半导体的能带结构课件
3-5 能带理论与半导体
将其转化效率提高到7%，继
D
而迎来了DSSC的新时代。
TiO2染料敏化太阳能电池：DSSC
Dye-sensitized Solar Cell
近年来，TiO2半导体的光催化性能引起人们的重视。 Honda-Fijishima效应： 本田-藤岛（Honda-Fijishima）在1972年发现，水溶液中的 TiO2电极被光照射后，光激发的电子进入半导体电极内部，空 穴到达半导体表面。此空穴与水里的氧离子相互作用，电子则 通过铂电极与氢离子相互作用。 结果是： 在二氧化钛电极上会产生氧气，在对极的铂电极上会产生氢气。
在接触开始时，金属和半导体的间距大于原子的间距， 在两类材料的表面形成电势差Vms。
接触电势差：
Vms
Vm
V‘s
Ws
Wm q
紧密接触后，电荷的流动使得在半导体表面相当厚的一 层形成正的空间电荷区。空间电荷区形成电场，其电场 在界面处造成能带弯曲，使得半导体表面和内部存在电 势差，即表面势Vs。接触电势差分降在空间电荷区和金 属与半导体表面之间。但当忽略接触间隙时，电势主要 降在空间电荷区。
2013年春
现在考虑忽略间隙中的电势差时的 极限情形:
半导体物理与器件-课件-教学PPT-作者-裴素华-第1章-半导体材料的基本性质
简化为
J = pqv p
1.6.4 半导体的电阻率ρ
电阻率是半导体材料的一个重要参数，其值为电导率
的倒数。 1
1
ρ= =
σ nqμn + pqμ p
对于强P型和强N型半导体业有相应的简化。
从上面的公式可以看出，半导体电阻率的大小决定于 n, p, μn ,μp的具体数值，而这些参数又与温度有关， 所以电阻率灵敏的依赖于温度，这是半导体的重要 特点之一。
b) P型硅中电子和空穴 的迁移率
载流子的迁移率还要随温度而变化。
硅中载流子迁移率随温度变化的曲线 a) μn b) μp
1.6.3 半导体样品中的漂移电流密度
设一个晶体样品如图所示， 以单位面积为底，以平 均漂移速度v为长度的矩 形体积。先求出电子电 流密度，设电场E为x方 向，在电场的作用下， 电子应沿着-x方向运动。
不论半导体中的杂质激发还是本征激发，都是依靠吸收 晶格热振动能量而发生的。由于晶格的热振动能量是随 温度变化的，因而载流子的激发也要随温度而变化。
载流子激发随温度的变化 a）温度很低 b）室温临近 c）温度较高 d）温度很高
伴随着温度的升高，半导体的费米能级也相应地发 生变化
杂质半导体费米能级随温度的变化 a）N型半导体 b）P型半导体
a)随机热运动 b) 随机热运动和外加电场作用下的运动合成
随机热运动的结果是没有电荷迁移，不能形成电流。
引入两个概念：
1. 大量载流子碰撞间存在一个路程的平均值，称为平 均自由程，用λ表示，其典型值为10-5cm；
2. 两次碰撞间的平均时间称为平均自由时间，用τ表示, 约为1ps；
建立了上述随机热运动的图像后，就可以比较实际地去 分析载流子在外加电场作用下的运动了。
第一章 半导体的物质结构和能带结构
第一章 半导体的物质结构和能带结构1、参照元素周期表的格式列出可直接构成或作为化合物组元构成半导体的各主要元素，并按共价键由强到弱的顺序写出两种元素半导体和八种化合物半导体，并熟记之。
IBIIBIIIA IV A V A VIA VII1 2 B C N O 3Al Si P S 4 Cu Zn Ga Ge As Se 5AgCd InSn SbTe6 HgPb共价键由强到弱的两种元素半导体，例如：Si ，Ge共价键由强到弱的八种化合物半导体：例如：SiC ，BN ，AlN ，GaN ，GaAs ，ZnS ，CdS ，HgS2、何谓同质异晶型？举出4种有同质异晶型的半导体，并列举其至少两种异晶型体的名称和双原子层的堆垛顺序。
答：化学组成完全相同的不同晶体结构称为同质异晶型。
