3内存发展
DDR家族新成员——DDR3内存技术分析

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ddr3电平标准(一)

ddr3电平标准(一)
DDR3电平标准
1. 什么是DDR3电平标准?
•DDR3是双倍数据传输速率第三代内存标准的简称。
•电平标准指的是在DDR3内存中用于传输和接收数据的电信号水平。
2. DDR3电平标准的作用
•DDR3电平标准定义了内存模块和控制器之间的电信号规范,确保它们能够正确地传输和接收数据。
•通过遵循DDR3电平标准,不同厂商生产的DDR3内存模块和控制器可以互相兼容,提高了内存的可扩展性和可替换性。
3. DDR3电平标准的主要特性
•电压:DDR3内存模块的标准电压为,相对于之前的DDR2内存的来说,电压降低了,能够降低功耗和散热。
•时序:DDR3内存模块的时序要求更严格,能够达到更快的数据传输速率和响应时间。
•串行预取:DDR3内存引入了串行预取技术,能够在同一时钟周期内同时传输多个数据,提高数据传输效率。
•预充电:DDR3内存的存储电路采用了预充电技术,能够降低功耗和噪音。
4. DDR3电平标准的发展趋势
•随着技术的不断进步,DDR3电平标准已经出现了一些改进和升级版本,比如DDR3L、DDR3U等。
•DDR3L降低了电压至,进一步降低了功耗和热量。
•DDR3U将电压降低至,以进一步提高功耗效率。
•这些改进版本的出现使得DDR3内存在低功耗和高性能需求的场景下有更广泛的应用。
结论
•DDR3电平标准是确保DDR3内存模块和控制器能够互相兼容的重要标准。
•DDR3内存通过降低电压、优化时序、引入新的技术等手段,提供了更高的性能和更低的功耗。
•随着技术的不断发展,DDR3电平标准也在不断升级和改进,以满足不同应用场景的需求。
DDR3基本知识

DDR3基本知识一、DDR3简介DDR3(double-data-rate three synchronous dynamic random access memory)是应用在计算机及电子产品领域的一种高带宽并行数据总线。
DDR3在DDR2的基础上继承发展而来,其数据传输速度为DDR2的两倍。
同时,DDR3标准可以使单颗内存芯片的容量更为扩大,达到512Mb至8Gb,从而使采用DDR3芯片的内存条容量扩大到最高16GB。
此外,DDR3的工作电压降低为1.5V,比采用1.8V的DDR2省电30%左右。
说到底,这些指标上的提升在技术上最大的支撑来自于芯片制造工艺的提升,90nm甚至更先进的45nm制造工艺使得同样功能的MOS管可以制造的更小,从而带来更快、更密、更省电的技术提升。
DDR3的发展实在不能说是顺利,虽然在2005年就已经有最初的标准发布并于2007年应用于Intel P35 “Bearlake”芯片组上,但并没有像业界预想的那样很快替代DDR2,这中间还经历了对SDRAM业界影响深远的金融危机,不但使DDR3占领市场的速度更加减慢,还使DDR3在技术上一度走在世界领先地位的内存大厂奇梦达倒闭,实在是让人惋惜。
虽然如此,DDR3现今是并行SDRAM家族中速度最快的成熟标准,JEDEC标准规定的DDR3最高速度可达1600MT/s(注,1MT/s即为每秒钟一百万次传输)。
不仅如此,内存厂商还可以生产速度高于JEDEC标准的DDR3产品,如速度为2000MT/s的DDR3产品,甚至有报道称其最高速度可高达2500MT/s。
二、DDR存储器特性1) 时钟的上升和下降沿同时传输数据DDR存储器的主要优势就是能够同时在时钟循环的上升和下降沿提取数据,从而把给定时钟频率的数据速率提高1倍。
例如,在DDR200器件中,数据传输频率为200 MHz,而总线速度则为100 MHz。
2) 工作电压低DDR1、DDR2和DDR3存储器的电压分别为2.5、1.8和1.5V,因此与采用3.3V的正常SDRAM芯片组相比,它们在电源管理中产生的热量更少,效率更高。
