03第三章 门电路
数字电子技术 第三章 逻辑门电路

D1 D2 R
F A B ≥1 F
电路图和符号
或门逻辑状态表
A B D1 D2 R
F
A 0(0V) 0(0V) 1(5V) 1(5V)
B 0(0V) 1(5V) 0(0V) 1(5V)
F 0(0V) 1(4.3V) 1(4.3V) 1(4.3V)
电路波形图
A B F
3.三极管构成的非门电路
+12V
u O U CC U BE3 U D3 3.6V
=5V-0.7V-0.7V=3.6V
即输入输出之间实现了“与非”的逻辑关系。
3.TTL与非门传输特性 电压传输特性是指输出电压 u O 随输入电压u I变化的 关系曲线,即 u O f (u I )
uO / V
AB --截止区
B
3. 6 2. 0 1.0
输入级
中间级
输出级
(1)输入级。 对输入变量实现“与”运算, 输入级相当于一个与门。
R1
R2
R4
+U CC
T3 A B D1 D2 R3 T1 T2 D3 F T4
(2)中间级。 实现放大和倒相功能。向后级 提供两个相位相反的信号,分 别驱动T3、T4管。
输入级
中间级
输出级
(3)输出级。 减小电路的输出电阻,提高输出 带负载能力和抗干扰能力。T3和 T4管总处于一管导通而另一管截 止的工作状态。
理想开关 (1)开关闭合时,开关两端电压为0; (2)开关断开时,其流过的电流为0,其两端 间呈现的电阻为无穷大;且开关的转换在瞬 间完成。 半导体二极管、三极管和MOS管,是构成这种电子 开关的基本开关元件。 导通时,相当于开关闭合; 截止时,相当于开关断开。
第三章 门电路 - 第二部分

负载 高电平输出等效电路
47
电子工程学院
TTL反相器的静态输出特性
1. 高电平输出特性
T4、D2导通,T2、T5截止。电流流出门(拉电流) •空载时:vO= vOH ≈ 5-2×0.7=3.6V •加上负载RL时: 当RL较大,iL< 5mA时,由于是射极跟随器输出, 内阻低,输出电平随输出电流iL的变化不大,基 本保持为VOH 。 随着RL的减小,iL增大,R4上的压降也随之增大, 最终使T4的集电结变为正偏,T4进入饱和状态, 失去射极跟随功能,输出vO随iL绝对值的增加而 几乎线性地降低。 受功耗限制,实际器件高电平输出时iL的最大值 比5mA小得多,74系列手册上规定iL不能超过 0.4mA。
I A + I B = 2 I IH ≤
2. 或非门
或非门的输入端和输出 端电路与反相器相同, 所以输入特性和输出特 性也和反相器一样。
A
A+B
—
A+B
A+B
—
B
输入特性:当输入为高或低电平时,总电流均等于各输入端电流之和。 与输入端个数有关。
动态电流
当输出从低电平转换为高电平的过程中,T4从截止变为导通,T5从深 度饱和变为截止, T5转换所需的时间比T4长,因此在过渡过程中会出 现短时间内T4和T5同时导通的状态,此时有很大的瞬时电流流过T4和 T5 ,使电源电流出现尖峰脉冲。
尖峰电流的影响:使电源电流平均值加大了。 在计算电源容量时应考虑尖峰电流的影响。应 采取措施抑制尖峰电流导致的系统内部噪声。
输入特性:输入电流与输入电压之间的关系,即iI = f(vI)
电流为正
iI
43
电子工程学院
TTL反相器的静态输入特性
3 门电路

总的扇出系数是高、低电平状态下扇出系数中较小 的一个。
N O min( N OL , N OH )
IOLmax: 保证输出不高于VOLmax的低电平最大灌电流。 IOHmax:保证输出不低于VOHmin的高电平最大拉电流。
Digital Electronics Technology 2013-8-4
2013-8-4
电工理论与应用电子系
Digital Electronics Technology
3.3. 2 CMOS反相器的电路结构和工作原理 二、电压、电流传输特性
AB段:VI VGS (TH ) N
BC段:转折区 T1导通,T2截止 VO VOH VDD 阈值电压UTH≈VDD/2 CD段:VI VDD VGS ( TH ) P 转折区中点:电流最大 T2导通,T1截止 VO VOL 0
