第五节 13Czh
《机械原理》第七版西北工业大学习题答案 特别全答案详解

题 2-8 图示为一刹车机构。刹车时,操作杆 1 向右拉,通过构件 2、3、4、5、6 使两闸瓦刹住车轮。试计 算机构的自由度,并就刹车过程说明此机构自由度的变化情况。(注:车轮不属于刹车机构中的构件。)
解:1)未刹车时,刹车机构的自由度
n 6 pl 8 ph 0
F 3n 2 pl ph 3 6 28 0 2
F 3n 2 pl ph 35 2 7 0 1
所设计的一种假肢膝关节机构,该机构能 为机架,
自由度,并作出大腿弯曲 90 度时的机构
简图。大腿弯曲 90 度时的机构运动简图
题 2-6 试计算如图所示各机构的自由度。图
a、d 为齿轮-连杆组合机构;图 b 为凸轮-连
杆组合机构(图中在 D 处为铰接在 题2-5
移动副。 解法一:
n 13 pl 17 ph 4
虚约束:
因为 AB BC CD AD ,4 和 5,6 和 7、8 和 9 为不影响机构传递运动的重复部分,与连杆 10、
11、12、13 所带入的约束为虚约束。机构可简化为图 2-7(b)
重复部分中的构件数 n 10 低副数 pl 17 高副数 ph 3 局部自由度 F 3
p5 3 p4 1 F 1
5
F 6 mn i mpi F 6 3 3 5 3p5 4 3p4 F 1 i m1
F0 6n ipi F 6 3 5 3 411 2 将平面高副改为空间高副,可消除虚约束。
题 2-10 图示为以内燃机的机构运动简图,试计算自由度,并分析组成此机构的基本杆组。如在该机构中 改选 EG 为原动件,试问组成此机构的基本杆组是否与前者不同。 解:1)计算此机构的自由度
p 2 pl ph 3n 2 17 3 310 3 4 局部自由度 F 4
轮系相关应用题

一、温习试探题1.什么缘故要应用轮系?试举出几个应用轮系的实例?2.何谓定轴轮系?何谓周转轮系?行星轮系与差动轮系有何区别? 3.什么叫惰轮?它在轮系中有什么作用?4.定轴轮系的传动比如何计算?式中(-1)m有什么意义? 5.定轴轮系结尾的转向如何判别?6.若是轮系的结尾轴是螺旋传动,应如何计算螺母的移动量?二、填空题1.由假设干对齿轮组成的齿轮机构称为 。
2.依照轮系中齿轮的几何轴线是不是固定,可将轮系分 轮系、 轮系和 轮系三种。
3.对平面定轴轮系,始末两齿轮转向关系可用传动比计算公式中 的符号来判定。
4.行星轮系由 、 和 三种大体构件组成。
5.在定轴轮系中,每一个齿轮的回转轴线都是 的。
6.惰轮对 并无映响,但却能改变从动轮的 方向。
7.若是在齿轮传动中,其中有一个齿轮和它的 绕另一个 旋转,那么这轮系就叫周转轮系。
8.旋转齿轮的几何轴线位置均 的轮系,称为定轴轮系。
9.轮系中 两轮 之比,称为轮系的传动比。
10.加惰轮的轮系只能改变 的旋转方向,不能改变轮系的 。
11.一对齿轮的传动比,假设考虑两轮旋转方向的同异,可写成±==21n n i ——。
12.定轴轮系的传动比,等于组成该轮系的所有 轮齿数连乘积与所有 轮齿数连乘积之比。
13.在周转转系中,凡具有 几何轴线的齿轮,称中心轮,凡具有 几何轴线的齿轮,称为行星轮,支持行星轮并和它一路绕固定几何轴线旋转的构件,称为 。
14.周转轮系中,只有一个 时的轮系称为行星轮系。
15.转系可取得 的传动比,并可作 距离的传动。
16.转系能够实现 要求和 要求。
17.转系能够 运动,也能够 运动。
18.采纳周转轮系可将两个独立运动 为一个运动,或将一个独立的运动 成两个独立的运动。
19.差动轮系的要紧结构特点,是有两个。
20.周转轮系结构尺寸,重量较。
21.周转轮系可取得的传动比和的功率传递。
三、判定题1.转系可分为定轴轮系和周转轮系两种。
MC12026A 1.1GHz 双模预分频器 用户手册说明书

MC12026A1.1 GHz Dual Modulus PrescalerDescriptionThe MC12026A is a high frequency, low voltage dual modulus prescaler used in phase-locked loop (PLL) applications.The MC12026A can be used with CMOS synthesizers requiring positive edges to trigger internal counters in a PLL to provide tuning signals up to 1.1GHz in programmable frequency steps.A Divide Ratio Control (SW) permits selection of an 8/9 or 16/17divide ratio as desired.The Modulus Control (MC) selects the proper divide number after SW has been biased to select the desired divide ratio.Features•1.1GHz Toggle Frequency •Supply V oltage 4.5 to 5.5V •Low Power 4.0mA Typical•Operating Temperature Range of −40 to 85°C•The MC12026 is Pin Compatible with the MC12022•Short Setup Time (t set ) 6.0*************GHz•Modulus Control Input Level is Compatible with Standard CMOS and TTL•These Devices are Pb-Free, Halogen Free and are RoHS CompliantTable 1. FUNCTIONAL TABLESW MC Divide RatioH H 8H L 9L H 16LL171.SW: H = V CC , L = Open. A logic L can also be applied by grounding this pin,but this is not recommended due to increased power consumption.2.MC: