半导体物理5
半导体物理 第五章
式中，N：导电载流子的密度；
V：载流子的平均定向漂移速度；
在低电场情况下，载流子的定向漂移速度与外加电场 成正比，即：
μ---载流子的迁移率，单位：cm2/V-s。
载流子的漂移电流密度可表示为：
J drf NqE
对于半导体材料中的空穴，其漂移电流密度可表示为：
同样，对于半导体材料中的电子，其漂移电流密度可 表示为：
5.1.3 半导体材料的电导率和电阻率
有外加电场作用的情况下，半导体材料中的载流 子漂移电流密度为：
e(nn p p )
σ ：半导体晶体材料的电导率，单位(Ω ·cm)-1。
电导率的倒数就是电阻率，其表达式为
显然：电导率（电阻率）与载流子浓度（掺杂 浓度）和迁移率有关
硅单晶材料在300K条件下，电阻率随掺杂浓度的变 化关系曲线。
速度饱和
锗、硅及砷化镓单晶材料电子和空穴的漂移运动速 度随着外加电场强度的变化。
从上述载流子漂移速度随外加电场的变化关系曲 线中可以看出： 在低电场条件下，漂移速度与外加电场成线性变 化关系，曲线的斜率就是载流子的迁移率； 在高电场条件下，漂移速度与电场之间的变化关 系将逐渐偏离低电场条件下的线性变化关系，最终达 到饱和。
假设杂质完全离化，则有：
结论： 非本征半导体材料的电导率（或电阻率）主要由多数 载流子的浓度及其迁移率决定。
对于本征半导体材料，其电导率可以表示为：
注意，由于电子和空穴的迁移率一般情况下并不相等， 因此本征电导率并非是在特定温度下半导体材料电导率 的最小值。
小结: – 电阻率（电导率）同时受载流子浓度（杂质浓度） 和迁移率的影响，因而电阻率和杂质浓度不是线性 关系。 – 杂质浓度增高时，曲线严重偏离直线，主要原因： 迁移率随杂质浓度的增加而显著下降。 – 对于非本征半导体来说，材料的电阻率（电导率） 主要和多数载流子浓度以及迁移率有关。 – 由于电子和空穴的迁移率不同，因而在一定温度下， 不一定本征半导体的电导率最小。
半导体物理第五章(教材)
05 半导体的热电性质
热电效应与温差电器件
热电效应
当半导体材料两端存在温度差时，会产生热电势差，即热电效应。热电效应是半导体材料热电转换的基础。
温差电器件
利用半导体材料的热电效应，可以制作出温差电器件，如温差发电器和温差制冷器。这些器件在能源转换和温度 控制等领域有广泛应用。
塞贝克效应与温差电偶
半导体材料与器件的绿色化
发展环保、低能耗的半导体材料和器件，以适应体技术与其他领域（如生物、医学、环境等）的交叉融合，将 产生新的应用方向和产业机遇。
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感谢您的观看
致冷器件
利用帕尔贴效应，可以制作出致冷器 件，如半导体制冷器。这些器件在电 子设备冷却、局部制冷等领域有广泛 应用。
06 第五章总结与展望
关键知识点回顾
半导体能带结构
包括价带、导带和禁带的概念，以及半导体中电子和空 穴的能量分布。
半导体中的复合与产生
阐述了半导体中电子和空穴的复合过程以及载流子的产 生机制。
03
半导体器件的伏安特性曲线和 参数
02 半导体中的载流子
载流子的类型与特性
载流子类型
半导体中的载流子主要包括电子和空穴两种类 型。
电子特性
电子带负电荷，具有较小的有效质量和较高的 迁移率。
空穴特性
空穴带正电荷，具有较大的有效质量和较低的迁移率。
载流子的浓度与分布
载流子浓度
半导体中载流子的浓度与温度、掺杂 浓度和禁带宽度等因素密切相关。
半导体物理第五章教材
目 录
• 第五章概述 • 半导体中的载流子 • 半导体中的电流 • 半导体的光电性质 • 半导体的热电性质 • 第五章总结与展望
《半导体物理第五章》课件
第六节：PN结的非平衡态
PN结非平衡态简析
简单剖析非平衡态下PN结的电压 -电流特性。
简单PN结非平衡态的VE特性 光电导效应的非平衡态
研究非平衡态下PN结的电压-电 流特性。
探究非平衡态下光电导效应在PN 结中的特点与应用。
探讨PN结太阳能电池的构造和独特特点。
3 PN结太阳能电池的主要性能参数
深入了解PN结太阳能电池的重要性能参数及其影响因素。
第五节：PN结的热平衡态
PN结的热平衡态简析
简要分析PN结的热平衡态及其 相关特性。
热平衡态下PN结的IV特性
