硅片检验规程
可控硅类检验指导书
发电压方可导通。单向可控硅导通及截止状态相当于开关闭合及断开状态，用它可制成无触点
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内容
参考文件
开关。
供应商器件确认书、检验规范
双向可控硅第一阳极a1及第二阳极a2间，无论所加电压极性是正向还是反向，仅仅要
需正向触发电压时，方可被触发导通。此时a，k间呈低阻导通状态，阳极a及阴极k间压降约
1v。单向可控硅导通后，控制器g即使失去触发电压，仅仅要阳极a与阴极k的间仍保持正向电
压，单向可控硅继续处于低阻导通状态。仅仅有把阳极a电压拆除或阳极a，阴极k间电压极性
修订记录
发生改变交流过零时，单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。单向可控硅一旦截
1、物料送检时要及时检验。
g极间再次瞬间短接，给g极加上负触发电压，a1，a2间阻值也是10欧姆左右。随后断开a2，
g极间短接线，万用表读数应不变，保持在10欧姆左右。适合对上规律，说明被测双向可控硅
未损坏且三个引脚极性判断正确。
检验较大功率可控硅时，需在万用表黑笔中串接一节1.5v干电池，对提升触发电压。
为数十欧姆一对引脚，此时黑表笔引脚为控制极g，红表笔引脚为阴极k，另一空脚为阳极a。
此时将黑表笔接已判断了阳极a，红表笔仍接阴极k。此时万用表指针应不动。用短线瞬间短接
阳极a与控制极g，此时万用表电阻挡指标应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳极a接
黑表笔，阴极k接红表笔时，万用表指标发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。
检验指导书
机型
适用于通用产品
工序时间
无
工序名称
可控硅类检验
碳化硅半导体籽晶片外观检验方法
碳化硅半导体籽晶片外观检验方法
碳化硅半导体籽晶片的外观检验方法包括以下步骤：
1. 外观检测：通过目视或使用放大镜对碳化硅半导体籽晶片进行外观检查，观察其表面是否存在裂纹、破损、划痕、气泡等缺陷。
同时，应检查籽晶片的形状是否符合要求。
2. 表面检测：利用光学显微镜、扫描电子显微镜(SEM)等仪器对碳化硅半导体籽晶片的表面进行检测，评估其表面的平整度、颗粒数量、颗粒大小等因素。
3. 清洗检验：将碳化硅半导体籽晶片进行清洗，去除表面的污垢和杂质，然后进行外观和表面检测，以确保其清洁度和质量。
4. 尺寸和厚度检测：使用测量工具对碳化硅半导体籽晶片的尺寸和厚度进行测量，确保其符合规格要求。
5. 翘曲度检测：通过观察或使用翘曲度测量仪对碳化硅半导体籽晶片的翘曲度进行检测，以确保其翘曲度在允许的范围内。
6. 晶向检测：使用X射线衍射仪等设备对碳化硅半导体籽晶片的晶向进行检测，确保其晶向符合要求。
7. 杂质检测：通过化学分析或光谱分析等方法对碳化硅半导体籽晶片中的杂质进行检测，确保其杂质含量在控制范围内。
以上是碳化硅半导体籽晶片外观检验方法的主要步骤，通过这些步骤可以全面评估碳化硅半导体籽晶片的质量和性能，从而确保其在后续的制造过程中能够正常工作。
硅片pl指数测量方法
硅片pl指数测量方法摘要：一、硅片PL指数测量方法简介二、实验仪器与步骤1.实验设备2.样品准备3.测量过程三、测量结果分析与讨论1.数据分析2.影响因素3.结果验证四、应用与展望正文：一、硅片PL指数测量方法简介硅片PL（光致发光）指数测量方法是一种评估硅材料品质的重要手段。
通过测量硅片在光激发下的发光强度，可以了解硅片的缺陷、晶格振动等特性。
本文将介绍一种硅片PL指数的测量方法，并对实验过程及结果进行分析。
二、实验仪器与步骤1.实验设备本实验所使用的设备包括：半导体激光器、光纤光谱仪、硅片样品、光学显微镜、切割机、抛光机等。
2.样品准备首先，选用高质量的硅片作为实验样品。
将硅片进行切割、抛光处理，使其表面光滑、无明显划痕。
然后，在硅片表面涂抹一层薄薄的荧光剂，以增强PL效应。
3.测量过程将处理好的硅片放置在半导体激光器下方，调整激光器的功率和照射角度，使其均匀照射硅片。
激光激发后的发光信号通过光纤光谱仪收集，并记录光谱数据。
通过测量不同波长的发光强度，可以得到硅片的PL指数。
