常用半导体功能术语
肖特基二极管(Schottky Diode)
Symbol Parameter 中文
VRRM Peak repetitive reverse voltage 反向重复峰值电压VRWM Working peak reverse voltage 方向工作峰值电压VR DC Blocking Voltage 反向直流电压
VR(RMS) RMS Reverse Voltage 反向电压有效值IF(AV) Average Rectified Forward Current 正向平均电流
IR Reverse Current 反向电流
IFSM Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 正向浪涌电流
VF Forward Voltage 正向直流电压
Cj Typical Junction Capactiance 结电容
PD Power Dissipation 耗散功率
Tj Operating Junction Temperature 工作结温
Tstg Storage Temperature Range 存储温度
Rth(j-a) Thermal Resistance from Junction to Ambient 结到环境的热阻
Pin二极管(Pin Diode)
Symbol Parameter 中文
VR Continuous reverse voltage 反向直流电压
IF Continuous forward current 正向直流电流
VF Forward voltage 正向电压
IR Reverse current 反向电流
Cd diode capacitance 二极管电容
rd diode forward resistance 二极管正向电阻Ptot total power dissipation 总的功率损耗
Tj Junction Temperature 结温
Tstg storage temperature 存储温度
TVS二极管(TVS Diode)
Symbol Parameter 中文
IPP Maximum reverse peak pulse current 峰值脉冲电流
VC Clampling voltage 钳位电压
IR Maximum reverse leakage current 最大反向漏电流VBR Breakdown voltage 击穿电压
VRWM Working peak reverse voltage 反向工作峰值电压VF Forward voltage 正向电压
IF Forward current 正向电流
IT Test current 测试电流
可控硅(SCR)
Symbol Parameter 中文
VDRM Peak repetitive off-state voltage 断态重复峰值电压VRRM Peak repetitive reverse voltage 反向重复峰值电压IT(RMS) RMS On-state current 额定通态电流
ITSM Non repetitive surge peak on-state current 通态非重复浪涌电流IGM Forward peak gate current 控制极重复峰值电流VTM peak forward on-state voltage 通态峰值电压
IGT Gate trigger current 控制极触发直流电流VGT Gate trigger voltage 控制极出发电压
IH Holding current 维持电流
IDRM Peak repetitive off-state current 断态重复峰值电流IRRM Peak repetitive reverse current 反向重复峰值电流PG(AV) Average gate power dissipation 控制极平均功率
Tj operating junction temperature range 工作结温
Tstg Tstg storage temperature range 存储温度
三端稳压管(Three Terminal Voltage Regulator)
Symbol Parameter 中文
VI input voltage 输入电压
Vo output voltage 输出电压
△ Load regulation 输出调整率
Vo
△ Line regulation 输入调整率
Vo
Iq quiescent current 偏置电流
△ quiescent current change 偏置电流变化量
Iq
VN Output noise voltage 输出噪声电压
RR Ripple rejection 纹波抑制比
Vd dropout voltage 降落电压
Isc short circuit current 短路输出电流
Ipk peak current 峰值输出电流
Topr operating junction temperature range 结温
Tstg storage temperature range 存储温度
43系列稳压管(Adjustable Shunt Regulator)
Symbol Parameter 中文
VKA Cathode voltage 阴极电压
IK Cathode current range(continous) 阴极电流
Iref Reference input current range,continous 基准输入电流PD Power dissipation 耗散功率
Rth(j-a) Thermal resistance from junction to ambient 结到环境的热阻Topr operating junction temperature range 工作结温
Tstg storage temperature range 存储温度
Vref Reference input voltage 基准输入电压
Vref(dev)
△Deviation of reference input voltage over full temperature range 全温度范围内基准输入电压的偏差
Vref/VKA
△△Ratio of change in reference input voltage to the change in cathode voltage 基准输入电压变化量与阴极电压变化量的比
Ire