详细讨论热平衡态下PN结的电 流-电压特性。
自扩散效应的热平衡 态
详细讨论电子和空穴在PN结中的运动方式。
光谱响应及其特征
探究PN结对光谱的响应，以及其特征与应用。
第二节：P-N结的动态响应
PN结的快速响应
探索PN结在快速响应方面的特性 与应用。
PN结快速开关电路
介绍PN结在快速开关电路中的工 作原理与应用。
鼓型PN结
研究鼓型PN结的结构和相关特点。
第三节：PN结的光探测器
1
光电导效应及其应用
深入解析光电导效应在光探测器中的应用。
2
光电二极管的工作原理
详细讨论光电二极管的工作原理和特性。
3及其在光能转换中的应用。
第四节：单晶硅PN结太阳能电池
1 太阳能电池的基本原理
详细介绍太阳能电池的基本原理和工作方式。
2 PN结太阳能电池的构造及其特点
《半导体物理第五章》 PPT课件
这是《半导体物理第五章》的PPT课件，旨在介绍半导体物理的相关知识。通 过本次分享，我们将深入探讨半导体的基本性质、动态响应、光探测器、太 阳能电池、热平衡态以及非平衡态等内容。
半导体物理第五章教材
➢ 光照停止时，半导体中仍然存在非平衡载流子。由于电子 和空穴的数目比热平衡时的增多了，它们在热运动中相遇 而复合的机会也将增大。这时复合超过了产生而导致一定 的净复合，非平衡载流子逐渐消失，最后恢复到平衡值， 半导体又回到了热平衡状态。
13
思考题
1. 掺杂、改变温度和光照激发都可以改变半导体的 电导率，试从三者的物理过程说明其区别。
nt0 Nt f(Et)1expNEttk0TEF 45
用半导体的光磁电效应的原理，该方法适合于测量短的寿 命，在砷化镓等Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中用得最多； ✓还有扩散长度法、双脉冲法及漂移法等。
不同的材料寿命很不相同。纯度和完整性特别好硅、锗 材料，寿命分别可达103μs、104μs；砷化镓的寿命极短，约为 10-5～10-6μs，或更低。即使是同种材料，在不同的条件 下，寿命也可在—个很大的范围内变化。
电子在导带和价 带之间的直接跃 迁，引起电子和 空穴的直接复合
电子和空穴通过 禁带的能级(复合 中心)进行复合
27
28
二、非子复合时释放能量的方式
非平衡载流子复合时释放能量的方式有三种： ➢ 发射光子：伴随着复合，将有发光现象，常称为发光复合
或辐射复合； ➢ 发射声子：载流子将多余的能量传给晶格，加强晶格的振
nt0 Nt f(Et)1expNEttk0TEF
41
n1 Nc expEtk0TEc
费米能级EF与复合中 心能级Et重合时导带
的平衡电子浓度
srnNcexpEtk 0TEcrnn1 Gn snt
内在 联系
Gn rnn1nt
42
(二) 空穴俘获与发射
1.俘获空穴 电子由复合中心能级Et落入价带与空穴复合，或者说复合
半导体物理1-5章公式总结
电子有效质量：*==⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛nk m dk E d 11022能带极值附近电子速度：*=nm kv 浅能级杂质电离能的简单计算：()20*2204*42r n r n D E m m qm E εεπε==∆()20*2204*42r p r p A E m m qm E εεπε==∆硅、锗的相对介电常数r ε分别为16和12；锗0*12.0m m n =，硅0*26.0m m n =导带底的状态密度：2/132/3*2)()2(2)(c nc E E m V E g -= π 硅0*062.1m m n =，锗0*56.0m m n =价带顶的状态密度：2/132/3*2)()2(2)(E E m V E g v p v -=π 硅0*59.0m m p =，锗0*29.0m m n =费米分布函数（对于能量为E 的一个量子态被电子占据的概率）：()⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛-+=Tk E E E f Fexp 11玻耳兹曼分布函数（适用范围，T k E E F 0>>-）：()⎪⎪⎭⎫⎝⎛-⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛--=T