塑封TO-220、TO-263产品封装工艺改进
三极管的封装形式及名称
三极管的封装形式及名称一、TO-92封装TO-92是一种常见的三极管封装形式，其名称来源于其尺寸封装，具有三个引脚。
该封装形式适用于低功率应用，如小型电子设备、电路板等。
TO-92封装的三极管通常具有较小的尺寸和较低的功耗，因此适用于一些对功耗要求不高的场景。
二、TO-126封装TO-126是另一种常见的三极管封装形式，其名称同样来源于其尺寸封装，具有三个引脚。
TO-126封装的三极管适用于中等功率应用，如家用电器、汽车电子设备等。
相比于TO-92封装，TO-126封装的三极管通常具有更大的功率承载能力和更好的散热性能，因此适用于一些对功率要求较高的场景。
三、TO-220封装TO-220是一种常用的三极管封装形式，其名称同样来源于其尺寸封装，具有三个引脚。
TO-220封装的三极管适用于高功率应用，如电源设备、电机驱动等。
TO-220封装的三极管通常具有较大的尺寸和较高的功率承载能力，同时也具备良好的散热性能，因此适用于一些对功率要求非常高的场景。
四、SOT-23封装SOT-23是一种小型的三极管封装形式，其名称同样来源于其尺寸封装，具有三个引脚。
SOT-23封装的三极管适用于小型、便携设备中的集成电路。
由于SOT-23封装的尺寸较小，因此适用于对尺寸要求较高的场景，如手机、数码产品等。
五、DIP封装DIP（Dual In-line Package）是一种常见的三极管封装形式，其名称来源于其引脚排列方式，具有多个引脚。
DIP封装的三极管适用于集成电路和电子设备中的插拔式组件。
DIP封装的三极管通常具有多个引脚，可以满足复杂电路的连接需求，因此适用于对电路连接方式要求较高的场景。
三极管的封装形式及名称有多种，每种封装形式都有其特点和适用场景。
TO-92封装适用于低功率应用，TO-126封装适用于中等功率应用，TO-220封装适用于高功率应用，SOT-23封装适用于小型便携设备，DIP封装适用于集成电路和插拔式组件。
一种用于TO-263封装器件的一体化工装及剪腿、连线焊接方法[发明专利]
![一种用于TO-263封装器件的一体化工装及剪腿、连线焊接方法[发明专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/2c7a3fc9af45b307e87197ff.png)
专利名称：一种用于TO-263封装器件的一体化工装及剪腿、连线焊接方法
专利类型：发明专利
发明人：刘倩慧,陈易山,胡向莉
申请号：CN202110055985.8
申请日：20210115
公开号：CN112828408A
公开日：
20210525
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种用于TO‑263封装器件的一体化工装及剪腿、连线焊接方法，属于电子器件加工领域。
本发明的用于TO‑263封装器件的一体化工装及剪腿、连线焊接方法，将剪腿工装及连线焊接工装集成为一个工装，保证了TO‑263封装器件剪腿及连线焊接的质量，提高了效率；通过凹槽对TO‑263封装器件进行定位，通过定位凸台对引腿进行固定，保证剪腿时器件引腿根部玻璃绝缘子不受力，避免了玻璃绝缘子破裂而造成的器件失效问题；而器件限位体后端的定位凸台的设置，能够露出需要连线焊接的器件引腿位置，保证器件在连线焊接时不会引入多余物，影响产品绝缘性能。
申请人：西安微电子技术研究所
地址：710065 陕西省西安市雁塔区太白南路198号
国籍：CN
代理机构：西安通大专利代理有限责任公司
代理人：崔方方
更多信息请下载全文后查看。
to-263封装背部导热差
to-263封装背部导热差
TO-263封装是一种常用的背部导热差封装，具有较好的散热性能和适应性。
它采用铜基板和铝外壳的结构，能够有效地导热，降低元件温度，提高元件的可靠性和寿命。
TO-263封装的背部导热差主要是指铜基板与外壳之间的热阻。
由于铜的导热性能较好，而外壳的导热性能较差，因此在TO-263封装中，背部导热差的存在会导致一定的温度升高。
为了降低背部导热差，减少温度升高，可以采取以下措施：
可以通过优化TO-263封装的结构来减小背部导热差。