△f(dev) Deviation of reference input current over full temperature range 全温度范围内基准输入电流的偏差
Imin Minimum cathode current for regulation 稳压时最小负极电流Ioff Off-state cathode current 关断状态阴极电流|ZKA| Dynamic impedance 动态阻抗
普通晶体管(Transistor)
Symbol Parameter 中文
VCBO Collector-Base voltage 发射极开路,集电极-基极电压
VCEO Collector-emitter voltage 基极开路,集电极-发射极电压
VEBO Emitter-base voltage 集电极开路,发射极-基极电压
IC Collector current 集电极电流
PC Collector power dissipation 集电极耗散功率
Tj Junction temperature 结温
Tstg storage temperature 存储温度
V(BR)CBO Collector-Base breakdown voltage 发射极开路,集电极-基极反向电压V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage 基极开路,集电极-发射极反向电压V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage 集电极开路,发射极-基极反向电压ICBO Collector cut-off current 发射极开路,集电极-基极截止电流IEBO Emitter cut-off current 集电极开路,发射极-基极截止电流ICEO Collector cut-off current 基极开路,集电极-发射极截止电流hFE DC current gain 共发射极正向电流传输比的静态值VCEsat Collector-emitter saturation voltage 集电极-发射极饱和电压
VBEsat Base-emitter saturation voltage 基极-发射极饱和电压
VBE Base-emitter voltage 基极-发射极电压
fT Transition frequency 特征频率
Cobo Collector output capacitance 共基极输出电容
Cibo Collector input capacitance 共基极输入电容
F Noise figure 噪声系数
ton Turn-on time 开通时间
toff Turn-off time 关断时间
tr Rise time 上升时间
ts Storage time 存储时间
tf Fall time 下降时间
td Delay time 延迟时间
数字晶体管(Digital Transistor）
Symbol Parameter 中文
VCC Supply voltage 直流电压
VIN input voltage 输入电压
IO output current 输出电流
PD Power dissipation 功率损耗
VI(off) Input-off voltage 输入截止电压
VI(on) Input-on voltage 输入开启电压
VO(on) output voltage 输出电压
II input current 输入电流
IO(off) output current 输出截止电流
GI DC current gain 直流增益
R1 Input resistance 输入电阻
R2/R1 Resistance ratio 电阻率
fT Transition frequency 传输频率
Tj junction temperature 结温
Tstg storage temperature range 存储温度
VCBO Collector-base voltage 发射极开路,集电极-基极反向击穿电压VCEO Collector-emitter voltage 基极开路,集电极-发射极反向击穿电压VEBO Emitter-base voltage 集电极开路,发射极-基极反向击穿电压
场效应管(MOSFET)
Symbol Parameter 中文
ID Continous drain current 漏极直流电流
VGS Gate-source voltage 栅-源电压
VDS Drain-source voltage 漏-源电压
EAS single pulse avalchane energy 单脉冲雪崩击穿能量
Rth(j-a) Thermal resistance from junction to ambient 结到环境的热阻
Rth(j-c) Thermal resistance from junction to case 结到管壳的热阻
V(BR)DSS Drain-source breakdown voltage 漏源击穿电压
V(GS)th Gate threshold voltage 栅源阈值电压
IGSS Gate-body leakage current 漏-源短路的栅极电流
IDSS Zero gate voltage drain curent 栅-源短路的漏极电流
rDS(on) Drain-source on-resistance 漏源通态电阻
gfs Forward transconductance 跨导
VSD Diode forward voltage 漏源间体内反并联二极管正向压降Ciss Input capacitance 栅-源电容
Coss Output capacitance 漏-源电容
Crss Reverse transfer capacitance 反向传输电容
Rg Gate resistance 栅极电阻
td(on) Turn-on delay time 开通延迟时间tr Rise time 上升时间
td(off) Turn-off delay time 关断延迟时间tf Fall time 下降时间
IDM Pulsed drain current 最大脉冲漏电流PD Power dissipation 耗散功率
Tj operating junction temperature range 结温
Tstg storage temperature range 存储温度
半导体专业术语英语..