DDR3简介

DDR3简介DDR3(double-data-rate three synchronous dynamic random access memory)是应用在计算机及电子产品领域的一种高带宽并行数据总线。
DDR3在DDR2的基础上继承发展而来,其数据传输速度为DDR2的两倍。
同时,DD R3标准可以使单颗内存芯片的容量更为扩大,达到512Mb至8Gb,从而使采用DDR3芯片的内存条容量扩大到最高16GB。
此外,DDR3的工作电压降低为1.5V,比采用1.8V的DDR2省电30%左右。
说到底,这些指标上的提升在技术上最大的支撑来自于芯片制造工艺的提升,90nm甚至更先进的45nm制造工艺使得同样功能的MOS管可以制造的更小,从而带来更快、更密、更省电的技术提升。
DDR3的发展实在不能说是顺利,虽然在2005年就已经有最初的标准发布并于2007年应用于Intel P35 “Bearlake”芯片组上,但并没有像业界预想的那样很快替代DDR2,这中间还经历了对SDRAM业界影响深远的金融危机,不但使DDR3占领市场的速度更加减慢,还使DDR3在技术上一度走在世界领先地位的内存大厂奇梦达倒闭,实在是让人惋惜。
虽然如此,DDR3现今是并行SDR AM家族中速度最快的成熟标准,JEDEC标准规定的DDR3最高速度可达160 0MT/s(注,1MT/s即为每秒钟一百万次传输)。
不仅如此,内存厂商还可以生产速度高于JEDEC标准的DDR3产品,如速度为2000MT/s的DDR3产品,甚至有报道称其最高速度可高达2500MT/s。
内存的工作速度内存技术从SDR,DDR,DDR2,DDR3一路发展而来,传输速度以指数递增,除了晶圆制造工艺的提升因素之外,还因为采用了Double Data Rate以及Prefetch两项技术。
实际上,无论是SDR还是DDR或DDR2、3,内存芯片内部的核心时钟基本上是保持一致的,都是100MHz到200MHz(某些厂商生产的超频内存除外)。
DDR3和DDR2和DDR的工作原理及技术区别

DDR3和DDR2和DDR的工作原理及技术区别DDR3、DDR2和DDR(又称为DDR1)是计算机系统中常见的内存标准。
它们在工作原理和技术上有一些区别,下面是关于它们的详细介绍。
1. DDR3(Double Data Rate 3):DDR3是一种内存技术标准,它是DDR2的升级版本。
DDR3相比于DDR2有更高的带宽和更低的功耗。
工作原理:DDR3内存的工作原理是在时钟的上升沿和下降沿两个时刻读取数据,因此它被称为双倍数据率。
数据传输速度是时钟速度的两倍,例如DDR3-1600的内存模块实际传输速度为3200MB/s。
技术区别:-电压:DDR3的工作电压为1.5V,比DDR2的电压低,可以节省功耗并降低发热。
-带宽:DDR3的带宽比DDR2更高。
DDR2的带宽是每个内存信号线上每个时钟周期传输的位数乘以时钟速度,而DDR3通过使用更高的时钟速度和每个时钟周期传输的字节大小来提高带宽。
-寻址能力:DDR3的寻址能力比DDR2更高,可以支持更大的内存容量。
-内存频率:DDR3支持更高的内存频率,从800MHz到2133MHz以上。
2. DDR2(Double Data Rate 2):DDR2是DDR的升级版,它具有更高的频率、更低的功耗和更高的密度。
工作原理:DDR2内存也是在上升沿和下降沿两个时刻读取数据,实现双倍数据率传输。
技术区别:-电压:DDR2的工作电压为1.8V,比DDR的电压低,能够降低功耗。
-带宽:DDR2的带宽比DDR更高。
DDR2使用更高的频率和每个时钟周期传输的字节大小来提高带宽。
-寻址能力:DDR2具有更高的寻址能力,能够支持更大的内存容量。
-内存频率:DDR2的内存频率从400MHz到1066MHz。
3. DDR(Double Data Rate):DDR是首个双倍数据率内存技术的标准,它在之前的SDRAM的基础上提高了数据传输速率和带宽。