H = 2.0V to V CC , L = GND to 0.8V.Table 2. MAXIMUM RATINGSCharacteristicsSymbol Value UnitPower Supply Voltage, Pin 2V CC −0.5 to 7.0Vdc Operating Temperature Range T A −40 to 85°CStorage Temperature Range T stg −65 to 150°C Modulus Control Input, Pin 6MC −0.5 to 6.5Vdc Maximum Output Current, Pin 4I O10.0mAStresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be assumed, damage may occur and reliability may be affected.NOTE:ESD data available upon request.PIN CONNECTIONS(Top View)IN IN V CC SW OUTNC MC GNDSOIC −8NB D SUFFIX CASE 751−07MARKING DIAGRAM*A = Assembly Location L = Wafer Lot Y = YearW = Work WeekG= Pb-Free Package8ORDERING INFORMATIONDevicePackageShipping †MC12026ADG SOIC −8NB (Pb-Free)98 Units/Tube MC12026ADR2GSOIC −8NB (Pb-Free)2500/T ape & Reel†For information on tape and reel specifications, in-cluding part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, .(Note: Microdot may be in either location)*For additional marking information, refer to Application Note AND8002/D .Table 3. ELECTRICAL CHARACTERISTICS (V CC = 4.5 to 5.5; T A = −40 to 85°C, unless otherwise noted.)CharacteristicSymbolMin Typ Max Unit Toggle Frequency (Sin Wave)f t 0.1 1.4 1.1GHz Supply Current Output Unloaded (Pin 2)I CC − 4.0 5.3mA Modulus Control Input High (MC)V IH1 2.0−V CC V Modulus Control Input Low (MC)V IL1GND −0.8V Divide Ratio Control Input High (SW)V IH2V CC − 0.5V V CC V CC + 0.5V V Divide Ratio Control Input Low (SW)V IL2OPEN OPEN OPEN −Output Voltage Swing(R L = 560W ; I O = 5.5mA) (Note 1)(R L = 1.1k W ; I O = 2.9mA) (Note 2)V out1.01.6−V ppModulus Setup Time MC to Out (Note 3)t SET − 6.09.0ns Input Voltage Sensitivity 100−250MHz 250−1100MHzV in400100−−10001000mVpp1.Divide Ratio of ÷8/9 at 1.1GHz, C L = 8.0pF.2.Divide Ratio of ÷16/17 at 1.1GHz, C L = 8.0pF.3.Assuming R L = 560W at 1.1GHz.In In MCSWFigure 2. Modulus Setup TimeModulus setup time MC to out is the MC setup or MC release plus the prop delay.InOutMCFigure 3. AC Test CircuitCC = 4.5 to 5.5VEXTERNAL COMPONENTS C1 = C2 = 1000 pF C3 = 0.1m FC L = 8pF (Including Scope and Jig Capacitance)R L = 560W (for ÷8/9 at 1.1GHz)20040060080010001200140016001800Figure 4. Input Signal Amplitude Versus Input Frequency+15.0+10.0+5.00-5.0-10.0-15.0-20.0-25.0-30.0-35.0-40.0-45.0-50.0+1257.40+0.71+1.26+2.24+3.98+7.07+12.57+22.36+39.76+70.71+125.74+223.61+397.64+707.11020040060080010001200140016001800FREQUENCY (MHz)A M P L I T U D E (dB m )m V r m sFREQUENCY (MHz)0400800120016002000m V p pFigure 5. Output Amplitude Versus Input FrequencyDivide Ratio = 8; V CC = 5.0V; T A = 25°CFigure 6. Typical Output Waveform880mV36.6ns86.6ns5.88V(÷8, 1.1 GHz Input Frequency, V CC = 5.0, T A = 25°C, Output Loaded With 8.0pF)−−−−−−−−−−−−−100200300400500600700800900100011001200Figure 