1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing) 2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子 3. ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统 4. Acid：酸 5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大） 6. Align mark(key)：对位标记 7. Alloy：合金 8. Aluminum：铝 9. Ammonia：氨水 10. Ammonium fluoride：NH4F 11. Ammonium hydroxide：NH4OH 12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅） 13. Analog：模拟的 14. Angstrom：A（1E-10m）埃 15. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH） 16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率） 17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻） 18. Antimony(Sb)锑 19. Argon(Ar)氩 20. Arsenic(As)砷 21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷 22. Arsine(AsH3) 23. Asher：去胶机 24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比） 25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层） 26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前） 27. Baseline：标准流程 28. Benchmark：基准 29. Bipolar：双极 30. Boat：扩散用（石英）舟 31. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。 32. Character window：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。 33. Chemical-mechanical polish（CMP）：化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。 34. Chemical vapor deposition（CVD）：化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。 35. Chip：碎片或芯片。 36. CIM：computer-integrated manufacturing的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。 37. Circuit design ：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。 38. Cleanroom：一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。
半导体常用英语词汇-
MFG 常用英文单字 Semiconductor半导体 导体、绝缘体和半导体主要依据导电系数的大小，决定了电子的移动速度。 导体：金、银、铜、铁、人、水……导电系数大，传导容易 绝缘体：塑料、木头、皮革、纸……导电系数小、传导不容易 半导体：硅中加锗、砷、镓、磷……平时不导电加特定电压后导电Wafer 芯片或晶圆：原意为法国的松饼，饼干上有格子状的饰纹，与FAB内生产的芯片图形类似。 Lot 批；一批芯片中最多可以有25片，最少可以只有一片。 ID Identification的缩写。用以辨识各个独立的个体，就像公司内每一个人有自己的识别证。 Wafer ID 每一片芯片有自己的芯片刻号，叫Wafer ID。 Lot ID 每一批芯片有自己的批号，叫Lot ID。 Part ID 各个独立的批号可以共享一个型号，叫Part ID。 WIP Work In Process，在制品。从芯片投入到芯片产品，FAB内各站积存了相当数量的芯片，统称为FAB内的WIP 。 一整个制程又可细分为数百个Stage和Step，每一个Stage所堆积的芯片， 称为Stage WIP。 Lot Priority 每一批产品在加工的过程中在WIP中被选择进机台的优先级。 Super Hot Run的优先级为1，视为等级最高，必要时，当Lot在 上一站加工时，本站便要空着机台等待Super Hot Run。 Hot Run的优先级为2，紧急程度比Super Hot Run次一级。 Normal的优先级为3，视为正常的等级，按正常的派货原则，或 视常班向生产指令而定。 Cycle time 生产周期，FAB Cycle Time 定义为：从芯片投入到芯片产生的这一段时间。 Stage Cycle Time：Lot从进站等候开始到当站加工后出货时间点截止。Spec. 规格Specification的缩写。产品在机台加工过程中，每一站均设定规格。 机台加工后，产品或控片经由量测机台量测，该产品加工后，是否在规格 内。若超出规格﹝Out of SPEC﹞，必须通知组长将产品Hold，并同时通知 制程工程师前来处理，必要时机台要停工，重新monitor，确定量测规格， 藉以提升制程能力。 SPC Statistics Process Control统计制程管制；透过统计的手法，搜集分析资料，然后调整机台参数设备改善机台状况或请让机台再处理每一批产品时，都
半导体行业专业词汇
半导体行业专业词汇 . acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing) 2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子 3. ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统 4. Acid：酸 5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大） 6. Align mark(key)：对位标记 7. Alloy：合金 8. Aluminum：铝 9. Ammonia：氨水 10. Ammonium fluoride：NH4F 11. Ammonium hydroxide：NH4OH 12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅） 13. Analog：模拟的 14. Angstrom：A（1E-10m）埃 15. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH） 16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率） 17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻） 18. Antimony(Sb)锑 19. Argon(Ar)氩 20. Arsenic(As)砷 21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷 22. Arsine(AsH3) 23. Asher：去胶机 24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比） 25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层） 26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前） 27. Baseline：标准流程 28. Benchmark：基准 29. Bipolar：双极 30. Boat：扩散用（石英）舟 31. