3 解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ～I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。 （1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？ 图P1.4 解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波
模拟电子技术第4章习题答案
4基本放大电路 自我检测题 一．选择和填空 1.在共射、共基、共集三种基本放大电路组态中，希望电压放大倍数绝对值大，可选 用 A 或 C ；希望带负载能力强，应选用 B ；希望从信号源索取电流小，应选用 B ；希望既能放大电压，又能放大电流，应选用 A ；希望高频响应性能好，应选用 C 。 （ A ．共射组态， B ．共集组态， C．共基组态） 2．射极跟随器在连接组态方面属共集电极接法，它的电压放大倍数接近 1 ，输入电阻很大，输出电阻很小。 3．H参数等效电路法适用低频小信号情况。 4．图解分析法适用于大信号情况。 5．在线性放大条件下，调整图选择题 5 所示电路有关参数，试分析电路状态和性能指 标的变化。 （ A ．增大， B．减小， C．基本不变） （ 1）当 R c增大时，则静态电流 I CQ将 C ，电压放大倍数A v将A，输入电阻R i将C，输出电阻 R o将 A ； （ 2）当 V CC增大，则静态电流 I CQ将 A ，电压放大倍数A v将A，输入电阻R i将B，输出电阻 R o将 C 。 6．在图选择题5所示电路中，当输入电压为 1kHz 、 5mV 的正弦波时，输出电压波形 出现底部削平失真。回答以下问题。 （1）这种失真是 B 失真。 （A ．截止， B．饱和， C．交越， D．频率） （2）为了消除失真，应 B 。 （A ．增大R C，B．增大R b，C．减小R b，D ．减小 +V CC R b Rc C2 C 1 T v o v i V CC，E．换用 β 大的管子）。R L 图选择题5 7.随着温度升高，晶体管的电流放大系数_A_ ，穿透电流I CEO _A_ ，在 I B不变的情况 下b-e 结电压 V BE_ B_。 （ A ．增大， B．减小， C．不变） 8．随着温度升高，三极管的共射正向输入特性曲线将 C ，输出特性曲线将 A ，输出特性曲线的间隔将 E 。 （ A ．上移，B．下移， C．左移， D ．右移， E．增大， F．减小， G．不变） 9．共源极放大电路的v o与 v i反相位，多作为中间级使用。 10．共漏极放大电路无电压放大作用，v o与 v i同相位。 11．共栅极放大电路v o与 v i反相位。
模拟电子技术习题及答案
模拟电子技术 第1章半导体二极管及其基本应用 1．1 填空题 1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是空穴。 3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。 4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。 5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。 8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为 V，该二极管的直流电阻等于 650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。 1．2 单选题 1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶格缺陷
2．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。 A．价电子 B．自由电子 C．空穴 D．杂质离子 3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。 A．减小 B．基本不变 C．增大 4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。 A．增大 B．基本不变 C．减小 5．变容二极管在电路中主要用作( D )。、 A．整流 B．稳压 C．发光 D．可变电容器 1．3 是非题 1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( √ ) 2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流I 时会损坏。( × ) F 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( × ) 1．4 分析计算题 =，试写出各电路的输出电压Uo值。1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on) ＝(6—V＝ V。 解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U
模拟电子技术基础第10章习题题解