7. Typical Input Impedance Versus Input FrequencyO H M S jXRECLinPS is a registered trademark of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC) or its subsidiaries in the United States and/or other countries.SOIC −8 NB CASE 751−07ISSUE AKDATE 16 FEB 2011NOTES:1.DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.2.CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.3.DIMENSION A AND B DO NOT INCLUDE MOLD PROTRUSION.4.MAXIMUM MOLD PROTRUSION 0.15 (0.006)PER SIDE.5.DIMENSION D DOES NOT INCLUDE DAMBAR PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBARPROTRUSION SHALL BE 0.127 (0.005) TOTAL IN EXCESS OF THE D DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL CONDITION.6.751−01 THRU 751−06 ARE OBSOLETE. NEW STANDARD IS 751−07.SCALE 1:1STYLES ON PAGE 2DIM A MIN MAX MIN MAX INCHES4.805.000.1890.197MILLIMETERSB 3.80 4.000.1500.157C 1.35 1.750.0530.069D 0.330.510.0130.020G 1.27 BSC 0.050 BSC H 0.100.250.0040.010J 0.190.250.0070.010K 0.40 1.270.0160.050M 0 8 0 8 N 0.250.500.0100.020S5.806.200.2280.244MYM0.25 (0.010)YM0.25 (0.010)Z SXS____XXXXX = Specific Device Code A = Assembly Location L = Wafer Lot Y = YearW = Work WeekG = Pb −Free PackageGENERICMARKING DIAGRAM*8ICDiscrete 0.60.024ǒmm inchesǓSCALE 6:1*For additional information on our Pb −Free strategy and soldering details, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.SOLDERING FOOTPRINT*Discrete(Pb −Free)IC (Pb −Free)XXXXXX = Specific Device Code A = Assembly Location Y = Year WW = Work Week G = Pb −Free Package*This information is generic. Please refer todevice data sheet for actual part marking.Pb −Free indicator, “G” or microdot “G ”, may or may not be present. Some products may not follow the Generic Marking.MECHANICAL CASE OUTLINEPACKAGE DIMENSIONSSOIC −8 NB CASE 751−07ISSUE AKDATE 16 FEB 2011STYLE 4:PIN 1.ANODE2.ANODE3.ANODE4.ANODE5.ANODE6.ANODE7.ANODEMON CATHODE STYLE 1:PIN 1.EMITTER2.COLLECTOR3.COLLECTOR4.EMITTER5.EMITTER6.BASE7.BASE8.EMITTER STYLE 2:PIN 1.COLLECTOR, DIE, #12.COLLECTOR, #13.COLLECTOR, #24.COLLECTOR, #25.BASE, #26.EMITTER, #27.BASE, #18.EMITTER, #1STYLE 3:PIN 1.DRAIN, DIE #12.DRAIN, #13.DRAIN, #24.DRAIN, #25.GATE, #26.SOURCE, #27.GATE, #18.SOURCE, #1STYLE 6:PIN 1.SOURCE2.DRAIN3.DRAIN4.SOURCE5.SOURCE6.GATE7.GATE8.SOURCE STYLE 5:PIN 1.DRAIN2.DRAIN3.DRAIN4.DRAIN5.GATE6.GATE7.SOURCE8.SOURCESTYLE 7:PIN 1.INPUT2.EXTERNAL BYPASS3.THIRD STAGE SOURCE4.GROUND5.DRAIN6.GATE 37.SECOND STAGE Vd 8.FIRST STAGE Vd STYLE 8:PIN 1.COLLECTOR, DIE #12.BASE, #13.BASE, #24.COLLECTOR, #25.COLLECTOR, #26.EMITTER, #27.EMITTER, #18.COLLECTOR, #1STYLE 9:PIN 1.EMITTER, COMMON2.COLLECTOR, DIE #13.COLLECTOR, DIE #24.EMITTER, COMMON5.EMITTER, COMMON6.BASE, DIE #27.BASE, DIE #18.EMITTER, COMMON STYLE 10:PIN 