例如，可以增加铜基板的厚度，提高其导热性能；同时，可以增加外壳的散热面积，增强其散热能力。
这些措施可以有效地降低背部导热差，提高TO-263封装的散热效果。
可以采用合适的散热材料来填充TO-263封装的背部空隙，以提高导热性能。
常见的散热材料有硅胶脂、导热胶等。
这些散热材料可以填充背部空隙，填平背部导热差，从而提高TO-263封装的散热效果。
合理设计PCB板布局也能够减小背部导热差。
通过合理布局元件和散热结构，可以减少TO-263封装与其他元件之间的热阻，提高整体散热效果。
TO-263封装背部导热差是影响其散热性能的重要因素。
通过优化封
装结构、选择合适的散热材料和合理设计PCB布局，可以有效地降低背部导热差，提高TO-263封装的散热效果。
这将有助于提高电子器件的可靠性和寿命，满足各种工业和消费电子产品对散热性能的要求。
晶闸管封装类型
晶闸管封装类型晶闸管（Thyristor）是一种半导体器件，有多种封装类型，每种类型都有其特定的用途和优势。
以下是一些常见的晶闸管封装类型：1. TO-92：这是一种小型封装，通常用于低功率应用。
TO-92 封装适用于一些小型电子设备，但不常用于高功率或高电流应用。
2. TO-220：这是一种较大的封装，适用于中等功率应用。
TO-220 封装通常用于功率调节器、电源和其他需要处理中等功率的应用。
3. TO-247：TO-247 是一种更大型的封装，适用于高功率和高电流的应用。
这种封装常见于功率逆变器、交流电源等高功率电子设备。
4. TO-263（D2PAK）：这是一种表面贴装封装，适用于空间受限的应用。
TO-263 通常用于功率放大器、逆变器等应用。
5. TO-218：这是一种大型金属封装，适用于大功率、高电流的应用。
TO-218 封装通常用于高功率直流电源、电焊设备等领域。
6. TO-3：这是一种金属封装，适用于一些高功率、高频率的应用。
TO-3 封装通常用于大功率开关电源、电机控制等。
7. SOT-223：这是一种表面贴装封装，适用于中小功率应用。
SOT-223 封装常见于一些轻便、便携设备中。
8. SOT-23：这是一种小型表面贴装封装，适用于低功率应用。
SOT-23 封装广泛用于小型电子设备中。
9. TO-92/TO-92L：这是一种小型封装，适用于低功率、小信号应用。
TO-92/TO-92L 封装常见于一些小型模拟和数字电路中。
这只是一些常见的晶闸管封装类型，实际上，还有其他一些非常规或专用的封装类型，具体的选择取决于应用的要求以及电子设计的具体需求。
MOSFET的封装技术图解大全..
MOSFET的封装技术图解大全主板MOSFET的封装技术图解大全主板的供电一直是厂商和用户关注的焦点，视线从供电相数开始向MOSFET器件转移。
这是因为随着MOSFET技术的进展，大电流、小封装、低功耗的单芯片MOSFET以及多芯片DrMOS开始用在主板上，新的功率器件吸引了主板用户的眼球。
本文将对主板采用的MOSFET器件的封装规格和封装技术作简要介绍。
MOSFET芯片制作完成后，需要封装才可以使用。
所谓封装就是给MOSFET 芯片加一个外壳，这个外壳具有支撑、保护、冷却的作用，同时还为芯片提供电气连接和隔离，以便MOSFET器件与其它元件构成完整的电路。
芯片的材料、工艺是MOSFET性能品质的决定性因素，MOSFET厂商自然注重芯片内核结构、密度以及工艺的改进，以提高MOSFET的性能。
这些技术改进将付出很高的成本。
封装技术也直接影响到芯片的性能和品质，对同样的芯片以不同形式的封装，也能提高芯片的性能。
所以芯片的封装技术是非常重要的。
以安装在PCB的方式区分，功率MOSFET的封装形式有插入式（Through Hole）和表面贴装式（Surface Mount）二大类。
插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB的安装孔焊接在PCB上。
表面贴裝则是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB 表面的焊盘上。
常见的直插式封装如双列直插式封装（DIP），晶体管外形封装（TO），插针网格阵列封装（PGA）等。