BC段:VGS (TH ) N VI VDD VGS (TH ) P T1 , T2同时导通 1 1 若T1 , T2参数完全对称, I VDD时,VO VDD V 2 2 CMOS反相器在使用 时应尽量避免长期工 作在BC段。
3.3. 2 CMOS反相器的电路结构和工作原理 三、输入噪声容限
1. 与非门
A B
T1 T2 T3 T4
Y
0 0 通 不 通 不 1 0 1 通 不 不 通 1 1 0 不 通 通 不 1 1 1 不 通 不 通 0
3.3.5 其他类型的CMOS门电路 2.或非门
A B
T1 T2 T3 T4
Y
0 0 通 不 通 不 1
0 1 通 不 不 通 0 1 0 不 通 通 不 0 1 1 不 通 不 通 0
第三章 逻辑门电路教材

输出电平(TTL):
0V
输出高电平UOH>2.7V 输出低电平UOL<0.5V
0
UIL上0限.5V
0
低电平
Vcc
逻辑“0”和逻辑“1”对应的电压范
围宽,因此在数字电路中,对电子
元件、器件参数精度的要求及其电
Uo 源的稳定度的要求比模拟电路要低。 UI
S
实际开关为晶体二极管、 三极管以及场效应管等电
当uI=UIH时,三极管深度饱和,uo=USEs=UOL - 开关闭合
当uI=UIL时,三极管截止,uO=Vcc=UOH
- 开关断开
4. 三极管开关电路的分析方法
①进行假设; ②分析估算; ③比较检查;④ 写出结果
【例3.1】分析如图所示的三极管 开 关 电 路 , 已 知 RC=1k , VCC=12V , β=60 。 在 下 列 条 件 下
因为IB>IBS,所以T饱和,VO=0.3V
(3)当输入悬空时设T导通,VBE=0.7V
IB
I R1 I R2
VCC R1
VBE R3
VBE VBB R2
5 0.7 0.7 8 4.7 3 18
0.075 mA
因为IB>IBS,所以T饱和,VO=0.3V
VI
+
D反偏时:RD=∞ ,ID=0, UD=VI——相当开关断开
(3)实际二极管的开关特性(伏安特性)
ID/mA
锗硅
VZ
IS
UD/V
0 VD
特性:① UD0(反偏和零偏) 时D截止;
② UDVD(开启电压)时D导通, D导通时UD=VD——钳位作用 ;
数电课件 第三章 门电路

第二章 门电路
其它类型的TTL门电路
• 或非门
由于或非门的输入端和输出端电路结构与反相器 相同,所以输入特性和输出特性也和反相器一样。
第二章 门电路
其它类型的TTL门电路
• 与或非门
电路结构工作原理d1d2作用352ttl反相器的电路结构和工作原理第二章门电路ttl反相器的电压传输特性截止区线性区转折区饱和区第二章门电路输入端噪声容限示意图输入为高电平的噪声容限vnhvohminvihmin输入为低电平的噪声容限vnlvilmaxvolmax第二章门电路ttl反相器的静态输入特性和输出特性ttl反相器的输入端等效电路及输入特性曲线输入特性输入电压与输入电流的关系当输入电压是低电平时得到的iil1ma当输入电压是高电平时得到的iih40ua以下第二章门电路ttl反相器高电平输出等效电路及输出特性曲线输出特性输出电压随负载电流的变化情况高电平输出特性74系列门电路的运用条件规定输出为高电平时最大负载电流不能超过04ma第二章门电路ttl反相器低电平输出等效电路及输出特性低电平输出特性74系列门电路的运用条件规定输出为低电平时最大负载电流不能超过16ma
第三章
• • • •
门电路
3.1 概述 3.2 半导体二极管门电路 3.3 CMOS门电路 3.5 TTL门电路
第二章 门电路
3.1
概述
• 获得高、低电平的基本原理
S断开,输出为高电平 S闭合,输出为低电平
用VI控制二极管或三极 管的截止和导通状态
第二章 门电路
• 正逻辑与负逻辑
数字电路对元件 参数精度的要求 比模拟电路低
数电第五版(阎石)第三章课后习题及答案精编版

100������������,输出低电平
时允许的最大负载电流������������������(max)=