1.GROUND2.BIAS 13.OUTPUT4.GROUND5.GROUND6.BIAS 27.INPUT8.GROUND STYLE 11:PIN 1.SOURCE 12.GATE 13.SOURCE 24.GATE 25.DRAIN 26.DRAIN 27.DRAIN 18.DRAIN 1STYLE 12:PIN 1.SOURCE2.SOURCE3.SOURCE4.GATE5.DRAIN6.DRAIN7.DRAIN8.DRAINSTYLE 14:PIN 1.N −SOURCE2.N −GATE3.P −SOURCE4.P −GATE5.P −DRAIN6.P −DRAIN7.N −DRAIN8.N −DRAIN STYLE 13:PIN 1.N.C.2.SOURCE3.SOURCE4.GATE5.DRAIN6.DRAIN7.DRAIN8.DRAIN STYLE 15:PIN 1.ANODE 12.ANODE 13.ANODE 14.ANODE 15.CATHODE, COMMON6.CATHODE, COMMON7.CATHODE, COMMON8.CATHODE, COMMON STYLE 16:PIN 1.EMITTER, DIE #12.BASE, DIE #13.EMITTER, DIE #24.BASE, DIE #25.COLLECTOR, DIE #26.COLLECTOR, DIE #27.COLLECTOR, DIE #18.COLLECTOR, DIE #1STYLE 17:PIN 1.VCC2.V2OUT3.V1OUT4.TXE5.RXE6.VEE7.GND8.ACCSTYLE 18:PIN 1.ANODE2.ANODE3.SOURCE4.GATE5.DRAIN6.DRAIN7.CATHODE8.CATHODESTYLE 19:PIN 1.SOURCE 12.GATE 13.SOURCE 24.GATE 25.DRAIN 26.MIRROR 27.DRAIN 18.MIRROR 1STYLE 20:PIN 1.SOURCE (N)2.GATE (N)3.SOURCE (P)4.GATE (P)5.DRAIN6.DRAIN7.DRAIN8.DRAIN STYLE 21:PIN 1.CATHODE 12.CATHODE 23.CATHODE 34.CATHODE 45.CATHODE 5MON ANODEMON ANODE8.CATHODE 6STYLE 22:PIN 1.I/O LINE 1MON CATHODE/VCCMON CATHODE/VCC4.I/O LINE 3MON ANODE/GND6.I/O LINE 47.I/O LINE 5MON ANODE/GND STYLE 23:PIN 1.LINE 1 INMON ANODE/GNDMON ANODE/GND4.LINE 2 IN5.LINE 2 OUTMON ANODE/GNDMON ANODE/GND8.LINE 1 OUT STYLE 24:PIN 1.BASE2.EMITTER3.COLLECTOR/ANODE4.COLLECTOR/ANODE5.CATHODE6.CATHODE7.COLLECTOR/ANODE 8.COLLECTOR/ANODE STYLE 25:PIN 1.VIN2.N/C3.REXT4.GND5.IOUT6.IOUT7.IOUT8.IOUTSTYLE 26:PIN 1.GND2.dv/dt3.ENABLE4.ILIMIT5.SOURCE6.SOURCE7.SOURCE8.VCCSTYLE 27:PIN 1.ILIMIT2.OVLO3.UVLO4.INPUT+5.SOURCE6.SOURCE7.SOURCE8.DRAINSTYLE 28:PIN 1.SW_TO_GND2.DASIC_OFF3.DASIC_SW_DET4.GND5.V_MON6.VBULK7.VBULK8.VINSTYLE 29:PIN 1.BASE, DIE #12.EMITTER, #13.BASE, #24.EMITTER, #25.COLLECTOR, #26.COLLECTOR, #27.COLLECTOR, #18.COLLECTOR, #1STYLE 30:PIN 1.DRAIN 12.DRAIN 13.GATE 24.SOURCE 25.SOURCE 1/DRAIN 26.SOURCE 1/DRAIN 27.SOURCE 1/DRAIN 28.GATE 1PUBLICATION ORDERING INFORMATIONTECHNICAL SUPPORTLITERATURE FULFILLMENT:。
芭蕾舞的起源

• 法国芭蕾舞大师狄德罗、俄国芭蕾舞大师伊 凡诺夫、表演艺术家巴普洛娃、乌兰若娃、 作曲家柴可夫斯基等人把俄国芭蕾推向世界 顶峰。
• 闻名于世的代表剧《天鹅湖》、《睡美人》、 《胡桃夹子》
致乌兰诺娃 ——观《芭蕾舞》小夜曲而后作
艾青 像云一样柔软, 像风一样轻, 比月亮更明亮,
浪漫芭蕾
• 浪漫芭蕾:是指受浪漫主义思潮影响 的芭蕾舞艺术。
• 浪漫主义芭蕾是芭蕾发展史上的“黄 金时代”,在舞蹈技巧、编导艺术、 演出形式上都经历了一个灿烂辉煌的 阶段。在这一时期,出现了一些卓有 建树的舞蹈理论家、舞蹈作品和舞蹈 表演艺术家。
• 舞蹈作品:《仙女》、《吉赛尔》、 《葛蓓莉娅》
比夜更宁静, 人体在太空里游行。 不是天上的仙女, 却是人间的女神,
比梦更美, 比幻想更动人—— 是劳动创造的结晶。
《天鹅湖》
《睡美人》
《胡桃夹子》
现代芭蕾
• 现代芭蕾是受西方现代文明影响的产物。 • 各国的现代芭蕾风格迥异。
• 传统芭蕾技术上注重开、崩、直、立并有一套 程式化的动作体系,服装一般为白纱裙,表现 内容多为爱情等浪漫主义题材,表演风格追求 唯美。
• 与传统芭蕾相比,现代芭蕾舞蹈技术的突破、 服装的突破、表现内容的突破、个性化的表演 都成为它变化的体现。
• 现代 芭蕾
VcV*XQ$F2AjDHO60QyDaE2WbmC5eacBxh8n9UD Lr)LQt(JNq*JQx6Z2ZGyURJNb mrKoP2 DAbTFYWS% B#dPRzgeM!5Cze% $rJ% wBrit7GrDd1Vjdlo4fDVQ5 G17HiW 0Hp-i% OqLn8T2Mu1gU v*1w-njC#2SKC H8nzYL cKnyocg T2jROt 72yL
结构力学第五版李廉锟第五章.