第十章直流电源 自测题 一、判断下列说法是否正确，用“√”“×”表示判断结果填入空内。 （1）直流电源是一种将正弦 信号转换为直流信号的 波形变换电路。 （） （2）直流电源是一种能量转 换电路，它将交流能量转 换为直流能量。 （） （3）在变压器副边电压和负载电阻相同的情况下，桥式整流电路的输出电流是半波整流电路输出电流的2倍。（） 因此，它们的整流管的平均电流比值为2:1。（） （4）若U2为电源变压器副边电压的有效值，则半波整流电容滤波电路和全波整流电容滤波电路在空载时的输出电压均为 2 2U。（）（5）当输入电压U I和负载电流I L变化时，稳压电路的输出电压是绝对不变的。（） （6）一般情况下，开关型稳压 电路比线性稳压电路效率高。 （） 解：（1）×（2）√（3） √×（4）√（5）× （6）√ 二、在图10.3.1（a）中，已知变压器副边电压有效值U2为10V， 2 3T C R L （T为电网电压的周期）。测得输出电压平均值U O（AV）可能的数值为 A. 14V B. 12V C. 9V D. 4.5V 选择合适答案填入空内。 （1）正常情况U O（AV）≈； （2）电容虚焊时U O（AV） ≈； （3）负载电阻开路时U O（AV） ≈； （4）一只整流管和滤波电容同 时开路，U O（AV）≈。 解：（1）B （2）C （3）A （4）D 三、填空： 图T10.3 在图T10.3所示电路中，调整管
为 ，采样电路由 组成，基准电压电路由 组成， 比较放大电路由 组成， 保护电路由 组成；输出电压最小值的表达式为 ，最大值的表达式为 。 解：T 1，R 1、R 2、R 3，R 、D Z ，T 2、R c ，R 0、T 3； ) ( )(BE2Z 33 21BE2Z 32321U U R R R R U U R R R R R +++++++，。 四、在图T10.4所示稳压电路中，已知稳压管的稳定电压U Z 为6V ，最小稳定电流I Z m i n 为5mA ，最大稳 定电流I Z ma x 为40mA ；输入电压U I 为15V ，波动范围为±10％；限流电阻R 为200Ω。 图T10.4 （1）电路是否能空载？为什么？ （2）作为稳压电路的指标，负载电流I L 的范围为多少？ 解：（1）由于空载时稳压管流过的最大电流 mA 40mA 5.52max Z Z ax Im max max D Z ==-= =I R U U I I R ＞ 所以电路不能空载。 （ 2 ） 根 据 m ax L Im in m in D Z I R U U I Z --= ，负载 电流的最大值 mA 5.32m in D Im in m ax L Z =--= I R U U I Z 根 据 m in L Im ax m ax D Z I R U U I Z --= ，负载电 流的最小值 mA 5.12m ax D Im ax m in L Z =--= I R U U I Z 所以，负载电流的范围为12.5～32.5mA 。 五、在图10.5.24所示电路中，已知输出电压的最大值U O ma x 为25V ，R 1＝240Ω；W117的输出端和调整端间的电压U R ＝1.25V ，允许加在输入端和输出端的电压为3～40V 。试求解： （1）输出电压的最小值U O m i n ；
模拟电子技术第二章习题解答
习题 题2-1试判断图P2-1中各放大电路有无放大作用，简单说明理由。 图P2-1 题2-1解(a) 无放大作用，不符合“发射结正偏，集电结反偏”的外部直流偏置要求； (b) 不能正常放大，三极管发射结没有偏置（正偏）； (c) 无放大作用，三极管集电结没有偏置（反偏）； (d) 无放大作用，三极管发射结没有偏置（正偏）； (e) 有放大作用； (f) 无放大作用，输入信号的负半轴不能加到放大电路中去； (g) 无放大作用，电容C2使输出端对地交流短路，输出交流电压信号为0； (h) 无放大作用，电容Cb使三极管基极对地交流短路，输入交流信号无法加至三极管基极；本题的意图是掌握放大电路的组成原则和放大原理。 题2-2 已知图P2-2(a)中：R b=510kΩ，R c=10kΩ，R L=1.5kΩ，V CC＝10V。三极管的输出特性如图(b)所示。 ①试用图解法求出电路的静态工作点，并分析这个工作点选得是否合适； ②在V CC和三极管不变的情况下，为了把三极管的静态集电极电压U CEQ提高到5V左右，可以改变哪些参数？如何改法？ ③在V CC和三极管不变的情况下，为了使I CQ=2mA，U CEQ=2V，应改变哪些参数？改成什么数值？
（a ） 题2-2解：① 先由估算法算出I BQ C C B E Q BQ b 100.7 mA 0.02mA 20μA 510 V U I R --= ≈ ≈= 然后，由式 C c C CC CE i R i V u 1010-=-=， 在输出特性曲线上画出直流负载线，其与横、 纵两个坐标轴的交点分别未（10V ，0）和（0，1mA ），直流负载线与i B =20uA 的一条输出 特性曲线的交点Q1即为静态工作点。 由Q1可得，U CEQ ≈0.5V ，I CQ =0.95mA 。可见，Q1点靠近饱和区，位置不太合适，容易产生饱和失真。 ② 在V CC 和三极管不变的情况下，为了把三极管的静态集电极电压U CEQ 提高到5V 左右，可以改变的参数只有R b 和（或）R c ，有以下几种方法： 1）同时减小R b 和R c ，如图中Q2点；2）R b 不变，减小R c ，如图中Q ’2点；3）Rc 不变，增大Rb ，如图中Q ’’2点；4）同时增大Rb 和Rc ，静态工作点在图中Q ’’2点以下。 ③ 在V CC 和三极管不变的情况下，为了使I CQ =2mA ，U CEQ =2V ，可以改变的参数只有R b 和（或）Rc 。将i C =I CQ =2mA ，u CE =U CEQ =2V 的一点与横坐标轴上u CE =10V 的一点相连即可得到此时的直流负载线，此时集电极电阻为CC CEQ c CQ 102 k Ω4k Ω2 V U R I --= = =， 由图可见，Q3点处I BQ =40uA ，则CC BEQ b BQ 100.7 k Ω250k Ω0.04 V U R I --= = ≈ ，因此，需要减小 Rb 和Rc 为：Rc ＝4k Ω，Rb ＝250k Ω。 i C u CE /V 图 P2-2 （b ）
