测量磁导率
磁导率测试方法
磁导率测试方法
磁导率测试是一种用于测量物质对磁场的响应程度的方法。
磁导率是一个物质特性，它描述了物质在磁场中的磁化程度。
磁导率测试方法可以用于各种材料，包括固体、液体和气体。
这种测试方法广泛应用于材料科学、物理学、材料工程等领域，用于分析材料的磁性和磁化特性。
一种常见的磁导率测试方法是磁化曲线测试。
在这种测试中，样品被置于一个恒定磁场中，然后测量在不同磁场强度下样品的磁化强度。
通过这些测量数据可以绘制出磁化曲线，从而分析材料的磁导率。
另一种常用的磁导率测试方法是感应磁导率测试。
在这种测试中，样品被放置在一个变化的磁场中，然后测量在不同时间点下样品的感应磁场强度。
通过分析感应磁场与施加磁场之间的关系，可以计算出材料的磁导率。
除了这些传统的磁导率测试方法，还有一些新兴的测试方法，如磁力显微镜测试、磁阻测试和磁感应强度测试等。
这些测试方法利用了现代仪器设备和技术，可以更准确地测量材料的磁导率。
磁导率测试在材料研究和工程设计中具有重要的应用。
通过测量材料
的磁导率，可以了解材料的磁性质、磁化特性以及对磁场的响应情况。
这对于开发新的磁性材料、设计磁性器件以及研究材料的磁性行为具有重要意义。
总结来说，磁导率测试是一种用于测量物质对磁场响应程度的方法。
通过磁导率测试可以了解材料的磁性质、磁化特性以及对磁场的响应情况，对于材料科学和工程设计具有重要意义。
磁导率测试
磁导率测试
磁导率测试是一种常见的物理测试方法，用于测量材料对磁场的响应能力。
磁导率是材料对磁场的响应能力的度量，通常用符号μ表示。
磁导率测试可以帮助我们了解材料的磁性质，从而更好地应用于实际生产和科学研究中。
磁导率测试的原理是利用磁场对材料的磁化程度进行测量。
在测试过程中，我们需要将材料置于磁场中，然后测量材料的磁化程度。
根据磁场的强度和材料的磁化程度，我们可以计算出材料的磁导率。
磁导率测试可以应用于各种材料，包括金属、合金、陶瓷、塑料等。
不同材料的磁导率不同，因此需要根据具体材料的特性来选择测试方法和仪器。
常见的磁导率测试仪器包括霍尔效应测试仪、磁滞回线测试仪等。
磁导率测试在实际应用中具有广泛的应用价值。
例如，在电子工业中，磁导率测试可以用于测试电感器、变压器等元件的磁性能；在材料科学中，磁导率测试可以用于研究材料的磁性质和磁相变等现象。
磁导率测试是一种重要的物理测试方法，可以帮助我们了解材料的磁性质，从而更好地应用于实际生产和科学研究中。
物理实验技术中的材料磁导率测量与分析方法
物理实验技术中的材料磁导率测量与分析方法在物理学和材料科学领域，了解材料磁导率的测量与分析方法对于深入研究材料特性以及开发相关技术具有重要意义。
本文将介绍主要的材料磁导率测量方法，并探讨分析磁导率数据的常用技术。
一、恒定磁场法恒定磁场法是一种常见的测量材料磁导率的方法。
该方法使用一个稳定的恒定磁场作用在待测样品上，并测量样品感应的磁场强度。
根据安培定律，由磁感应强度与电流的关系，可以计算得到材料的磁导率。
在实验中，可以使用电磁铁或永磁铁产生恒定磁场，将待测样品放置在磁场中，并使用磁场感应仪等设备测量样品感应的磁场强度。
通过改变磁场强度、样品形状和大小等条件，可以获得不同条件下的磁导率数据，从而进一步分析材料的磁性特性。
二、交变磁场法交变磁场法是另一种测量材料磁导率的重要方法。
该方法利用交变磁场对材料分子的磁矩产生作用，进而导致材料内部电流的变化。
通过测量电流的相位差和振幅变化，可以得到材料的磁导率数据。
