同步整流技术分享
高频电源开关同步整流技术
同步整流原理同步整流(SynchronousRectification)是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET取代传统的整流二极管以降低整流损耗的技术。
它能够大大提高DC/DC变换器的效率并不存在由快速恢复二极管势垒电压造成的死区电压。
同步整流的基本原理：单端正激、隔离降压同步整流的基本原理电路中，其中，Q1、Q2为功率MOSFET。
该电路的工作原理为在次级电压的正半周期，Q1导通、Q2关断，在次级电压的负半周期，Q2导通、Q1关断。
同步整流电路的功率损耗主要包括MOSFET的导通损耗和栅极驱动损耗，在开关频率低于1MHz时，以导通损耗为主。
正激式DC/DC变换器在功率管截止期间必须有将高频变压器复位的电路，以防止变压器磁芯饱和，一般采用C、R、VD无源箝位电路。
当功率管V截止时，高频变压器初级线圈由R、VD电路构成的放电通路使变压器复位。
DPA-Switch电路的内部结构与工作原理DPA-Switch电路是6端器件，6个引脚分别为控制端C、线路检测端L、外部设定极限电流端X、开关频率选择端F、源极S和漏极D。
线路检测端可实现过压检测、欠压检测、电压反馈、远程通断和同步等功能。
将开关频率选择端与源极端连接时，开关频率为400kHz，而将其连接控制端时，开关频率为300kHz。
(1)控制电压源用于控制电压UC以向并联调整器和门驱动器级提供偏置电压。
控制电流IC用来调节占空比。
(2)带隙基准电压源用于向内部提供各种基准电压，同时产生一个具有温度补偿并可调整的电流源，以保证精确设定振荡器频率和门级驱动电流。
(3)振荡器用于产生脉宽调制器所需要的锯齿波、时钟信号及最大占空比信号(Dmax)。
(4)并联调整器和误差放大器误差放大器用于将反馈电压Uf与5.8V基准电压进行比较以输出误差电流Ir，从而在电阻Rs上形成误差电压Ur。
(5)脉宽调制器(PWM)脉宽调制器是一个电压反馈式控制电路，具有两个功能：一是改变控制端电流IC的大小，即调节占空比，实现脉宽调制；二是将误差电压Ur经由Ra和Ca组成的截止频率为7kHz的低通滤波器进行滤波，以在滤掉开关噪声电压后，加至PWM比较器的同相输入端，然后再与锯齿波电压Uj进行比较，从而产生脉宽调制信号Ub。
有源钳位副边自驱动同步整流
标题：有源钳位副边自驱动同步整流技术介绍随着电子技术的快速发展，有源钳位副边自驱动同步整流技术已成为现代电力电子应用的重要技术之一。
该技术广泛应用于各种大功率电源系统，如电动汽车、风力发电、太阳能发电等，具有高效、节能、环保等优点。
本文将介绍有源钳位副边自驱动同步整流技术的原理、优点和应用。
一、原理有源钳位副边自驱动同步整流技术是一种利用电力电子技术实现电压和电流的同步整流技术。
其基本原理是在副边电路中使用电力电子器件，如二极管、晶闸管、IGBT等，通过控制这些器件的导通和关断，实现电流的有源钳位，从而消除电压波动，达到稳定输出的目的。
二、优点1. 高效节能：有源钳位副边自驱动同步整流技术能够有效地减少能量损失，提高电源系统的效率。
由于不需要使用变压器，因此减少了变压器的铜耗和铁耗，从而提高了整个系统的效率。
2. 可靠性高：由于采用了电力电子器件，有源钳位副边自驱动同步整流技术具有较高的可靠性和稳定性。
这些器件的开关速度极快，能够在短时间内响应负载的变化，从而避免了由于负载变化引起的电压波动。
3. 适用范围广：有源钳位副边自驱动同步整流技术适用于各种功率等级的电源系统，如中小功率电源、大功率电源等。
由于其灵活性和适应性，该技术已经成为现代电力电子应用的重要技术之一。
三、应用有源钳位副边自驱动同步整流技术在电动汽车、风力发电、太阳能发电等领域得到了广泛应用。
在这些领域中，电源系统的功率等级较大，对效率的要求较高。
因此，有源钳位副边自驱动同步整流技术成为这些领域中的重要技术之一。
在电动汽车领域，有源钳位副边自驱动同步整流技术可以有效地提高电池组的充电速度和续航里程。
通过使用该技术，可以减少充电过程中能量的损失，从而提高充电效率。
同时，该技术还可以提高电池组的寿命和安全性。