模拟电子技术第4章习题答案
4 基本放大电路 自我检测题 一．选择和填空 1. 在共射、共基、共集三种基本放大电路组态中，希望电压放大倍数绝对值大，可选用 A 或C ；希望带负载能力强，应选用 B ；希望从信号源索取电流小，应选用 B ；希望既能放大电压，又能放大电流，应选用 A ；希望高频响应性能好，应选用 C 。 （A ．共射组态，B ．共集组态，C ．共基组态） 2．射极跟随器在连接组态方面属共 集电 极接法，它的电压放大倍数接近 1 ，输入电阻很 大 ，输出电阻很 小 。 3．H 参数等效电路法适用 低 频 小 信号情况。 4．图解分析法适用于 大 信号情况。 5．在线性放大条件下，调整图选择题5所示电路有关参数，试分析电路状态和性能指标的变化。 （A ．增大， B ．减小，C ．基本不变） （1）当R c 增大时，则静态电流I CQ 将 C ，电压放大倍数v A 将 A ，输入电阻R i 将 C ，输出电阻R o 将 A ； （2）当V CC 增大，则静态电流I CQ 将 A ，电压放大倍数v A 将 A ，输入电阻R i 将 B ，输出电阻R o 将 C 。 6．在图选择题5所示电路中 ，当输入电压为1kHz 、5mV 的正弦波时，输出电压波形出现底部削平失真。回答以下问题。 （1）这种失真是 B 失真。 （A ．截止，B ．饱和，C ．交越，D ．频率） （2）为了消除失真，应 B 。 （A ．增大C R ，B ．增大b R ，C ．减小b R ，D ．减小 CC V ，E ．换用β大的管子）。
R b R c +V CC C 2 C 1 R L v i v o T 图选择题5 7. 随着温度升高，晶体管的电流放大系数_A_，穿透电流CEO I _A_，在I B 不变的情况下b-e 结电压V BE_B _。 （ A ．增大，B ．减小，C ．不变） 8．随着温度升高，三极管的共射正向输入特性曲线将 C ，输出特性曲线将 A ，输出特性曲线的间隔将 E 。 （A ．上移， B ．下移，C ．左移，D ．右移，E ．增大，F ．减小，G ．不变） 9．共源极放大电路的v o 与v i 反相位，多作为 中间级 使用。 10．共漏极放大电路无电压放大作用，v o 与v i 同 相位。 11．共栅极放大电路v o 与v i 反 相位。 12. 在相同负载电阻情况下，场效应管放大电路的电压放大倍数比三极管放大电路 低 ，输入电阻 高 。 13. 场效应管放大电路常用的栅压偏置电路如图选择题13所示，说明下列场效应管可以采用哪些类型的偏置电路。 （1）结型场效应管可以采用图示电路中的 b 、d ； （2）增强型MOS 场效应管可以采用图示中的 c 、d ； （3）耗尽型MOS 场效应管可以采用图示电路中的 a 、b 、c 、d 。 (a )DD V C 1 R g R d C 2 ( b )DD V C 1 R g R d C 2 ( c )DD V C 1 R d C 2 R s C s R g1 R g2( d ) DD V C 1 R d C 2 R g1 R g2R s C s v i v i v i v i v o v o v o v o VT VT VT VT 图选择题13
模拟电子技术基础 第二章练习题
注意：答案仅供参考！ 一、填空题 1. 半导体三极管属于 电流 控制器件，而场效应管属于 电压 控制器件。 2. 放大器有两种不同性质的失真，分别是 线性 失真和 非线性 失真。 3. 共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时，其电压增益将变 大 ；若负载电阻R L 变小时，其电压增益将变 小 。 4. 单级共射极放大电路产生截止失真的原因是 静态Ic 偏小 ；产生饱和失真的原因是 Ic 偏大 ；若两种失真同时产生，其原因是 输入信号太大 。 5.静态工作点Q 点一般选择在 交流 负载线的中央。 6.静态工作点Q 点选得过低会导致 截止 失真；Q 点选得过高会导致 饱和 失真。 7.对于下图所示电路，设V CC =12V ，R b =510k Ω，R c =8 k Ω，V BE =0.7V ，V CE （sat ）=0.3V,当β=50，静态电流I BQ = 22μA ，I CQ = 1.1mA ，管压降V CEQ = 3.2V ；若换上一个当β=80，静态电流I BQ = 22μ A ，I CQ = 1.46mA ，管压降V CEQ = 0.3V ，三级管工作在 饱和 状态。 8.对于下图所示电路，设V CC =12V ，三级管β=50，V BE =0.7V ，若要求静态电流I CQ =2mA ，V CEQ =4V ，则电路中的R b = 282.5 k Ω ，R C = 4 k Ω 。
9.对于下图所示电路，已知V CC =12V，R b1 =27 kΩ，R c =2 kΩ,R e =1 kΩ,V BE =0.7V, 现要求静态电流I CQ =3mA，则R b2 = 12 kΩ。 10.已知图示的放大电路中的三级管β=40，V BE=0.7V，稳压管的稳定电压V Z=6V， 则静态电流I BQ = 0.275mA ，I CQ = 11mA ，管压降V CEQ = 3V 。 11. 当环境温度升高时，三极管的下列参数变化的趋势是：电流放大系数β增 大，穿透电流I CEO增加，当I B不变时，发射结正向压降|U BE|减小。 12.若下图所示放大电路在冬天调试时能正常工作，当到了夏天后，发现输出波形失真，且幅度增大，这时发生的失真是饱和失真，失真的主要原因是由于 夏天室温升高后，三级管的 I CBO 、 V BE 和β三个参数的变化，引起工 作点上移；输出波形幅度增大，则是因为β参数随温度升高而增大所造成，输出波形幅度增大也是引起失真的一个原因。
模拟电子技术习题答案1
模拟电子技术 习题答案 电工电子教学部 2012.2