实验中使用的交变磁场源可以是交变电流、脉冲磁场或旋转磁场。
将待测样品放置在交变磁场中，利用电流计、霍尔效应传感器等设备测量样品内部电流的变化。
通过改变交变磁场的频率和振幅，可以获取不同频率下的磁导率数据，进一步分析材料的磁性特性。
三、振荡法振荡法是一种常用的测量高频范围内材料磁导率的方法。
该方法通过将待测样品放置在谐振电路中，测量谐振频率或电路的品质因数变化，进而得到材料的磁导率数据。
实验中使用的谐振电路可以是LC谐振电路、RC谐振电路或LCR谐振电路等。
通过改变电路参数，如电容值、电感值或外部磁场等，可以获取不同条件下的磁导率数据。
此外，振荡法还可以用于测量磁导率的温度依赖性，从而更全面地分析材料的磁性特性。
四、分析方法在获取材料磁导率数据后，常常需要进行进一步的分析处理，以获得更多有关材料电磁性质的信息。
以下是几种常见的分析方法：1. 背景磁导率修正：由于实验系统本身或附加器件等原因，可能存在背景磁导率影响。
磁导率测量方法
磁导率测量方法磁导率是描述磁场性质的重要参数，用于描述磁场的响应能力。
常见的磁导率测量方法包括:1. 磁导率手动测量法：该方法基于霍耳效应，通过测量磁感应强度与磁场强度之间的相位差来计算出磁导率。
该方法需要使用霍耳传感器和电路来分析感应信号，但精度和可靠性较低。
2. 电动势法：该方法通过测量电动势来计算出磁导率。
该方法通常使用一个磁感应线圈和一个电源，将线圈放置在磁场中，测量电动势的大小和相位差，从而计算出磁导率。
该方法具有较高的精度和可靠性，但需要复杂的设备和电路。
3. 磁感应强度法：该方法通过测量磁感应强度来计算出磁导率。
该方法通常使用一个磁感应线圈和一个测量电路，将线圈放置在磁场中，测量磁感应强度的大小和相位差，从而计算出磁导率。
该方法具有较高的精度和可靠性，但需要复杂的设备和电路。
4. 数字磁导率测量仪：该仪器使用现代数字信号处理技术，可以实时测量磁导率。
该方法基于磁感应强度的变化，通过测量磁场强度的变化来计算磁导率。
该方法具有较高的精度和可靠性，但需要较高的技术和成本。
拓展:磁导率是描述磁场性质的重要参数，用于描述磁场的响应能力。
磁场强度与电流强度之间的关系称为磁导率，用希腊字母μ表示。
磁导率是一个常数，用于描述磁场的响应能力，即磁场能够响应电流的能力。
磁导率的测量方法包括电动势法、磁感应强度法、数字磁导率测量仪等。
电动势法需要使用霍耳传感器和电路来分析感应信号，磁感应强度法需要使用一个磁感应线圈和一个测量电路，数字磁导率测量仪则使用现代数字信号处理技术。
磁导率的测量方法取决于所需的精度和可靠性。
手动测量法具有较高的精度和可靠性，但成本较低;电动势法具有较高的精度和可靠性，但需要复杂的设备和电路;磁感应强度法具有较高的精度和可靠性，但需要较高的技术和成本;数字磁导率测量仪则具有较高的精度和可靠性，但需要较高的技术和成本。
磁性材料磁导率的测量及其分析
磁性材料磁导率的测量及其分析
磁导率是测量磁性材料物理特性的重要指标，它表征材料在施加磁场时，电流的密度与磁场强度之比，是表征磁性材料物理特性的重要参数。
磁导率的测量用于评价铁基、铁氧体、软磁材料等磁性材料的性能。
磁导率测量涉及众多技术和设备，通常采用四点法，其测量原理是：当四点探头放在磁性材料的表面上覆盖周围区域，施加DC电压后，4点之间会出现电流，对应的磁导率即为这4点之间电流密度和施加的DC电压之比。
磁导率测量既可用作材料性能参数的表征，也可用于检测磁性材料的质量。
