等效介质理论总结
等效波阻抗
等效波阻抗1. 引言等效波阻抗是电磁波在介质或结构中传播时的有效性指标。
它描述了电磁波在传播路径中的阻抗特性，与波的传播速度、电场和磁场的分布等因素密切相关。
在微波工程、无线通信和天线设计等领域中，了解和计算等效波阻抗对于分析和优化电磁系统的性能至关重要。
2. 等效波阻抗的定义等效波阻抗是指电磁波在某个传播路径中的等效电阻和等效电感之比，通常用符号Z 表示。
在无穷远处，当电磁波辐射到无穷远距离后仍然保持稳定的状态时，等效波阻抗可以简化为纯阻抗值，而不再包含电感成分。
等效波阻抗 Z 的计算公式如下：Z = sqrt(R / L)其中，R 表示等效电阻，L 表示等效电感。
等效波阻抗的单位通常为欧姆（Ω）。
3. 等效波阻抗的物理意义等效波阻抗描述了电磁波在传播路径中的阻抗特性，具有以下重要的物理意义：3.1 反映电磁波传播性质等效波阻抗的数值与电磁波在传播路径中的电磁场分布、材料的特性以及频率等因素密切相关。
通过计算等效波阻抗，可以得到电磁波传播过程中的电阻和电感信息，进而了解电磁波在各种材料和结构中的传播特性。
3.2 表征电路的输入输出特性在电磁场传输过程中，等效波阻抗相当于电路中的负载阻抗，它决定了电磁波在信号源和负载之间的能量传输。
通过调整等效波阻抗，可以实现电磁波与源和负载之间的匹配，最大程度地提取和传输能量。
3.3 影响电磁波的反射和传播等效波阻抗不仅仅影响电磁波的输入输出特性，还对电磁波的反射和传播过程起着重要作用。
当电磁波从一个介质传播到另一个介质时，等效波阻抗的不匹配会导致电磁波的部分反射和折射，进而影响信号的传播效果和功率损耗。
4. 等效波阻抗的计算方法计算等效波阻抗需要考虑电磁波传播路径中的电场和磁场的分布情况，以及传播介质的特性。
一般来说，可以通过以下方法计算等效波阻抗：4.1 考虑材料的参数在传播介质为均匀各向同性线性介质的情况下，等效波阻抗可以通过电磁场的边界条件和介质的参数计算得到。
基于等效介质理论的碳酸盐岩储层地震数值模拟
摘
要 ：综合考 虑 碳 酸 盐 岩 储 层 孔 隙度 、 隙 类 型 对 储 层 物 性 参 数 的 影 响 ， 常规 的 Ｘ — 孔 对 ｕ
Ｗ ｈｔ 模 型等 效介 质理 论进 行 了改进 ， 用 Ｋ—Ｔ 理论 增 加 多种 不 同类型 的 孔 隙（ｍ 间孔 隙 、 ｉ ｅ 采 ｑ粒
后采 用声学 波动方 程 ＿ ， ７ 进行 地震数 值模 拟 。 Ｊ
地震 数值 模 拟 而 言 ， 须 考 虑 不 同孔 隙类 型 的影 必
响。常规的各向异性 的弹性波方程ｌ ， ＿ 虽然可以进 ２ ］ 行小 尺度 的不 均匀各 向异性介 质 的数 值模 拟 ， 但是
其计 算 复杂 ， 拟 记 录 波型 复 杂 ， 模 且模 拟记 录信 噪
第３卷 第４ ４ 期
物探 化探 计 算技 术
２１年７ Ｏ２ 月
文章 编号 ：１ ０— １ ４ （０ ２ ０ － ０ ０ － ０ Ｏ １ ７ ９ ２ １ ）４ ４ ６ ５
基 于等 效 介质 理 论 的碳 酸 盐岩 储 层 地 震 数 值 模 拟
熊晓军， 贺振华， 林 凯， 黄天俊
基金 项 目：国家 自然稿 日期 ：２ １ 一 Ｏ — ２ ０１ ８ ９ 改 回 日期 ：２ １ 一Ｏ 一Ｏ Ｏ２ ３ ８
在描 述孔 隙岩 石 中， 中一 相 为 岩 石骨 架 ， 其 另
一
相 为孔 隙 流 体 。Ｘｕ —Ｗｈｔ［ ｉ 建立 了一 个用 于 ｅ