在风力发电和太阳能发电领域，有源钳位副边自驱动同步整流技术可以有效地提高电源系统的稳定性和可靠性。
由于风力和太阳能等自然能源的波动性较大，因此需要高效的电源系统来稳定输出电压和电流。
开关电源中的同步整流技术
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電感電流紋波互消作用示意
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特別需要指出的是，倍流整流拓撲這一電路形式特別適合於應用磁集 成技術。一般可採用兩種集成思路：兩隻電感集成在一隻磁芯上，以 及兩隻電感和變壓器集成在一隻磁芯上。在倍流整流拓撲中，雖然由 電感電流交錯合成後的電流紋波較小，但分別流過分立電感L1、L2 上的電流紋波卻較大，因此在採用分立電感元件時，對應每只電感的 磁通脈動量較大，引起較大的磁芯損耗，影響整機效率；把電感L1、 L2集成在一隻磁芯上（如EE或EI型），電感繞組分別繞制在兩隻外 腿上，對應的磁通在中心柱上交疊，可以實現磁通脈動量的互消作用， 從而大大減小中心柱的磁芯損耗和磁芯體積。對應的示意圖如圖9所 示 更進一步，可把三個分立磁性元件集成在一隻磁芯上[10]，如圖10所 示，同時實現了磁芯和繞組的集成，從而大大減小了磁性元件所占的 總體積，簡化了佈局及封裝設計，與半波、全波整流相比，具有顯著 的優越性。
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副邊形成短路回路
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STSRX系列內部框架 系列內部框架
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系統的工作原理
第一個開關週期： 在時鐘輸入信號的上升沿， 兩個加數/減數（UP/DOWN）計數器中的 第一個計數器工作在計數增加狀態，開始對內部時鐘（CKI）的脈衝進行 計數。在時鐘輸入信號的下一個上升沿（第一個週期TS結束時），計數器 停止計數。計算到的脈衝數為n2，它代表開關週期的時間長短。這個資料 存放在起來，以便在下一個開關週期使用。 第二個開關週期： 在CK輸入的上升沿，第一個計數器工作在減數狀態，對內部時鐘脈衝 進行減數計數，計算到脈衝數為n2-x2時，停止計數。在此時，OUT2 由高 電平轉變為低電平。第二個計數器則計算內部時鐘新的脈衝數，將開關週 期TS更新。 OUT2由高平轉變為低電平的提前量的數值為x2．TI ，是由時間提前 量Anticipation2 這個輸入來確定。在每個週期，計數器的功能，是進行加 數計數還是做減數計數，是相對於前一個週期而互相交換的。
同步整流及 llc 死区时间
同步整流及 LLC 死区时间目录1. 同步整流概述2. LLC 调制技术简介3. 死区时间的重要性4. 提高死区时间的方法5. 结语1. 同步整流概述同步整流是一种用于直流电源系统中的电路，它的作用是将交流输入电压转换为直流电压输出。
这种电路通常用于电力电子设备中，例如变流器、逆变器等，也被广泛应用于新能源领域，如光伏发电系统、风力发电系统等。
同步整流电路的性能对整个系统的效率和稳定性具有非常重要的影响。
2. LLC 调制技术简介LLC 调制（LLC Resonant Converter）是一种高效率、高性能的拓扑结构，常用于电源转换器中。
它由电感、电容和开关器件组成，能够在较高的频率下工作，因此具有较高的功率密度和转换效率。
LLC 调制技术在大功率电源领域得到了广泛的应用，尤其在高性能服务器、通信设备、工业设备等方面发挥了重要作用。
3. 死区时间的重要性在同步整流及 LLC 调制电路中，死区时间是一个至关重要的参数。
它指的是两个开关器件同时导通或关断时的时间间隔，这个间隔时间是为了避免在交流电源转换到直流电压时引起破坏性的电流冲击。
如果死区时间设置不合理，就容易导致开关器件同时导通或关断，造成开关器件损坏或系统性能下降。
合理设置死区时间对于同步整流及 LLC 拓扑电路的稳定工作至关重要。
4. 提高死区时间的方法为了提高死区时间的准确性和稳定性，工程师们提出了一系列方法和技术。