首先，在检测过程中，可以利用磁导率的多样性扫描整个材料的缺陷，获取缺陷的分布情况，从而对材料质量进行评估。
其次，通过测量磁导率，我们可以获取材料纹理结构的信息，了解材料结构特性。
这是一个非常有价值的指标，有利于研究材料的性能和相关特性。
磁导率的测量总结如下：首先，准备物料样品进行测量前，应配备磁学仪器、磁仪计算机、全电动半球、磁偏分导线等特殊装置，并确保各类仪器参数的准确性和性能的高可靠性。
其次，紧密控制磁学仪参数，精确控制磁场大小，以便能够满足后续测量或分析的要求。
最后，仪器测量后及时处理数据，以获得更准确的测量结果。
材料的介电常数和磁导率的测量
材料的介电常数和磁导率的测量首先我们来介绍介电常数的测量方法。
介电常数是材料对电场的响应程度的度量，它描述了材料中电荷的极化程度。
介电常数的测量方法可以分为静态方法和动态方法两大类。
静态方法主要包括电容法和阻抗法。
电容法是通过测量材料电容器的电容值来确定其介电常数。
通常，所使用的电容器是平板结构或圆柱结构的，它们的结构和尺寸可以根据具体的测量需求进行设计。
电容法的原理是通过在电场中测量电容器的电容值来计算介电常数，具体计算公式为：ε=C/(ε0·A/d)其中，ε为介电常数，C为电容值，ε0为真空介电常数，A为电容器的交叉面积，d为电容器的间距。
阻抗法是通过测量材料电容器的阻抗来计算介电常数。
通过在电场中给电容器施加交变电压，测量电容器的电流和电压幅值，然后使用以下公式计算介电常数：Z=1/(2πfC)其中，Z为电容器的阻抗，f为交变电压的频率。
动态方法主要包括时域反射法和频域反射法。
时域反射法是通过将脉冲信号发送到材料中，然后测量脉冲信号的反射系数和传播速度来计算介电常数。
时域反射法的优点是适用于宽频带的测量，但对测量设备的性能要求较高。
频域反射法是通过测量材料的频率响应来计算介电常数。
通常，通过将材料置于一对电极之间，然后测量电极间的电容和电感，进而计算介电常数。
接下来我们来介绍磁导率的测量方法。
磁导率是材料对磁场的响应程度的度量，它描述了材料中磁性物质的含量和分布。
磁导率的测量方法主要有磁化曲线法和磁化电流法。
磁化曲线法是通过测量材料在外加磁场下得到的磁化曲线来计算磁导率。
测量时，材料样品被放置在电磁铁中，然后在外加磁场的作用下，测量材料的磁化强度和磁场强度，计算得到磁化曲线。
根据磁化曲线的特征，可以计算出材料的磁导率。
磁化电流法是通过通过在材料中施加交变电流，测量材料的磁场分布和电压分布，并计算得到磁导率。
磁化电流法适用于广泛的频率范围，并且可以用于不同形状和尺寸的样品。
介电常数和磁导率的测量方法在很多领域都有广泛的应用。
磁导率测量原理
磁导率测量原理
磁导率测量原理：
①定义理解磁导率μ表示材料对磁场响应能力其值等于磁通密度B与磁场强度H之比单位为亨利每米H/m；
②真空对比真空磁导率μ0为常数4π×10^-7H/m其他物质磁导率可表示为μr=μ/μ0大于1说明材料能增强磁场；
③直流测量法将待测样品置于已知磁场中测量其内部感应出的磁感应强度计算两者比值得到磁导率大小；
④交流测量法适用于软磁材料采用LCR电桥测量材料在交变磁场作用下呈现出来的感抗进而推出磁导率；
⑤谐振法利用LC电路当电感L由样品充当且调整频率f使整个回路发生谐振此时可以根据共振条件求解μ；
⑥磁阻效应对于硬磁永磁材料可基于磁阻效应设计传感器当磁场方向改变时传感器电阻发生变化由此推算；