工作原理:DDR内存是在上升沿读取数据。
分析DDR3内存

分析DDR3内存与DDR2相比,DDR3内存将工作在更高的频率下,这也意味着更快的数据传输速度和整机系统性能的又一次提升。
除此之外,DDR3内存还有低功耗的优点,其访问延迟也比DDR2内存有了可观的下降。
在产业界都做好准备的情况下,DDR3内存将会逐渐切入市场,并在未来的1~2年内完成向主流市场的过渡。
有意思的是,与英特尔前卫的作风不同,AMD似乎并不愿意冒推广新技术的风险,但它也宣布将在2008年实现对DDR3内存的支持,届时DDR2很有可能被提前终结,DDR3毋庸置疑将成为内存市场新的主导力量。
内存技术的回顾与发展在PC发展历史中,CPU速度与内存速度总是在交替中提升,两者的关系也密不可分。
CPU运算所需的所有数据都来自于内存,同样,CPU运算生成的数据也必须存放在内存,如果内存速度跟不上,那么CPU就会浪费很多时间在数据等待上面,这不可避免影响了CPU 性能的发挥。
正因为如此,CPU与内存总是捆绑在一起构成一套“运算子系统(平台)”,而这个“平台”的升级也往往是以内存规格的升级为主要标志的。
想当初,DDR2内存从2003年开始切入市场,第一代DDR发展到400MHz便嘎然而止,尽管内存厂商能够量产出500MHz甚至更高频率的产品,但JEDEC并没有考虑对DDR规范进行扩充,而是直接转入DDR2体系。
DDR2标准同样是从400MHz起步,分别为DDR2 400、DDR2 533、DDR2 667和DDR2 800。
但由于DDR2的访问延迟比DDR多了几个周期,导致DDR2 400和DDR2 533内存都没有表现出比DDR 400更好的性能优势;直到DDR2 667之后,更高的时钟频率有效缩短了内存的整体延迟,同时带宽的提升也在应用中表现出明显的性能增益,此时的DDR2才被大规模接受,事实上我们也可以认为DDR2的时代是从DDR2 667开始的。
目前业界正在向DDR2 800过渡,英特尔和AMD平台都可以良好支持DDR2 800。
DRAM的发展

DRAM的发展DRAM(Dynamic Random Access Memory)是一种常见的计算机内存芯片,它在计算机系统中起着至关重要的作用。
本文将详细介绍DRAM的发展历程,包括其技术特点、应用领域和未来发展趋势等方面。
一、技术特点DRAM是一种以电容存储数据的半导体存储器,其主要特点如下:1. 高集成度:DRAM芯片内部由大量的电容和晶体管组成,可以实现高密度的数据存储。
2. 高速读写:DRAM具有快速的读写速度,可以满足计算机系统对内存数据的快速访问需求。
3. 非易失性:DRAM是一种易失性存储器,即断电后存储的数据会丢失,因此需要外部电源的持续供电。
二、应用领域DRAM广泛应用于各种计算机系统和电子设备中,主要包括以下几个方面:1. 个人电脑:DRAM是个人电脑中主要的内存组件,用于存储运行中的程序和数据。
2. 服务器和数据中心:大型服务器和数据中心需要大容量的内存来支持复杂的计算任务和数据存储。
3. 移动设备:智能手机、平板电脑等移动设备也需要内置DRAM来支持多任务处理和高速数据传输。
4. 嵌入式系统:嵌入式系统中的控制器、传感器等设备也需要使用DRAM来存储数据和程序代码。
三、发展历程DRAM的发展经历了多个阶段,主要包括以下几个时期:1. 早期DRAM:20世纪70年代,早期的DRAM采用了基于MOS技术的电容存储单元,存储密度较低,容量有限。
2. 高速DRAM:20世纪80年代,高速DRAM采用了新的存储结构和刷新技术,大幅提高了读写速度和存储容量。
3. SDRAM:20世纪90年代,SDRAM(Synchronous Dynamic RAM)采用了同步时钟技术,进一步提高了读写速度和性能。
4. DDR系列:21世纪初,DDR(Double Data Rate)系列的DRAM问世,通过在一个时钟周期内进行两次数据传输,进一步提高了数据传输速率。