1． SiC ，其多种同质异型体中，3C-SiC 为立方结构的闪锌矿型晶格结构，其碳硅双原子层的堆垛顺序为ABCABC ⋅⋅⋅；而2H-SiC 为六方结构的纤锌矿型晶格结构，其碳硅双原子层的堆垛顺序为ABAB ⋅⋅⋅；4H-SiC 为立方与六方相混合的晶格结构，其碳硅双原子层的堆垛顺序为ABACABAC ⋅⋅⋅2． GaN ，有闪锌矿结构和纤锌矿结构两种同质异型体，闪锌矿结构的Ga-N 双原子层的堆垛顺序为ABCABC ⋅⋅⋅；而纤锌矿结构的Ga-N 双原子层的堆垛顺序为ABAB ⋅⋅⋅；3． ZnS ，有闪锌矿结构和纤锌矿结构两种同质异型体，闪锌矿结构的Zn-S 双原子层堆垛顺序为ABCABC ⋅⋅⋅；而纤锌矿结构的Zn-S 双原子层堆垛顺序为ABAB ⋅⋅⋅；4． ZnSe ，有闪锌矿结构和纤锌矿结构两种同质异型体，闪锌矿结构的Zn-Se 双原子层堆垛顺序为ABCABC ⋅⋅⋅；而纤锌矿结构的Zn-Se 双原子层堆垛顺序为ABAB ⋅⋅⋅；3、室温下自由电子的热速度大约是105m/s ，试求其德布洛意波长。
解：该自由电子的动量为：s m kg v m p /1011.9101011.9265310⋅⨯=⨯⨯==--由德布洛意关系，可知其德布洛意波长nm p h k 27.71027.71011.910625.6192634=⨯=⨯⨯===---λ4、对波矢为k 的作一维运动的电子，试证明其速度dk k dE )(1 =υ解：能量E 和动量P 波频率ν和波矢k 之间的关系分别是：ων ==h E ； P = k根据能量和动量的经典关系：20021,v m E v m P ==由以上两个公式可得：0222m kE =对这个结论求导可得：02)(m k dk k dE η=，进一步得：dkk dE m k )(10ηη= 根据动量的关系：v m k P 0==η可得：=v dkk dE m k)(10ηη=5、对导带底电子，试证明其平均速度和受到外力f 作用时的加速度可分别表示为*/n m k =υ 和 */nm f a = 解：将E （k ）在k=0出按泰勒级数展开取至k 2项，得到....)(21)()0()(20220+++===k dkEd k dk dE E k E k k因为，k=0时能量取极小值，所以0)(0==k dk dE ，因而2022)(21)0()(k dkEd E k E k ==-令*02221)(1nk m dk E d == 代入上式得*222)0()(nm k E k E =- 根据量子力学概念，波包中心的运动速度为dkd v ω=式中，k 为对应的波矢。
高二物理竞赛半导体及其基本特性课件(共15张PPT)
第一章 半导体中的电子状态
半导体的晶 格结构
半导体的 能带
半导体中的 电子运动
晶体，晶格，原 胞，单胞，基本
晶体结构
能带理论，
原子能级与能带，
固体的能带图，
半导体的能带填充
群速度，
加速度，
导 体: 106~104(cm)-1
不同材料的电导率
不同材料的电导率
所有晶体的结构可以用晶格来描述，这种晶格的每个格点上附有一群原子，这样的一个原子群称为基元，基元在空间周期性重复排列就形成晶体结构。
所有晶体的结构可以用晶格来描述，这种晶格的每个格点上附有一群原子，这样的一个原子群称为基元，基元在空间周期性重复排列就形成晶体结构。
1.基元、格点和晶格
任何两个基元中相应原子周围的情况是相同的，而每一个基元中不同原子周围情况则不相同。
导 体: 106~104(cm)-1
第一章 半导体中的电子状态
石墨烯, MoS2, etc.
一个理想的晶体是由完全相同的结构单元在空间周期性重复排列而成的。
一个理想的晶体是由完全相同的结构单元在空间周期性重复排列而成的。
格点可以代表基元重心的位置，也可以代表基元中任意的点子。
(a) (b) (c) 在晶体中适当选取某些原子作为一个基本结构单元，这个基本结构单元称为基元，基元是晶体结构中最小的重复单元，基元在空间周期性重复排列就形成晶体结构。
石墨烯, MoS2, etc.