第五章 静定平面桁架
5.平面汇交力系 ——解二斜杆问题 选适当投影轴: 力矩方程: 平衡——对平面内任意一点,主矩 = 0 力——沿作用线可任意平移 力矩方程——力可分解为投影计算
第五章 静定平面桁架
3.零杆判定
(1)L型结点:无荷载,FN1=FN2=0 (2)T型结点:无荷载 其中二杆共线,FN1=FN2,FN3=0, (3)X型结点:无荷载 两两共线,FN1=FN2 ,FN3=FN4 (4)K型结点:无荷载,其中二杆共线,其余二杆在同侧,且 夹角相等。FN3=-FN4
斜杆FN=0 竖杆FN=P
第五章 静定平面桁架
③三角形 r = 竖杆长度
——直线变化递增 弦杆内力: 下弦杆S —由两端的中间递减 腹杆—由两端向中间递增 结论: (1)平行弦:内力分布不均匀 构造简单 (2)抛物线形 内力分布均匀 构造复杂——适于大跨度桥梁 (3)三角形:内力分布不均匀 构造较复杂,但有斜面——适用于屋架
A A A
②结点平衡X=H (梁式杆N=0) ③Ⅰ—Ⅰ(左)
' " mc 0, H z H ( f '2) (VA VA ) l1 P e 0 1 1
' " Hf ' P1c1 (V A VA )l
M c0 H f'
EBZ132CZ悬臂式掘进机使用说明书

第一运输机位于机体中部,是中双链刮板式运输机。运输机由前溜槽、 后溜槽、刮板链组件、张紧装置、驱动装置及挡板螺栓等组成用 M20 高强 度螺栓联接。一个液压马达驱动链轮,通过ф18×64 矿用圆环链,实现运 输作业。
五、本体部
本体部位于机体的中部,主要由回转台、回转支承、本体架、销轴、套、 连接螺栓等组成。各件主要采用焊接结构,与各部分相联接起到骨架作用。
回转台上部耳孔与截割电机相连、下部耳孔与截割升降油缸相连,通过 回转支承及升降油缸来控制截割范围。本体架前部耳孔与铲板本体及铲板 油缸相连接,由油缸控制铲板的抬起及下卧。本体的右侧装有液压系统的 泵站,左侧装有操纵台,内部装有第一运输机,在其左右侧下部分别装有 行走部,后部装有后支承部。
六、行走部
行走部采用支重轮的全封闭结构,用两台液压马达驱动,通过减速机、 驱动链轮及履带实现行走。马达、制动刹车阀、减速机采用集成结构,降 低故障率。履带采用液压油缸张紧,将张紧油缸用液压管接到液压油缸上,
敏捷; 4. 不得聘请非熟练技师进行维修或拆卸掘进机; 5. 必须按本说明书的要求进行各项技术保养; 6. 掘进机不工作的时间超过 1 个月,要进行必要的动作以延长密封件的使用寿
命。具体要求:截割头旋转 3 分钟,各油缸动作 3 次,行走部前进、后退各 5 分钟,铲板、一运开动运转 3 分钟; 7. 本说明书中的资料、技术规格和图表是根据编写当时可得到的资料汇编而成 的,如有变更不再另行通知,请直接向本公司查询; 8. 本说明书为随机附件的一部分,属于内部资料,任何人或团体未经三一重装 许可不得翻印,也不能用于赢利。
EBZ132CZ 悬臂式掘进机使用说明书
序言
衷心感谢您选用 EBZ132CZ 悬臂式掘进机,我们将为您提供优质的产品和星 级的售后服务。
海上升压站吊机教材.