三、测量结果分析与讨论1.数据分析实验得到的硅片PL光谱中，可以观察到明显的发光峰。
通过对发光峰的位置、形状和强度进行分析，可以得到PL指数。
本文将对实验结果进行详细分析。
2.影响因素在硅片PL指数测量过程中，可能受到以下因素的影响：硅片表面质量、荧光剂涂抹厚度、激光照射条件等。
通过优化实验条件，可以提高测量结果的准确性。
3.结果验证为验证测量结果的可靠性，可以进行多次实验，并对实验数据进行统计分析。
此外，还可以将测量结果与其它方法（如喇曼光谱、荧光寿命等）进行对比，以评估PL指数测量方法的准确性。
四、应用与展望硅片PL指数测量方法在半导体材料、光伏产业等领域具有广泛的应用前景。
通过掌握PL指数的变化规律，可以指导硅片的生产工艺优化，提高硅片的品质。
此外，该方法还可以为其他材料的PL指数测量提供参考。
总之，硅片PL指数测量方法是一种有效、实用的评估硅材料品质的方法。
硅片等级标准
宏质200902---硅片等级.分类及标准一．优等品（表面光滑洁净。
无应力;无线痕，无缺限.）1.几何尺寸(1)厚度：200 ±20µm;(2)边长：125±0.5mm.对角线150±0.5mm;(3)同心度：任意两个弧的弦长之差≤1mm;(4)垂直度:任意两边的夹角≤90°±0.5°;(5)TT V（厚度差）≤20µm;(6)TV≤30µm;2.少子寿命≥10µs(Semilab WT---1000,表面酸洗碘酒钝化后)，电阻率：0.5—3ΩCm,3—6ΩCm.其它未明事宜参照行业标准。
二．合格品(微线痕，表面光滑洁净)1.几何尺寸（1）厚度：200 ±20µm;（2）边长：125±0.5mm.对角线150±0.5mm;(3)同心度：任意两个弧的弦长之差≤1mm;(4)垂直度:任意两边的夹角≤90°±0.5°;(5)TT V（厚度差）≤20µm;（6）线痕≤20µm（7）崩边范围：崩边口不是“V”形状，长≤1mm, 深≤0.5mm，硅片的边缘有少许的硅落个数≤2个/片；（8）弯曲度(翘曲度)≤40µm2.少子寿命≥10µs(Semilab WT---1000,表面酸洗碘酒钝化后)，电阻率：0.5—3ΩCm,3—6ΩCm.其它未明事宜参照行业标准。
三．等外品(线痕，TTV不超过50µm)1.几何尺寸（1）厚度：200±20µm;（2）边长：125±0.5mm.对角线150±0.5mm;(3)同心度：任意两个弧的弦长之差≤1.5mm;(4)垂直度: 任意两边的夹角≤90°±0.8°;（5）TT V（厚度差）≤50µm;（6）线痕≤40µm(TIR)（7）弯曲度(翘曲度)≤800µm;2.少子寿命≥10µs(Semilab WT---1000,表面酸洗碘酒钝化后)，电阻率：0.5—3ΩCm,3—6ΩCm.其它未明事宜参照行业标准。
半导体检验与测试管理流程
半导体检验与测试管理流程半导体检验与测试管理流程主要包括以下几个步骤：一、规划与设计在产品开发的初始阶段，就需要对检验与测试流程进行规划和设计。
这包括明确产品的规格和性能要求，确定需要检测的关键参数和指标。
同时，要根据产品的特点和生产工艺，选择合适的检验与测试方法和设备。
例如，对于芯片的电学性能测试，可能需要用到高精度的测试仪器，如半导体参数分析仪；对于芯片的外观检测，则可能需要使用高分辨率的光学显微镜。
二、原材料检验半导体的生产离不开各种原材料，如硅晶圆、光刻胶、化学试剂等。
在原材料入库前，必须进行严格的检验，以确保其质量符合生产要求。
这包括对原材料的纯度、杂质含量、物理特性等方面进行检测。
对于不合格的原材料，要及时退货或进行处理，防止其进入生产环节，影响最终产品的质量。
三、生产过程中的检验与测试在半导体的生产过程中，需要进行多次的检验与测试，以监控生产工艺的稳定性和产品的质量。
例如，在光刻工艺中，需要对光刻图形的精度和对准度进行检测；在蚀刻工艺中，需要对蚀刻的深度和均匀性进行测量。
这些中间环节的检验与测试结果，可以及时发现生产中的问题，便于采取措施进行调整和改进，从而保证产品的一致性和可靠性。
四、成品检验当半导体产品完成生产后，要进行全面的成品检验。
这包括对产品的功能性能、电学参数、可靠性等方面进行测试。
功能性能测试主要是验证芯片是否能够按照设计要求正常工作，如逻辑运算、存储功能等；电学参数测试则包括对电阻、电容、电压、电流等参数的测量；可靠性测试则是评估产品在不同环境条件下的稳定性和使用寿命，如高温、低温、湿度、振动等。