k E T k E Tk E E E f F FB 000exp exp exp 导带中的电子浓度：⎪⎪⎭⎫⎝⎛--=Tk E E N n Fc c 00exp()32/30*22hT k m N n cπ=价带中的空穴浓度：⎪⎪⎭⎫⎝⎛--=T k E E N p v F v 00exp()32/30*22hT k m N p vπ=本征半导体， 费米能级：**0ln 432npv c F i m m T k E E E E ++==载流子浓度：()⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛-===T k E N N p n n g v c i 02/1002exp“单”杂质半导体，电子（空穴）占据施主（受主）能级的概率：()⎪⎪⎭⎫⎝⎛-+=T k E E g E f F D D D 0exp 111()⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛-+=T k E E g E f A F A A 0exp 111施主（受主）能级上电子（空穴）浓度：()⎪⎪⎭⎫⎝⎛-+==T k E E g N E f N n F D D DD D D 0exp 11()⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛-+==T k E E g N E f N p AF A AA A A 0exp 11电离施主（受主）浓度：()[]⎪⎪⎭⎫⎝⎛--+=-=+Tk E E g N E f N n FD D DD D D 0exp 11()[]⎪⎪⎭⎫⎝⎛--+=-=-T k E E g N E f N p A F A AA A A 0exp 11n 型p 型电中性方程：00p n n D +=+00n p p A +=-弱电离区cD D c F N NT k E E E 2ln 220++=cD v A F N NT k E E E 4ln 220-+=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛--⎪⎭⎫⎝⎛=T k E E N N n D c D c 02/102exp 2⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛--⎪⎭⎫ ⎝⎛=T k E E N N n v A v A 02/102exp 4强电离区cDc F N N T k E E ln0+=vAv F N N T k E E ln0-= D N n =0，D D N D n -=A N p =0，A A N D p +=过渡区⎪⎪⎭⎫⎝⎛+=i D i F n N T k E E 2arcsh 0⎪⎪⎭⎫⎝⎛-=i A i F n N T k E E 2sh 1-0()242/1220i D D n N N n ++=()242/1220i A A n N N p ++=在有杂质补偿情况下，n 型 p 型极低温情况下⎪⎪⎭⎫⎝⎛-+=A A D D F N N N T k E E 2ln 0⎪⎪⎭⎫⎝⎛--=D D A A F N N N T k E E 4ln 0()⎪⎪⎭⎫⎝⎛∆--=T k E N N N N n D Ac A D 00exp 2()⎪⎪⎭⎫⎝⎛∆--=T k E N N N N n A Dv D A 00exp 4低温下，与“单”杂质半导体低温下弱电离相同 强电离，以A D D N N N -=D A A N N N -=当A D N N -（或D A N N -）与i n 相近时，D A N p N n +=+00（或A D N p N n +=+00）()()[]⎪⎪⎭⎫⎝⎛+-+-+=i i A D A Di F n n N N N N T k E E 24ln 2/1220()()[]⎪⎪⎭⎫⎝⎛+-+--=i i D A D Ai F n n N N N N T k E E 24ln 2/1220 ()[]2422/1220iA D A D n N N N N n +-+-=()[]2422/1220iD A D A nN N N N p +-+-=载流子的漂移运动d v nq J -=，E J σ=，E v d μ=迁移率：Edv =μ 电导率：E nq J μ=，μσnq =半导体电导率：p n pq nq μμσ+=半导体的主要散射机构：1.