⑦磁通门技术利用磁通门传感器高灵敏度特点直接测量磁场梯度再结合样品尺寸计算出其整体磁导率；
⑧霍尔效应通过在样品两侧施加恒定电流并在垂直方向施加磁场观测霍尔电压变化间接反映磁导率变化；
⑨核磁共振在医学地质等领域常用NMR技术其基本原理也是基于原子核在外加磁场中发生能级分裂现象；
⑩微波测量法适用于测量高频下材料磁导率特点是在微波波段测量传输线中插入样品后反射系数变化；
⑪磁光克尔效应适用于薄膜样品当偏振光入射到磁性薄膜表面时其偏振方向会发生旋转该角度与μ有关；
⑫计算机仿真随着计算电磁学发展现在可以通过建立数值模型模拟不同条件下材料磁导率分布情况。
磁性材料的磁导率与饱和磁化强度
磁性材料的磁导率与饱和磁化强度磁性材料是一类具有磁性的材料，其在磁场中表现出特定的磁性行为。
磁导率和饱和磁化强度是描述磁性材料特性的两个重要参数。
本文将从原理、测量以及应用等方面探讨磁性材料的磁导率与饱和磁化强度。
一、磁导率的原理及测量方法1. 磁导率的基本原理磁导率是指磁性材料在单位磁场中所产生的磁感应强度与磁场强度的比值，通常用符号μ表示。
磁导率可以分为绝对磁导率和相对磁导率两种。
绝对磁导率是指在无限远离材料时的磁场强度与磁感应强度之比，用符号μ₀表示；相对磁导率是指材料在一定磁场中的磁导率与真空（或空气）中的磁导率之比，用符号μᵣ表示。
2. 磁导率的测量方法目前常用的测量磁导率的方法有静态法和动态法。
静态法是指通过测量磁场中材料的磁感应强度与磁场强度之比来确定磁导率。
其中，最常用的方法是使用霍尔效应传感器，通过测量磁场和电流之间的关系来计算磁感应强度。
动态法是指通过测量材料在交变磁场中的电磁感应现象来确定磁导率。
其中，最常用的方法是使用恒定频率的交变磁场，通过测量感应电流和磁场的相位差来计算磁导率。
二、饱和磁化强度的原理及测量方法1. 饱和磁化强度的基本原理饱和磁化强度是指在外加磁场作用下，磁性材料磁化程度达到最大时的磁感应强度。
饱和磁化强度可以反映材料的磁化能力和磁性强度，通常用符号Bᵤ表示。
2. 饱和磁化强度的测量方法目前常用的测量饱和磁化强度的方法有贴片法和霍尔效应法。
贴片法是指将磁性材料制成薄片，通过测量磁感应强度和磁场强度之间的关系来确定饱和磁化强度。
其中，最常用的方法是使用磁感应强度计和恒定磁场，通过调节磁场强度并测量相应的磁感应强度来确定饱和磁化强度。
霍尔效应法是指通过测量磁场和电流之间的关系来确定饱和磁化强度。
其中，最常用的方法是使用霍尔效应传感器，通过测量磁场和电流的关系来计算磁感应强度，并进而确定饱和磁化强度。
三、磁导率与饱和磁化强度的关系及应用1. 磁导率与饱和磁化强度的关系磁导率和饱和磁化强度是磁性材料的重要参数，它们之间存在一定的关系。
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一、测量磁导率一．实验目的：测量介质中的磁导率大小二．实验器材：DH4512型霍尔效应实验仪和测试仪一套，线圈一副（N匝）万用表一个三．实验步骤1. 测量并计算磁场强度H○1测量线圈周长L。
○2线圈通电，测的线圈中的电流为I0，则总的电流为I M=N •I0○3由磁介质安培环路定理的积分形式可知：∮c H •dl=I故H •L= N •I0，H=（N •I0）/L.2.测量并计算磁感应强度B——利用霍尔效应实验○1实验原理：霍尔效应从本质上讲，是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积，从而形成附加的横向电场。
