碳化硅抛光片微管密度无损检测方法的精密度测试报告
碳纤维测试报告
碳纤维测试报告1. 引言碳纤维是一种轻质高强度的复合材料，具有广泛的应用前景。
本文将对碳纤维进行测试，包括物理性能测试和力学性能测试，以评估其在不同领域中的应用潜力。
2. 实验设计2.1 材料准备我们选择了三种不同生产商提供的碳纤维样本，分别标记为样本A、样本B和样本C。
这些样本具有相似的形状和尺寸，但其制造工艺和原料可能存在差异。
2.2 物理性能测试我们首先对样本进行物理性能测试，包括密度、热导率和电导率的测量。
这些测试将提供有关碳纤维的基本特性的信息。
2.3 力学性能测试在物理性能测试之后，我们将进行力学性能测试，包括拉伸强度、弯曲强度和冲击强度的测量。
这些测试将揭示碳纤维在承受外力时的性能表现。
3. 实验步骤和结果3.1 物理性能测试在密度测试中，样本A的密度为1.7 g/cm³，样本B的密度为1.8 g/cm³，样本C的密度为1.6 g/cm³。
在热导率测试中，样本A的热导率为150 W/mK，样本B的热导率为160 W/mK，样本C的热导率为140 W/mK。
在电导率测试中，样本A的电导率为300 S/m，样本B的电导率为320 S/m，样本C的电导率为280S/m。
3.2 力学性能测试在拉伸强度测试中，样本A的拉伸强度为1000 MPa，样本B的拉伸强度为1100 MPa，样本C的拉伸强度为950 MPa。
在弯曲强度测试中，样本A的弯曲强度为800 MPa，样本B的弯曲强度为850 MPa，样本C的弯曲强度为750 MPa。
在冲击强度测试中，样本A的冲击强度为50 J/m，样本B的冲击强度为55 J/m，样本C的冲击强度为48 J/m。
4. 结论根据我们的测试结果，我们可以得出以下结论： - 样本B在物理性能和力学性能方面表现出最佳的性能。
- 样本A和样本C在物理性能和力学性能方面次优。
- 碳纤维具有轻质高强度的特性，适用于许多领域，如航空航天、汽车工业和体育器材制造等。
碳化木检测报告
碳化木检测报告介绍碳化木是一种经过特殊处理的木材，通过高温处理使木材中的碳元素含量增加，提高了木材的耐久性和防腐性能。
本文档将对碳化木进行检测分析，以评估其质量和性能。
检测方法本次碳化木检测主要采用以下两种方法：1.物理性能测定：包括木材的密度、吸水性和热传导性能等。
检测过程中，将对碳化木样品进行测量和比较，以评估其物理性能是否符合标准要求。
2.化学成分分析：通过对碳化木样品进行化学成分分析，了解其中可燃成分和挥发性物质含量等。
这有助于评估碳化木的防火性能和环境友好性。
检测结果1. 物理性能测定1.1 密度测定样品密度(g/cm³)样品1 0.8样品2 0.9样品3 0.8根据国际标准要求，碳化木的密度应在0.5至1.0 g/cm³之间，上述样品的密度均在合理范围内，符合标准要求。
1.2 吸水性测定样品吸水率(%)样品1 1.2样品2 1.5样品3 1.3根据标准要求，碳化木的吸水率应小于10%，上述样品的吸水率均在合理范围内，符合标准要求。
1.3 热传导性能测定样品热导率(W/m·K)样品1 0.15样品2 0.18样品3 0.14根据标准要求，碳化木的热导率应小于0.2 W/m·K，上述样品的热导率均在合理范围内，符合标准要求。
2. 化学成分分析2.1 可燃成分测定样品可燃成分(%)样品1 3.2样品2 3.5样品3 3.4根据标准要求，碳化木的可燃成分应小于5%，上述样品的可燃成分均在合理范围内，符合标准要求。
2.2 挥发性物质含量测定样品挥发性物质含量(%)样品1 0.8样品2 0.9样品3 0.7根据标准要求，碳化木的挥发性物质含量应小于1%，上述样品的挥发性物质含量均在合理范围内，符合标准要求。
结论经过对碳化木样品的物理性能和化学成分分析，得出以下结论：1.碳化木样品的密度、吸水性和热传导性能均符合标准要求，具备优异的物理性能。
2.碳化木样品的可燃成分和挥发性物质含量均在合理范围内，符合标准要求，具备良好的防火性能和环境友好性。
碳化硅合成车间工艺流程
碳化硅合成车间工艺流程碳化硅合成车间的工艺流程主要包括以下几个步骤：原料合成首先，需要将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合，在2000℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒。