典型的表面贴装式如晶体管外形封装（D-PAK），小外形晶体管封装（SOT），小外形封装（SOP），方形扁平封装（QFP），塑封有引线芯片载体（PLCC）等等。
电脑主机板一般不采用直插式封装的MOSFET，本文不讨论直插式封装的MOSFET。
一般来说，“芯片封装”有2层含义，一个是封装外形规格，一个是封装技术。
对于封装外形规格来说，国际上有芯片封装标准，规定了统一的封装形状和尺寸。
封装技术是芯片厂商采用的封装材料和技术工艺，各芯片厂商都有各自的技术，并为自己的技术注册商标名称，所以有些封装技术的商标名称不同，但其技术形式基本相同。
to-263封装背部导热差
to-263封装背部导热差TO-263封装背部导热差（Backside Thermal Resistance of TO-263 Package）引言：TO-263封装是一种常见的功率半导体器件封装，具有较好的散热性能。
然而，TO-263封装的背部导热差却是一个需要关注和解决的问题。
本文将从人类视角出发，描述TO-263封装背部导热差的影响及解决方法，以便读者更好地理解和应用。
背部导热差的影响：TO-263封装的背部导热差会导致器件在工作过程中产生过多的热量，从而影响其性能和可靠性。
背部导热差过大会导致器件温度升高，降低其工作效率，甚至可能造成器件故障。
因此，有效解决TO-263封装的背部导热差问题对于保证器件的正常运行至关重要。
解决方法：为了降低TO-263封装的背部导热差，可以采取以下措施：1. 优化散热设计：在设计中合理布局散热片、散热器等散热元件，以提高整个散热系统的热传导效率。
同时，确保散热元件与TO-263封装的接触良好，减小热阻。
2. 使用高导热材料：选择导热性能较好的材料，如铜、铝等，用于散热元件的制造，以提高散热效果。
3. 增加散热面积：通过增加散热面积，如扩大散热片的尺寸或增加散热器的数量，来增加热量的散发面积，从而提高散热效果。
4. 优化电路布局：在电路设计中，合理布局元件的位置，减少热量集中在TO-263封装的背部，从而减小背部导热差。
结论：TO-263封装背部导热差是一个需要重视的问题，对器件性能和可靠性有重要影响。
通过优化散热设计、选择高导热材料、增加散热面积和优化电路布局等措施，可以有效降低TO-263封装的背部导热差，提高器件的散热效果和工作性能。
因此，在实际应用中，我们应该充分考虑TO-263封装背部导热差的问题，并采取相应的解决方法，以确保器件的正常运行和长期稳定性。
参考文献：1. XXXX2. XXXX。
TO-220FS封装工艺改进研究
TO-220FS封装工艺改进研究方逸裕;管贝林【摘要】文章通过分析对比TO-220FS封装产品内部与传统全包封产品内部结构的差异性，来展现产品的生产、工艺流程中的各技术难点。
然后通过对各技术难点进行成因分析并采取相对应的解决方案，使技术难关得到顺利攻克。
该过程所攻克的技术要点包括工艺条件、工艺技术、设备改造，解决了粘晶过程的锡层控制、焊线过程消除应力作用、塑封针孔、去料道、剪切拉筋、绝缘测试等问题，顺利地实现了批量生产，装配后产品技术指示能满足市场要求，产品质量稳定。
%This paper shows the dififculties of production, process the various technical by analyzing and contrasting the difference of the internal structure between the TO-220FS package and general product. And then by analyzing the causes of technical difficulties and taking the corresponding solutions, the technical difficulties are overcome smoothly. The process including process conditions, technology, equipment modiifcation, solve the problem of solder thickness control, eliminate stress in wire process, plastic pinhole, drunker, tendon pull in trimming process, isolation testing etc, the mass production successfully achieved.