8mA。 ������4、 ������5、 ������6为74LS系列与
非门,它们的输入电流
。给定������������������ =5V,要求OC门 的输出高低电平满足
解:������������的最大允许值为: ������������的最小允许值为: 故������������ 的取值范围应为:
。������������的输出
解:在满足
的条件下,求得
可驱动的负载门数目为:
在满足
的条件下,求得可
驱动的负载门数目为:
故最多驱动5个与非门
【题3.18】试说明在下列情况下,用万用表测量图P3.18的 ������12端得到的电压各为多少: (1)������11悬空; (2)������11接低电平(0.2V); (3)������11接高电平(3.2V); (4)������11经51Ω电阻接地 ; (5)������11经10KΩ电阻接地。 图中的与非门为74系列的TTL电路,万
解: Y1为低电平, Y2为高电平, Y3为高电平, Y4为低电平, Y5为低电平,Y6为高阻态, Y7为高电平, Y8为低电平。
【题3.15】说明图P3.15中各门电路的输出是高电平还是低电 平。已知它们都是74HC系列的CMOS电路。
解:Y1为高电平,Y2为高电平,Y3为低电平,Y4为低电平
(5) ������12 ≈1.4V
【题3.21】在图P3.21所示电路中������1、������2和C构成输入滤波电
路。当开关S闭合时,要求门电路的输入电压
,当开
关S断开时,要求门电路的输入电压
第三章 门电路
第三章门电路第三章门电路3.1 概述TTL电路问世几十年来,经过电路结构的不断改进和集成工艺的逐步完善,至今仍广泛应用,几乎占据着数字集成电路领域的半壁江山。
把若干个有源器件和无源器件及其连线,按照一定的功能要求,制做在同一块半导体基片上,这样的产品叫集成电路。
若它完成的功能是逻辑功能或数字功能,则称为逻辑集成电路或数字集成电路。
最简单的数字集成电路是集成逻辑门。
集成逻辑门,按照其组成的有源器件的不同可分为两大类:一类是双极性晶体管逻辑门;另一类是单极性绝缘栅场效应管逻辑门,简称MOS门。
双极性晶体管逻辑门主要有TTL门(晶体管-晶体管逻辑门)、ECL门(射极耦合逻辑门)和I2L门(集成注入逻辑门)等。
单极性MOS门主要有PMOS门(P沟道增强型MOS 管构成的逻辑门)、NMOS门(N沟道增强型MOS管构成的逻辑门)和CMOS门(利用PMOS管和NMOS管构成的互补电路构成的门电路,故又叫做互补MOS门门电路:实现基本运算、复合运算的单元电路,如与门、与非门、或门……门电路中以高/低电平表示逻辑状态的1/0获得高、低电平的基本原理如图1所示。
图1高/低电平都允许有一定的变化范围如图2所示。
正逻辑:高电平表示1,低电平表示0负逻辑:高电平表示0,低电平表示1图 2 3.2 半导体二极管门电路二极管的结构如图3所示:PN结+ 引线+ 封装构成图33.2.1二极管的开关特性如图4,高电平:V IH=V CC,低电平:V IL=0图43.2.2二极管与门最简单的与门可以用二极管和电阻组成,图5是有两个输入端的与门电路。
图中A,B为两个输入变量,Y为输出变量。
图5 二极管与门电路及图形符号设VCC=5V,A,B输入端的高、低电平分别为VIH=3V,VIL=0V,二极管D1,D2的正向导通压降VDF=0.7V。
由图可见,A,B当中只要有一个是低电平0V,则必有一个二极管导通,使Y=0.7V。
只有A,B同时为高电平3V时,Y才为3.7V。
第三章-CMOS门电路
3.3.1 MOS管的开关特性 第一页 上一页 下一页
最后 一页
结束 放映
BJT是一种电流控制元件(iB~ iC),工作时,多数 载流子和少数载流子都参与运行,所以被称为双极型 器件。
MOS管是一种电压控制器件(uGS~ iD) ,工作时, 只有一种载流子参与导电,因此它是单极型器件。
MOS管因其制造工艺简单,功耗小,温度特性好, 输入电阻极高等优点,得到了广泛应用。
3.3.3 其它类型的CMOS门电路