5. DDR2、DDR3和DDR4:随着技术的发展,DDR2、DDR3和DDR4等新一代DRAM相继推出,存储容量和传输速率不断提升。
ddr3的工作原理

ddr3的工作原理
DDR3的工作原理是基于双倍速技术(Double Data Rate)和内存控制器的协同工作。
它采用了8位数据通道,与内存控制器进行通信,实现数据的读取和写入。
DDR3内存的工作频率通常为800 MHz至2133 MHz,并且由
于其采用了双倍速技术,数据传输速度是实际工作频率的两倍。
例如,DDR3-1600的内存实际工作频率为800 MHz,但数据
传输速度达到了每秒1600百万次数据传输。
DDR3内存模块中的单个存储单元被组织成一个存储单元矩阵,由许多存储单元组成。
每个存储单元可以存储一个位的数据。
内存控制器通过内部总线向存储单元发送读取和写入命令。
在读取数据时,内存控制器向存储单元发送读取地址和读取命令。
存储单元根据接收到的命令将相应的数据位从存储单元矩阵中读取出来,并通过数据总线传送给内存控制器。
在写入数据时,内存控制器向存储单元发送写入地址、写入命令和数据。
存储单元接收到命令后将相应的数据位写入存储单元矩阵中的相应位置。
DDR3内存还具有预取功能,即在内存控制器发出读取命令时,存储单元会预先读取与所请求数据相邻的数据位,并将其存储在内部缓冲区中。
这样,在下一次读取请求发出时,存储单元可以更快地提供数据,从而提高内存读取的效率。
总之,DDR3内存通过双倍速技术和内存控制器的协同工作,实现了高速和高效的数据读取和写入。
它是现代计算机系统中常用的内存类型之一。
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图5,EDO DRAM内存
四、一代经典——SDRAM 内存
自Intel Celeron系列以及AMD K6处理器以及 相关的主板芯片组推出后,EDO DRAM内 存性能再也无法满足需要了,内存技术必 须彻底得到个革新才能满足新一代CPU架构 的需求,此时内存开始进入比较经典的 SDRAM时代。
六、再续经典——DDR内存
DDR SDRAM(Dual Date Rate SDRAM)简称DDR,也就是“双倍速 率SDRAM“的意思。DDR可以说是SDRAM的升级版本, DDR在时 钟信号上升沿与下降沿各传输一次数据,这使得DDR的数据传输速 度为传统SDRAM的两倍。由于仅多采用了下降缘信号,因此并不会 造成能耗增加。至于定址与控制信号则与传统SDRAM相同,仅在时 钟上升缘传输。 DDR 内存是作为一种在性能与成本之间折中的解决方案,其目 的是迅速建立起牢固的市场空间,继而一步步在频率上高歌猛进,最 终弥补内存带宽上的不足。第一代DDR200 规范并没有得到普及,第 二代PC266 DDR SRAM(133MHz时钟×2倍数据传输=266MHz带宽) 是由PC133 SDRAM内存所衍生出的,它将DDR 内存带向第一个高潮, 目前还有不少赛扬和AMD K7处理器都在采用DDR266规格的内存 (如图12),其后来的DDR333内存也属于一种过度(如图13),而 DDR400内存成为目前的主流平台选配(如图14),双通道DDR400 内存已经成为800FSB处理器搭配的基本标准,随后的DDR533 规范则 成为超频用户的选择对象(如图15)。
二、开山鼻祖——SIMM 内存
在80286主板发布之前,内存并没有被世人 所重视,这个时候的内存是直接固化在主 板上,而且容量只有64 ~256KB,对于当时 PC所运行的工作程序来说,这种内存的性 能以及容量足以满足当时软件程序的处理 需要。不过随着软件程序和新一代80286硬 件平台的出现,程序和硬件对内存性能提 出了更高要求,为了提高速度并扩大容量, 内存必须以独立的封装形式出现,因而诞 生了前面我们所提到的“内存条”概念。