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。 32. Character window：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。 33. Chemical-mechanical polish（CMP）：化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。 34. Chemical vapor deposition（CVD）：化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。 35. Chip：碎片或芯片。 36. CIM：computer-integrated manufacturing的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。 37. Circuit design ：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。
半导体物理--专业术语英汉对照-复习版
__________________________________________________ 1 acceptor 受主 2 allowed energy band允带 3 binary semiconductor 二元半导体 4 charge neutrality condition 电中性条件 5 compensated semiconductor 补偿半导体 6 conduction band and valence band 导带和价带 7 effective mass 有效质量 8 density of states function状态密度函数 9 diamond structure金刚石结构 10 diffusion coefficient扩散系数 11 donor施主 12 drift velocity 漂移速度 13 electron and hole电子和空穴 14 elemental semiconductor 元素半导体 15 equilibrium carrier concentration热平衡载流子浓度 16 expitaxy外延 17 extrinsic semiconductor非本征半导体 18 Fermi energy (or level)费米能级 19 Forbidden energy band禁带 20 indirect bandbap semiconductor非直接带隙半导体 21 intrinsic semiconductor本征半导体 22 majority carrier多数载流子 23 MBE分子束外延 24 Miller indices密勒指数 25 minority carrier少数载流子 26 mobility迁移率 27 MOCVD金属有机气相沉积 28 nondegenerate semiconductor非简并半导体 29 n-type material n型材料 30 Pauli exclusion principle 泡利不相容原理 31 phonon声子 32 photon光子 33 primitive cell原胞 34 quantum state量子态 35 quaternary semiconductor四元半导体 36 scattering散射 37 substrate衬底 38 thermal motion热运动 39 unit cell单胞 40 wave-particle duality波粒二相性 41 continuity equations连续性方程 42 diffusion length扩散长度 43 diffusion coefficient扩散系数 44 Einstein relationship爱因斯坦关系 45 p-n junction p-n结 46 built-in voltage 内建电势差 47 carrier lifetime 载流子寿命
半导体一些术语的中英文对照
离子注入机 ion implanter LSS理论 Lindhand Scharff and Schiott theory 又称“林汉德-斯卡夫-斯高特理论”。 沟道效应 channeling effect 射程分布 range distribution 深度分布 depth distribution 投影射程 projected range 阻止距离 stopping distance 阻止本领 stopping power 标准阻止截面 standard stopping cross section 退火 annealing 激活能 activation energy 等温退火 isothermal annealing 激光退火 laser annealing 应力感生缺陷 stress-induced defect 择优取向 preferred orientation
制版工艺 mask-making technology 图形畸变 pattern distortion 初缩 first minification 精缩 final minification 母版 master mask 铬版 chromium plate 干版 dry plate 乳胶版 emulsion plate 透明版 see-through plate 高分辨率版 high resolution plate, HRP 超微粒干版 plate for ultra-microminiaturization 掩模 mask 掩模对准 mask alignment 对准精度 alignment precision 光刻胶 photoresist 又称“光致抗蚀剂”。 负性光刻胶 negative photoresist
半导体行业专业术语
半导体行业专业术语.txt都是一个山的狐狸，你跟我讲什么聊斋，站在离你最近的地方，眺望你对别人的微笑，即使心是百般的疼痛只为把你的一举一动尽收眼底．刺眼的白色，让我明白什么是纯粹的伤害。悬赏太少了吧~嘎嘎不过尽管如此还是分享下俺的资料（有19800个字，这里发不下，如果还需要就给我小消息~~~）：） 移动通讯词汇（中英） A 安全地线 safe ground wire 安全特性 security feature 安装线 hook-up wire 按半周进行的多周期控制 multicycle controlled by half-cycle 按键电话机 push-button telephone set 按需分配多地址 demand assignment multiple access(DAMA) 按要求的电信业务 demand telecommunication service 按组编码 encode by group B 八木天线 Yagi antenna 白噪声 white Gaussian noise 白噪声发生器 white noise generator 半波偶极子 halfwave dipole 半导体存储器 semiconductor memory 半导体集成电路 semiconductor integrated circuit 半双工操作 semi-duplex operation 半字节 Nib 包络负反馈 peak envelop negative feed-back 包络延时失真 envelop delay distortion 薄膜 thin film 薄膜混合集成电路 thin film hybrid integrated circuit 保护比（射频） protection ratio (RF) 保护时段 guard period 保密通信 secure communication 报头 header 报文分组 packet 报文优先等级 message priority 报讯 alarm 备用工作方式 spare mode 背景躁声 background noise 倍频 frequency multiplication 倍频程 actave 倍频程滤波器 octave filter 被呼地址修改通知 called address modified notification