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最后 一页
结束 放映
1. 其他逻辑功能的CMOS门电路(P91~93)
在CMOS门电路的系列产品中,除了反相器外常用的还 有与门、或门、与非门、或非门、与或非门、异或门等 。 2. 漏极开路的门电路(OD门)
如同TTL电路中的OC门那样,CMOS门的输出电路结 构也可做成漏极开路(OD)的形式。其使用方法与TTL的 OC门类似。
强。
原因:TTL的输出电阻小。5mA内 变化很小IOH
实际只有0.4mA
21
3.3.4 CMOS反相器的动态特性(门电第路一页状上态一页切下一换页 时最一后页
结束 放映
所呈现的特性)
tPLH:输出由低电平变为高电平的传输延迟时间 tPHL:输出由高电平变为低电平的传输延迟时间
22
CMOS反相器传输延迟的原因:
24
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结束 放映
漏极开路的门电路(OD门)(Open-Drain)
VDD1
内部逻辑 A B
VDD2 使用时必须外接上拉电阻
D vO
G
TN•
S
RL
Y=(AB)'
第三章-逻辑门电路PPT教案
(3)关门电平电压VOFF——是指输出电压下降到VOH(min)时对应的输入电 压。即输入低电压的最大值。在产品手册中常称为输入低电平电压, 用VIL(max)表示。产品规定VIL(max)≥0.8V。
3
A B
T1
C
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21
Rb1 4kΩ
Rc 2 1.6kΩ
Vc 2
1
+VCC( + 5V) Rc4 130Ω
3
T2 4
1
3
31
D
A
B
T1
C
2T2
Ve 2
1
Vo
3
2T 3
Re2
1kΩ
输入级
中间级
输出级
第21页/共62页
22
2.TTL与非门的逻辑关系
(1)输入全为高电平3.6V时。
T2、T3导通,VB1=0.7×3=2.1(V ),
即Vi<Vth,与非门关门,输出高电平; Vi>Vth,与非门开门,输出低电平。 Vth又常被形象化地称为门槛电压。Vth的值为1.3V~1.4V。
第三章-逻辑门电路
会计学
1
第三章 逻辑门电路
§3.1 数字电路中的二极管与三极管 §3.2 基本逻辑门电路 §3.3 TTL逻辑门电路 §3.4 MOS逻辑门电路 §3.5 集成逻辑门电路的应用 §3.6 混合逻辑中逻辑符号的变换
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2
3.1 数字电路中的二极管与三极管 一、二极管的开关特性
31
T1 βiB1
3章逻辑门电路
输入 低电平 高电平
T1 饱和 倒置工作
T2 截止 饱和
T3 截止 饱和
D4 导通 截止
T4 导通 截止
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输出 高电平 低电平
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2. TTL反相器的工作原理
(3. )采用输入级以提高工作速度
当TTL反相器I由3.6V变0.2V的瞬间
•T2、T3管的状态变化滞 后于T1管,仍处于导通 状态。 •T1管Je正偏、Jc反偏, T1工作在放大状态。
第三章 逻辑门电路
武汉理工大学 信息工程学院 电子技术基础课程组
模数拟字 电子技术——电子技术基础精品课程
本章主要内容: 1、了解半导体器件的开关特性。 2、熟练掌握基本逻辑门(与、或、与非、 或非、异或门)、三态门、OD门(OC门) 和传输门的逻辑功能。
3、学会门电路逻辑功能分析方法。 4、掌握逻辑门的主要参数及在应用中的 接口问题。
4. 真值表
表2-2 二极管或门的真值表
A
B
F
0V0V 0V0V3V 2.3V3V
0V 2.3V
3V
3V 2.3V
A BF 0 00 0 11 1 01 1 11
A、B有1,F就1。
可见实现了或逻辑
上页 下页