第一章 绪论 一、填空题： 1. 自然界的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量，即 电信号 。 2. 信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的 频谱 。 3. 通过傅立叶变换可以实现信号从 时域 到频域的变换。 4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布，称为该信号的幅度频谱。 5. 各种信号各频率分量的 相位 随角频率变化的分布，称为该信号的相位频谱。 6. 周期信号的频谱都由 直流分量 、基波分量 以及 无穷多项高次谐波分量 组成。 7. 在时间上和幅值上均是连续的信号 称为模拟信号。 8. 在时间上和幅值上均是离散的信号 称为数字信号。 9. 放大电路分为 电压放大电路 、电流放大电路、互阻放大电路 以及 互导放大电路 四类。 10. 输入电阻 、输出电阻 、增益 、 频率响应 和 非线性失真 等主要性能指标是衡量放大电路的标准。 11. 放大电路的增益实际上反映了 电路在输入信号控制下，将供电电源能量转换为信号能量 的能力。 12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝”表示，其表达式分别是 dB lg 20v A =电压增益 、dB lg 20i A =电流增益 。 13. 放大电路的频率响应指的是，在输入正弦信号情况下，输出随 输入信号频率连续变化 的稳态响应。 14. 幅频响应是指 电压增益的模与角频率 之间的关系 。 15. 相频响应是指 放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率 之间的关系 。 二、某放大电路输入信号为10pA 时，输出为500mV ，它的增益是多少？属于哪一类放大电路？ 解： Ω105A 10V 50pA 10mV 5001011i o r ?==== -.i v A 属于互阻放大电路 三、某电唱机拾音头内阻为1MΩ，输出电压为1V （有效值），如果直接将它与10Ω扬声器连接，扬声器上 的电压为多少？如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路，它的输入电阻R i =1MΩ，输出电阻R o =10Ω，电压增益为1，试求这时扬声器上的电压。该放大电路使用哪一类电路模型最方便？ 解：直接将它与10Ω扬声器连接， 扬声器上的电压V 10V 1Ω 10Ω 10V 1Ω10M Ω1Ω1056o -=?≈?+= V 在拾音头与扬声器之间接入放大电路后，使用电压放大电路模型，则等效电路如下图所示
模拟电子技术课程习题 第二章 基本放大电路
第二章基本放大电路 在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的放大电路是[ ] A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 在基本共射放大电路中，负载电阻R L减小时，输出电阻R O将[ ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 在三种基本放大电路中，输入电阻最小的放大电路是[ ] A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 在电路中我们可以利用[ ]实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。 A 共射电路 B 共基电路 C 共集电路 D 共射-共基电路在基本放大电路的三种组态中，输出电阻最小的是[ ] A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是[ ] A.饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真 以下电路中，可用作电压跟随器的是[ ] A．差分放大电路B．共基电路 C．共射电路D．共集电路 晶体三极管的关系式i E=f(u EB)|u CB代表三极管的 A.共射极输入特性 B.共射极输出特性 C.共基极输入特性 D.共基极输出特性 对于图所示的复合管，穿透电流为（设I CEO1、I CEO2分别表示T1、T2管的穿透电流） A.I CEO= I CEO2I CEO B.I CEO=I CEO1+I CEO2 C.I CEO=（1+2）I CEO1+I CEO2 D.I CEO=I CEO1 图[ ] 在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正
《模拟电子技术》复习题10套及答案
可编辑 《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。 2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由，，和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的（）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性 C反向击穿特性 2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。 A空穴 B三价元素硼 C五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P沟道增强型MOS型 B P沟道耗尽型MOS型 C N沟道增强型MOS型 D N沟道耗尽型MOS型 E N沟道结型 F P沟道结型