半导体行业的英文单词和术语
半导体行业的英文单词和术语 A 安全地线safe ground wire 安全特性security feature 安装线hook-up wire 按半周进行的多周期控制multicycle controlled by half-cycle 按键电话机push-button telephone set 按需分配多地址demand assignment multiple access(DAMA) 按要求的电信业务demand telecommunication service 按组编码encode by group B 八木天线Yagi antenna 白噪声white Gaussian noise 白噪声发生器white noise generator 半波偶极子halfwave dipole 半导体存储器semiconductor memory 半导体集成电路semiconductor integrated circuit 半双工操作semi-duplex operation 半字节Nib 包络负反馈peak envelop negative feed-back 包络延时失真envelop delay distortion 薄膜thin film 薄膜混合集成电路thin film hybrid integrated circuit 保护比（射频）protection ratio (RF) 保护时段guard period 保密通信secure communication 报头header 报文分组packet 报文优先等级message priority 报讯alarm 备用工作方式spare mode 背景躁声background noise 倍频frequency multiplication 倍频程actave 倍频程滤波器octave filter 被呼地址修改通知called address modified notification 被呼用户优先priority for called subscriber 本地PLMN local PLMN 本地交换机local exchange 本地移动用户身份local mobile station identity ( LMSI) 本地震荡器local oscillator
半导体术语
Abrupt junction 突变结Accelerated testing 加速实验Acceptor 受主 Acceptor atom 受主原子Accumulation 积累、堆积Accumulating contact 积累接触Accumulation region 积累区Accumulation layer 积累层 Active region 有源区 Active component 有源元 Active device 有源器件 Activation 激活 Activation energy 激活能 Active region 有源（放大）区Admittance 导纳 Allowed band 允带 Alloy-junction device 合金结器件Aluminum(Aluminium) 铝Aluminum –oxide 铝氧化物Aluminum passivation 铝钝化Ambipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度
Amorphous 无定形的，非晶体的 Amplifier 功放扩音器放大器 Analogue(Analog) comparator 模拟比较器Angstrom 埃Anneal 退火 Anisotropic 各向异性的 Anode 阳极 Arsenic (AS) 砷 Auger 俄歇 Auger process 俄歇过程 Avalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩击穿 Avalanche excitation雪崩激发 B Background carrier 本底载流子 Background doping 本底掺杂 Backward 反向 Backward bias 反向偏置 Ballasting resistor 整流电阻 Ball bond 球形键合 Band 能带 Band gap 能带间隙 Barrier 势垒
半导体专业术语英语讲解学习
半导体专业术语英语
1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing) 2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子 3. ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统 4. Acid：酸 5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大） 6. Align mark(key)：对位标记 7. Alloy：合金 8. Aluminum：铝 9. Ammonia：氨水 10. Ammonium fluoride：NH4F 11. Ammonium hydroxide：NH4OH 12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅） 13. Analog：模拟的 14. Angstrom：A（1E-10m）埃 15. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH） 16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率） 17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻） 18. Antimony(Sb)锑 19. Argon(Ar)氩 20. Arsenic(As)砷 21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷
22. Arsine(AsH3) 23. Asher：去胶机 24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比） 25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层） 26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前） 27. Baseline：标准流程 28. Benchmark：基准 29. Bipolar：双极 30. Boat：扩散用（石英）舟 31. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。 32. Character window：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。 33. Chemical-mechanical polish（CMP）：化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。 34. Chemical vapor deposition（CVD）：化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。 35. Chip：碎片或芯片。 36. CIM：computer-integrated manufacturing的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。