采用精准的时间控制器和逻辑电路可以确保死区时间的精确控制，以满足不同工况下的要求。
采用智能的控制算法，结合实时反馈的信息，可以动态调整死区时间，适应不同的工作环境。
采用高性能的开关器件或者增加并联开关器件的方式，也可以有效降低死区时间的影响，提高系统的稳定性和可靠性。
5. 结语同步整流及 LLC 调制技术在电力电子领域有着广泛应用和发展前景，而死区时间作为关键参数之一，对于整个系统的性能和稳定性具有重要影响。
随着技术的不断进步和创新，相信工程师们会提出更多更优秀的方法和技术，进一步提高死区时间的准确性和稳定性，为同步整流及 LLC 调制电路的性能提升和系统可靠性保障提供更好的保障。
同步整流技术
• LLC半桥同步整流电路与波形
同步整流的分类
• 全桥倍流同步整流电路与波形
同步整流的驱动方式
电压型自驱动 自驱动 电流型自驱动 同步整流 驱动方式 半自驱
外部驱动
同步整流的驱动方式
• 电压型自驱动同步整流电路特点
� 驱动电压：SR所在回路中的某一电压 � 要求：波形转换快，时序准确，无死区 � 优点：电路简单，实用，节约成本 � 缺点：驱动方式随电路结构而不同；受输入电压变化范 围的影响；受变压器漏感影响；不能用于并联工作的 SR-DC ／DC变换器中；对变换器轻载时的工作有影响。 存在死区，驱动波形不好，驱动电压和时序不好安排。
• BUCK同步整流
�L1与L2以及VQ1的结电容C会产生谐振，谐振的 电压尖峰同样会叠加在 Vin 上
同步整流的MOSFET
BUCK同步整流管关断波形
Spike
Driver Oscillation
同步整流的MOSFET
抑制BUCK同步整流管关断波形尖峰
Ro n Q1_H S Ro ff Dg LL K
同步整流的驱动方式
• 正激电压型自驱动同步整流电路与波形
同步整流的驱动方式
• 电流型自驱动同步整流电路特点
� 驱动电压： SR中的电流通过电流互感器产生 � 优点：驱动波形无死区，不受输入电压影响，不受电路 结构的影响，可用于并联运行的 DC-DC变换器。 驱动信号同步性好， 利用电流互感器 ,较低的压降就能获得较高的电压检测信号 , 因此,检测大电流时具备很大的优势 � 缺点：电流检测元件有损耗， 影响电路的整体效率
R1 C1
Q2_S R
V in
R1
C1
同步整流管加入 RC或者RCD吸收电路
同步整流技术总结讲解学习
同步整流总结1概述近年来，为了适应微处理器的发展，模块电源的发展呈现两个明显的发展趋势：低压和快速动态响应，在过去的10年中，模块电源大大改善了分布式供电系统的面貌。
即使是在对成本敏感器件如线路卡，单板安装，模块电源也提供了诱人的解决方案。
然而，高速处理器持续降低的工作电压需要一个全新的，适应未来的电压方案，尤其考虑到肖特级二极管整流模块不能令人满意的效率。
同步整流电路正是为了适应低压输出要求应运而生的。
由于一般的肖特基二极管的正向压降为0.3V以上，在低压输出时模块的效率就不能做的很高，有资料表明采用肖特基二极管的隔离式DC-DC模块电源的效率可以按照下式进行估算：我们假设采用0.4V的肖特基整流二极管，印制板的线路损耗为0.1V，则1.8V的模块最大的估算效率为72%。
这意味着28%的能量被模块内部损耗了。
其中由于二极管导通压降造成的损耗占了约15%。
随着半导体工艺的发展，低压功率MOS管的的有着越来越小的通态电阻，越来越低的开关损耗，现在IR公司最新的技术可以制作30V/2.5m Ω的MOS管，在电流为15A时，导通压降为0.0375，比采用肖特基二极管低了一个数量级。
所以近年来对同步整流电路的研究已经引起了人们的极大关注。
在中大功率低压输出的DC-DC变换器的产品开发中，采用低压功率MOSFET替代肖特基二极管的方案得到了广泛的认同。
今天，采用同步整流技术的ON-BOARD 模块已经广泛应用于通讯的所有领域。
2同步整流电路的工作原理整流管导通压降损耗—印制板的线路损耗—原边和控制电路损耗—fcutoufcutououtoutVVVVVVVV⨯++⨯+≈1.0)1.0(η图1 采用同步整流的正激电路示意图(无复位绕组) 同步整流电路与普通整流电路的区别在于它采用了MOS管代替二极管，而MOS管是它驱的开关器件，必须采用一定的方式控制MOS管的开关。
