第二章1 能带论
第二章 硅

• N型半导体:五族元素为掺杂剂 电子为多数载流子 • P型半导体:三族元素(硼)为掺杂剂,硅原 子和硼原子之间形成共价键。受主原子中由于 缺乏第四个电子,因而产生了一个空穴,这时 的硅称为P型半导体。 价带空穴多于导带电子 空穴为多数载流子 如果在N(P)型硅中施加一直流电压,电子或空 穴会聚成电流形式流过该材料。杂质原子在硅 中的固溶度决定了电流的流动能力,加入杂质 越多,电阻率下降,导电性能增加。
• 杂质补偿:同一块半导体同时存在施主和受主 两种杂质,这时导电类型由杂质浓度高的那种 元素决定。而电流(导电能力)的大小由杂质 浓度差决定。这是因为电子首先填满受主空穴, 余下的才被激发到导电参加导电。这种不同类 型杂质对导电能力相会抵消的现象称为杂质补
偿。
• 硅中的常用其它杂质: 金 快扩散杂质,双重能级,复合中心 可以减小载流子受命提高电路速度。 氧 1016/cm3 --1018/cm3的氧浓度是在晶体生 长时引入的,绝大部分占据间隙位置,少量和 硅聚合成絡合物起到施主作用。 碳 可形成C-SI絡合物,过高浓度会导致 P-N结击穿。
• 2#酸性清洗液
HCL : H2O2 : H2O
1 : 1(2) : 6(8)
金属和酸反应成为离子并溶于具有强烈氧化效应 的酸溶液中,同时有机物被氧化分解。 高氧化能力和低PH值溶液可以有效去除金属和有 机物。 1#、2#液使用条件:75-85 0С 10-20min • 3#酸性清洗液 H2SO4 : H2O2 7 : 3
• 对于硅中的三族和五族杂质,他们作为受主和 施主时其电离能大小并不一样。但有一个共同 特点,就是电离能和禁带宽度相比都非常小。 (B:0.045ev,P:0.044ev)这些杂质形成的能 级在禁带中很靠近价带顶和导带底,这种能级 被称之为浅能级。 • 图 给出了硅的能级图 • 例:硅原子密度5.22 Χ1022 /cm3 搀杂浓度为百万分之一( 10-6)时要掺 1016 /cm3量级的杂质, 室温下本征硅的载流子浓度 1010 /cm3 , 所以杂质所提供的载流子是主要的。
单晶硅的晶体结构建模与能带计算讲义-(1)

单晶硅的晶体结构建模与能带计算讲义-(1)单晶硅(其它典型半导体)的晶体结构建模与能带计算注:本教程以Si为例进行教学,学生可计算Materials Studio库文件中的各类半导体。
一、实验目的1、了解单晶硅的结构对称性与布里渊区结构特征;2、了解材料的能带结构的意义和应用;3、掌握Materials Studio建立单晶硅晶体结构的过程;4、掌握Materials Studio计算单晶硅能带结构的方法。
二、实验原理概述1、能带理论简介能带理论是20世纪初期开始,在量子力学的方法确立以后,逐渐发展起来的一种研究固体内部电子状态和运动的近似理论。
它曾经定性地阐明了晶体中电子运动的普遍特点,并进而说明了导体与绝缘体、半导体的区别所在,了解材料的能带结构是研究各种材料的物理性能的基础。
能带理论的基本出发点是认为固体中的电子不再是完全被束缚在某个原子周围,而是可以在整个固体中运动的,称之为共有化电子。
但电子在运动过程中并也不像自由电子那样,完全不受任何力的作用,电子在运动过程中受到晶格原子势场和其它电子的相互作用。
晶体中电子所能具有的能量范围,在物理学中往往形象化地用一条条水平横线表示电子的各个能量值。
能量愈大,线的位置愈高。
孤立原子的电子能级是分立和狭窄的。
当原子相互靠近时,其电子波函数相互重叠。
由于不同原子的电子之间,不同电子与原子核之间的相互作用,原先孤立原子的单一电子能级会分裂为不同能量的能级。
能级的分裂随着原子间距的减小而增加。
如图1所示,如果N 个原子相互靠近,单一电子能级会分裂为N个新能级,当这样的能级很多,达到晶体包含的原子数目时,一定能量范围内的许多能级(彼此相隔很近)形成一条带,称为能带。
各种晶体能带数目及其宽度等都不相同。
相邻两能带间的能量范围称为“带隙”或“禁带”。
晶体中电子不能具有这种能量。