在80286主板刚推出的时候,内存条采用了 SIMM(Single In-lineMemory Modules,单边 接触内存模组)接口,容量为30pin、256kb, 必须是由8 片数据位和1 片校验位组成1 个 bank,正因如此,我们见到的30pin SIMM一 般是四条一起使用。自1982年PC进入民用 市场一直到现在,搭配80286处理器的30pin SIMM 内存是内存领域的开山鼻祖(如图 2)。
图12,DDR266内存
图13,DDR333内存
图14,DDR400内存
图15,DDR533内存
图15,DDR533内存
七、今日之星——DDR2内存
随着CPU 性能不断提高,我们对内存性能的要求也逐步升级。不可 否认,紧紧依高频率提升带宽的DDR迟早会力不从心,因此JEDEC 组织很早就开始酝酿DDR2 标准,加上LGA775接口的915/925以及最 新的945等新平台开始对DDR2内存的支持,所以DDR2内存将开始演 义内存领域的今天。 DDR2 能够在100MHz 的发信频率基础上提供每插脚最少 400MB/s 的带宽,而且其接口将运行于1.8V 电压上,从而进一步降 低发热量,以便提高频率。此外,DDR2 将融入CAS、OCD、ODT 等新性能指标和中断指令,提升内存带宽的利用率。从JEDEC组织 者阐述的DDR2标准来看,针对PC等市场的DDR2内存将拥有400、 533、667MHz等不同的时钟频率(如图16)。高端的DDR2内存将拥 有800、1000MHz两种频率。DDR-II内存将采用200-、220-、240-针脚 的FBGA封装形式。最初的DDR2内存将采用0.13微米的生产工艺,内 存颗粒的电压为1.8V,容量密度为512MB。
三、徘徊不前——EDO DRAM 内存
EDO DRAM(Extended Date Out RAM,外 扩充数据模式存储器)内存,这是1991 年到1995 年之间盛行的内存条,EDO-RAM同FP DRAM极 其相似,它取消了扩展数据输出内存与传输内存 两个存储周期之间的时间间隔,在把数据发送给 CPU的同时去访问下一个页面,故而速度要比普 通DRAM快15~30%。工作电压为一般为5V,带宽 32bit,速度在40ns以上,其主要应用在当时的486 及早期的Pentium电脑上(如图4)。
图16,DDR2 533内存
内存技术在2005年将会毫无悬念,SDRAM为代表的静态 内存在五年内不会普及。QBM与RDRAM内存也难以挽回 颓势,因此DDR与DDR2共存时代将是铁定的事实。在 AMD的Athlon 64使用DDR400内存控制器的情况下,未来 对于高频率内存的需求量可能比较小,而且DDR2内存的 发展空间也将取决于AMD是否改进内存控制器。 根据摩尔定理,只要DIY硬件在更新换代,内存规格 也将不断更替,比如目前的DDR3有望取代现有的DDR2, 而未来的FB-DIMM内存又将是另一个更好解决方案。从 PC技术发展情况来看,实际上内存的发展,也代表了DIY 硬件领域的发展历史,同时它也牵动并影响者整个DIY硬 件技术的不管革新……
图10,Rambus DRAM内存
在AMD与Intel的竞争中,这个时候是属于频 率竞备时代,所以这个时候CPU的主频在不断提 升,Intel为了盖过AMD,推出高频PentiumⅢ以 及Pentium 4 处理器,因此Rambus DRAM内存是 被Intel看着是未来自己的竞争杀手剑,Rambus DRAM内存以高时钟频率来简化每个时钟周期的 数据量,因此内存带宽相当出色,如PC 1066 1066 MHz 32 bits带宽可达到4.2G Byte/sec,Rambus DRAM曾一度被认为是Pentium 4 的绝配。
图4,不同规格的EDO DRAM内存