同步整流电路中功率MOS 管的驱动方式主要有两种：自驱动和它驱动。
同步整流技术DC-DC模块电源
同步整流技术DC-DC模块电源
1、概述
2、基本同步整流电路
如图1 所示电路，其副边为基本同步整流电路，关键波形见图2。
当原边主
开关管Q1 开通时，通过变压器T1 向副边传输能量，副边工作在整流状态，此时SR1 的Vgs 电压为变压器副边绕组电压，极性为正，SR2 的Vgs 电压为零，因而SR1 导通，SR2 关断;当原边主开关管Q1 关断时，变压器T1 原边绕组的励磁电流和负载电流流经C1，C1 上的电压开始上升，当C1 电压升至Vin 时，原边绕组中的负载电流下降为0，在励磁电流的作用下原边励磁电感Lm 与电
容C1 进行谐振，谐振电压Vr 为正弦波，谐振周期Tr=2π√LmC2，谐振电压Vr 加到变压器T1 的原边绕组上使T1 磁复位，同时，副边也进入到续
流状态，此时SR1 的Vgs 电压为0，SR2 的Vgs 电压为变压器副边绕组电压，电压波形为正弦波，极性为正，因而SR1 关断，SR2 导通;这样的工作状态会
周期性重复
3、基本同步整流电路的问题
3.1、续流管的驱动
如图2 中SR2 的Vgs 波形，由于驱动SR2 的是正弦波谐振电压，受主开关的占空比和谐振参数的影响，电压波形变化较大，驱动效果也不理想，模块效
率较低。
3.2、输出并联
将两个采用基本同步整流电路的DC-DC 模块电源输出并联将会产生很多问题，其中的一个严重问题就是电流反灌。
下面通过一个简单的例子说明电流反。
大功率同步整流
大功率同步整流
大功率同步整流是一种高效能的电力转换技术，能够将交流电转换为直流电，并且具有高功率输出的特点。
它在许多领域中得到了广泛的应用，例如电力系统、电动汽车、工业控制等。
在电力系统中，大功率同步整流器被用于将电网提供的交流电转换为直流电，以满足高功率负载的需求。
通过使用同步整流器，电网的电能可以高效地转化为直流电能，使得电力系统更加稳定可靠。
同时，大功率同步整流器还能够实现电网与电池储能系统之间的双向能量传输，提高了能源的利用效率。
在电动汽车领域，大功率同步整流技术可以将交流电转换为直流电，为电动汽车的电池充电。
由于电动汽车需要大容量的电池来提供动力，因此需要高功率的充电设备。
大功率同步整流器能够在短时间内将电能转移到电池中，提高了充电效率，缩短了充电时间，使得电动汽车更加便捷和实用。
在工业控制领域，大功率同步整流器被广泛应用于工业电力供应系统中。
它可以将电网提供的交流电转换为直流电，为工业设备提供稳定可靠的直流电源。
这种技术不仅能够提高工业设备的运行效率，还能够减少能源的浪费，降低能源成本。
总的来说，大功率同步整流是一种重要的电力转换技术，具有高效能、高功率输出的特点。
它在电力系统、电动汽车、工业控制等领
域中发挥着重要作用。
通过采用大功率同步整流技术，可以实现电能的高效转换和利用，提高能源利用效率，减少能源浪费，推动可持续发展。
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江苏宏微科技股份有限公司 Power for the Better同步整流技术及主要拓扑电路宏微科技市场部2015-9-16Contents• 同步整流电路概述 • 典型电路及其特点 • 损耗分析 • 同步整流电路中常见问题 • MOSFET选型设计参考Power for the Better1 CONFIDENTIAL力求更好Contents• 同步整流技术概述 • 典型电路及其特点 • 损耗分析 • 同步整流电路中常见问题 • MOSFET选型设计参考Power for the Better2 CONFIDENTIAL力求更好同步整流技术概述由于中低压MOSFET具有很小的导通电阻，在有电流通过时产生的电压降很 小，可以替代二极管作为整流器件，可以提高变换器的效率。
diodeMOSFETMOSFET作整流器时，栅源极间电压必须与被整流电压的相位保持同步关系才 能完成整流功能，故称同步整流技术。
MOSFET是电压控制型开关器件，且没有反向阻断能力，必须在其栅-源之 间加上驱动电压来控制器漏-源极之间的导通和关断。
这是同步整流设计的难 点和重点。