完全被电子占据的能带称“满带”,满带中的电子不会导电。
完全未被占据的称“空带”。
部分被占据的称“导带”,导带中的电子能够导电。
第二章--能带理论(1)

第二章能带理论(1)能带理论是固体物理学中描述电子在晶体中运动规律的重要理论,它为我们理解固体材料中的电子行为提供了坚实的基础。
在晶体中,电子的运动受到原子核和周围电子的相互作用,这种相互作用导致了电子能级的分裂,形成了能带结构。
能带理论的应用非常广泛,它不仅可以帮助我们理解固体材料的导电性,还可以用于解释固体材料的光学、热学、磁学等性质。
例如,通过能带理论,我们可以解释为什么半导体材料在光照下会产生电流,以及为什么不同颜色的光会对半导体的导电性产生影响。
能带理论为我们提供了一种研究固体材料性质的有力工具,它不仅有助于我们深入理解固体材料的微观结构,还可以指导我们设计和制备新型材料。
随着科技的不断发展,能带理论的应用将越来越广泛,为我们揭示更多固体材料的奥秘。
能带理论不仅仅局限于电子的能级分裂和能带的形成,它还深入探讨了电子在晶体中的运动状态和相互作用。
在能带理论中,电子被视为量子力学中的粒子,其运动受到量子力学规律的约束。
电子在晶体中的运动状态可以用波函数来描述,而波函数的平方则代表了电子在空间中的概率分布。
能带理论还可以用来解释固体材料的光学性质。
当光照射到固体材料上时,电子会吸收光子能量,从而跃迁到导带。
这种跃迁会导致光的吸收,因此固体材料会呈现出不同的颜色。
通过能带理论,我们可以解释为什么不同颜色的光会对半导体的导电性产生影响。
例如,红色光的光子能量较低,无法使半导体中的电子跃迁到导带,因此半导体在红色光照射下导电性较差;而蓝色光的光子能量较高,可以使半导体中的电子跃迁到导带,因此半导体在蓝色光照射下导电性较好。
能带理论的应用不仅限于解释固体材料的性质,还可以用于设计和制备新型材料。
例如,通过调控能带结构,我们可以设计和制备具有特定性质的材料,如高效的光电器件、高速的电子器件等。
能带理论还可以用于解释和研究材料的缺陷、杂质等对材料性质的影响。
能带理论是固体物理学中一个非常重要的理论,它为我们理解固体材料的性质提供了有力的工具。
能带理论简介

能带理论(Energy band theory )是讨论晶体(包括金属、绝缘体和半导体的晶体)中电子的状态及其运动的一种重要的近似理论。
它把晶体中每个电子的运动看成是独立的在一个等效势场中的运动,即是单电子近似的理论;对于晶体中的价电子而言,等效势场包括原子实的势场、其他价电子的平均势场和考虑电子波函数反对称而带来交换作用,是一种晶体周期性的势场。
能带理论(Energy band theory )是讨论晶体(包括金属、绝缘体和半导体的晶体)中电子的状态及其运动的一种重要的近似理论。
它把晶体中每个电子的运动看成是独立的在一个等效势场中的运动,即是单电子近似的理论;对于晶体中的价电子而言,等效势场包括原子实的势场、其他价电子的平均势场和考虑电子波函数反对称而带来交换作用,是一种晶体周期性的势场。
一维无限深势阱是指粒子在一种简单外力场中做一维运动的势能分布
在金属中的自由电子不会自发地逃出金属,它们在各晶格结点(正离子)形成的“周期场”中运动。
进一步简化这个模型,可以粗略地认为粒子被“无限高”的势能壁束缚在金属之中,由此而抽象出粒子在无限深势阱中运动。
为简单起见,设势阱是一维的,这是量子力学中最简单的例子。
自由电子在一块金属中的运动相当于在势阱中的运动。
在阱内,由于势能为零,粒子受到的总的力为零,其运动是自由的。
在边界上x=0或x=a处,由于势能突然增加到无限大,粒子受到无限大指向阱内的力。
因此,粒子的位置不可能到达0<x<a的范围以外。
导带:电子可以在其中高速移动,增加物质的导电性
禁带:不允许电子自由移动的地方
允带:允许电子自由移动的地方
价带:电子可以在其中移动,但是移动的速度较慢。
第二章能带理论

何力的作用,电子在运动过程中受到晶格中原子周 期势场的作用。
是什么原因决定了固体是导体,绝缘体,或者半导体?