【期刊名称】《电子与封装》【年(卷),期】2013(000)011【总页数】3页(P5-7)【关键词】单厚度;锡层控制;应力作用;针孔;拉筋;绝缘测试【作者】方逸裕;管贝林【作者单位】汕头华汕电子器件有限公司，广东汕头515041;汕头华汕电子器件有限公司，广东汕头515041【正文语种】中文【中图分类】TN305.941 引言随着电子技术应用的不断发展，整机产品越来越趋向于多功能、小型化，故其结构的设计也越来越密集，对整机的安全性能、相互抗干扰能力等提出了越来越高的标准，因而整机对器件，尤其是功率器件的要求也就越来越苛刻。
环氧塑封料的性能和应用研究
环氧塑封料的性能和应用研究(佛山市亿通电子有限公司，广东佛山，528251)摘要：介绍了环氧塑封料的国内外发展概况，着重论述了其物理性能、机械性能、热性能、导热性能、电性能、化学性能、阻燃性能、贮存性能、封装性能，以及应用中封装工艺、缺陷的解决办法，并就发展前景发表了自己的看法。
关键词：环氧塑封料，性能，封装，缺陷中图分类号：TQ323.1文献标识码：A文章编号：1003-353X( 2005 )07-0043-041前言本世纪50年代，随着半导体器件、集成电路的迅速发展，陶瓷、金属、玻璃等封装难以适应工业化的要求，而且成本高。
人们就想用塑料来代替上述封装，美国首先开始这方面的研究，然后传到日本，到1962年，塑料封装晶体管在工业上已初具规模。
日、美等公司不断精选原材料和生产工艺，最终确定以邻甲酚环氧树脂为主体材料而制成的环氧塑封料。
目前环氧塑封料主要生产厂家有日东电工、住友电木(包括新加坡、苏州分厂)、日立化成、松下电工、信越化学、台湾长春（包括常熟分厂）、台湾叶绪亚、台湾长兴大陆昆山工厂、东芝、DEXTER、HYSOL、PLASKON、韩国三星、韩国东进等生产厂家。
在我国大陆半导体封装材料的开发经历了酚醛树脂、硅酮树脂，1，2一聚乙丁二烯以及有机硅改性环氧等几个阶段后，最终形成以邻甲酚环氧树脂为主体材料的环氧塑封料。
其成分主要以环氧树脂为主体材料，酚醛树脂为固化剂，外加填料、脱模剂，阻燃剂、偶联剂、着色剂、促进剂等助剂，通过加热挤炼以得到B阶段的环氧塑封料，然后通过高温低压传递来封装分立器件、集成电路。
我国大陆主要生产厂家有连云港华威电子、中科院化学所、佛山市亿通电子、浙江黄岩昆山工厂、成都奇创、无锡化工设计院、无锡昌达和宁波等。
它作为新一代的非气密性封装材料，与气密性金属、陶瓷封装相比，便于自动化，提高封装效率，降低成本。
它具有体积孝重量轻、结构简单、工艺方便、耐化学腐蚀性较好、电绝缘性能好、机械强度高等优点，目前已成为半导体分立器件、集成电路封装的主流材料，得到广泛的应用，现阶段环氧塑封料封装已占整个封装的90%以上，全球年用量8-11万吨，国内2-3万吨。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
合金 材料 的热膨 胀系 数 ： Ｃ、焊 料 本 身 的 工 艺 操 作 窗 口较 宽 ，与 碳 化 硅 芯 片 的 背 面 银
采 用４顶针 结 构 可防 止 大芯 片 单顶 针 工艺 造 成 的 的芯 片背 裂 。顶 针 高度 在保 证 可吸 起芯 片 的条件 下应 尽 可能 小 ，避免 顶针 应力 。根 据 蓝膜 粘 附性状 态 不 同，其 工艺 参数 需要 进 行调整 。优 化 后芯 片背 裂 的失 效率 由０．１ ｏ提 升 到Ｏ．０１ ０以下 。
【关键词 】粘片；焊料；拍锡头；塑封分层；塑封料；引线框架