5. 逻辑符号 6. 工作波形 7. 逻辑表达式
F=A+ B
或门电路
二极管或门 (a)电路 (b)逻辑符号 (c)工作波形
L T3
I
T1
输 输入入有全低为电高平 深倒饱置和使用的放
电 (0.2平V)(3.6V) 大状态
T2 截饱止和
T4
T5
截放大止 饱截止和
O
低高电电平平 ((03..26VV))
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教 案 授课内容概要 3.1 简单门电路(3.1、3.2),3.3.1~3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理,3.3.3 CMOS反相器的静态输入特性和输出特性, 3.3.3CMOS反相器的静态输入特性和输出特性, 3.3.5 其他类型的CMOS 门电路, 3.5.1 双极性三极管的开关特性, 3.5.2~3.5.3 TTL反相器的电路结构和工作原理、静态输入特性和输出特性、负载特性 3.5.5其他类型的TTL门电路 TTL门电路和CMOS门电路的基本概念及电路分析方法的讨论
目的要求
理解三极管(包括双极性和MOS型)的开关特性;熟练掌握TTL反相器的电路结构及工作原理,理解主要参数的含义和其他TTL门电路实现的功能;掌握CMOS反相器的电路结构和工作原理,理解其他 CMOS门电路的连接规律,学会分析电路结构。
重点 半导体二极管和三极管(包括双极型和MOS型)开关状态下的等效电路和外特性;TTL的外特性及其应用;CMOS电路的外特性及其应用。
难点 TTL和 CMOS门电路的内部结构和工作原理
作业布置
3.13.7,3.123.1,63.8,3.9,3.13(a,b.d)
本章(节)参考书
《数字电子技术基础(第五版)》
教学方法 演讲法、启发式 主要教具 多媒体课件
备注 授 课 过 程 及 内 容 备 注 第三章 门电路 ▲ 3.1 简单门电路(3.1、3.2) 一、 概述 二、 二极管、三极管开关特性 三、最简单门电路 1、二极管与门 2、二极管或门 3、三极管非门
一、 概述 1、门电路:是用以实现逻辑关系的单元电路,与基本逻辑关系相对应。 2、主要类型:与门、或门、与非门、或非门、异或门等。 3、正负逻辑体制概念: 在电子电路中,用高低电平表示0和1两种逻辑状态。
S开------VO输出高电平, S合------VO输出低电平。
正逻辑:高电位对应“1”;低电位对应“0”。 负逻辑:高电位对应“0”;低电位对应“1”。
例:
正与门 负或门 混合逻辑:输入用正逻辑、输出用负逻辑;或者输入用负逻辑、输出用正逻辑。 在数字电路中,电压值具体值多少不重要,只要能判断高低电平即可。
二、二极管、三极管开关特性 1、二极管开关特性 一个PN结,具有单向导电性。 外加正向电压时导通,相当于开关闭合; 外加反向电压时截止,相当于开关断开。 正向导通压降:硅管0.7V,锗管0.3V。
A B F 0 0 1 1 0 1 0 1 0 0 0 1
A B F 1 1 0 0 1 0 1 0 1 1 1 0
VI VO VCC S 2、三极管开关特性 反向截止,开关断开
饱和导通,开关闭合 三、 最简单门电路 1、二极管与门(3V以上为高电平,0.7V以下为低电平) 设VCC=5V,VIH=3V,VIL=0V 二极管导通压降0.7V。
Y=AB 2、二极管或门(2.3V以上为高电平) VIH=3V,VIL=0V,二极管导通压降0.7V。
Y=A+B 思考题:这些电路虽然结构简单,但不常用。原因是什么? (发生了电平偏移、级数越多偏移越大,误差也越大,可靠性不高)
3.5 TTL门电路 3.5.1 双极性三极管的开关特性 三极管非门
分立元件门电路的缺点: (1)体积大、工作不可靠。 (2)需要不同电源。 (3)各种门的输入、输出电平不匹配。
A B Y 0 0 0 1 1 0 1 1 0 0 0 1
A B Y 0 0 0 3 3 0 3 3 0.7 0.7 0.7 3.7
A B Y 0 0 0 0 3 2.3 3 0 2.3 3 3 2.3