所有晶体的结构可以用晶格来描述，这种晶格的每个格点上附有一群原子，这样的一个原子群称为基元，基元在空间周期性重复排列就形成晶体结构。
演示文稿半导体的能带结构
第四页，共115页。
●电阻温度系数
绝 缘 体
R
半导体
T
第五页，共115页。
半导体材料的分类
按功能和应用分
微电子半导体 光电半导体
热电半导体
微波半导体
气敏半导体 ∶
∶
第六页，共115页。
按组成分：
按结构分:
无机半导体：元素、化合物
有机半导体 晶体：单晶体、多晶体
演示文稿半导体的能带结构
第一页，共115页。
半导体的能带结构
第二页，共115页。
2．1 半导体的结构
**半导体简介
从导电性（电阻）：
固体材料可分成：超导体、导体、
半导体、绝缘体
电阻率ρ介于导体和绝缘体之间，并且具有负的 电阻温度系数→半导体
第三页，共115页。
●电阻率
导体： ρ＜10-3Ωcm 例如：ρCu~10-6Ωcm 半导体：10-2Ωcm＜ρ＜109Ωcm
导体
(2)化合物有GeTe、As2Te3、Se4Te、 Se2As3、As2SeTe非晶半导体
第十二页，共115页。
*有机半导体
有机半导体
有机分子晶体
有机分子络合物 高分子聚合物
酞菁类及一些多环、稠环化合物，
聚乙炔和环化脱聚丙烯腈等导电高分 子，他们都具有大π键结构。
第十三页，共115页。
晶体结构
第十六页，共115页。
结点示例图
2 . 点阵学说概括了晶体结构的周期性
晶体由基元沿空间三个不同方向，各按一定的距离周期性地平移 而构成，基元每一平移距离称为周期。
在一定方向有着一定周期，不同方向上周期一 般不相同 。
半导体能带结构
半导体能带结构
半导体能带结构是指半导体材料中电子能级的分布情况。
半导体材料具有两个
能带，分别是价带和导带。
价带是最高填充电子能级的能带，而导带是较高的未填充电子能级的能带。
在晶体中，能带结构是由周期性的离子势场产生的。
通过经典物理学和量子力
学的研究，我们了解到半导体能带结构的基本特征。
半导体的价带中的电子是紧密排列的，处于低能态。
而导带中的电子具有更高
的能量，能够自由移动。
如果能带之间的能量差很大，例如在绝缘体中，电子无法轻易从价带跃迁到导带，因此几乎没有导电性能。
但在半导体中，导带和价带之间的能量差较小，因此电子可以通过吸收能量或热激发从价带跃迁到导带，形成电流，这就是半导体的导电特性。
半导体的能带结构也决定了其光学和电学性质。
当电子从价带跃迁到导带时，
会产生或吸收特定能量的光子，使得半导体具有各种颜色的发光能力。
此外，半导体中存在着空穴，即电子离开的空位，它们也可以在能带结构中移动，并参与电导。
值得注意的是，半导体材料的能带结构可以通过掺杂和应力等方法进行调控。
通过引入特定的杂质，可以改变能带结构，增加或减少导电性能。
这种调制能带结构的方法使得半导体技术在电子学和光电子学等领域有了广泛的应用。
例如，半导体器件如晶体管、光伏电池和发光二极管等都是基于半导体能带结构的原理设计和工作的。
总结来说，半导体能带结构是半导体材料中电子能级的分布情况，决定了半导
体的导电、光学和电学性质。
通过调控能带结构，我们能够实现对半导体材料性能的控制和优化，进而推动半导体技术的发展。
半导体的能带结构
半导体的能带结构半导体是介于导体和绝缘体之间的一类材料，其最重要的特征是它的电导率随着温度的变化而变化。
半导体的电导率比绝缘体高，但比导体低。
这种特殊的电性质是由半导体中的能带结构所决定的。
半导体的能带结构是指在半导体内部原子的价电子能级和空穴能级之间的分布情况。
半导体中的原子由于空间限制而形成晶格结构，晶格中的原子排列有序，而且具有周期性。
在这个有序的结构中，原子之间的电子能量不完全相同，因此，它们的能级也不同，这就形成了能带结构。
半导体的能带结构是由价带和导带组成的。
价带是指半导体中原子的最外层电子的能级，这些电子处于价态。
导带是指在半导体中具有传导电子能力的能级，这些电子处于导态。
在半导体中，导带和价带之间存在一段能量间隙，即禁带宽度。
禁带宽度是指在半导体中，电子从价带跃迁到导带所需要的最小能量，也称为带隙。
半导体的能带结构不仅决定了半导体的电性质，而且还直接影响着半导体的光学性质。
在半导体中，能带结构和带隙的大小决定了半导体的吸收和发射光谱。
当半导体受到外界光照射时，电子能够从价带跃迁到导带，从而产生电子空穴对。
这种现象被称为光电效应。
在半导体中，光电效应的发生与能带结构和带隙的大小有直接关系。
除了光电效应，半导体的能带结构还影响着半导体的输运性质。