芯片 的背面 电极与 引线 框 架 的物理 连接 及 电连 接 是通 过粘 片工 艺实 现 的 。粘 片工 艺实 现情 况 的好 坏直 接 影响 到器 件 的参 数与 可靠 性 ，特 别 是对 于 功 率 器件 的影 响 更加 明显 。对 于 ＴＯ．２２０、ＴＯ．２６３ 封 装 的 功 率 型器 件 而 言 ，现 在 一 般采 用 融 点焊 锡 丝 ，焊 锡拍 扁 成 型 ，芯片 放置 ，焊锡 冷 却成 型等 几个 步 骤来 实现 粘 片工 艺 。我们 发 现器 件生 产 中或 者器 件 可靠 性 的多种 失 效模 式 都产 生于 粘 片工 艺 。 我们 认为 以下缺 陷 与粘 片工 艺有 关 ：ａ、焊料 缩锡 ，ｂ、焊料 空洞 率 高 ，Ｃ、焊料 热 疲劳 能力 差 ，ｄ、芯片 背裂 。
２．１ 焊料优 化 首 先 ，焊料 应符 合 以下 几点 基本 要求 ， ａ、器件 应 承 受 回流 焊 的极 限２６Ｏ℃／１Ｏｓ以上 的冲 击 ， 因此 焊 料
的熔 点至少 应保 证高 于２８０℃ ； ｂ、热 膨 胀 系数 应 尽 ＥＣＴＲＯＮＩＣＳ Ｗ ０ＲＬＤ ·攘 索 与魂『寮
塑 封ＴＯ－２２０、ＴＯ－２６３产 品封 装工 艺 改进
济南市半导体元件 实验所 孟 博 苏云荣 于 洋 崔 同
【摘要 】通过 多年 的塑封ＴＯ一２２０、ＴＯ一２６３封装 的功率型器件的生产实践 ，我们发现器件的失效模式多与两个问题相 关。一是粘片工艺的 控制，二是塑封分层 的控制。粘片实现了芯片背面金属与引线框 架的物理连接与电连接 ，对器件的参数以及可靠性影响较大。通过对焊料成 分、拍锡头结构 ，工艺参数 的优化 等，使 器件的品质大大提升。塑料分层问题可引起器件 的多种失效模式。通过优化塑封料的各种成分比 例 ，优化 引线框 架 结构 ，控制 引线框 架 的表 面 态，可 以非 常明 显的提 高器件 的抗 分层 能力 。通过 超 声扫描 证 实经过 优化 后 的器件 分层 情 况发 生 了非 常 明显 的改善 。
塑封料 与 引线框 架、芯片分层 ， 以及在 各种应力 条件 下分层情况 加重是塑 封器件 的最重 要的失 效模式之 一 。塑 封分层 可引起 器件 的多 种失 效 ，一般有 以下 几种 ：ａ、塑封 料与 引线框 架分 层 ，形成 水汽进 入 通路 。此模式 短期 内可使器件 的漏 电增大 ，长时 间可 以引起 电极 电 化学腐 蚀 。ｂ、塑封 料与碳 化硅 二芯 片表 面分层 ，可 以使键 合 点与芯 片金属 层分 离 ，或者 接触 不 良，引起 器件 失效 。Ｃ、在 塑封 料与 引线 框 架分层 的条件 下 ，某 些外力 作用于器 件 ，可 以使芯 片分层 （芯片底 部 的衬底开裂 ）或者使焊料 分层 ，使器件 的正 向电压异常升 高。
根 据大 量 实验 ，最终 确定 拍锡 头 的导气槽 结 构特 征如 下 ， ａ、导气槽 深度 ５Ｏ ｍ； ｂ、最 外围为 正方 形 导气槽 ，其 对角 线也 为导 气槽 ： ｃ、拍 锡 头边 长为 芯片边 长 的 １１０％。 经大量 实验表 明，优化 后的导气槽可 最大限度 的保证 以下能力 ， ａ、 能 有 效 的防 止 缩 锡 现 象 。 将 缩 锡 现 象 的 发 生 比例 提 高 到 Ｏ．５‰ 以下 ； ｂ、焊锡厚度 由优化前的 １５ｌａｍ～９０ｌａｍ缩ｄｘ￣２０ ｕｍ～６Ｏ ｍ； ｃ、优化 的拍 锡面 积 在 保证 粘 片剪 切 力 的 同时 ，减 小 芯 片 受到 的焊 料 固化 收缩应 力 ； ｄ、合 理 的拍 锡 面积 保 证粘 片 剪 切力 的同 时 ，保 证 留有尽 可能 多 的 引线框 架与 塑封 料接 触 的面积 ，来提 高塑 封料 与 引线框 架 的粘 结力 ，避 免 分层现 象 的发生 。 ２．３ 顶 针 结构与 高度 优化 １５０ｍｉｌ芯 片 以下使用 单 顶针 ，１５０ｒ ａｉｌ芯 片 以上 使用 ４顶 针结 构 。
２ 粘 片工艺改进
目前 我们 选用 了抗 热疲 劳能 力较 强 的ＰｂＳｎｌＡｇ１．５材 料 ，器件 经 过 温度 循 环试 验后 ，未 发 生正 向压 降升 高 的情况 ，焊 料 热疲 劳现 象 得 到 明显 的改 善 。
但 是 更换 焊料 初期 遇 到 了缩锡 比例 大 ，焊料 空洞 率 高 ，焊 料 与 框 架 不浸 润等 问题 。我 们 通过 调整 引线 框架 表面 粗糙 度 、优化 工 艺 参 数 （调 整氮 氢保 护气 流量 ，优 化 点锡 、拍锡 工 艺参 数 ） 以及 拍锡 头 优化 的 方法 ，有 效的避 免 了这些 问题 的发 生 。 ２．２ 拍锡 头优 化