根据其控制方式，同步整流的驱动电路分为 •自驱动方式； • 独立控制电路他驱方式； • 部分自驱+部分他驱方式结合；Power for the Better3 CONFIDENTIAL力求更好Contents• 同步整流技术概述 • 典型电路及其特点 • 损耗分析 • 同步整流电路中常见问题 • MOSFET选型设计参考Power for the Better4 CONFIDENTIAL力求更好典型电路及其特点1u 2u L1 TX1 1m C1 P1 S1 2 R1 P1 S1 D1N4148 D2 TX1 1m C1 L1 2 R1DC-AC ConverterDC-AC ConverterD1N4148 D1 S2 1u 2uL2L2主变压器副边绕组自驱动 自驱同步整流电路辅助绕组自驱动优点： 电路相对简单，可靠性较高； 成本低； 当采用辅助绕组时，不受主绕组输出电压限制； 在有源钳位正激，双管正激，谐振复位正激，不对称半桥拓扑应用广 泛。
Power for the Better5 CONFIDENTIAL力求更好典型电路及其特点4u4uL4L4 TX2TX2 1m C2 2 R2P1S1 1m C2 2 R2P1S1DC-AC ConverterDC-AC ConverterS2S3主变压器副边绕组自驱动 辅助绕组自驱动 自驱同步整流电路缺点： 驱动幅值随占空比变化较大；需要有额外的限幅电路； 主变压器提前复位时，没有驱动信号，需要增加栅压保持电路； 主变漏感增加驱动电压尖峰，降低可靠性； 驱动波形受原边主管开关波形影响。
Power for the Better6 CONFIDENTIAL力求更好典型电路及其特点他驱方式优点： 易实现符合同步整流需要的驱动时序逻辑； 易获取高效率； 外围电路较简单； 在反激，对称半桥，全桥，LLC拓扑应用广泛。
Power for the Better缺点： 需要驱动IC； 成本较高。
7 CONFIDENTIAL力求更好Contents• 同步整流技术概述 • 典型电路及其特点 • 损耗分析 • 同步整流电路中常见问题 • MOSFET选型设计参考Power for the Better8 CONFIDENTIAL力求更好同步整流管损耗考虑A SR MOSFET does not use active switching – switching speed has no primary relevance and has no influence on efficiency! Losses in a SR MOSFET come from• • • • Conduction losses (like in a diode) Body diode conduction losses(dead time) Gate drive losses (not present with diodes) Reverse recovery losses (like in a diode, but typically larger)Power for the Better9 CONFIDENTIAL力求更好同步整流管损耗考虑ConductionConducting lossesPv _ cond = IBody diode conduction loss2 RMS⋅ RDS ( on )PV _ BD _ cond = VD ⋅ I D ⋅ t BD _ on ⋅ f swGate lossesSwitchingPv _ gate = Qg ⋅ Vg ⋅ f swTurn-off – reverse recovery lossesPsw = VT ⋅ (1 2 ⋅ Qoss + Q *rr ) ⋅ f swPower for the Better 9/17/2015 力10 CONFIDENTIAL求更好AOS Confidential10同步整流管损耗考虑Upeak I comm Utrafo Qoss di/dt=const Irev_ peak tIpeak trev tUpeak Qrr* UDSIDtimeMOS body diode 反向恢复电压，电流简化波形和实测波形Coss8 7 6 Coss [nF] 5 4 3 2 