储层 的地震数值模 拟流程 ： 采 用改进 的 Ｘ 先 ｕ～
因素 ［ 。 目前 ， 隙度 对储层 物性参 数 的影 响 已经 １ ］ 孔 得到 了大 家 的普遍 认 同 ， 即相 同基 质 成 份 条件 下 ，
细观力学的研究内容Eshelby等效夹杂理论自洽理论Mori
ij
V
Ti ni
S
0 ik 称为宏观应力，即RVE边界上的均匀应力，
或RVE上的平均应力。
三、均匀化方法（homogenization theory for heterogeneous）
0 u ( S ) xj 均匀应变边界条件 i ij
RVE
ij
1 V
V
0 ij dV ij
Mori-Tanaka方法 微分法
R.A.Roscoe, J. Apl. Phys. Solids, vol.3, 267-269, 1952
变分原理求上下限方法
Z.Hashin and S.Shtrikman, J. Mech. Phys. Solids, vol.11, 127-140, 1963
ij ijkl
(r ) ( r ) f r kl r 0,1,n
ij ijkl
ij v0 ij
C v kl
0 ijkl 0
( 0)
vr ij
r 1 0 ijkl
n
(r )
( 0)
C
v
r 1
n
r
ij
(r )
vr C
r 1 (r )
vr ij
r 1 r ijkl 0 ijkl
f
0 ijkl
vr ( f
r 1
n
f ) kl
(r )
/ ij
四、线弹性复合材料的均匀化
各向同性的球形夹杂
k k0 vr (kr k0 ) kk
r 1 n n (r )
/ ij / eij
0 vr (r 0 ) eij
多层介质的等效介电常数
多层介质的等效介电常数在电学工程中，多层介质的情况经常出现。
多层介质的等效介电常数是一个重要的参数，它决定了多层介质在电场中的响应特性。
下面我们来探讨一下影响多层介质等效介电常数的因素。
1. 各层介质的介电常数和厚度各层介质的介电常数和厚度是决定多层介质等效介电常数的直接因素。
在计算等效介电常数时，通常需要考虑各层介质的厚度和相对介电常数。
通常，较厚的介质层具有较大的介电常数，而较薄的介质层具有较小的介电常数。
2. 各层介质的排列顺序各层介质的排列顺序也会影响多层介质的等效介电常数。
当介质层的排列顺序改变时，等效介电常数也会随之改变。
例如，当两层具有相同介电常数的介质顺序调换后，等效介电常数可能会有所不同。
3. 各层介质的相对位置关系各层介质的相对位置关系也是影响多层介质等效介电常数的一个重要因素。
当多层介质中的各层相对位置发生变化时，等效介电常数也会受到影响。
特别是当多层介质中存在具有不同介电常数的介质层时，相对位置的变化对等效介电常数的影响更为显著。
4. 各层介质的电导率各层介质的电导率是影响多层介质等效介电常数的另一个因素。
具有高电导率的介质层会引入额外的电阻，这可能会改变多层介质在电场中的响应特性。
5. 各层介质的热导率各层介质的热导率也会对多层介质的等效介电常数产生影响。
高热导率的介质层有助于热量的传递，从而可能会改变多层介质在电场作用下的温度分布。
6. 各层介质的磁导率对于某些电磁应用场景，各层介质的磁导率也是一个需要考虑的因素。
具有高磁导率的介质层会对磁场产生强烈的局部集中效应，这可能会改变多层介质在磁场中的响应特性。