再经过破碎、清洗等工序，制得满足晶体生长要求的高纯度碳化硅微粉原料。
晶体生长接下来，使用自主研制的晶体生长炉，采用物理气相传输法（PVT法）生长碳化硅晶体。
具体来说，将高纯碳化硅微粉和籽晶分别置于单晶生长炉内圆柱状密闭的石墨坩埚下部和顶部，通过电磁感应将坩埚加热至2000℃以上，控制籽晶处温度略低于下部微粉处，在坩埚内形成轴向温度梯度。
碳化硅微粉在高温下升华形成气相的Si2C、SiC2、Si等物质，在温度梯度驱动下到达温度较低的籽晶处，并在其上结晶形成圆柱状碳化硅晶锭。
晶锭加工将制得的碳化硅晶锭使用X射线单晶定向仪进行定向，之后磨平、滚磨，加工成标准直径尺寸的碳化硅晶体。
晶体切割使用多线切割设备，将碳化硅晶体切割成厚度不超过1mm的薄。
晶片研磨通过不同颗粒粒径的金刚石研磨液将晶片研磨到所需的平整度和粗糙度。
晶片抛光通过机械抛光和化学机械抛光方法得到表面无损伤的碳化硅抛光片。
晶片检测使用光学显微镜、X射线衍射仪、原子力显微镜、非接触电阻率测试仪、表面平整度测试仪、表面缺陷综合测试仪等仪器设备，检测碳化硅晶片的微管密度、结晶质量、表面粗糙度、电阻率、翘曲度、弯曲度、厚度变化、表面划痕等各项参数指标，据此判定晶片的质量等级。
晶片清洗以清洗药剂和纯水对碳化硅抛光片进行清洗处理，去除抛光片上残留的抛光液等表面沾污物，再通过超高纯氮气和甩干机将晶片吹干、甩干；将晶片在超净室封装在洁净片盒内，形成可供下游即开即用的碳化硅晶片。
以上就是碳化硅合成车间的基本工艺流程。
需要注意的是，这个过程可能会因为具体的设备和工艺条件有所不同，但大体上都是这样的步骤。
空间用碳化硅反射镜的设计制造与测试
捌谚
（ｃ）正六边形结构
（ｃ）Ｈｅｘａｇｏｎ ｃｅｌｌ
卫⑨
口口工二皿
剖面爿．Ａ
蛾册
（ｄ）扇形结构
（ｄ）Ｓｅｃｔｏｒ ｃｅｌｌ
图１ 空间用碳化硅反射镜结构示意图
Ｆｉｇ．１ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｓｋｅｔｃｈ ｏｆ ＳｉＣ ｓｐａｃｅ－ｂｏｒｎｅ ｍｉｒｒｏｒ
（ａ）三角形结构
（ａ）Ｔｒｉａｎｇｌｅ ｃｅｌｌ
Ｕ Ｏ
Ｏ Ｏ
０
０
Ｕ
Ｏ一
∞
∽
Ｕ
０Ｉ膏 挈最 Ｏ
罚
Ｏ
∞∞鲫∞吣∞ Ｏ
㈧置
鼍
０２ ０
４０
６０
８０
２０／（。）
（ａ）反应烧结碳化硅
（ａ）ＲＢ－ＳｉＣ
图２ 空间用碳化硅反射镜制备工艺示意图
Ｆｉｇ．２
Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓ ｓｋｅｔｃｈ ｏｆ ＳｉＣ ｓｐａｃｅ—
ｂｏｒｎｅ ｍｉｒｒｏｒ
空间用碳化硅反射镜的制备工艺过程如图２ 所示。通过这种工艺，能够制备直径将近１ Ｉｎ的 空间用反应烧结碳化硅反射镜体，同时制造出直 径为２５０ ｍｍ的六边形蜂窝状加强筋结构的圆形 平面反射镜镜片，用来证明整个工艺过程的可行 性，并对其进行了各项性能的测试。
组织，薄膜为单相ＳｉＣ，反射镜的机械、热性能优异，薄膜与基体结合强度为３４５．５ ＭＰａ，研磨后镜面表面粗糙度达到
１．４８７ ｎｍ ｒｍｓ。采用本文工艺方法有能力制备米级直径的空间用碳化硅反射镜。
关键词：空间用反射镜；反应烧结；化学气相沉积；碳化硅；光学加工；光学检验
中图分类号：ＴＨ７０３
文献标识码：Ａ
表１侯选材料的机械性能和物理性能 Ｔａｂ．１ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ａｎｄ ｐｈｙｓｉｃａｌ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ｓｅｌｅｃｔｅｄ ｍａｔｅｒｉａｌｓ
负极材料振实密度的测量不确定度评定报告
负极材料振实密度的测量不确定度评定报告
负极材料振实密度的测量不确定度评定报告
1.实验目的：
测量负极材料的振实密度。
2.实验原理：
振实密度是指单位体积所包含的有效固态材料的质量。
在负极材料的振实密度测量中，通常采用研钵法。
研钵法是将干燥的负极材料样品与研钵内的流体（通常是水）产生剧烈的振动，振实材料能够颗粒间相互靠拢，剧烈振动后会使振实材料堆积在钵底，然后通过称重等方法计算出振实密度。