1 0 0 10 20 30 40 50 Uds [V] 60 70 80 90 100 Coss Coss_meanQoss = ∫ coss (t ) ⋅ v(t ) ⋅ dt = VT ⋅ Cconst ⇒ Cconst0UT1 T = ⋅ ∫ coss (t ) ⋅ v(t ) ⋅ dt VT 0UPower for the Better11 CONFIDENTIAL力求更好同步整流管损耗考虑80V MOSFET technology; transformer output 40V; Vout = 12VPower Losses per SR MOSFET Switching Frequency - 125kHz4.0 3.5power dissipation [W]Qrr/Mosfet Qoss/Mosfet Diode/Mosfet Qg/Mosfet Conduction/Mosfet3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0.01030output current [A]50Power for the Better12 CONFIDENTIAL力求更好同步整流管损耗考虑Synchronous rectification yields a major efficiency gain MOSFETs have lower conduction losses but higher switching losses than diodes Turn-off losses should be minimized by• • • • Lowering the transformer voltage Using MOSFETs with a low voltage-class Using packages with a low contribution to Rds(on) Correctly selecting the Rds(on)Power for the Better13 CONFIDENTIAL力求更好Contents• 同步整流技术概述 • 典型电路及其特点 • 损耗分析 • 同步整流电路中常见问题 • MOSFET选型设计参考Power for the Better14 CONFIDENTIAL力求更好同步整流电路面临的几个问题驱动时序一旦不同步易引起效率降低(驱动开通延迟，MOS 体二极管导通 时间增加）和电流倒灌现象（驱动关断延迟）对于主变压器绕组电压非互补的拓扑中，例如半桥，全桥，存在较长 的死区时间，导致采用自驱电路的MOS驱动电压不足或没有，效率降低；需 要采取栅荷保持技术；驱动绕组电压受变压器漏感影响，驱动波形不可避免有一定尖峰电压， 降低可靠性； 自驱电路所用的绕组电压幅值随占空变化较大，容易超过Vgs 限值而损 坏MOS管，需要增加由一个MOS管组成的正-负限幅电路；Power for the Better15 CONFIDENTIAL力求更好同步整流电路面临的几个问题上述增加的正-负限幅电路会增加驱动损耗，还会增加主功率MOS管的 导通和关断时间，从而降低效率； 辅助绕组如果带中心抽头，则有驱动负压，增加驱动损耗； 整流管和续流管的驱动电压在切换时，存在一定的重合，从而产生直 通现象； 自驱驱动波形和原边主管Vds波形高度耦合，易受其影响； 电源输出并联导致可能的起机时预偏置电压跌落； MOSFET自身的可靠性问题（抗重复雪崩击穿能力和耐dv/dt 耐受力）Power for the Better16 CONFIDENTIAL力求更好Contents• 同步整流技术概述 • 典型电路及其特点 • 损耗分析 • 同步整流电路中常见问题 • MOSFET选型设计参考Power for the Better17 CONFIDENTIAL力求更好同步整流电路MOS选型考虑36~75V 18~75V4u L1VOUT=5V&12V100u C3 TX1 S1 P12 R1100u C21n C1ACF power stageinput36~75voutput5v AON6230 AON6240 AON6590* AON6292 AON6290 AON6280 