7. 各层介质的热膨胀系数各层介质的热膨胀系数涉及到材料在温度变化时的体积变化。
如果多层介质中的各层具有不同的热膨胀系数，那么在温度变化时，各层之间的间隙和应力可能会发生变化，从而影响多层介质的等效介电常数。
8. 各层介质的机械强度各层介质的机械强度也是需要考虑的一个因素。
电容归纳总结(通用3篇)
电容归纳总结第1篇（1）基本结构：由两块彼此绝缘互相靠近的导体组成。
（2）带电特点：两板电荷等量异号，分布在两板相对的内侧。
（3）板间电场：板间形成匀强电场（不考虑边缘效应），场强大小E=U/d，方向始终垂直板面。
充电与放电：使电容器带电叫充电；使充电后的电容器失去电荷叫放电。
充电过程实质上是电源逐步把正电荷从电容器的负极板移到正极板的过程。
由于正、负两极板间有电势差，所以电源需要克服电场力做功。
正是电源所做的这部分功以电能的形式储存在电容器中，放电时，这部分能量又释放出来。
电容器所带电量：电容器的一个极板上所带电量的绝对值。
击穿电压与额定电压：加在电容器两极上的电压如果超过某一极限，电介质将被击穿而损坏电容器，这个极限电压叫击穿电压；电容器长期工作所能承受的电压叫做额定电压，它比击穿电压要低。
电容归纳总结第2篇MLCC（Multi-layer CeramicCapacitors）是片式多层陶瓷电容器英文缩写。
是由印好电极（内电极）的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层（外电极），从而形成一个类似独石的结构体，故也叫独石电容器。
可以看到，内部电极通过一层层叠起来，来增大电容两极板的面积，从而增大电容量。
陶瓷介质即为内部填充介质，不同的介质做成的电容器的特性不同，有容量大的，有温度特性好的，有频率特性好的等等，这也是为什么陶瓷电容有这么多种类的原因。
陶瓷电容的基本参数：电容的单位：电容的基本单位是：F（法），此外还有μF（微法）、nF、pF（皮法），由于电容 F 的容量非常大，所以我们看到的一般都是μF、nF、pF 的单位，而不是 F 的单位。
它们之间的具体换算如下： 1F＝1000000μF 1μF=1000nF=1000 000pF电容容量：常用陶瓷电容容量范围：。
实际生产的电容的陶瓷容量值也是离散的，常用电容容量如下表：陶瓷电容容量从起步，可以做到100uF，并且根据电容封装（尺寸）的不同，容量也会不同。
光学薄膜技术-02光学特性(3)
E0 E11, E0 E11 E0 E0 E0 E11 E11 E11
H 0
H
0
H
0
H11
H11
H11
于是，可得：k0
E0
k0
( E11
E11 )
H 0 (H11 1 (k0 E11) 1(k0 E11) 1(k0 E11 k0 E11)
（2）在界面1，2的内侧，不同纵坐标、相同横坐标的两点，只要改变波的位相因子，
a）
b)
当膜的光学厚度取 0 4 的偶数倍时，反射率也是极 值，且视它们的折射率而定， 只是情况恰巧相反，如图所 4示。
图4 单层介质膜的反射率随其光学厚度的变化关系，其
中n0=1,n2=1.5,膜的折射率为n1，入射角 0 0。
20
单层介质膜的光学特性
注意：
（1）因为R是 的函数，所以，这里所说的“极值”、“虚
系和基底的参数N1 、 N2、d1等有关)；
➢基于等效界面思想，建立 E0与E2 '、H0与H2的' 联系，又有等效介 质的等效光学导纳Y和介质2的光学导纳的定义式，最终建立Y与 膜系和基底的参数的关系。