电离杂质散射 （散射概率）2/3-∝T N P i i 2.晶格震动散射（声学波散射）2/3T P s ∝（光学波散射）1011ex p -⎥⎦⎤⎢⎣⎡-⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛∝T k P o ω平均自由时间： P1=τ电子、空穴迁移率：*nnn m q τμ=，*p p p m q τμ=存在多种散射机构时：⋅⋅⋅+++=IIIII I1111ττττ，⋅⋅⋅+++=III II I 1111P P P P 随非平衡载流子注入产生的附加电导率：()n p pq μμσ+∆=∆单位时间单位体积内净复合消失的电子—空穴对数称为非平衡载流子的复合率。
半导体物理课件1-7章(第五章)
n0
exp
EFn EF k0T
ni
exp
EFn Ei k0T
p
Nv
exp
EFp Ev k0T
p0
exp
EF EFp k0T
ni
exp
Ei EFp k0T
np
n
2 i
exp
E Fn E Fp k 0T
有非平衡载流子存在时，由于n>n0和p>p0，所 以无论是EFn还是EFp都偏离EF， EFn偏向导带 底Ec，而EFp则偏向价带顶Ev。但是，EFn和EFp 偏离EF的程度是不同的。
9
4、非平衡载流子的注入和检验：
•注入的非平衡载流子可以引起电导调制效应,
使半导体的电导率由平衡值σ0增加为σ０+Δσ,
附加电导率Δσ可表示为
nqn pq p
(n0 n)qn ( p0 p)q p
(n0qn p0q p ) (nqn pq p )
0
光注入Δp=Δn
nqn pq p pq(n p )
复合过程的性质
• 由于半导体内部的相互作用，使得任何半导体在 平衡态总有一定数目的电子和空穴。 •从微观角度讲： •平衡态指的是由系统内部一定的相互作用所引起的 微观过程之间的平衡；这些微观过程促使系统由非 平衡态向平衡态过渡，引起非平 衡载流子的复合； •因此，复合过程是属于统计性的过程。
复合理论
通过附加电导率的测量可以直接检验非平 衡载流子的存在。
小注入时 0 0
电阻率变化：
0
1/
1 / 0
/
2 0
电阻变化：
R
l
/
S
[l
/
(
S
半导体物理学课后知识题第五章第六章答案解析
第五章习题1. 在一个n 型半导体样品中，过剩空穴浓度为1013cm -3, 空穴的寿命为100us 。
计算空穴的复合率。
2. 用强光照射n 型样品，假定光被均匀地吸收，产生过剩载流子，产生率为,空穴寿命为τ。
（1）写出光照下过剩载流子所满足的方程； （2）求出光照下达到稳定状态时的过载流子浓度。
3. 有一块n 型硅样品，寿命是1us ，无光照时电阻率是10Ω•cm 。
今用光照射该样品，光被半导体均匀的吸收，电子-空穴对的产生率是1022cm -3•s-1,试计算光照下样品的电阻率，并求电导中少数在流子的贡献占多大比例？s cm pU s cm p Up3171010010313/10U 100,/10613==∆=====∆-⨯∆-ττμτ得：解：根据？求：已知：τττττg p g p dtp d g Aet p g p dt p d L L tL=∆∴=+∆-∴=∆+=∆+∆-=∆∴-.00)2()(达到稳定状态时，方程的通解：梯度，无飘移。
解：均匀吸收，无浓度4. 一块半导体材料的寿命τ=10us ，光照在材料中会产生非平衡载流子，试求光照突然停止20us 后，其中非平衡载流子将衰减到原来的百分之几？5. n 型硅中，掺杂浓度N D =1016cm -3, 光注入的非平衡载流子浓度∆n=∆p=1014cm -3。
计算无光照和有光照的电导率。