AON6278partdescription1.44m / 40V 1.6m / 40V 0.95m / 40V 6m /100V 4.6m / 100V 4.1m/80V 3.3m/80V 120V 16.5m /150V 3.6m/60V 2.4m/60Vremark原副边匝比：436~75V12v原副边匝比：1.5~218~75V12vTBD（续流管） AON6250(续流管） AON6242(整流管） AON6260(整流管）原副边匝比：0.75~1Power for the Better18 CONFIDENTIAL力求更好同步整流电路MOS选型考虑FB/HB 200W－800W for Data communicationQ65 C48 Q62 T7 L23 C47 Q64 Q66 Q61input36~7 5V 40~6 0Voutput12v 10vpartAON6292 AON6290 AON6242 AON6260description6m /100V 4.6m / 100V 3.6m/60V 2.4m/60Vremark原副边匝比：5：2（稳压） 6: 2（半稳压） 原副边匝比： 4: 1(稳压）Q6736~75V 40~60V4u L112V 10VinputTX1 100u C1 S1 P1 100u C2output12v 10vpartAON6260 AON6242 AON6752description2.4m /60V 3.6m / 60V 1.7m/30Vremark原副边匝比：5：2（稳压） 原副边匝比： 4: 1(稳压）36~75 V 40~60 VPower for the Better19 CONFIDENTIAL力求更好同步整流MOS选型考虑outpu Full bridge regulator 200W~1000W for 佛如for wireless base stationD136~75V100u C24u L1P1S1TX1100u C130VD2inputpartdescriptionremarkT X4Q72L22IRF530Q9P1S1S2TX11m C2I RF530Q4I RF530Q3I RF530Q2I RF530Q12uL11m C1I RF530Q5I RF530Q6I RF530Q7I RF530Q81m C3Buck regulator(33V)+ full bridge/push-pull(open loop) 200W~1000W for wireless base station4u L236~75V1m C2P1S1TX 1100u C130V100u C3P1S1Half bridge /full bridge LLC for54Vout rectifierCONFIDENTIAL22 Power for the Betterinput output part Description remarkAC inputDC input54v AOT2500LAOB2500L6.5m @150V TO-2206.2m @150V TO-263Q6C4C3L1C8D3C2D2Q1Q3T1C1L3Q5D1C5Half bridge /full bridge LLC for 12Vout server powerEfficiency in half load reach the standards is difficulty pointCONFIDENTIAL23Power for the BetterQ4Q2inputoutputpartDescriptionremarkAC input DC input12vAON6230AON6232AOT240L AON6152AOT260L AOB 260L1.44m @40V DFN5*61.6m @ 40V DFN5*62.9m @ 40V TO-220@ 45V DFN5*62.5m @ 60V TO-2202.3m @ 60V TO-26345v for more strictly derating60v for TO-220 package谢谢!CONFIDENTIAL24 Power for the BetterThanks!。