五、数据分析与处理在检验与测试过程中，会产生大量的数据。
对这些数据进行有效的分析和处理，可以帮助我们了解产品的质量状况，发现潜在的问题，并为生产工艺的优化提供依据。
数据分析可以采用统计分析方法，如均值、标准差、控制图等，以评估数据的分布和趋势。
对于异常数据，要进行深入的分析和追溯，找出问题的根源。
国家标准《硅片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质
国家标准《硅片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法》（审定稿）编制说明一、工作简况1、立项目的和意义集成电路和光伏产业是信息技术产业的核心，是国家重要的基础性、先导性和战略性产业，是推动国民经济和信息化发展最主要的高新技术。
近10年来，我国的集成电路和光伏产业发展迅猛，核心工艺技术水平和世界先进水平的差距不断缩小。
硅片是信息技术产业中半导体制造业的基础材料，硅片在制作使用过程中的金属杂质控制与检测是关乎产品性能的重要手段与指标。
在制造工艺生产过程中硅片表面极其少量金属污染的存在都有可能导致器件功能失效或可靠性变差，有统计表明，在电力电子元器件和光伏产品制造业中50%产品良率的降低都是由于污染造成的，因此在制造生产过程中对硅片表面杂质污染的控制极为重要，检测规范非常严格。
随着ICP-MS（电感耦合等离子体质谱分析法）技术的不断革新，以及其杰出的超痕量级检测性能和多元素同时快速分析能力，现已成为硅片表面污染测试监控中必不可少的手段。
硅片表面污染测试既是硅片制造过程中必不可少的监控手段，也是提升后道器件性能的重要方法与依据。
电感耦合等离子体质谱分析法通过不断革新，已具备出的超痕量级检测性能和多元素同时快速分析能力，已被成熟使用多年，亟需制定相关产品标准。
本标准的制定填补了国内半导体材料测试技术领域的标准空白，满足我国当前的半导体硅材料的现状，有利于规范和统一国内硅片表面金属杂质测试操作流程，有助于提升国内半导体硅材料的产品质量，提高国内半导体硅材料在国内和国际市场的竞争力和影响力，促进我国半导体行业与国际标准接轨。
2、任务来源根据《国家标准委关于下达2017年第四批国家标准制修订计划的通知》(国标委综合[2017]128号)的要求，半材标委[2018]1号转发2018年第一批半导体材料国家标准制(修)订项目计划，通知由南京国盛电子有限公司负责牵头编制，北京有研股份有限公司等公司参与，计划号：20141871-T-469，计划于2019年完成3、项目承担单位概况南京国盛电子有限公司，是中国电子科技集团公司第五十五研究所全资子公司,专业从事半导体硅外延材料以及第三代半导体外延材料的研发与生产近30年。
太阳能电池片的生产工艺流程分为硅片检测
太阳能电池片的生产工艺流程分为硅片检测——表面制绒——扩散制结——去磷硅玻璃——等离子刻蚀——镀减反射膜——丝网印刷——快速烧结等。
具体介绍如下：一、硅片检测硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低，因此需要对来料硅片进行检测。
该工序主要用来对硅片的一些技术参数进行在线测量，这些参数主要包括硅片表面不平整度、少子寿命、电阻率、P/N型和微裂纹等。
该组设备分自动上下料、硅片传输、系统整合部分和四个检测模块。
其中，光伏硅片检测仪对硅片表面不平整度进行检测,同时检测硅片的尺寸和对角线等外观参数；微裂纹检测模块用来检测硅片的内部微裂纹；另外还有两个检测模组，其中一个在线测试模组主要测试硅片体电阻率和硅片类型，另一个模块用于检测硅片的少子寿命。
在进行少子寿命和电阻率检测之前，需要先对硅片的对角线、微裂纹进行检测，并自动剔除破损硅片。
硅片检测设备能够自动装片和卸片，并且能够将不合格品放到固定位置，从而提高检测精度和效率。
二、表面制绒单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀，在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。