3.实验步骤：
(1) 将研钵放在称量仪上，记录初始质量。
(2) 将干燥好的负极材料样品放入研钵内。
(3) 钵底涂抹少量润滑剂。
(4) 将研钵放置于声波振荡器中，开启振荡器并设置合适的振动频率和时间。
(5) 关闭振荡器，将振动后的负极材料倒出。
(6) 用称量仪称量振动后的研钵与负极材料样品的总质量。
(7) 根据称量的数据计算出负极材料的振实密度。
4.不确定度评定：
负极材料振实密度的测量不确定度可能会受以下因素的影响：
(1) 称量仪的精确度。
(2) 润滑剂的使用量和均匀程度。
(3) 倒出过程中的损失。
(4) 研钵的泄漏情况。
(5) 振动频率和时间的准确性。
(6) 负极材料样品的干燥程度。
以上影响因素需要进行实验设计和数据分析，以评估其对实验结果的不确定度贡献。
根据相关的统计方法和不确定度评定规范，可以计算出负极材料振实密度的总不确定度。
半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法-最新国标
半导体晶片表面金属沾污的测定全反射X射线荧光光谱法1范围本文件描述了半导体抛光晶片表面深度约为5nm以内金属元素的全反射X光荧光光谱测试方法。
本文件适用于硅、绝缘衬底上的硅（SOI）、碳化硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、锑化镓等单晶抛光片表面金属沾污的测定。
尤其适用于晶片清洗后自然氧化层或经化学方法生长的氧化层中沾污元素面密度的测定。
本文件可检测元素周期表中原子序数16（S）～92（U）的元素，尤其适用于钾、钙、钛、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌等金属元素，且面密度在109atoms/cm2～1015atoms/cm2范围内元素的定量测试。
注：测试范围在一定条件下可以扩展到原子序数11（Na）～92（U）的元素，取决于测试设备提供的X射线源。
2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。
凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T8979纯氮、高纯氮和超纯氮GB/T14264半导体材料术语GB/T25915.1-2021洁净室及相关受控环境第1部分：按粒子浓度划分空气洁净度3术语和定义GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1全反射total reflection光从光密介质射向光疏介质时，当入射角超过某一角度C（临界角）时，折射光完全消失，只剩下反射光线的现象叫做全反射。
注：对于X射线，一般固体与空气相比都是光疏介质。
3.2临界角critical angle能产生全反射的入射角度。
当掠射角低于这一角度时，被测表面发生对入射X射线的全反射。
注：如果入射角足够小，x射线根本不穿过样品，而是被反射，则折射角和反射角交界处的入射角称为临界角。
3.3掠射角glancing angle样品表面平面与包含入射到样品表面的X射线的虚拟平面之间的夹角。
注：本方法以小的掠射角入射到晶片表面时，X射线会在晶片表面发生全反射，此时反射的角度等于掠射角3.4角扫描angle scan作为掠射角函数，对发射的荧光信号的测试。
国家标准化管理委员会关于下达2011年第一批国家标准制修订计划的通知(一)
国家标准化管理委员会关于下达2011年第一批国家标
准制修订计划的通知(一)
文章属性
•【制定机关】国家标准化管理委员会
•【公布日期】2011.09.27
•【文号】国标委综合[2011]57号
•【施行日期】2011.09.27
•【效力等级】部门规范性文件
•【时效性】现行有效
•【主题分类】标准化
正文
国家标准化管理委员会关于下达2011年第一批国家标准制修
订计划的通知
（国标委综合[2011]57号）
各有关单位：
经研究，国家标准化管理委员会决定下达2011年第一批国家标准制修订计划。
本批计划共计917项，其中制定398项（见附件1），修订281项（见附件2），国家标准样品238项（见附件3）。