YQHA1600-5T-15m电动液压回转起重机技术培训教材第1页共18页中船华南船舶机械2021/11目录1设备概况 (3)起重机的型式 (3)总体简述 (3)工作范围 (3)2 根本工作原理、主要功能和特性 (3)根本工作原理 (3)主要功能和特性 (4)主要技术参数 (4)3 设备的组成、结构特点和布置情况 (5)设备的组成 (5)设备的结构特点和布置情况 (5)4 设备的操作使用 (7)起动前的检查 (7)操作规程 (8)应急操作 (9)将起重机放回到航行状态 (10)作业完成后要求 (10)5 设备的维护、保养 (11)第2页共18页润滑 (11)保养 (13)6 常见故障、原因分析及排除方法 (16)7思考题 (17)第3页共18页概况:本教材主要就设备的工作原理、组成、特点、使用维护保养等进行讲述。
供平台上操作人员技术培训之用。
起重机的型式:型号:YQHA1600-5T-15m图号:2421HX148-00A起重机型式:电动液压回转起重机吊臂型式:箱式吊臂驱动型式:电动机—液压驱动,由船上提供电源液压系统型式:开式总体简述YQHA1600-5T-15m电动液压回转起重机是我司为用户设计的一种成熟电动液压驱动型箱式海洋起重机。
产品在设计中充分利用了我司现有的成熟的船用起重机技术,结合近海开阔海域对作业设备的要求,对该类起重机特有的平安性要求进行了充分的论证和设计,该起重机的设计采用了目前先进的成熟的技术,譬如润滑技术、电气控制技术、液压控制技术、机电一体化和人体工程学技术等等,这些技术的应用确保该起重机的高质量和最少的使用本钱,以及先进性和可靠性。
工作范围本机具有吊臂工作半径为,绞车起升高度为49m以内的工作范围。
根本工作原理、主要功能和特性根本工作原理本起重机主要集成有起升、变幅、回转三大功能系统,对应的各系统可实现起重机的重物升降、吊臂俯仰、起重机的左右回转功能。
起升系统主要由电动机驱动油泵,油泵从油箱中吸取液压油,通过液压管路,提供应起升马达,进而由起升马达带动起升减速箱,驱动起升卷筒,通过起升卷筒的不断转动,收放缠绕在起升卷筒上的钢丝绳,钢丝绳将起升卷筒的转动转变为直线运动,来提起或放下重物,到达提升重物升降的目的。
Ch07a

nH nH 0
因而行星轮的轴线就转化为“固定轴线”。这样,周转轮系就转 化为假想的“定轴轮系”,并称其为原周转轮系的转化轮系。
§7—3 周转轮系及其传动比
表7-1 周转轮系转化前后各构件的转速 构 件 原来的转速 转化轮系中的转速
H n1 n1 nH
中心轮1 行星轮2
中心轮3 机 架4 行星架H
iH 1 1 i1H 10000
iH 1为正,表示行星架H源自与齿轮1 转向相同。若将轮系中齿轮2′的齿数改为z2′=99,则iH1=-100。这说明同 一结构型式的行星轮系,仅将其中一个齿轮的齿数作微小变动,结果 不但传动比iH1的大小变动很大,而且可以改变输出构件的转向,这是 行星轮系与定轴轮系的显著不同之处。
z 2 z3 z3 n1H n1 nH i H n3 n3 nH z1 z2 z1
H 13
推而广之,在任一周转轮系中,当任意两轮A、B及行星架H 回转 轴线平行时,其转化轮系传动比的一般计算式为
H i AB H nA n nH A B间所有从动轮齿数的连 乘积 H A nB nB nH A B间所有主动轮齿数的连 乘积
§7—3 周转轮系及其传动比
例7-1 在图示轮系中,已知各轮齿数 z1=100、z2=101、z2′ =100、z3=99。试求传动比iH1。
H z z n n nH n1 nH H i13 1H 1 2 3 n3 n3 nH 0 nH z1 z2
i1H