在半导体中，电子和空穴的运动受到晶格缺陷和杂质的影响，从而影响半导体的电导率。
这些晶格缺陷和杂质会影响半导体的禁带宽度和电子迁移率，从而影响半导体的电性质。
半导体的能带结构是半导体材料中最重要的物理特性之一。
它直接决定了半导体的电性质和光学性质，对于半导体器件的设计和制造具有重要意义。
随着半导体技术的发展，对半导体的能带结构的研究也将会越来越深入。
半导体物理ppt课件
§1.2.4电子在周期场中的运动——能带论
2、电子在周期场中的运动
布洛赫曾经证明，满足式(1-13)的波函数一定具有如下
形式： k x uk (x)ei2 kx
(1-14)
式中k为波矢，uk (x)是一个与晶格同周期的周期性函数， 即：
uk (x) uk (x na)
式中n为整数。
§1.2半导体中的电子状态和能带
§1.2.4电子在周期场中的运动——能带论
2、电子在周期场中的运动 式(1-13)具有式(1-14)形式的解，这一结论称为布洛赫
定理。具有式(1-14)形式的波函数称为布洛赫波函数 晶体中的电子运动服从布洛赫定理：
晶体中的电子是以调幅平面波在晶体中传播。 这个波函数称为布洛赫波函数。
§1.1 晶体结构预备知识，半导体晶体结构 2.几种晶格结构
如果只考虑晶格的周期性，可用固体物理学原胞表示：
简立方原胞：与晶胞相同，含一个原子。
体心立方原胞：为棱长
3 2
a
的简立方，含一个原子。
面心立方原胞：为棱长
2 2
a
的菱立方，由面心立方体对
角线的；两个原子和六个面心原子构成，含一个原子。
§1.2半导体中的电子状态和能带
§1.2.4电子在周期场中的运动——能带论
1、自由电子的运动状态 对于波矢为k的运动状态，自由电子的能
量E，动量p，速度v均有确定的数值。 波矢k可用以描述自由电子的运动状态，
不同的k值标志自由电子的不同状态 自由电子的E和k的关系曲线，呈抛物线
形状。 由于波矢k的连续变化，自由电子的能量
(e)（100）面上的投影
§1.1 晶体结构预备知识，半导体晶体结构 4.闪锌矿型结构
半导体物理第二章能带和载流子课件
E=P2/2mn （p为动量 ， mn为电子有效质量）
抛物线 表示：
E
P
注意：电子有效质量由半导体特性决定，但可以由E对P的二次
微分算出：mn=（d2E/dp2）-1
由此得：曲率越小，二次微分越大，有效质量越小
18
第十八页，本课件共有49页
间隙式杂质：杂质原子位于晶格原子间的间隙位置；一般原子比较 小。 替位式杂质：杂质原子取代晶格原子位于晶格处。要求替位式杂质 的大小与被取代的晶格原子的大小相近。
36
第三十六页，本课件共有49页
施主杂质(donor)
37
第三十七页，本课件共有49页
V族： P, As
V族元素取代Si原子后，形成 一个正电中心和一个多余的 价电子。
数
计算值 测量值
e
0.67
0.56m0 0.37m0 1.05x1019 5.7x1018
2.0x1013 2.4x1013
1.12 1.08m0 0.59m0 2.86x1019 2.66x1019 7.8x109 9.65x109
aAs 1.42 0.068m0 0.47m0 4.7x1017 7x1018
金刚石
导电
较高
(热激发 e,h)
导电
低
(n ~1022 cm-3)
导电
金属< 半金属< 半导体
Si, Ge, GaAs
Na: 1s22s2 2p63s1
Mg: 1s22s2 2p63s2
V族 Bi, Sb, As
§2.6 本征载流子浓度
热平衡状态 本征激发与本征半导体 费米分布函数与玻尔慈曼分布函数 本征载流子浓度
《半导体光电子学课件》下集2.1异质结及其能带图
将异质结泡在溶液中，在合适的条件下生长形成异质结材料。
异质结效应
拉克特效应
异质结的巨拉克特效应提供了 高灵敏度和高速度的光电转换。
异பைடு நூலகம்结电阻效应
由于材料性质差异带来的电阻 变化，用于电子器件中的控制 和调节。
热电效应
利用异质结在温度梯度下产生 的热电势差实现能量转换。
异质结失效机制
惯性效应
当异质结材料无法快速响应外界变化时，会产 生失效。
通过施加电场，改变异质结的 材料电位差，形成能带结构的 变化。
外界压力作用下的形 成
外界压力对异质结材料的物理 和结构性质的影响，使能带发 生变化。
掺杂作用下的形成
通过对材料进行掺杂，引入杂 质能级，改变能带结构。
异质结应用
1 光伏电池
异质结是光伏电池的关键构件，转换太阳能 为电能。
2 激光器
异质结的能带结构和电子能级分布是激光器 实现激光输出的基础。