固体的能带结构!
自由电子理论忽略了电子与原子和其它电子 的相互作用,有局限性。
能带理论认为电子要受到一个周期性势场的作用。
导体
104 107 m
108 m
半导体
绝缘体
它们的导电性能不同, 108 m 是因为它们的能带结构不同。
一般填充规律:
孤立原子的内层电子能级一般都是填满的, 在形成固体时,其相应的能带也填满了电子。
孤立原子的最外层电子能级可能填满了电子也可 能未填满电子。若原来填满电子的, 在形成固体时,其相应的能带也填满电子。
经典自由电子理论
正离子所形成的电场是均匀的;自由电子运动的规律遵循经典力学气体分子的运动 定律;自由电子与正离子之间的相互作用仅仅是类似于机械碰撞。
该理论认为,在没有外电场作用时,金属中的自由电子沿着各方向运动的几率相同, 故不产生电流。当施加外电场后,自由电子获得附加速度,于是便沿外电场方向发 生定向迁移,从而形成电流。自由电子在定向迁移过程中,因不断与正离子发生碰 撞,使电子的迁移受阻,因而产生了电阻。
核磁共振方法不仅在核物理研究中起着重要作用,而且在科学技术上也有 着广泛的应用。例如,核磁共振分析可以用来探测物质的微观结构和各种 相互作用;核磁共振人体成像有望成为诊断疾病的有力工具。
自由电子气 真实晶体中的电子
能带理论的基本假设
能带理论的基本出发点: 固体中的电子不是完全被束缚在某个原子周围,
绝缘体的电阻率 ~ 1014 1022 cm
电子能带理论【ppt】

电子能带理论【PPT】2.1近自由电子近似2.1近自由电子近似一、能带的形成一、能带的形成零势场中的电子零势场中的电子单电子的运动单电子的运动—势场的单电子:势场的单电子:222mH?自由电子的运动自由电子的运动::V(r)?一维晶体的一维晶体的Schodinger方程:方程:)(222xVmHE?)]xVdxdm???(2[222?加一项其他粒子对电子的作用势加一项其他粒子对电子的作用势0?电子在周期性的势场中运动,满足:(xV||||)2(2)()()002/210nnanzinN?nVEVVanmhEaxVxVeVV能带理论:能带理论:? 求解金属晶体中电子的容许能态的能带模型求解金属晶体中电子的容许能态的能带模型能带模型:能带模型:? 其一:近自由电子近似其一:近自由电子近似? 其二:紧束缚近似、克隆尼克其二:紧束缚近似、克隆尼克—潘纳近似、潘纳近似、瓦格纳瓦格纳瓦格纳瓦格纳—赛茨近似赛茨近似赛茨近似、赛茨近似、、原胞和原子轨道线性组合法原胞和原子轨道线性组合法、原胞和原子轨道线性组合法原胞和原子轨道线性组合法二、能带形成的微观解释:((1)外层电子共有化)外层电子共有化晶体中电子的运动晶体中电子的运动b.电子的共有化运动电子的共有化运动+++a. 原子的能级原子的能级原子的能级(电子壳层)原子的能级(电子壳层)+++++++原子结合成晶体时晶体中电子的共有化运动原子结合成晶体时晶体中电子的共有化运动U? ?? ?r单个原子单个原子U? ?? ?r两个原子两个原子? ?? ?由于晶体中原子的周期性排列而使价电子不再为单个原子所有的现象,称为电子的共有化称为电子的共有化。
由于晶体中原子的周期性排列而使价电子不再为单个原子所有的现象,。
U? ?r? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?晶体中周期性势场晶体中周期性势场2EE1对大量原子有规则地排列成晶体时,由于原子离得很近,每个电子不仅受到本身原子核的作用,而且受到邻近原子核的影响,内层电子因受原子核的牢牢束缚而影响较小;价电子或外层电子却不同,外层电子受邻近原子的作用更强,容易脱离原来的原子而进入到其他原子当中。
半导体物理 第二章

E-k关系
对于无限晶体,波失 k 可以连续取值;对于某一确定的 k 值, nk (r ) ,能量本征值En随波矢 k 是连续变化的。可以用 k