9
等效介质的等效光学导纳
（1）用E和H的切 向分量在界面两侧连 续的 边界条件写出在界面1上：
'
2
E0 ,将其带入上式可得：H 0
Y (k0 E0 )；
将H
2
和H
0带入（4）的矩阵k
0 H
E0
0
c os 1
i1 sin 1
i
1 c
sin 1 os1
k
0
H
E2
2
，即可得
Y
Al-AlN选择性吸收涂层性能分析及光学模拟
Al-AlN选择性吸收涂层性能分析及光学模拟杨沐晖;夏建业;郭廷伟;黄健【摘要】研究了双层Al-AlN吸收层加减反射层结构膜系,并对这种结构膜系涂层性能进行分析和模拟,在模拟得到单层Al-AlN层的膜厚和填充因子基础上,工艺优化制备得到的Al-AlN选择性吸收涂层吸收率达到0.942,100℃发射率为0.044,聚光比为1条件下,光热转换效率为0.89.【期刊名称】《太阳能》【年(卷),期】2012(000)017【总页数】3页(P37-39)【关键词】Al-AlN;选择性吸收涂层;填充因子;吸收率;发射率【作者】杨沐晖;夏建业;郭廷伟;黄健【作者单位】常州博士新能源科技有限公司;常州博士新能源科技有限公司;常州龙腾太阳能热电设备有限公司;常州龙腾太阳能热电设备有限公司【正文语种】中文一引言太阳能选择性吸收涂层是一种高效吸收太阳能热辐射的薄膜材料，属于太阳能热利用技术。
目前，国内用于太阳能热水器上的选择性吸收材料很多，有Al-AlN、SS-AlN等复合材料。
Al-AlN选择性吸收涂层是目前应用最为广泛的吸热材料之一。
这种传统渐变结构膜系的选择性吸收涂层吸收率良好，但发射率也较高[1] 。
章其初等人[2] 提出双金属－介质选择性吸收膜系结构，这种涂层由金属层、两层金属－介质吸收层和减反射层构成。
使用的金属材料主要有Au、Ag、Cu、Al、Ni等，用以提高膜层的红外光谱反射率，降低膜层发射率；电介质－金属吸收层由金属含量不同的高、低金属填充因子金属－介质层组成；减反射层有AlN、Al2O3、SiO2等。
本文采用双金属－介质选择性吸收膜系结构，研究了Al-AlN选择性吸收涂层材料的光热性能。
选择性吸收涂层金属－介质层是主要的吸热层，对Al-AlN单层膜的反射率光谱进行模拟分析，得到膜厚及填充因子。
实验以模拟的数据为标准，通过多次优化实验，得到高吸收率和低发射率的Al-AlN选择性吸收涂层。
二实验方法本实验采用衡阳SCS-850型镀膜机。
电容的等效电路模型
电容的等效电路模型电容的等效电路模型一、引言电容是一种重要的电子元件，常用于滤波、储能、隔离等电路中。
在实际应用中，为了方便分析和设计电路，需要将电容抽象成一个等效的电路模型。
本文将介绍三种常见的电容等效电路模型，并对其特点和应用进行分析。
二、理论基础在介绍电容的等效电路模型之前，我们需要先了解一些理论基础知识。
首先是电容的定义：电容是指两个导体之间由于有绝缘体隔开而存储能量的装置。
其单位为法拉（F），通常用微法（μF）、毫法（mF）或皮法（pF）表示。
其次是关于交流信号下的复数表示：在交流信号下，我们通常使用复数来表示信号的振幅和相位。
对于一个正弦波信号V(t)=Vmaxsin(ωt+φ)，其复数形式为V=Vmaxejφ，其中j为虚数单位。
最后是关于阻抗和导纳：阻抗是指交流信号通过某个元件时所遇到的阻力和反向作用力之和，其单位为欧姆（Ω）。