损耗效应
由于能带结构和电子能级的变化，异质结材料 会发生能量损耗。
串扰效应
异质结中的电场和电子状态相互影响，导致器 件性能下降。
失效测试方法
通过对异质结性能的测试和分析，判断异质结 是否失效。
总结
异质结的重要性
异质结在半导体器件中起着重要的作用，广泛应用 于光电子学领域。
展望其未来的应用
随着技术的不断发展，异质结将在能源、通信和信 息等领域有更广泛的应用。
能带结构
能带简介
能带描述了材料中电子的能量分 布情况，直接影响半导体的导电 性能。
能带在异质结中的分布
异质结中的能带分布受到材料性 质差异的影响，形成能带弯曲或 偏移。
常见异质结的能带图
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*.非晶态半导体
(1)非晶Si、非晶Ge以及非晶Te、Se元素 半
导体
(2)化合物有GeTe、As2Te3、Se4Te、 Se2As3、As2SeTe非晶半导体
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*有机半导体
有机半导体
有机分子晶体 有机分子络合物 高分子聚合物
酞菁类及一些多环、稠环化合物， 聚乙炔和环化脱聚丙烯腈等导电高分 子，他们都具有大π键结构。
原胞边长总是一个周期，并各沿三个晶轴方向；
原胞体积为物理学原胞体积的整数倍数。
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4 .结点的总结------布喇菲点阵或布喇菲格子
布喇菲点阵的特点：
每点周围情况都一样。是由一个结点沿三维空间周 期性平移形成，为了直观，可以取一些特殊的重复 单元（结晶学原胞）。
• 完全由相同的一种原子组成，则这种原子组成的 网格为布喇菲格子，和结点所组成的网格相同。
结点示例图
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2 . 点阵学说概括了晶体结构的周期性
晶体由基元沿空间三个不同方向，各按一定的距离周期 性地平移而构成，基元每一平移距离称为周期。 在一定方向有着一定周期，不同方向上周期一 般不相同。 基元平移结果：点阵中每个结点周围情况都一样。
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3 . 晶格的形成
通过点阵中的结点，可以作许多平行的直线族 和平行的晶面族，点阵成为一些网格------晶 格。
原子规则堆积的意义：把晶格设想成为原子规则堆 积，有助于理解晶格组成，晶体结构及与其有关的 性能等。
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21
1. 简单立方晶格
特点：
层内为正方排列，是原子球规则排列的最简单形式；
原子层叠起来，各层球完全对应，形成简单立方晶格；
有机半导体 晶体：单晶体、多晶体
非晶、无定形
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6
*无机半导体晶体材料
无机半导体晶体材料
元素半导体 化合物半导体 固溶体半导体
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7
熔点太高、
不易制成
单晶
Si
C
B
Ge Se
Te 稀少
元素 半导体
Sn As
低温某 种固相
P
I
S Sb
(1)元素半导体晶体
不稳定、易 挥发
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*化合物半导体及固溶体半导体
SiC
InP、GaP、 GaAs、InSb、
InAs
AsSe3、AsTe3、 AsS3、SbS3
Ⅳ-Ⅳ族
Ⅴ-Ⅵ族
化合物 半导体
Ⅲ-Ⅴ族 Ⅱ-Ⅵ族
CdS、CdTe、 CdSe、
ZnS
GeS、SnTe、 GeSe、PbS、
PbTe
Ⅳ-Ⅵ族
金 属氧化物
CuO2、ZnO、 SnO2
非晶体结构：不具有长程有序。有此排列结构的材料
为非晶体。
了解固体结构的意义： 固体中原子排列形式是研究固
体材料宏观性质和各种微观过程的基础。
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2.1.1 空 间 点 阵
一、布喇菲的空间点阵学说
晶体内部结构概括为是由一些相同点子在空间 有规则作周期性无限分布，这些点Fra bibliotek的总体称 为点阵。