可编辑 + + +++ +------Rb1 Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1 +2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3 图2-6 图2-4 图2-5图3-1 + + ++++ ------D2R Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V B=50 Ui Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5图3-1 图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。 A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃ B 1：ｃ、2：e 、3：ｂ C 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅ D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。 A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。 A 差 B 和 C 算术平均 8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。 A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况 9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。 A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联 10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（ ） A D1导通，D2导通 B D1导通，D2截止 C D1截止，D2导通 D D1截止，D2截止 三、判断题 （ ）1、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。 （ ）2、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。 （ ）3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。 （ ）4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。 （ ）5、集成运放内部第一级是差分放大电路，因此它有两个输入端。 （ ）6、只有两个晶体管的类型相同（都为NPN 管或都为PNP 管时）才能组成复合管。 （ ）7、RC 桥式振荡电路只要R ｆ≤2R １就能产生自激振荡。 （ ）8、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。 （ ）9、电压负反馈可以稳定输出电压。 （ ）10、直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。 四、分析题 电路如图所示： （1）写出输入级、中间级、输出级的电路名称。
模拟电子技术复习试题及答案解析
一、填空题：（要求） 1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。 半导体中中存在两种载流子：和。纯净的半导体称为，它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是； 型半导体——多数载流子是。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。 2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区内。当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。 3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。 4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。场效应管分为型和型两大类。 5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。 6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。 7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。 8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。 9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出 保持稳定，因而了输出电阻。串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。 10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。 11、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的成分，同时，尽量保留其中的成分。滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成。电容滤波适用于 电流，而电感滤波适用于电流。在实际工作中常常将二者结合起来，以便进一步降低成分。 12在三极管多级放大电路中，已知Av1=20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻，则总的电压增益Av=( ); Av1是( )放大器，Av2是( ) 放大器，Av3是( )放大器。 13集成运算放大器在( )状态和( )条件下，得出两个重要结论他们是：( ) 和( ) 14单相桥式整流电路中，若输入电压V2=30,则输出电压Vo=( )V;若负载电阻R L=100Ω,整流二极管电流Id(av)=( )A。 二、选择题： 1、ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流_______漂移电流，耗尽层_______。