半导体用语
半导体用语
————————————————————————————————作者: ————————————————————————————————日期： ?
Silicｏniｎgot 硅锭 Wafer晶片 Mirror ｗａｆer 镜面晶圆 Pattｅｒ晶圆片 ＦAＢ：fabrication 制造 Fabricａtiｏn Facｉlｉty 制造wafer生产工厂 Pｒobe ｔｅsｔ探针测试 Probe ｃａrd探针板 Contact连接 ProbｅTｉp 探头端部 Ｃhｉｐ Funｃtion 功能 ＥPM:Elｅcｔrical Pａrametｅr Mｏｎitorinｇ Sｕmmａry总结 R&D:Rｅsearｃｈaｎd Developmｅｎｔ研究和开发MCP:Ｍulｔi Ｃhｉp Paｃkage 多芯片封装 POP:Pａcｋage on Pacｋａge e-MMC:ｅmｂedｄｅd Multi Medｉa cａｒd 嵌入式多媒体卡WＬP：Wafer Ｌevel Pａcｋage 晶圆级封装 ＳDP 一层 DDP 两层 QDP 四层
OＤＰ八层 Pad ouｔ BacｋGrｉｎd背研磨 WafeｒGｒinｄBack Ｇrind 磨片 Oｖerｖｉew 概述 TPM：Tｏｔal Prｏfit Ｍａnageｍent ＳＫTPM Operatiｏn 操作 Eｒase 消除 Ｋey Pａra.：Keｙｐaｒameter 关键参数 Cｙcｌing 写入次数、循环次数 Reｔenｔion 保留时间 Non-V olaｔｉｌe meｍｏry Ｖolａtile meｍｏry Reａｄ读 Wｒiｔe写 Reｆｒesh 更新 Spｅed速度、速率、转速 Resｔoｒe 修复、恢复 Electrｉｃal Signal 电信号 WＦBI:ＷafeｒBurn-In ＰT1H:Prｏbe Teｓｔ１HoｔＴｅｓt PＴ１C:Proｂe Ｔest 1 CｏlｄTｅst
半导体名词解释
1.何谓PIE PIE的主要工作是什幺？ 答：Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率（yield）稳定良好。 2.200mm，300mm Wafer 代表何意义？ 答：8寸硅片(wafer)直径为 200mm , 直径为 300mm硅片即12寸. 3.目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer工艺？ 答：当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer, 工艺水平已达工艺。未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。 4.我们为何需要300mm？ 答：wafer size 变大，单一wafer 上的芯片数(chip)变多，单位成本降低 200→300 面积增加倍,芯片数目约增加倍 5. 所谓的 um 的工艺能力(technology)代表的是什幺意义？ 答：是指工厂的工艺能力可以达到 um的栅极线宽。当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。 6.从>>>> 的technology改变又代表的是什幺意义？ 答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。从 -> -> -> -> 代表着每一个阶段工艺能力的提升。 7.一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型（type）,何谓 N, P-type wafer？ 答：N-type wafer 是指掺杂 negative元素(5价电荷元素，例如：P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指掺杂 positive 元素(3价电荷元素, 例如：B、In)的硅片。 8. 工厂中硅片（wafer）的制造过程可分哪几个工艺过程(module)？ 答：主要有四个部分：DIFF（扩散）、TF(薄膜)、PHOTO（光刻）、ETCH（刻蚀）。其中DIFF又包括FURNACE(炉管)、WET(湿刻)、IMP(离子注入)、RTP(快速热处理)。TF包括PVD(物理气相淀积)、CVD(化学气相淀积) 、CMP(化学机械研磨)。硅片的制造就是依据客户的要求，不断的在不同工艺过程（module）间重复进行的生产过程，最后再利用电性的测试，确保产品良好。 9.一般硅片的制造常以几P几M 及光罩层数(mask layer)来代表硅片工艺的时间长短，请问几P几M及光罩层数(mask layer)代表什幺意义？ 答：几P几M代表硅片的制造有几层的Poly(多晶硅)和几层的metal(金属导线).一般的逻辑产品为1P6M( 1层的Poly和6层的metal)。而
半导体专业用语
金属前介质层（PMD）金属间介质层（IMD）W塞（W PLUG） 钝化层（Passivation） acceptor 受主，如B，掺入Si中需要接受电子Acid：酸 actuator激励 ADI After develop inspection显影后检视 AEI After etching inspection蚀科后检查 AFM atomic force microscopy 原子力显微Alignment Alloy：合金 Aluminum Ammonia amplifier AMU Analog Angstrom： Anisotropic arc chamber ARC： Argon(Ar)氩 Arsenic(As) Arsine(AsH) ASHER Asher ASI ASIC Aspect ration ATE 自动检测设备 Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）Backside Etch 背面蚀刻 Backside 晶片背面 Baseline：标准流程 Beam-Current 电子束电流 Benchmark：基准 BGA ball grid array 高脚封装 Bipolar：双极 Boat：扩散用（石英）舟Cassette 装晶片的晶舟 CD：critical dimension 关键性尺寸，临界尺寸Chamber 反应室 Chart 图表 Child lot 子批 chiller 制冷机 Chip (die) 晶粒 Doping 掺杂 Dose 剂量 Downgrade 降级 DRC design rule check 设计规则检查 Dry Clean 干洗 Due date 交期 Dummy wafer 挡片 E/R etch rate 蚀刻速率 EE 设备工程师 ELS extended life source 高寿命离子源enclosure 外壳
半导体专业英语词汇