薛定谔方程存在一系列分立的能量本征值Enk和相应的本征函数
和n来表征电子状态。 但在晶体中,由于存在平移对称性,可以用来表征某一确定 电子状态的 k 并不是唯一的。若 k k Gl,则波矢 k 同样可以用来表征由 k 所表征的电子状态,其中 Gl 为倒格矢,
里渊区中给出。每一个布里渊区
有中一个能带,第n个能带在第n 个布里渊区中
Ⅲ
Ⅱ
Ⅰ
Ⅱ
Ⅲ
E E-k关系总是中心对称的: n (k ) En (k )
在每一个布里渊区中给出所有能带 周期布里渊区图象: 由于认为 k 与 k G 等价,因此可以认为 En k 是以 倒格矢 G 为周期的周期函数,即对于同一能带n,有
i, j=1, 2, 3
2n 一维情形 k k a 这样,在晶体中,电子能量E随k周期性地变化。对应于 不同的n,电子状态分别被限制在一定能量间隔内,分别 属于不同的能带。相邻的能带之间可能存在一定的能量 间隙,在其中不存在电子状态,为禁带。
1. En(k)函数的三种图象 扩展布里渊区图象: 不同的能带在k空间中不同的布
在晶体中的电子有如被封闭在一个容器中,使得 k 并不能
有任意的数值。 下面我们来计算每个能带所包含的电子状态数量。通常有 所谓周期性边界条件来得到允许k值。
设一维晶格的晶格长度为L=Na, N为所包含的原胞总数,a为 晶格常数,此处为原子间距。 周期性边界条件:
k ( 0) k ( L ) ( x ) eikxuk ( x ) (0) uk (0) ( L) eikLuk ( L)
半导体器件物理第二章能带和载流子

20
半导体器件物理第二章能带和载流 子
绝缘体: 被电子占据的最高能带是满带,而且禁 带宽度很大。空带全空,满带全满。激发电子需 要很大能量。除非电场很强,上面许可带中没有 电子,因此在电场下没有电流。良好地绝缘性。
(Eg>5eV)
21
半导体器件物理第二章能带和载流 子
对于金属,被电子填充的最 高能带通常是半满或部分填 充的。能带发生交叠。在某 一方向上周期场产生的禁带 被另一个方向上许可的能带 覆盖,晶体的禁带消失。
对于半导体,Eg < 2eV.常温 下,当热激发或光照时,满 带中少量电子被激发到上面 空带中,于是参予导电。
脱离共价键所需的最低能 量是禁带宽度Eg。
22
半导体器件物理第二章能带和载流 子
几种固体材料导电特性总结
绝缘体
半导体
导体(金属) 半金属
T=0K T = 300 K
举例
23
不导电
不导电
导电
的最外层有四。
4
半导体器件物理第二章能带和载流 子
金刚石晶格结构:复式晶格。由两个面心 立方晶格沿立方对称晶胞的体对角线错开 1/4长度套构而成。
排列方式 以双原子层ABCABC
晶格常数 原子密度
晶格常数 a (Å)
Si
Ge
5.43089
5.65754
5X1022
4.42X1022
§2.4 共价键
金刚石晶格结构:共价键 闪锌矿晶格结构:共价键 但存在微量离子键成分 本征激发或热激发: 电子与空穴 见Flash
11
半导体器件物理第二章能带和载流 子
§2.5 能带
电子共有化运动 原子能级分裂成能带 绝缘体、半导体、导体的能带
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2 2 [ V ( r )] ( r ) E ( r ) 2m V ( r R ) V (r ) n
(r ) 为周期场中的电子波函数
三、Bloch定理
周期场中运动的电子波函数必定是被晶格周期函数 调幅的平面波----Bloch波(调幅波)
( r R ) u ( r R )e u ( r )e e ( r )e
E(k ) E(k )
Es (k )
多值性:
带指数s
s ,k ( r )
§2.2 一维周期性势场中电子的能量状 态-Kronig-Penney模型
一、Kronig-Penney模型势