模拟电子技术基础_知识点总结
模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 电子技术基础（模拟部分）综合练习题 2010-12-12 一．填空题：（将正确答案填入空白中） 1．N型半导体是在本征半导体中掺入3价元素，其多数载流子是电子，少数载流子是空穴。P型半导体是在本征半导体中掺入5价元素，其多数载流子是空穴，少数载流子是电子。 2．为使三极管能有效地有放大作用，要求三极管的发射区掺杂浓度最高；基区宽度最薄；集电结结面积最大。 3．三极管工作在放大区时，发射结要正向偏置，集电结反向偏置，工作在饱和区时，发射结要正向偏置，集电结正向偏置，工作在截止区时，发射结要反向偏置，集电结反向偏置。 4．工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是扩散电流，流过集电结的电流主要是漂移电流。 5．某三极管，其α=0.98，当发射极电流为2mA，其基极电流为0.04mA，该管的β值为49。 6．某三极管，其β=100，当集电极极电流为5mA，其基极电流为0.05mA，该管的α值为0.99。 7．某三极管工作在放大区时，当I B从20μA增大到40μA，I C从1mA变成2mA。则该管的β约为 50。 8.半导体三极管通过基极电流控制输出电流，所以它属于电流控制器件。其输入电阻较低；场效应管通过栅极电压控制输出电流，所以它属于 电压控制器件。其输入电阻很高。 9.晶体管的三个工作区是放大区，截止区，饱和区。场效应的三个工作区是可变电阻区，饱和区，截止区。 10．场效应管又称单极型管，是因为只有一种载流子参与导电；半导体三极管又称双极型管，是因为有两种载流子参与导电。 11．串联式直流稳压电源是由组成取样电路；比较放大器；基准电压和调整管。 12．集成运算放大器的内部电路是由偏置电路, 中间放大器, 输入级和 输出级四部分组成。 13．在一个三级放大电路中，已知A v1=20；A v2=-100；Av3=1，则可知这三级放大电路中A1是共基极组态；A2是共射极组态；A3是共集电极组态。14．正弦波振荡电路一般是由如下四部分组成放大器；反馈网络；稳幅电路和选频网络。 15．为稳定放大电路的输出电流和提高输出电阻，在放大电路中应引入电流串联负反馈。 16．PNP三极管基区中的多数载流子是电子。少数载流子是空穴。17．对于放大电路，所谓开环是指放大电路没有反馈支路。18．为稳定放大电路的输出电压和增大输入电阻，应引入电压串联负反馈。19．单相桥式整流电路中，设变压器的副边电压为V2，则输出直流电压的平均值为0.9V2。 20K CMR是指差模电压放大倍数与共模电压放大倍数之比的绝对值。 第五章 线性集成电路的应用 练习题 一、填空题: 1. 一阶RC 高通电路截止频率决定于R Ｃ电路 常数的倒数，在截止频率处输出信号比通带内输出信号小 dB 。 2. 共集电极、共基极放大电路的 频特性比共发射极放大电路的好。 ３. 使用大功率集成功放时,为保证器件使用安全和性能正常,一般应按规定外接____＿装置。 ４． 应用集成功放组成功放电路时,若采用 电源供电，则输出构成OC Ｌ电路;采用 电源供电,则输出构成OTL 电路。 ５． 特征频率f T 越高,三极管的 频性能越好。 6． 一阶滤波电路阻带幅频特性以 /十倍频斜率衰减,二阶滤波电路则以 /十倍频斜率衰减。阶数越 ，阻带幅频特性衰减的速度就越快,滤波电路的滤波性能就越好。 7. 某集成运放闭环应用时放大倍数为２0０，带宽为10０kHz,则该运放的单位增益带宽为 。 ８． 某集成运放单位增益带宽为1MHz,则当用于放大１00kHz 信号时,放大倍数最高可达 倍。 9. 一阶ＲC 低通电路截止频率决定于RC 电路 常数的倒数,在截止频率处输出信号比通带内输出信号小 dB 。 １0. 只允许某一频段的信号通过，而该频段之外的信号不能通过的电路，称为 滤波电路，某一频段的信号不能通过,而该频段之外的信号均能通过的电路，称为 滤波电路。 1１. 低频信号能通过而高频信号不能通过的电路称为 滤波电路，高频信号能通过而低频信号不能通过的电路称为 滤波电路。 12. 阻容耦合放大电路的电压增益与频率有关,电压增益在低频区下降主要是由于 的作用，在高频区下降主要是由于 的作用。 13． 滤波器按其通过信号频率范围的不同，可以分为 滤波器、 滤波器、 滤波器、 滤波器和全通滤波器。 14. 当有用信号频率高于1kHz 时，为滤除低频信号，应采用截止频率为 的 通滤波电路。 15. 特征频率ｆＴ即随着频率的升高,当β值下降到等于 时所对应的频率。 二、计算分析题 1. 某电路传输函数为71010.5f j U U A i o u ＋==??? ,试分析：(1)求转折点频率;（2)求通带增益分贝值；(3)画出 其幅频特性渐近波特图;(4）此为 通电路。 2. 图示交流放大电路中，稳压管稳定电压为1２V ，试求:(1）运放2、3、6脚的静态电位;(２)中频放大倍数、输入电阻、下限频率。模拟电子技术基本练习题(解)
模拟电子技术(第2版)第四章习题