A B Y 0 0 0 0 1 1 1 0 1 1 1 1
b c e b c
e RVCC
D1
D2
ABY
RD1
D2
ABY根据集成度分为:SSI(100以下)、MSI(几百个)、LSI(几千个)、VLSI(一万个以上)。 介绍一种用的最多的双极型数字集成电路TTL电路。 3.5.2 TTL反相器的电路结构和工作原理 一、电路结构 二、原理(输出级特点、D1、D2作用) 三、电压传输特性曲线 四、相关参数
一、电路结构 VCC=5V, VIH=3.4V, VIL=0.2V 二极管压降0.7V
二、工作原理 1、VI=VIL=0.2V(A=0)时 T1发射结导通,VB1=0.9V T2、T5均截止 T4导通(饱和导通) VO= VCC-VR2-0.7-0.7 =3.4V(根据设计参数可得到) ∴A=0,Y=1 2、VI= VIH=3.4V(A=1)时 T1集电结导通,VB1=2.1V,发射结反向截止 T2、T5均饱和导通 VC2=VCES2+0.7=0.3+0.7=1V ∴T4截止 ∴VO= VCES3=0.3V 即A=1,Y=0 从上面的原理可知:T4、 T5总是一个导通而另一个截止,故也称为推拉式电路。 D1的作用:钳位二极管,抑制输入端可能出现的负极性干扰脉冲,防止输入为负时T1发射结电流过大,起保护作用。 D2的作用:确保T5饱和导通时,T4可靠截止。
三、电压传输特性曲线 AB段(截止区):VI<0.6V,门截止(T5的状态) T1发射结导通 T2、T5均截止 T4导通(饱和导通) VO= VOH
输入级 倒相级 输出级 BC段(线性区):0.6V T1集电结导通,T2线性放大,T5仍截止 随着VI↑→VB1↑→VB2↑→VC2↓→VO↓ CD段:≈1.4V VI稍微增大到1.4V时,VB1=2.1V T2、T5迅速饱和导通 T4截止,VO= VOL
所以称1.4V 为转折电压或阈值电压,记为:VTH=1.4V。
DE段(饱和区): VI>1.4V,门导通 T2、T5饱和导通 T4截止,VO= VOL
四、输入端噪声容限
1)单独的门: 输入为高电平的噪声容限为:VNH=VIH-VIH(min) 输入为低电平的噪声容限为:VNL=VIL(max)-VIL
2)对于Ⅱ门: 输入为高电平的噪声容限为: VNH=VOH(min)-VIH(min)
输入为低电平的噪声容限为:
VNL=VIL(max)-VOL(max)
3.5.3 TTL反相器的静态输入、输出及输入端负载特性 一、输入特性曲线 二、输出特性曲线 三、输入端负载特性曲线 四、输入特性曲线
一、输入特性曲线 输入特性:输入电流随输入电压变化 的特性。 仅考虑输入信号是高电平和低电平,则 输人端的等效电路如图: 设流入发射结的电流为正方向, (1)当VI=VIL时:
1ILCC1ILR
V7.0VII
当VI=0时,IS1CCILIR7.0VI(输入短路电流) (2)当VI>VTH时,IIH≈0。74系列反相器在40μA以下。
1 1
Ⅰ Ⅱ Vo VI
VOH(min)
VOL(max)
VIH(min)
VIL(max)
VNH
VNL
I1 I1 故输入特性曲线如图: 一、 输出特性曲线 输出特性曲线:输出电压随负载电流变化的曲线。 (1)高电平输出特性曲线 VO= VOH时,输出端等效电路为:
∴高电平输出特性曲线为: (2)低电平输出特性曲线 VO= VOL时,输出端等效电路为:
注意一个概念,扇出系数:74系列反相器可驱动同类型反相器的最大数目。
1.4V 输入电压介于高低电平之间的情况比较复杂,不作分析。
IB4 VOH(min) ∣IOH(max)∣
由于功耗的限制,高电平输出时负载电流的最大值应该参照手册的参数值。 另外,从等效电路上看,负载电流实际是流出门电路,我们称之为拉电流,负载为带拉电流负载。
T5饱和导通,c-e间内阻很小(10Ω) ∴IL增加,VOL仅有稍微升高,且呈线性关系
∴低电平输出特性曲线为:
输入电压介于高低电平之间的情况比较复杂,不作分析。
另外,从等效电路上看,负载电流是流入门电路,我们称之为灌电流,负载为带灌电流负载。