由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了电池的短路电流和转换效率。
硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液，可用的碱有氢氧化钠，氢氧化钾、氢氧化锂和乙二胺等。
大多使用廉价的浓度约为1%的氢氧化钠稀溶液来制备绒面硅，腐蚀温度为70-85℃。
为了获得均匀的绒面，还应在溶液中酌量添加醇类如乙醇和异丙醇等作为络合剂，以加快硅的腐蚀。
制备绒面前，硅片须先进行初步表面腐蚀，用碱性或酸性腐蚀液蚀去约20～25μm，在腐蚀绒面后，进行一般的化学清洗。
经过表面准备的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，应尽快扩散制结。
三、扩散制结太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换，而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的专用设备。
管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。
半导体质量控制和检验管理制度
半导体质量控制和检验管理制度在半导体产业中，质量控制和检验管理制度是确保产品质量的重要环节。
本文将介绍半导体质量控制和检验管理制度的内容和要点，以确保半导体产品的稳定性和可靠性。
一、质量控制制度质量控制制度是半导体制造过程中的关键环节。
它包括以下几个方面：1. 质量目标设定制定半导体产品的质量目标是质量控制的首要步骤。
根据市场需求和技术能力，制定符合国际标准的质量目标，确保产品质量的稳定性和可靠性。
2. 质量管理体系建立一套完善的质量管理体系，包括质量管理流程、组织架构、职责分工等。
通过有效的管理体系，实现对产品质量各个环节的全面控制和监控。
3. 质量控制方法制定适合半导体生产的质量控制方法，包括工艺参数控制、材料筛选、设备维护等。
通过有效的控制方法，提高产品的一致性和可靠性。
4. 质量检验流程建立完善的质量检验流程，包括原材料检验、工艺过程检验、成品检验等。
通过对每个环节的检验，确保产品符合规定标准。
二、检验管理制度检验管理制度是确保产品质量符合标准的关键环节。
它包括以下几个方面：1. 检验标准设定制定半导体产品的检验标准是检验管理的首要步骤。
根据质量目标和国际标准，确定适用于产品的检验标准，确保产品质量的一致性。
2. 检验设备和工具的管理建立完善的检验设备和工具的管理制度，包括设备定期校准、工具的正确使用和维护等。
通过有效的管理，确保检验结果的准确性和可靠性。
3. 检验方法和程序制定适用于半导体产品的检验方法和程序，包括外观检查、尺寸测量、电性能测试等。
通过严格的检验方法和程序，确保产品质量的可控性。
4. 检验记录和数据分析建立完整的检验记录和数据分析制度，对每次检验结果进行记录和分析。
通过对数据的分析，及时发现问题，并采取相应措施进行改进。
三、质量控制与检验管理的衔接质量控制和检验管理是相辅相成的，二者紧密衔接，共同确保半导体产品的质量。
衔接的关键在于以下几个方面：1. 数据共享和沟通质量控制和检验管理部门之间需要及时共享数据和信息，建立良好的沟通机制。
第17章 硅片测试
具有失效的硅片分类图
1 器件: 批: 硅片: 层: Bins 成品率: 好: 总计: 样品 样品 200 mm Hardware 79.54% 70 88 好 坏 10 2 1 1 1 1 1 1 10 10 3 7 7
1
1 3 10
12 12
1 6 7 1 1 1
1
6 1 5
1 1
1 1 1 1 1 1
Node 11
Node 3
Node 10 Node 8
Node 4
二．硅片拣选测试要点
1．总测试时间：为了提高测试的质量和吞 吐量，在芯片设计早期就考虑芯片的易测性并使用 可测性设计（ DFT ）策略。DFT的一个例子是扫描 测试，在集成电路里设计特殊电路，可以绕过正常 数据通道直接加上特定测试图形，以缩短测试时间。
在线参数测试
硅片拣选测试
硅片制造中电学测试的位置
CMOS前端工艺 • 阱的形成 • 浅槽隔离 • 多晶硅栅形式 • 源漏注入 • 接触形式 • 局部互连 • 第一层层间介质 • 第一层金属淀积和刻蚀