请你单位组织、监督有关全国专业标准化技术委员会和主要起草单位，抓紧落实和实施计划，在标准起草中加强与有关方面的协调，广泛听取意见，保证标准质量和水平，按时完成国家标准制修订任务。
二〇一一年九月二十七日附件：
1.2011年第一批国家标准制定计划项目汇总表
2.2011年第一批国家标准修订计划项目汇总表
3.2011年第一批国家标准样品计划项目汇总表附件1：。
行业标准《碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定
行业标准《碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定辉光放电质谱法》（讨论稿）编制说明一工作简况1.立项目的及意义碳化硅具有宽的禁带宽度、高热导率、高击穿电场、高抗辐射能力、高电子饱和速率等特点，适用于高温、高频、抗辐射及大功率器件的制作，是第三代宽带隙半导体材料的重要组成单元。
“统计目录”中3.4.3.1半导体晶体制造-3985*-电子专用材料制造（碳化硅单晶和单晶片）；“领航”中二、主要行动-（二）4先进半导体材料明确提及建立碳化硅标准；“指南”中三、发展方向（二）中明确提及宽禁带半导体材料；“首批次目录”中关键战略材料-三、第146项对应碳化硅单晶衬底。
碳化硅中痕量杂质含量是决定碳化硅材料及其器件性能的重要因素，而碳化硅不溶于酸，因此，建立一种精确表征碳化硅中痕量杂质元素含量的检测手段对碳化硅生产过程质量控制有重要意义。
2.任务来源2020年9月工业和信息化部以工信厅科函【2020】181号文下达该标准的制定任务，标准计划号为2020-0718T-YS。
项目起止时间为2020年11月～2022年，技术归口单位为全国有色金属标准化技术委员会。
3.承担单位简况国标（北京）检验认证有限公司隶属于有研科技集团有限公司，是国家新材料测试评价平台-主中心承建单位，为中国新材料测试评价联盟秘书处挂靠单位。
公司自成立以来，积极整合完善现有测试评价、设计应用、大数据等平台资源，逐步形成立足北京、布点全国、服务全行业的国家新材料测试评价平台。
国标（北京）检验认证有限公司作为国合通用测试评价认证股份公司的全资子公司，前身是北京有色金属研究总院分析测试技术研究所，是国家有色金属行业最知名的第三方检验机构。
国标（北京）检验认证有限公司运营管理着国家有色金属及电子材料分析测试中心和国家有色金属质量监督检验中心，拥有一支基础理论扎实、实践经验丰富的研究和服务队伍，自2004年至今共承担了国家科技支撑计划、国家863计划、国家自然科学基金、军工配套等省部级科技项目40余项；曾获国家科技进步奖6项，国家发明奖3项，省部级科技进步一等奖10项，二、三等奖107项；近5年获得国家发明专利20余项；负责和参加起草制订分析方法国家标准、行业标准300余项；国家标准物质/标准样品120个，在国内外科技期刊上发表论文800余篇，撰写论著22部。
焊管检测报告
焊管检测报告
报告编号：2021-xyz
报告日期：2021年6月15日
检测单位：XXX焊接有限公司
被检物品：焊管
检测标准：GB/T 7735-2004
1. 检测目的
本次检测的目的是为了确保焊管的品质符合要求，能够满足使用要求，提高焊管的安全性和可靠性。
2. 检测方法
本次检测采用了无损检测的方法进行，主要包括了磁粉探伤和超声波探伤两部分。
2.1 磁粉探伤
对焊管进行磁粉探伤主要是为了检查焊接部位是否有裂纹、夹杂等缺陷，以及焊接是否均匀、牢固。
本次检测过程采用了磁粉试剂和磁粉探伤设备，经过精密的检测后，未发现焊管存在明显的缺陷和质量问题。
2.2 超声波探伤
超声波探伤主要是为了检测焊管的壁厚是否均匀，是否存在腐蚀、氧化等问题。
本次检测过程采用了超声波探伤设备，经过反复检测，焊管的壁厚均匀，未发现腐蚀、氧化等问题。
3. 检测结果
经过本次无损检测，焊管的所有检测指标均符合GB/T 7735-2004标准的要求，未发现明显问题。
4. 检测结论
根据本次检测结果，认为焊管的品质符合要求，能够满足使用要求，具有较高的安全性和可靠性。
建议使用单位按照标准规范进行焊管的安装和使用，确保其正常运行。
5. 检测人员
主检人：XXX
副检人：XXX
6. 检测日期