在1991 年到1995 年中,让我们看到一个尴尬的情 况,那就是这几年内存技术发展比较缓慢,几乎 停滞不前,所以我们看到此时EDO RAM有72 pin 和168 pin并存的情况,事实上EDO 内存也属于 72pin SIMM 内存的范畴,不过它采用了全新的寻 址方式。EDO 在成本和容量上有所突破,凭借着 制作工艺的飞速发展,此时单条EDO 内存的容量 已经达到4 ~16MB 。由于Pentium及更高级别的 CPU数据总线宽度都是64bit甚至更高,所以EDO RAM与FPM RAM都必须成对使用(如图5)。
图9,PC150 SDRAM内存
五Байду номын сангаас曲高和寡——Rambus DRAM内 存
尽管SDRAM PC133内存的带宽可提高带宽到 1064MB/S,加上Intel已经开始着手最新的Pentium 4计划,所以SDRAM PC133内存不能满足日后的 发展需求,此时,Intel为了达到独占市场的目的, 与Rambus联合在PC市场推广Rambus DRAM内存 (称为RDRAM内存)。与SDRAM不同的是,其 采用了新一代高速简单内存架构,基于一种类 RISC(Reduced Instruction Set Computing,精简指令 集计算机)理论,这个理论可以减少数据的复杂性, 使得整个系统性能得到提高(如图10)。
图6,PC66 SDRAM内存
图7,PC100 SDRAM内存
图8,PC133 SDRAM内存
不可否认的是,SDRAM 内存由早期的 66MHz,发展后来的100MHz、133MHz,尽 管没能彻底解决内存带宽的瓶颈问题,但 此时CPU超频已经成为DIY用户永恒的话题, 所以不少用户将品牌好的PC100品牌内存超 频到133MHz使用以获得CPU超频成功,值 得一提的是,为了方便一些超频用户需求, 市场上出现了一些PC150、PC166规范的内 存(如图9)。
在刚刚开始的时候,PC上所使用的内存是 一块块的IC,要让它能为PC服务,就必须 将其焊接到主板上,但这也给后期维护带 来的问题,因为一旦某一块内存IC坏了, 就必须焊下来才能更换,由于焊接上去的 IC不容易取下来,同时加上用户也不具备 焊接知识(焊接需要掌握焊接技术,同时 风险性也大),这似乎维修起来太麻烦。
因此,PC设计人员推出了模块化的条 装内存,每一条上集成了多块内存IC,同 时在主板上也设计相应的内存插槽,这样 内存条就方便随意安装与拆卸了(如图1), 内存的维修、升级都变得非常简单,这就 是内存“条”的来源。
内存(Random Access Memory,RAM)的主要 功能是暂存数据及指令。我们可以同时写 数据到RAM 内存,也可以从RAM 读取数据。 由于内存历来都是系统中最大的性能瓶颈 之一,因此从某种角度而言,内存技术的 图1,内存条与内存槽的出现 改进甚至比CPU 以及其它技术更为令人激 动
尽管如此,Rambus RDRAM 内存生不逢时, 后来依然要被更高速度的DDR“掠夺”其宝 座地位,在当时,PC600、PC700的Rambus RDRAM 内存因出现Intel820 芯片组“失误 事件”、PC800 Rambus RDRAM因成本过高 而让Pentium 4平台高高在上(如图11),无 法获得大众用户拥戴,种种问题让Rambus RDRAM胎死腹中,Rambus曾希望具有更高 频率的PC1066 规范RDRAM来力挽狂澜,但 最终也是拜倒在DDR 内存面前。
图2,30pin SIMM 内存
随后,在1988 ~1990 年当中,PC 技术迎来另一 个发展高峰,也就是386和486时代,此时CPU 已 经向16bit 发展,所以30pin SIMM 内存再也无法满 足需求,其较低的内存带宽已经成为急待解决的 瓶颈,所以此时72pin SIMM 内存出现了(如图3), 72pin SIMM支持32bit快速页模式内存,内存带宽 得以大幅度提升。72pin SIMM内存单条容量一般 为512KB ~2MB,而且仅要求两条同时使用,由 于其与30pin SIMM 内存无法兼容,因此这个时候 PC业界毅然将30pin SIMM 内存淘汰出局了。