1931年Kronig-Penney提出了一个晶体势场的模型 (1)由方形势阱、势垒周期排列而成; (2)势阱宽度为c,势垒宽度为b,周期为a=b+c; (3)势阱的势能为0,势垒的高度为V0
(2)
方程解的形式
( x) u ( x)eikx u ( x na) u ( x)
(3)
d2 du 2m 2 (4) u ( x ) 2 ik ( E V ( x )) k u ( x ) 0 dx 2 dx2
(2)边界条件 在势能突变点,波函数 ( x) 以及其导数 ( x) 必须连续。
(3) 服从F-D统计。
能解释金属传导电子的热容
C Ce CL T aT 3
问题
不能解释金属、半导体和绝缘体之间的本质区别以及许多 细致的输运过程,特别是磁场中的输运现象:正值Haul系 的出现。
Bloch Brillouin的能带论
1926年奥地利物理学家薛定谔创立了量子波动力学方程, 1927年瑞士物理学家布洛赫对电子在周期性原子排列的势场 中的运动规律进行了计算,导致了能带论的诞生。 (1)晶体中电子是在周期性势场中运动; (2) 服从F-D统计。 考虑到晶格周期场作用而建立起来的能带理论,可以对晶体的 许多现象给出正确的解释,它是目前研究固体电子状态最重要 的理论。
(2)k 的取值(由周期性边界条件定)
周期性边界条件
k (r ) k (r i Ni ai )
e
ik ( i Ni ai )
e
i(
kii Ni ai )
i
i
1
假设基矢正交
ki Ni ai 2 i ,
2 ki i bi , N i ai Ni
i
Z ; i 1,2,3
§2.1 能带论的基本假定与Bloch定理
一、能带论的基本假定---单电子近似
要确定固体中电子的能量状态,出发点是组成固体的 多粒子系统的薛定谔方程:
ˆ T T V V V H e L ee eL LL
能带论: 将多体问题简化为单电子问题---单电子近似
(1)绝热近似(静态近似、波恩-奥本海默近似) 将多体问题变成多电子问题
Sommerfeld 量子自由电子气理论
20世纪初,量子力学在解决有关原子和分子的相关 问题方面,起了很大的推动作用。人们意识到必须用 量子力学的理论来解释金属中电子行为。 1928年,Sommerfeld提出量子自由电子气理论。
(1)用薛定谔方程描述电子的运动; (2) 晶体中电子是自由电子;
b1 b2 b3 r (2 )3 (2 )3 ( ) N1 N 2 N 3 N1N 2 N 3 N d V
状态空间中状态密度或单位体积状态数为: (k )
状态空间 d k 体积中,状态数为:
V (2 ) 3
dZ 2 (k )dk
(4)能量本征值以及Bloch函数的一些性质
布洛赫定理的证明:
(1)引入晶格平移算子 (2)证明对易关系 有共同的本征函数
ˆ ( R ) f ( r ) f (r R ) T n n
ˆ ( R ), H ˆ (r )] T ˆ ( R )H ˆ (r ) H ˆ (r )T ˆ(R ) 0 [T n n n
ˆ (r ) E (r ) H
ik ( r R ) ik r ik R
(r ) u (r )e u (r R ) u (r )
ik . r k k k k
ik R
uk ( r ) k
具有晶格周期性的函数
实矢量,量纲:物理意义,k 是动量本征值。 1 ik r f ,k e V
P i ,
P f ,k ( r ) k f ,k ( r )
Bloch函数不是动量算符的本征函数。因此, k 不是晶格电 子的真实动量,是一个具有动量量纲的量。
(r ) u (r )e u (r R ) u (r )
Z ; i 1,2,3
i
1 2 3 k b1 b2 b3 N1 N2 N3
限制在第一布里渊区内
b1 b1 k1 2 2
Ni 2
b2 b2 k2 2 2
b3 b3 k3 2 2
i
Ni , i 1, 2,3 2
Bloch函数
k (r ) uk (r )eik .r