导纳则是阻抗的倒数，其单位为西门子（S）。
三、电容的等效电路模型1. 理想电容模型理想电容模型是指一个没有任何损耗和内阻的电容。
在直流信号下，理想电容的等效电路模型为一个开路。
在交流信号下，理想电容的等效电路模型为一个阻抗，其阻抗大小与频率成反比关系，即Zc=1/(jωC)。
2. 实际电容模型实际电容模型是指考虑了电容本身的损耗和内阻后的等效电路模型。
在直流信号下，实际电容的等效电路模型为一个串联了一个小阻值的开路。
在交流信号下，实际电容的等效电路模型为一个复阻抗，其大小由两部分组成：一部分是由于导体本身存在导体损耗而产生的串联阻值Rp；另一部分是由于介质本身存在介质损耗而产生的并联导纳Gp。
因此实际电容的复阻抗可以表示为Zc=1/(jωC)+Rp||Gp。
3. 等效串联RC模型等效串联RC模型是指将实际电容看做一个并联了一个串联RC网络后得到的等效电路模型。
这个RC网络的作用是模拟实际电容的损耗和内阻。
在直流信号下，等效串联RC模型为一个串联了一个小阻值的开路。
【国家自然科学基金】_等效连续介质模型_基金支持热词逐年推荐_【万方软件创新助手】_20140731
科研热词 数值模拟 非局部应力边界条件 非均匀流动 隧道工程 采动岩体 裂隙岩体 裂缝宽度 裂纹尖端张开位移 衬砌开裂 表面诱发张力 表面能 脆性断裂 能量平衡 耦合分析 绝热层 等效连续介质模型 等效连续介质 碘-淀粉显色示踪 瓦斯抽采 热能 热导率 激发态 渗流规律 渗流控制 渗流分析 渗流 流固耦合 流动通道 流体力学 水文模型 水布垭工程 水工隧洞 水利工程 排水孔幕 抽采效率 扩散半径 应力场 岩溶流域 岩体裂隙 展望 存储效应 孔隙率 大黄素 多孔硅 垂直电离势 垂直电子亲和势 地下厂房 含时密度泛函 压塞-粘液封孔工艺 内聚裂纹模型 内水外渗 优先流
推荐指数 2 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
2011年 序号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52
53 三维非稳定渗流场 54 comsol multiphysics数值模拟
1
53 54
2011年 科研热词 强弱界面相 四相介质 单壁碳纳米管 采矿工程 连续碳纳米简体 连续碳纳米筒体 裂隙岩体 裂隙土 裂缝性油藏 表征单元体积 蠕变破裂 蠕变-渗流耦合 耦合流变数学模型 耦合模型 等效连续介质模型 等效连续介质 等效强度参数 端承桩 竖向振动 穴位研究 穴位电阻测定仪 穴位电阻 煤岩层状边坡 滞后突水 渗透系数 流变-渗流耦合 流-固耦合 水平振动 水平井 水压 检测方法 桩-土相互作用 本构关系 有限元 数值模拟 张量 岩石力学 尺寸效应 复刚度 地下水 固相率 喀斯特流域 各向异性 变参数流变-渗流耦合 半固态成形 动力刚度 分数阶导数 产能 三维模型 timoshenko模型 flac3d fepg软件 推荐指数 2 2 2 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
多重介质储层渗流的等效连续介质模型及数值模拟
等 效 渗 透 率 和 孔 隙度 模 型 。以轮 古 某 油 区为 例 进 行 了应 用 分析 ， 并通 过 孔 渗 参 数 的 等 效 进 行 了数值 模 拟 数 值模 拟 结 果 和