n1 zz 101 99 1 1 2 3 1 nH z1z2 100 100 10000
n1 n2
n3 0 nH
H n2 n2 nH
H n3 n3 nH
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3.可以直接观测不带氢的含碳官能团
可以直接观测不带氢的含碳官能团,如碳基、烯基、 氰基等
4.核的OVER HAUSER效应
在碳谱中,NOE效应起着重要作用,多数情况下, 有机分子13C的弛豫起源与同其邻近质子的磁偶极相互 作用,因 13C 的 NMR 实验常规谱都是质子全去偶谱。 因而多数碳,尤其是质子化碳,它们的信号强度由于 NOE而大为增加。
全部质子激发频率的射频H2照射样品,使所有的1H核处于跃迁
饱和状态,从而可以消除1H核对13C的偶合作用,使得13C核呈现 一系列单峰,同时产生NOE效应
14
2、偏共振去偶:(不完全去偶)
•
在对质子进行完全去偶时,谱线的裂分完全消失,从
而使结构信息损失,如果去偶时,使去偶频率不完全对准 质子的共振谱线,而是稍微偏离一些,并用功率较强的H2 干扰场连续照射质子,由于可以减少13C多重峰的裂距,得 到缩小了的“表观”偶合常数,从而避免了谱线的重叠, 同时还可以保留自旋偶合的结构信息。
17
4、门控去偶
在实验中施加H2场,利用门控调节开,关门时间,达到 保留偶合,增加NOE,可以观察到全部的偶合常数。
5、反转门控
在NMR定量分析中为了得到质子宽带去偶谱,又要限制 NOE影响的作用,13C无NOE去偶谱,C数与信号强度长正 比例
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五、13C的化学位移①烃和环烷烃的13C化学位移,-2~~50ppm. 见下表:
CH3Br
10.0
CH3Cl
24.9
CH3F
80.0
6
3. 碳原子上有孤对电子时,使13C的共振产生低场位移.
如:
O=C=O δ =132.0
→ :C≡O: δ =181.3
化学位移向低场移动50ppm左右.
4.共轭效应 具有孤对电子的基团,如-NH2和-OH等与不饱和的π体系连 接时,它们可以离域自己的孤对电子,进入π体系(p-π共轭),从 而增加邻,对位碳上的电荷密度,导致邻、对位碳信号向高场 移动,
第五节
13C-NMR波谱
一、13C-NMR的特点 二、13C谱的化学位移及影响因素
三、13C-NMR中的自旋-自旋偶合
四、13C-NMR中的去偶技术
五、各类碳核的化学位移范围
1
一、13C-NMR的特点
1.灵敏度低
( 1 ) 因 为 13C 天 然 丰 度 甚 低 , 仅 1.1% , 而 1H 为
C1 CH4 --2.3 C2 C3 C4
CH3CH3
CH3CH2CH3 CH3(CH2)2CH
3 CH 3CH(CH3)2
5.7
15.4 13.0 24.1 31.5
5.7
15.9 24.8 25.0 27.9 15.4 24.8 24.1 31.5 13.0
C(CH3)4
环丙烷
环丁烷 环戊烷 环己烷
99.98%,故13C约为1H灵敏度的1/100
(2)因为13C的磁旋比r很小,约是1H的1/63,而在 相同的磁场中,信号灵敏度大小与核的磁旋比r的立方 成正比。
结合着两种因素,13C的灵敏度约为1H的1/6300。
2
2.分辨能力高
13C 谱的分辨能力约为 1H 的 10 倍,同时,氢谱广泛存
3. 13C-X偶合
•X是指除1H以外的其他磁核,如31P和19F等, 如:Ⅴ价P的1JC-P=100~~150Hz, Ⅲ价P的1JC-P为几十个Hz, 1J C-F在 -150~~ -350Hz。
13
四.