cms pq nq q p q n pq np cm q p q n cm g n p g p pn p n p n pn L /06.396.21.0500106.1101350106.11010.0:101:1010100.1916191600'000316622=+=⨯⨯⨯+⨯⨯⨯+=∆+∆++=+=Ω=+==⨯==∆=∆=+∆-----μμμμμμσμμρττ光照后光照前光照达到稳定态后%2606.38.006.3500106.1109.,..32.01191610''==⨯⨯⨯=∆∴∆>∆Ω==-σσρpu p p p p cm 的贡献主要是所以少子对电导的贡献献少数载流子对电导的贡 。
半导体物理第五章3
§5.2 复合理论（续）三、表面复合1、表面复合速度表面复合是指发生在半导体表面，通过表面特有的高密度复合中心进行的复合过程。
因而，就复合机构讲，表面复合仍然是间接复合，但不是单一复合中心。
所以，可以用间接复合理论来处理表面复合问题，但不能照搬SRH 模型的结果。
类似于前面对间接复合过程的讨论，将表面复合看成是一种小注入状态下的非常有效的复合过程，把单位时间内通过单位表面积复合掉的电子－空穴对数，称为表面复合率，其值可表示为S S ST T S ST S S p S p N v p N r U ∆⋅=∆=∆=σ式中，N ST 表示单位表面积中的复合中心总数，∆p S 表示表面附近薄层中额外载流子的平均密度，S =σ v T N ST 具有速度量纲，称为表面复合速度，由此可将表面复合视为额外载流子∆p S 以垂直于表面的速度S 流出了表面。
2、考虑表面复合的有效寿命考虑到表面复合的作用，半导体样品中额外载流子寿命应是体内复合和表面复合的综合结果。
设这两种复合过程是同时独立发生的，用τV 和τS 分别表示体内复合寿命和表面复合寿命，则1/τV 和1/τS 就分别是体内复合概率和表面复合概率，总的复合概率就是二者之和，于是，两种复合过程共同决定的少子寿命)/(V S V S τττττ+=称之为考虑表面复合的有效寿命。
考虑厚度为d 的薄样品，若同时计入体内复合和表面复合，则单位时间、单位面积样品中复合的额外载流子数应为 d ⋅∆p /τV +2S ⋅∆p 。
式中第二项乘2表示考虑两个表面的复合。
这样，除以d 即可得到考虑了表面复合作用的净复合率ττ/)/2/1(p d S p U V ∆=+∆=由此知额外载流子的表面复合寿命τS ＝d/2S四、俄歇复合电子与空穴复合时，把多余的能量传递给另一个载流子，将这个载流子激发到能量更高的能级上去，这种复合称为俄歇复合。
俄歇复合中，被激发的第3个载流子在跃迁回到低能级时，或以发射声子的形式放出多余的能量，或激发一个价带电子到导带，因而俄歇复合是一种非辐射复合。
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5.1.1 非平衡载流子的产生
非平衡少数载流子更重要 以小注入为例
p-n结电流（6.2）！！
5.1.2 非平衡时的附加电导
热平衡时： 0p0qpn0qn
非平衡时： pqpnqn
(p0 p)qp (n0 n)qn n0qn p0qp nq(n p) 0
大，相应的p1值则愈小。 还应该注意到nl和pl是强烈依赖于温度的．温度愈
高n1、p1愈大。
5.3.2 间接复合
nt取决于rnn, rpp, rnn1, rpp1 中较大者。
5.3.2 间接复合
5.3.2 间接复合
5.3.2 间接复合 n
np00pp01p
n0n1 n0p0
5.3.2 间接复合
半导体物理
Semiconductor Physics
第五章 非平衡载流子
第五章 非平衡载流子
引言
半导体中许多重要的现象，如p-n结注入、 晶体管放大、光电导、注入发光以及光 生伏特效应等都是和过剩载流子相联系 的。这一章主要介绍过剩载流子的变化 (复合和产生)和运动的规律。
引言
5.1 非平衡载流子的注入与复合 5.2 准费米能级 5.3 复合理论 5.4 陷阱效应 5.5 载流子的扩散运动 5.6 载流子的漂移运动、爱因斯坦关系式 5.7 连续性方程
5.3.2 间接复合 间接复合指的是非平衡载流子通过
复合中心的复合。 间接复合的4个基本过程
5.3.2 间接复合 （动态的，统计的）
复合率
5.3.2 间接复合
n1和p1的大小直接关系到电子和空穴的激发几率。 而Et的位置对于n1，p1的大小有决定性的影响。 Et越靠近导带，则激发电子所需能量愈小，n1值愈
n(q np) ——附加电导率
5.1.3 非平衡载流子的检测 光电导衰减法