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原胞概念的引出：
由于晶格周期性，可取一个以结点为顶点，边长等于 该方向上的周期的平行六面体作为重复单元，来概括 晶格的特征。
即每个方向不能是一个结点（或原子）本身，而是一 个结点（或原子）加上周期长度为a的区域，其中a叫 做基矢 。
这样的重复单元称为原胞。
平行六面体
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原胞（重复单元）的选取规则
反映周期性特征：只需概括空间三个方向上的周期大 小，原胞可以取最小重复单元（物理学原胞），结点只 在顶角上。
•• •• • •
反映对称性特征：
•• •• • • •• •• • •
晶体都具有自己特殊对称性。 • • • • • •
结晶学上所取原胞体积不一定最小，结点不一定只在顶 角上，可以在体心或面心上（晶体学原胞）；
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晶体结构
2.1.1 空间点阵 2.1.2 密勒指数 2.1.3 倒格子
固体的结构分为： 非晶体结构
多晶体结构
晶体结构：原子规则排列，主要体现是原子排列具有周期
性，或者称长程有序。有此排列结构的材料为晶体。
晶体中原子、分子规则排列的结果使晶体具有规则的几何 外形，X射线衍射已证实这一结论。
半导体：10-2Ωcm＜ρ＜109Ωcm ρGe=0.2Ωcm
绝缘体：ρ＞109Ωcm
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●电阻温度系数
绝 缘 体 R
半导体
T
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半导体材料的分类
按功能和应用分
微电子半导体 光电半导体
热电半导体 微波半导体
气敏半导体 ∶ ∶
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按组成分： 按结构分:
无机半导体：元素、化合物
第二章： 半导体的能带结构
2．1 半导体的结构
2. 2 半导体的能带结构
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2．1 半导体的结构 **半导体简介
从导电性（电阻）：
固体材料可分成：超导体、导体、 半导体、绝缘体
电阻率ρ介于导体和绝缘体之间，并且具有
负的电阻温度系数→半导体
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●电阻率
导体： ρ＜10-3Ωcm 例如：ρCu~10-6Ωcm
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★ 过 渡 金 属 氧 化 物 半 导 体 ： 有 ZnO 、 SnO2 、 V2O5 、 Cr2O3 、 Mn2O3 、 FeO 、 CoO 、 NiO 等 。
★尖晶石型化合物（磁性半导体）：主要有 CdCr2S4、CdCr2Se4、HgCr2S4等。
★稀土氧、硫、硒、碲化合物：有EuO、EuS、 EuSe、EuTe 等。
（该学说正确地反映了晶体内部结构长程有序特征，后来被空间群理论充实发 展为空间点阵学说，形成近代关于晶体几何结构的完备理论。）
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1 . 点子
空间点阵学说中所称的点子，代表着结构中相同的位 置，也为结点，也可以代表原子周围相应点的位置。
关于结点的说明： 当晶体是由完全相同的一种原子组成，结点可以是原子本身位置。 当晶体中含有数种原子，这数种原子构成基本结构单元（基元），结点可以代表基元 重心，原因是所有基元的重心都是结构中相同位置，也可以代表基元中任意点子
• 晶体的基元中包含两种或两种以上原子，每个基 元中，相应的同种原子各构成和结点相同网格---子晶格（或亚晶格）。
• 复式格子（或晶体格子）是由所有相同结构子晶
格相互位移套构形成。
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二、晶格的实例
1. 简单立方晶格 2. 体心立方晶格 3. 原子球最紧密排列的两种方式
晶体格子（简称晶格）：晶体中原子排列的具体形 式。