平面波因子,描述晶体电子的公有化运动; 反映电子在原胞中的运动,取决于原胞中的势场。
e
ik r
uk ( r )
周期性:
k K (r ) k (r )
h
E(k Kh ) E(k )
对称性:
* k ( r ) k (r )
ˆ T T V V V H e L ee eL LL
M原子实>>m电,认为原子实(离子实)固定在瞬 时的位置上
H e Te Vee VeL
(2)Hartree-Fock平均场近似(单电子近似)
将多电子问题变成单电子问题
H e Te Vee VeL
假定电子之间的相互作用可用某种平均场来代替, 每个电子是在离子势场以及其它电子的平均场中运动。
作用在每个电子上的势只与该电子的位置有关,而 与其它电子的位置和状态无关。
H 1e
T1e Vee ( r ) Ve ( r )
Ve (r ) 为固定离子势场。
V ee ( r )为其他电子
T1e 为单个电子的动能,
的平均场,
(3)周期势场假定:单电子在周期势场中运动。
认为所有离子势场和其它电子的平均场是周期性 势场,具有与晶格相同的周期:
数学表达:
在一个周期-b<x<c区域,粒子的势能:
0 V ( x) V0
(0 x c ) (b x 0)
其它区域
(1)
V ( x na) V ( x)
势能的周期性是晶格周期性的反映
二、方程、边界条件
(1) 运动方程
2 d 2 V ( x) ( x) E ( x) 2 2m dx V ( x) V ( x na)
n
四、讨论
(1)波矢 k 的意义 实矢量 k 起着标志电子状态的量子数的作用,故称为
波矢。
波函数、能量本征值都与波矢有关,不同 k 表示电子的
不同状态。
ˆ ( r ) E ( k ) ( r ) H k k ik r k ( r ) e uk ( r ) u ( r R ) u ( r ) k n k
第二章
§2.1 §2.2 §2.3 §2.4 §2.5 §2.6 §2.7
能带论(Band Theory)
能带论的基本假定与Bloch定理 Kronig-Penney模型 近自由电子近似 紧束缚近似 晶体中电子的准经典运动 固体导电性能的能带论解释 Si、Ge、GaAs的能带结构
§2.0 引言
固体中电子运动论发展三阶段 : Drude-Lorentz经典自由电子气理论
li 共 Ni个不同的取值
第一布里渊区内,波矢代表点数目为N=N1N2N3
(3)状态密度
1 2 3 k b1 b2 b3 N1 N2 N3
波矢在状态空间(倒格子空间)中是均匀分布的,每个点都落在 以 bi N为基矢的格子的格点上。
i
每个状态代表点在状态空间中所占的体积为:
(1) 晶体中电子(价电子)是自由电子 (2) 服从M-B分布
欧姆定律
j E
Wiedemann-Franz Law
热导率与电导率之间的关系: LT
问题:不能解释传导电子的热容
该理论预言:自由电子的热容为3/2NkBT,与晶格热容可比拟; 对大多数金属,实验值只有该理论值的1%。 原因:不是所有价电子(N个)参与贡献,只有费米面附近的 电子参与贡献。
Vee (r ) Ve (r ) V (r ) V (r Rn )
绝热近似
将多体问题变成多电子问题
Hartree-Fock 平均场近似
将多电子问题变成单电子问题
周期势场假定
晶体中电子运动问题
周期性势场单电子运动问题
二、晶体中电子的运动方程
在能带论的基本假定下,可以用下面的方程来描述晶体中单电 子的定态运动:
u( x) 和 u( x) 在势能突变点必须连续。
三、通解(分段考虑)
d2 du 2m 2 u ( x ) 2 ik ( E V ( x )) k u ( x) 0 2 2 dx dx
(1)在区域 0 x c中,势能 V ( x) 0
2mE 2 2
d 2u ( x ) du 2 2 2 ik k u ( x) 0 2 dx dx