设外接电阻R>>r(样品的电阻) I E (几乎不变) Rr
5.1.4 非平衡载流子的复合与寿命
外界注入撤销后，由于半导体的内部作用， 使它由非平衡态恢复到平衡态，非平衡载 流子逐渐消失——载流子的复合。
非平衡载流子的复合是由不平衡趋向平衡的 一种弛豫过程。它是一种统计性的过程。
讨论金在硅中的复合作用 金是硅中的深能级杂质，在硅中形成双重能级； 位价于带导顶带以底上0以.3下5e0V.5的4e施V的主受能主级能EtD级。EtA，和位于 硅中的金原子可以接受一个电子，形成负电中 心子A也u可，以起施受放主一作个用电，子相，应成的为能正级电就中是心EAtAu。+，金起原 施主作用，相应的能级为EtD。
：
深能级——有效的复合中心
5.3.2 间接复合
Tm
T m exp( 1 ) T
T m exp( 1 ) T
2020/10/16
5.3.2 间接复合
俘获截面 vT
单位时间内，某个复合中心 俘获的电子（或空穴）数目
基本上和原子的大小差不多
5.3.2 间接复合
单位：10-16cm2
5.3.2 间接复合
5.3.1 直接复合
5.3.1 直接复合
5.3.1 直接复合
影响τ的因素 多子浓度 复合几率r （一般地说，禁带宽带越小，直接复合的几率越大。） 非平衡载流子浓度
得到的寿命值比实验结果大的多。这说明对 于硅、锗寿命还不是由直接复合过程所决定， 一定有另外的复合机构起着主要作用，决定 着材料的寿命，这就是间接复合。
体内复合 按复合位置：
表面复合
深能级的间接复合往往是 决定材料寿命的主要过程
按能量交换方式：
辐射复合（发光） 发射声子
非辐射复合 俄歇复合
5.3.1 直接复合
电子在导带和价带之间的直接跃迁 是动态的，统计的
单位时间单位体积内复合掉的电子-空穴对数
5.3.1 直接复合
非简并时，r只与T有关，而与n、p无关
5.3.2 间接复合
无论在n型硅或p型硅中，金都是有效的复合中心，对 少子寿命产生极大的影响。
有人用实验方法确定了在室温下：
rp=1.15107 cm3/s
rn=6.3108 cm3/s
假定硅中金的浓度为51015cm3/s， 则n型硅和p型硅的少数载流子寿命分别为
p
1
Ntrp
5.3.2 间接复合
但是，金在硅中的两个能级并不是同时起作用的。 在n型硅中，只要浅施主杂质不是太少，费米能级
总是比较接近导带的，电子基本上填满了金的能级， 即金接受电子成为Au 。所以，在n型硅中，只有 受主能级EtA起作用。 而在p型硅中，金能级基本上是空的，金释放电子 成为Au+，因而，只存在施主能级EtD。
非平衡载流子在半导体中的生存时间——非平 衡载流子的寿命。
5.1.4 非平衡载流子的检测和寿命
非平衡载流子的寿命
5.1.4 非平衡载流子的检测和寿命
5.1.5 非平衡载流子随时间的变化规律
有光照时
5.2 准费米能级
5.2.1 准平衡
5.2.1 准平衡
不讨论
非平衡载流子的区间
5.2.2 准费米能级
晶格弛豫 （<10-10s）
复合 （～μs）
5.2.2 准费米能级
电子子系统与晶格平衡
—
—
E
n F
空穴子系统与晶格平衡
—
—
E
p F
但电子子系统和空穴子系统不平衡
“准平衡”
非平衡时：
偏离热平 衡的程度
5.2.2 准费米能级
对Hale Waihona Puke n型半导体，小注入时5.3 复合理论
复合的分类 按复合过程： 直接复合 间接复合
5.1 非平衡载流子的注入与复合
热平衡态
在热平衡情形下，如果不考虑统计涨落，则 载流子浓度是恒定的。 但在外界作用下，这种情况可以被破坏。 非平衡态：系统对平衡态的偏离。
5.1.1 非平衡载流子的产生
光注入
∆n
短波长的光 h Eg n0
n= p
光照
电注入
p0
探针注入
∆p
p－n结注入
其它注入
5.1.1 非平衡载流子的产生
非平衡载流子的表示 产生的非平衡载流子一般都用n，p来表示 。 达到动态平衡后： n=n0+n p=p0+p n0，p0为热平衡时电子浓度和空穴浓度 ， n，p为非平衡载流子浓度。
5.1.1 非平衡载流子的产生
大注入和小注入 注入的非平衡载流子浓度大于平衡时的多子浓 度，称为大注入。 n型：n>n0，p型：p>p0 注入的非平衡载流子浓度大于平衡时的少子浓 度，小于平衡时的多子浓度，称为小注入。