半导体专业词汇 1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing) 2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子 3. ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统 4. Acid：酸 5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大） 6. Align mark(key)：对位标记 7. Alloy：合金 8. Aluminum：铝 9. Ammonia：氨水 10. Ammonium fluoride：NH4F 11. Ammonium hydroxide：NH4OH 12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅） 13. Analog：模拟的 14. Angstrom：A（1E-10m）埃 15. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH） 16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率） 17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻） 18. Antimony(Sb)锑 19. Argon(Ar)氩 20. Arsenic(As)砷
21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷 22. Arsine(AsH3) 23. Asher：去胶机 24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比） 25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层） 26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前） 27. Baseline：标准流程 28. Benchmark：基准 29. Bipolar：双极 30. Boat：扩散用（石英）舟 31. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。 32. Character window：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。 33. Chemical-mechanical polish（CMP）：化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。 34. Chemical vapor deposition（CVD）：化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。 35. Chip：碎片或芯片。 36. CIM：computer-integrated manufacturing的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。 37. Circuit design ：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技
半导体常用英语词汇
MFG 常用英文单字Semiconductor半导体 导体、绝缘体和半导体主要依据导电系数的大小，决定了电子的移动速度。 导体：金、银、铜、铁、人、水……导电系数大，传导绝缘体：塑料、木头、皮革、纸……导电系数小、传导不半导体：硅中加锗、砷、镓、磷……平时不导电加特定电压后导电 Wafer 芯片或晶圆：原意为法国的松饼，饼干上有格子状的饰 纹，与FAB内生产的芯片图形类 Lot 批；一批芯片中最多可以有25片，最少可以只有一片。 ID Identification的缩写。用以辨识各个独立的个体，就像公司内每一个人有自己的识别证。 Wafer ID 每一片芯片有自己的芯片刻号，叫Wafer ID。 Lot ID 每一批芯片有自己的批号，叫Lot ID。 Part ID 各个独立的批号可以共享一个型号，叫Part ID。 WIP Work In Process，在制品。从芯片投入到芯片产品，FAB内各站积存了相当数量的芯片，统称为FAB内的WIP 。 一整个制程又可细分为数百个Stage和Step，每一个Stage所堆积的芯
片，称为Stage WIP。 Lot Priority 每一批产品在加工的过程中在WIP中被选择进机台的优先级。 Super Hot Run的优先级为1，视为等级最高，必要时，当Lo上一站加工时，本站便要空着机台等待Super Hot RuHot Run的优先级为2，紧急程度比Super Hot Run次一级。 Normal的优先级为3，视为正常的等级，按正常的派货原则视常班向生 产指令而 Cycle time 生产周期，FAB Cycle Time 定义为：从芯片投入到芯片产生的这一段时间。Stage Cycle Time：Lot从进站等候开始到当站加工后出 货时间点截 Spec. 规格Specification的缩写。产品在机台加工过程中，每一站均设定规格。 机台加工后，产品或控片经由量测机台量测，该产品加工后，是否在规格内。若超出规格﹝Out of SPEC﹞，必须通知组长将产品Hold，并同时通知制程工程师前来处理，必要时机台要停工，重新monitor，确定量测规格， 藉以提升制程能 SPC Statistics Process Control统计制程管制；透过统计的手法，搜集分析资料， 然后调整机台参数设备改善机台状况或请让机台再处理每一批产品时，都能接近规定的规格，藉以提升制程能
电气的专业术语 英文
电气的专业术语英文（一） 11. interfere with 有害于。。。 12. indicating needle仪表指针 13. hazardous 危险的 14. pivot 支点 15. terminal 端子 16. spiral 螺旋形的 17. spring 弹簧 18. shunt 分流，分路，并联，旁路 19. rectifier 整流器 20. electrodynamometer 电测力计 21. strive for 争取 22. vane 机器的叶，叶片 23. strip 条，带，(跨接)片 24. crude 不精细的，粗略的 25. polarity 极性 26. fuse 保险丝，熔丝 27. rugged 坚固的 28. depict 描绘，描写 29. cartridge 盒式保险丝 30. blow (保险丝)烧断
31. plug fuse 插头式保险丝 32. malfunction 故障 33. deenergize 不给… 通电 34. insulation 绝缘 35. generator 发电机 36. magneto 磁发电机 37. humidity 湿度 38. moisture 潮湿湿气 39. abbreviate 缩写，缩写为 40. transformer 变压器 41. thumb 检查，查阅 42. milliammeter 毫安表 43. multimeter 万用表 44. dynamometer 测力计，功率计 45. aluminum 铝 46. deteriorate 使….恶化 47. eddy current 涡流 48. gear 齿轮，传动装置 49. dial 刻度盘 50. semiconductor 半导体 51. squirrel 鼠笼式
半导体英文词汇