CMOS后端工艺 • 层间介质淀积和CMP • 通孔形成 • 钨塞填充和CMP • 金属淀积和刻蚀 • 根据金属层重复上面步骤 • 压点金属淀积和刻蚀 • 钝化层成膜和刻蚀
第十七章 硅 片 测 试
电学测试在芯片工艺的不同阶段进 行。这些测试在早期设计阶段开始，在 硅片制造的重要步骤继续，以最后封装 的IC产品测试结束。下表给出了主要芯 片测试的概要。
IC产品的不同电学测试(从设计阶段到封装的IC)
测试
1. IC 设计验证
IC 制造的阶段
生产前
硅片级或芯片 级
硅片级
参数测试的一个重要方面是观察数据倾 向。不可接受的数据倾向有：
检测室硅块检测流程
Ipcq检测室硅块检测流程：硅块转入—外观检验—垂直度检验—边宽/长度检验—导电类型检验—电阻率检验—红外探伤检验—少子寿命检验—硅块判定—硅块转出硅块检验操作指导步骤1. 外观检验1.1 确认所送硅块的箭头标示是否清楚，每个硅块的随工单信息填写是否完整，且与硅块表面标示信息（硅锭号与硅块号）是否一致，以及确认边角料的数量。
1.2与制造部送检人员共同确定每个硅块的外观质量状况，如有崩边、崩块等外观问题，使用游标卡尺测量缺陷的长度（沿硅锭的长晶方向测量），并把这些信息准确填写在品质记录表上和对应的硅块随工单上。
2. 垂直度检测2.1 抽样方法：小硅块（16块）测A1,C6,C11,A16;大硅块测A1,C7,C13,C19.A25, 进行检测硅块垂直度。
2.2 使用万能角度尺测量硅块四个侧面的垂直度，即相邻两侧面间的垂直度，每个抽样硅块测量任意三个角的垂直度，每个角从硅块头部到尾部至少均为测量三次，并将检测数据记录于《硅块检测记录表》中。
2.3 将万能角度尺两臂紧贴硅块相邻两侧面，若臂于硅块表面接触存在空隙，判定硅块为“S”型硅块。
3边宽/长度检验3.1 使用游标卡尺（精确度=>0.02mm）测量抽样硅块的边宽尺寸，每个硅块测相邻两边宽，用游标卡尺的量爪在硅块的两侧面进行测量使硅块的各部位边宽尺寸都测量到。
3.2 如发现有某一硅块边宽尺寸超出标准，必须加抽该硅块所在多晶硅锭位置的垂直两条线的其他硅块的边宽尺寸。
3.3 使用直尺（精确度=>1mm）测量所有硅块的长度；选择硅块尾部至头部中的一棱边，使用直尺测量此棱边的长度，测量完后在所测量的棱边上做记号，并检验数据记录于《硅块检测记录表》中。
4. 导电类型检验4.1 使用半导体导电类型检测仪全检硅块各侧面的导电类型，即硅块的P/N类型。
4.2测量时硅块任选一侧面为测量面，依据测量的长度选取测试点，选取测试点的方式根据《多晶硅锭电阻率抽样记录表》中长度的百分比进行选定。
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1 目的
为了加强成品质量控制，规范成品检验方法及步骤，特制定此规程。
2 范围
本文件规定了对成品进行检验的标准等。
本文件适用于硅片公司品管部硅片分选包装检验员。
3 设备、工模具、材料
Manz硅片分选设备、PVC手套、标签打印机、工作台、包装盒、包装箱、封口胶带等。
4 内容
4.1 检验方式
4.1.1 外观
全检，即对全部生产的硅片外观逐件用肉眼进行检测，从而判断每一件产品是否合格。
4.1.2 电学及其他性能
抽检（加严时须全检），每个硅块抽取200片用Manz硅片分选设备对其导电类型、电阻率、厚度、TTV、少子寿
命等进行检验。
4.2 检验步骤
a) 每个硅块抽取200片用Manz硅片分选设备对其导电类型、电阻率、少子寿命等进行检验；
b) 在抽检的200片当中如果有30及30片以上的硅片（导电类型、电阻率、厚度、TTV、少子寿命等不符合要求
硅片数的总计）不满足4.3中相关要求，则对该硅块所有的硅片用Manz硅片分选设备进行检验，之后再对所
有硅片进行外观上的检验；
c) 在抽检的200片当中如果只有30片以下的硅片（导电类型、电阻率、厚度、TTV、少子寿命等不符合要求硅片
数的总计）不满足4.3中相关要求，则将这些硅片判定为导电类型不符、电阻率不符等，该硅块其他硅片不再
进行导电类型、电阻率、厚度、TTV、少子寿命等的检验，连同抽检的200片硅片中剩下的硅片进行外观上的
全检；
例如：如某一硅块理论切片数为535片，抽检了200片，当中有29片不满足4.3中相关要求。则将29片判