本次检测于2021年6月15日完成。
产品纯净度检测报告
产品纯净度检测报告前言本报告旨在对某产品的纯净度进行检测与评估，以确保产品符合相关质量标准和行业要求。
通过对样品的实验分析，我们将对产品的纯净度进行综合评估，并提出相应的建议和改进方案。
测试目的和方法测试目的本次测试的主要目的是验证产品的纯净度，确保产品中没有杂质、有害物质或其他不同于产品规格的成分。
测试方法我们根据行业标准和实验室指导原则，采用以下测试方法对样品进行分析：1. 外观观察：检查样品的外观，包括颜色、气味、透明度等。
2. pH值测试：使用pH测试仪检测产品的酸碱性。
3. 溶解度测试：将样品溶于水，并观察其溶解程度。
4. 密度测试：使用密度计测试样品的密度。
5. 粒度测试：通过粒度分析仪测试样品中固体颗粒的大小分布。
6. 化学成分分析：采用质谱仪等仪器对样品进行化学成分分析。
实验结果与分析外观观察根据外观观察，样品呈现了浅黄色液体的外观，没有任何异味或悬浮固体颗粒。
pH值测试经过pH测试仪测量，样品的pH值为6.8，处于中性范围内。
溶解度测试样品在水中迅速溶解，无任何残留物或悬浮固体颗粒。
密度测试经过密度计测试，样品的密度为1.05 g/mL，符合产品规格要求。
粒度测试通过粒度分析仪测试，样品中的固体颗粒大小均匀，平均粒径为10微米。
化学成分分析通过质谱仪的化学成分分析，我们得知样品中的主要化学成分为水、乙醇和甘油，并没有检测到其他有害物质。
结论与建议通过以上测试和分析，我们得出以下结论：1. 样品的外观、pH值、溶解度、密度等指标均符合产品规格要求，没有发现任何明显的异常。
2. 样品的固体颗粒大小均匀，粒径分布合理，有利于产品的稳定性和使用体验。
3. 样品中的化学成分主要为水、乙醇和甘油，符合产品的标称成分，没有检测到其他有害物质。
综上所述，产品的纯净度达到了较高水平，不存在明显的质量问题。
为了进一步提升产品的纯净度，我们建议：1. 增强原材料的筛选和监控，确保原材料的质量和纯度。
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碳化硅抛光片微管密度无损检测方法的精密度测试报告
1 测试目的
本测试是为了验证国家标准草案《碳化硅抛光片微管密度无损检测方法》中规定的碳化硅抛光片微
管密度的测试方法的精密度。
2 测试仪器
具有正交偏光系统的光学显微镜
3 测试概要
本测试根据《碳化硅抛光片微管密度无损检测方法》的要求，由北京天科合达蓝光半导体有限公司
（简称天科合达）和中国科学院半导体研究所（简称半导体所）两家单位，分别对Φ50.8mm和Φ76.2mm
的碳化硅抛光片的微管密度重复测量3次，根据3次测试的结果分别计算该方法的重复性测试的精密度。
4 测试过程及结果
4.1 Φ50.8mm碳化硅抛光片微管密度测试位置分布和测试值
表1 中国科学院半导体研究所测试结果
序号 测试点位置
测试点面积
(mm2)
测试值（个）
第1次 第2次 第3次
1 5 35.7 0 0 0
2 5.5 47.6 0 0 0
3 6 53.55 0 0 0
4 6.5 59.5 0 0 0
5 7 65.45 0 0 0
6 7.5 71.4 0 0 0
7 8 71.4 0 0 0
8 8.5 71.4 1 1 1
9 9 71.4 5 6 7
10 9.5 71.4 15 10 12
11 10 65.45 20 19 17
12 10.5 65.45 30 29 38
13 11 59.5 7 9 10
14 11.5 59.5 2 2 0
15 12 47.6 0 0 0
16 12.5 35.7 0 0 0
合计 - 952 80 76 85
微管密度 - - 8.40 7.98 8.93
表2 北京天科合达蓝光半导体有限公司测试结果
序号 测试点位置
测试点面积
(mm2)
测试值（个）
第1次 第2次 第3次
1 6.5 24 0 0 0
2 7 42 0 0 0
3 7.5 54 0 0 0
4 8 54 0 0 0
5 8.5 66 0 0 0
6 9 66 0 0 0
7 9.5 72 0 1 1
8 10 78 0 3 3
9 10.5 78 0 0 0
10 11 78 6 6 4
11 11.5 72 9 2 3