1 Active Area 主动区（工作区）主动晶体管（ACTIVE TRANSISTOR）被制造的区域即所谓的主动区（ACTIVE AREA）。在标准之MOS制造过程中ACTIVE AREA是由一层氮化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤，所以ACTIVE AREA会受到鸟嘴（BIRD’S BEAK）之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来的小，以长0.6UM之场区氧化而言，大概会有0.5UM之BIRD’S BEAK存在，也就是说ACTIVE AREA比原在之氮化硅光罩所定义的区域小0.5UM。 2 ACTONE 丙酮 1. 丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3。2. 性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体。3. 在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。4. 对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤黏膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉黏膜，甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。5. 允许浓度1000PPM。 3 ADI 显影后检查1.定义：After Developing Inspection 之缩写2.目的：检查黄光室制程；光阻覆盖→对准→曝光→显影。发现缺点后，如覆盖不良、显影不良…等即予修改，以维护产品良率、品质。3.方法：利用目检、显微镜为之。 4 AEI 蚀刻后检查 1. 定义：AEI即After Etching Inspection，在蚀刻制程光阻去除前及光阻去除后，分别对产品实施全检或抽样检查。2.目的：2-1提高产品良率，避免不良品外流。2-2达到品质的一致性和制程之重复性。2-3显示制程能力之指针2-4阻止异常扩大，节省成本3.通常AEI检查出来之不良品，非必要时很少作修改，因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加，生产成本增高，以及良率降低之缺点。 5 AIR SHOWER 空气洗尘室进入洁净室之前，需穿无尘衣，因在外面更衣室之故，无尘衣上沾着尘埃，故进洁净室之前，需经空气喷洗机将尘埃吹掉。 6 ALIGNMENT 对准 1. 定义：利用芯片上的对准键，一般用十字键和光罩上的对准键合对为之。2. 目的：在IC的制造过程中，必须经过6~10次左右的对准、曝光来定义电路图案，对准就是要将层层图案精确地定义显像在芯片上面。3. 方法：A.人眼对准B.用光、电组合代替人眼，即机械式对准。 7 ALLOY/SINTER 熔合 Alloy之目的在使铝与硅基(Silicon Substrate)之接触有Ohmic特性，即电压与电流成线性关系。Alloy也可降低接触的阻值。 8 AL/SI 铝/硅靶此为金属溅镀时所使用的一种金属合金材料利用
半导体物理--专业术语英汉对照-复习版
1 acceptor 受主 2 allowed energy band允带 3 binary semiconductor 二元半导体 4 charge neutrality condition 电中性条件 5 compensated semiconductor 补偿半导体 6 conduction band and valence band 导带和价带 7 effective mass 有效质量 8 density of states function状态密度函数 9 diamond structure金刚石结构 10 diffusion coefficient扩散系数 11 donor施主 12 drift velocity 漂移速度 13 electron and hole电子和空穴 14 elemental semiconductor 元素半导体 15 equilibrium carrier concentration热平衡载流子浓度 16 expitaxy外延 17 extrinsic semiconductor非本征半导体 18 Fermi energy (or level)费米能级 19 Forbidden energy band禁带 20 indirect bandbap semiconductor非直接带隙半导体 21 intrinsic semiconductor本征半导体 22 majority carrier多数载流子 23 MBE分子束外延 24 Miller indices密勒指数 25 minority carrier少数载流子 26 mobility迁移率 27 MOCVD金属有机气相沉积 28 nondegenerate semiconductor非简并半导体 29 n-type material n型材料 30 Pauli exclusion principle 泡利不相容原理 31 phonon声子 32 photon光子 33 primitive cell原胞 34 quantum state量子态 35 quaternary semiconductor四元半导体 36 scattering散射 37 substrate衬底 38 thermal motion热运动 39 unit cell单胞 40 wave-particle duality波粒二相性 41 continuity equations连续性方程 42 diffusion length扩散长度 43 diffusion coefficient扩散系数 44 Einstein relationship爱因斯坦关系 45 p-n junction p-n结 46 built-in voltage 内建电势差 47 carrier lifetime 载流子寿命 48 space charge region 空间电荷区 49 depletion width 耗尽宽度 50 saturation drift velocity 饱和迁移速度
半导体材料英文缩略语
[材料科学] 半导体材料英文缩略语 材料科学2008-03-24 16:18:46 阅读37 评论0 字号：大中小订阅 援引：MEMC Electronic Materials, Inc. A . -- Angstrom A-defects -- Dislocation loops in Silicon formed by agglomeration of interstitials AA -- Atomic absorption AE -- Acid Etch AFM -- Atomic Force Microscopy ALCVD -- Atomic Layer Chemical Vapor Deposition AMC -- Barrel or batch type Epi reactor (Applied Materials) APCVD -- Atmospheric-Pressure Chemical Vapor Deposition Furnace ASIC -- Application Specific Integrated Circuit ASM -- a single-chamber Epi reactor (ASM America) ASTM -- American Standard Test Method ASTM -- American Society for Testing and Materials B BESOI -- Bonded and Etch Back SOI BGSOI -- Bonded and Grind Back SOI BJT -- Bipolar Junction Transistor BMD -- Bulk Micro-Defects or Bulk Microdefect Density (used almost exclusively as a measure of the oxygen precipitate density) BOE -- Buffered Oxide Etch BOX -- Buried Oxide Layer