模拟电路第三版课后习题答案详解,DOC
相关主题
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
100B i A
μ=80A
μ60A
μ40A μ20A μ0A
μ0.9933.22
安全工作区
F
D 、E
A
B
C
图P1-14(g)
DS =15V ，u GS =4V 时的跨导g m u DS =15V
由图可得，开启电压U GS(th)=2V ，I DO =2.5mA ，
4 1.2
2.84.5
3.5
D m GS i g mS u ∆-=
==∆-
海量资源，欢迎共阅
(a)绝缘栅型N沟道增强型；(b)结型P沟道耗尽型；
(c)绝缘栅型N沟道耗尽型；(d)绝缘栅型P沟道增强型。
习题1-19已知一个P型沟道耗尽型MOS场效应管的饱和漏
极电流I
DSS = -2.5mA，夹断电压U GS(off)=4V，请示意画出其转
移特性曲线。
习题1-18图习题1-19图