13C-NMR中的去偶技术
1. 13C的宽带去偶
质子宽带去偶谱是为13C-NMR的常规谱,是在用射频H1照射 各种碳核,使其13C核磁共振吸收的同时,用一足以覆盖样品中
15
例如2-甲基-1,4-丁二醇的质子宽带去偶谱,图中出现五条单峰,对应于五种 化学环境下不同的碳,分子中无对称因素存在。而偏共振谱中的双峰为CH, 三重峰为CH2, 四重峰为CH3基,分别对应于伯、仲、叔碳。
图3-21
2-甲基-1,4-丁二醇的质子宽带去偶谱(a)及偏共振去偶谱(b)
16
3、选择性去偶
1.76 2.63
10
7.氢键效应
氢键作用对相关13C核的化学位移影响很大,主要产生 去屏蔽效应。
11
三.偶合常数
主要来自于核的自旋—自旋偶合,由成键电子自旋
相互作用所引起,其大小由分子结构决定,与外磁场的 大小及各种外界条件无关
碳谱中有三中偶合方式:
1.13C—13C偶合
因为13C—13C的天然丰度很低,在天然丰度碳谱中难 以观察到这种偶合,但在富集的13C化合物中可以遇到
4
二.影响13C化学位移因素
1.碳的杂化:决定了13C共振信号出现范围
表3-15 C原子的杂化对13C的δ值影响
C原子的杂化状态 Sp3 Sp Sp2 不同类型碳核 -CH3 -CH2 -CH -C -C≡CH -CH=CH2 化学位移范围 0 ~ 50ppm 50 ~ 80ppm 100 ~ 150ppm
20
C2 123.3 136.2 140.2 126.0 124.6 137.2 213.5
③炔碳的13C化学位移
C1 C2 C3 C4 C5 C6
HC≡CCH2CH3
CH3C≡CCH3
67.0
84.7
73.6
HC≡C(CH2)3CH3
CH3C≡C(CH2)2C H3
67.4
1.7
82.8
73.7
CH=CH2 Br
196
197.2 165.7
N(CH3)2
Cl I
169.6
168.6 158.9
22
图3-22 各类碳核的化学位移范围
23
7
如:苯酚同苯比较,邻位碳信号向高场移动12.7ppm,对 位碳信号移动9.8ppm 另一方面,吸电子基团,如:-NO2, -CN, -C=O 等可使 苯环上π电子离域,从而降低邻, 对位碳上的电荷密度,导致邻、
对位碳信号向低场移动。
如:苯腈同苯比较,邻位碳信号向低场移动3.6ppm,对 位碳信号移动3.9ppm.
17.4
76.9
29.9
19.6
21.2
21.6
12.9
12.1
21
④苯环碳的13C化学位移及计算:
13C
:128.5ppm,
取代基使苯环碳位移约+/-35ppm
⑤羰基13C的化学位移:CH3COX中
X δ c=o X δ c=o
H
CH3
199.6
205.1
OH
OCH3
177.3
170.7
C6H5
C=O
150 ~ 220ppm
5
2.取代基电负性
电负性基团的取代,使13C核的屏蔽效应减小,故化
学位移移向低场,随着电负性的增大和取代基数目的增
多,化学位移也随之增大. CH4 --2.30 CH3Cl 24.9 CH2Cl2 50.0 CHCl3 77.0 CCl4 96.0
CH3I
--20.7
键向碳原子移动,使C---H键发生极化作用,导致碳的屏 蔽增加,即化学位移值减小。
9
6.溶剂
不同溶剂对13C的化学位移都能发生影响. 同浓度CHCl3不同溶剂中的化学位移见下表:
溶剂 CCl4 C6H6 δH 0.12 0.747 δ
C
0.20 0.47
(CH3)2CO C6H5N
0.812 1.280
8
5.立体效应
13C化学位移对分子构型,构象上很灵敏的,
只要碳在空间比较接近 , 即使相隔好几个化学 键,它们也有强烈的相互作用,这就是立体效应.
13C与1H情况正相反,通常1H是处于化合物的边
缘和外围,当两个氢原子靠近时,由于电子云的相互排斥,
使得质子周围电子云密度下降,这种电荷密度沿C---H
在着自旋 — 自旋偶合,对大多数质子来说,导致共振 吸收带的加宽的复杂化,碳谱中,它们自身的自旋 — 自旋裂分,实际上不存在,虽然和质子有偶合存在, 却易于控制。13C核的δ值的变化范围大得多,超过200。 每个C原子结构上的微小变化都可引起 δ 值的明显变化, 因此在常规13C谱(宽带场质子去偶谱)中,每一组化 学等同核都可望显示一条独立的谱线。
--2.6
23.3 26.5 27.1
19
②烯烃的化学位移
C1 CH2=CH2 CH2=CHCH3 CH2=CHCH2CH3 反—CH3CH=CHCH3 顺--CH3CH=CHCH3 CH2=CH--CH=CH2 CH2=C=CH2 环戊烃 环己烃 123.3 115.9 113.3 17.6 12.1 117.5 74.8 130.8 127.3
12
2.
13C-1H偶合
13C-1H偶合是主要偶合方式,符合n+1规律.
如 : 甲 基 碳 应 有 四 重 峰 , 通 常 1JC-H=125Hz ( 烷 ) ~250Hz(炔),这与碳的杂化轨道中S成分多少有关。相隔两 个化学键的13C-1H偶合常数一般小得多. 如:3JC—C—C—H =7Hz
质子选择性去偶是偏共振去偶的特例。
当调节去偶频率恰好等于某质子的共振吸收频率,
且H2场功率又控制到足够小时,则与该质子直接相连碳 会发生全部去偶而变成尖锐的单峰,并因NOE效应而使 谱线强度增大。对于分子中其它的碳核,仅受到不同程 度的偏移照射,产生不同程度的偏共振去偶。这样测得
的13C-NMR谱称为质子选择性去偶。