定为导电类型不符、电阻率不符等，剩下的171（200-29）片连同前面的335片（535-200）进行外观上的全
检；
编制： 校对： 审核： 标准化： 批准：
发送部门
份 数
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d) 依据4.3中相关要求对硅片进行分类。
4.3 技术要求
按照硅片质量不同将产品分为A、B两个等级。A级为合格品，B级为可让步使用的产品。其中A级分为A1、A2两类，
B级分为B1、B2两类，具体分类、检测方法见表1。
表1太阳能多晶硅片质量等级分类方法
序号 检验项目 要求 检验方法 检验方式 A级片 B级片
A1 A2 B1 B2
1 导电类型 P P
用硅片分选设
备检测
全检或抽检
2 隐裂、针孔 无隐裂、无针孔 无隐裂、无针孔
3 崩边 长度≤1mm， 深度≤0.5mm 每片崩边总数≤2处 长度≤1mm， 深度≤0.5mm， 每片崩边总数≤2处 肉眼检测 全检
4 TTV ≤30μm ≤30μm
用硅片分选设
备检测
全检或抽检
5 厚度 200±20μm 200±20μm
6 尺寸 156±0.5mm 156±0.5mm
7 倒角 1±0.5mm，45°±10° 1±0.5mm，45°±10°
8 线痕 深度≤8μm且不明显 深度≤15μm且不明显 15μm＜深度≤30μm 深度≤15μm且不明显 目测或用表面粗糙度仪检测 全检
9 电阻率 0.5-3Ω²cm；3-6Ω²cm 0.5-3Ω²cm；3-6Ω²cm 用硅片分选设备检测 全检或抽检
10 少子寿命 ≥2μs ≥2μs 用少子寿命测试仪检测 全检
11 表面质量 硅片表面无凹坑，无氧化，无沾污，无穿孔，无裂纹，无划伤 硅片表面无凹坑，无氧化，无沾污，无穿孔，无裂纹，无划伤 硅片表面有沾污但硅片颜色不发黑；沾污不得有3处，每处沾污面积≤1mm2 肉眼检测 全检
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续表1
12 弯曲度 ≤80μm ≤80μm 用塞尺检测 抽检
13 氧碳含量 氧含量≤8³1017atoms/cm3 碳含量≤6.0³1017atoms/cm3 氧含量≤8³1017atoms/cm3 碳含量≤6.0³1017atoms/cm3 用碳氧含量测试仪检测 抽检
注：检测第8项“线痕”和第11项“表面质量”时须用标准样片进行比对
说明：1) A级硅片为优等品，B级硅片为不合格硅片；
2) B级硅片按公司《不合格品控制程序》进行处理；
3）凡涉及到“不明显”、“目测”字样的条款，其检验的光照条件依据GB50034-92工业企业照明设计标准中第3.2.1条一般精细
作业中的要求，即识别对象最小尺寸0.6
4）凡涉及到“不明显”、“目测”字样的条款，检验时可以标片的方式辅助加以判定是否合乎要求。
4.4 标志、包装
4.4.1 标志
在包装盒至少印有如下产品标志：
a) 企业名称；
b) 产品型号或标记；
c) 制造日期；
d) 质量认证书；
e) 硅锭编号；
f) 氧、碳含量；
g) 少子寿命；
h) 电阻率。
4.4.2 内包装
硅片采用EPS包装盒密封包装。包装盒上的标签要求粘贴整齐美观、向上并朝同一方向。封口时，封口胶要求美观
平整。
4.4.3 外包装
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外包装箱应标有“小心轻放”及“防腐、防潮”字样，箱内有产品清单。外包装箱上贴有标签，标签内容包括产
品名称、型号、数量、日期以及包装编号等。外包装箱上的标签要求粘贴整齐美观、向上并朝同一方向。封口时，封
口胶成十字形，并要求美观平整。
5 记录
《硅片生产流程卡》
《硅片检测分选记录表》
《出货检验报告单》
《成品检验报告单》
《入库记录表》
天威新能源(成都)硅片有限公司
文件编号 TNG.J JY.015-2009
版 次 B
硅片检验规程 生效日期 2009年06月02日
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6 更改记录
版次 条款 更改内容说明 更改日期 更改人
B 太阳电池多晶硅片质量等级分类办法更改 2009.06.02 班文俊