实际 生 产特 征 的对 比 ， 证 了等 效 连 续 介 质模 型在 多 重介 质 油藏 数 值 模 拟 中的 适 用性 。 验 关 键 词 多 重介 质 油藏 ： 洞 型 储 层 ； 孔 裂缝 型储 层 ； 洞 型储 层 ； 效连 续介 质 ； 溶 等 数值 模 拟
Ｘｕ Ｘｕ ｎ ａ Ｙａ ｇ Ｚｈ ｎ ｍ ｉ Ｚｕ ｋ ｉ Ｌｉ ｈｕ ２ ｎ ｅ ｇ ｎｇ Ｌｉ ａ ｕ Ｓ ｂｏ
（． ｓｉｕ ｅｏ ｒ ｕｓＦ ｕｄ Ｍ ｅ ｈ ｉｓ ＣｈｎｅｅＡｃ ｄ ｍｙｏ ｃｅ ｃ ｓ Ｌａ ｇ ａ ｇ０ ５ ０ ， １Ｉ ｔｔ ｔ ｆＰｏ ｏ ｌ ｉ ｃ ａｎｃ， ｉ ｓ ａ ｅ ｆＳ ｉｎ ｅ ｎ ， ｎ ｆ ｎ ６ ０ ７ Ｃｈｉａ ． ｓ ａ ｃ ｎ ｔｔ ｔ ｆＥｘ ｏ ａ ｉｎａ ｎ ；２Ｒｅ ｅ ｒ ｈＩ ｓｉｕ ｅｏ ｐｌｒ ｔｏ ｎｄ
ａ ｘ ｍｐ ｅ Ａ ｎ ｍｅ ｉａ ｉ ｌｔ ｎ ｉ ｃ ｒｉ ｄ ｏ ｔ ｙ ｕ ｉ ｇｔ ｅ ｅ ｕ ｖ ｌｎ ａ ａ ｔｒ ｆ ｅ ｍｅ ｂ ｌ ｙ ａ ｄ ｐ ｒ ｓｔ． ｈ ｏ ａ ｉｏ ｓｅ ａ ｌ． ｕ ｒ ｌ ｍｕ ａ ｉ ｓ ａ ｒ ｕ ｓｎ ｑ ｉａｅ ｔ ｒ ｍｅｅ ｓｏ ｒ ａ ｉ ｔ ｎ ｏ ｏ ｉ Ｔ ｅ ｃ ｍｐ ｒｓ ｎ ｅ ｓ ｏ ｅ ｂ ｈ ｐ ｐ ｉ ｙ
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2018.12.4
目录
均匀混合等效介质理论
Maxwell-Garnett等效介质理论
分层介质 二维随机介质：圆柱散射体 三维随机介质：球形颗粒散射体
均匀混合等效介质理论(UM)
均匀混合等效介质理论(UM)
Maxwell-Garnett等效介质理论
Maxwell-Garnett等效介质理论
分层介质
二维随机介质
空气
空气
Floquet 周期边界条件
入射 端口
出射 端口
空气
空气
Floquet 周期边界条件
二维随机介质
反射谱比较：
二维随机介质做50 Realizations统计平均 得出其反射谱； MG理论将其等效为 相对介电常数ε=4.34 的均匀介质； UM理论将其等效为 ε=4.91的均匀介质。
二维随机介质
透射谱比较：
二维随机介质做50 Realizations统计平均 得出其透射谱； MG理论将其等效为 相对介电常数ε=4.34 的均匀介质； UM理论将其等效为 ε=4.91的均匀介质。
二维随机介质
三维随机介质
三维随机介质
反射谱比较：
三维随机介质做10 Realizations统计平均 得出其反射谱； MG理论将其等效为 相对介电常数ε=4.30 的均匀介质； UM理论将其等效为 ε=4.80的均匀介质。
分层介质
分层介质反 射率 分层介质透 射率
等效介质反 射率
等效介质透 射率
分层介质（四层）
分层介质（四层）
MG公式不对称，所以 会得出多个有效介电常 数
分层介质（四层带耗散）
分层介质
分层介质反 射率 分层介质透 射率
等效介质反 射率
等效介质透 射率
分层介质（五层）
分层介质（五层）
分层介质（五层带耗散）
三维随机介质
透射谱比较：
三维随机介质做10 Realizations统计平均 得出其透射谱； MG理论将其等效为 相对介电常数ε=4.30 的均匀介质； UM理论将其等效为 ε=4.80的均匀介质。
三维随机介质