12 12 72 24 18 24
13 12.5 72 4 5 10
14 13 66 1 1 1
15 13.5 60 0 0 0
16 14 48 0 0 0
17 14.5 42 0 0 0
18 15 24 0 0 0
合计 - 1068 44 36 46
微管密度 - - 4.12 3.37 4.31
表3 φ50.8mm碳化硅抛光片微管密度测试结果
单位：个/cm2
测试单位 第一次测试结果 第二次测试结果 第三次测试结果
半导体所
8.40 7.98 8.93
天科合达
4.12 3.37 4.31
4.2 Φ76.2mm碳化硅抛光片微管密度测试位置分布和测试值
表4 中国科学院半导体研究所测试结果
序号 测试点位置
测试点面积
(mm2)
测试值（个）
第1次 第2次 第3次
1 3 41.65 0 0 0
2 3.5 53.55 0 0 0
3 4 71.4 1 2 0
4 4.5 77.35 1 1 1
5 5 77.35 1 0 0
6 5.5 89.25 1 3 1
7 6 95.2 7 3 3
8 6.5 95.2 1 1 1
9 7 101.15 1 0 0
10 7.5 101.15 1 4 3
11 8 107.1 8 10 10
12 8.5 107.1 9 14 8
13 9 107.1 13 18 13
14 9.5 107.1 7 7 11
15 10 107.1 1 3 8
16 10.5 107.1 3 3 4
17 11 101.15 1 2 1
18 11.5 95.2 0 0 0
19 12 95.2 0 0 0
20 12.5 89.25 1 0 0
21 13 83.3 0 0 0
22 13.5 77.35 0 0 0
23 14 71.4 0 0 0
24 14.5 59.5 0 0 0
25 15 47.6 0 0 0
合计 - 2165.8 57 71 64
微管密度 - - 2.63 3.28 2.96
表5 北京天科合达蓝光半导体有限公司测试结果
序号 测试点位置
测试点面积
(mm2)
测试值（个）
第1次 第2次 第3次
1 4 30 0 0 0
2 4.5 48 0 0 0
3 5 60 0 0 0
4 5.5 66 0 0 0
5 6 72 0 0 0
6 6.5 84 0 0 0
7 7 90 1 1 1
8 7.5 96 9 5 5
9 8 96 5 3 4
10 8.5 102 4 2 2
11 9 102 1 5 4
12 9.5 108 12 9 6
13 10 108 15 17 15
14 10.5 114 13 13 13
15 11 114 16 16 15
16 11.5 108 12 10 11
17 12 102 5 8 8
18 12.5 102 2 2 3
19 13 102 3 3 4
20 13.5 102 4 3 3
21 14 90 2 1 2
22 14.5 90 3 2 0
23 15 78 2 2 2
24 15.5 78 0 0 0
25 16 66 0 0 0
26 16.5 54 0 0 0
27 17 42 0 0 0
合计 - 2304 109 102 98
微管密度 - - 4.73 4.43 4.25
表6 Φ76.2mm碳化硅抛光片微管密度测试结果
单位：个/cm2
测试单位 第一次测试结果 第二次测试结果 第三次测试结果
半导体所
2.63 3.28 2.96
天科合达
4.73 4.43 4.25
5 结果分析
本方法的精密度是由起草单位和验证单位在同样条件下，用正交透射偏光显微镜对φ50.8mm碳化硅
抛光片和φ76.2mm碳化硅抛光片分别进行3次重复性试验，并根据标准偏差公式
1/2nXXSqrS
in
和重复性试验数据计算得出标准偏差和相对偏差。各样片的标准偏差值
和相对偏差值如下：
表7 碳化硅抛光片微管密度测试精密度分析
样品规格 测试单位 标准偏差（个/cm2） 相对偏差
φ50.8mm碳化硅抛光片
半导体所 0.47 6%
天科合达 0.50 13%
φ76.2mm碳化硅抛光片
半导体所 0.32 11%
天科合达 0.24 5%
综上所述，本检测方法的测试结果标准偏差不大于0.5个/cm2，相对偏差不大于15%。