如下图1所示，磁场B位于Z的正向，与之垂直的半导体薄片上沿X 正向通以电流Is（称为工作电流），假设载流子为电子（N型半导体材料），它沿着与电流Is相反的X负向运动。
由于洛仑兹力f L作用，电子即向图中虚线箭头所指的位于y轴负方向的B侧偏转，并使B侧形成电子积累，而相对的A侧形成正电荷积累。
与此同时运动的电子还受到由于两种积累的异种电荷形成的反向电场力f E的作用。
随着电荷积累的增加，f E增大，当两力大小相等（方向相反）时，f L=－f E，则电子积累便达到动态平衡。
这时在A、B两端面之间建立的电场称为霍尔电场E H，相应的电势差称为霍尔电势V H。
设电子按平均速度，向图示的X负方向运动，在磁场B作用下，所受洛仑兹力为：f L=－e B式中：e 为电子电量，为电子漂移平均速度，B为磁感应强度。
同时，电场作用于电子的力为：flE图1 霍尔效应原理式中：E H为霍尔电场强度，V H为霍尔电势，l为霍尔元件宽度当达到动态平衡时:f L=－f E B=V H/l 9-1设霍尔元件宽度为，厚度为d ，载流子浓度为 n ，则霍尔元件的工作电流为9-2由(9-1)、(9-2)两式可得：9-3即霍尔电压V H(A、B间电压)与Is、B的乘积成正比，与霍尔元件的厚度成反比，比例系数称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数，只要测出（伏），以及（安），（高斯）和（厘米）可按下式计算（厘米3/库仑）。
实验计算时，采用以下公式：9-4上式中108 是单位换算而引入。
根据可进一步求载流子浓度：9-5应该指出，这个关系式是假定所以的载流子都具有相同的漂移速度得到的，严格一点，考虑载流子的速度统计分布，需引入修正因子。
所以实际计算公式为：9-6根据材料的电导率的关系，还可以得到：或 9-7式中：为载流子的迁移率，即单位电场下载流子的运动速度，一般电子迁移率大于空穴迁移率，因此制作霍尔元件时大多采用N型半导体材料。
当霍尔元件的材料和厚度确定时，设：9-8将式（9-8）代入式（9-3）中得：9-9式中：称为元件的灵敏度，它表示霍尔元件在单位磁感应强度和单位控制电流下的霍尔电势大小，其单位是，一般要求愈大愈好。
由于金属的电子浓度很高，所以它的R H或K H，都不大，因此不适宜作霍尔元件。
此外元件厚度d愈薄，K H愈高，所以制作时，往往采用减少d的办法来增加灵敏度，但不能认为d愈薄愈好，因为此时元件的输入和输出电阻将会增加，这对霍尔元件是不希望的。
应当注意：当磁感应强度B和元件平面法线成一角度时（如图9-2），作用在元件上的有效磁场是其法线方向上的分量，此时：9-10所以一般在使用时应调整元件两平面方位，使V H达到最大，即：，由式（9-10）可知，当工作电流Is或磁感应强度B，两者之一改变方向时，霍尔电势V H方向随之改变；若两者方向同时改变，则霍尔电势不变。
霍尔元件测量磁场的基本电路如图9-3，将霍尔元件置于待测磁场的相应位置，并使元件平面与磁感应强度B垂直，在其控制端输入恒定的工作电流Is，霍尔元件的霍尔电势输出端接毫伏表，测量霍尔电势V H的值，就可以计算磁感应强度B。
图9-2 磁感应强度B和元件图9-3 霍尔元件测量磁场的基本电路平面法线成一角度○2实验方法与步骤I.对称测量法由于产生霍尔效应的同时，伴随多种副效应，以致实测的AB间电压不等于真实的V H值，因此必需设法消除。
根据副效应产生的机理，采用电流和磁场换向的对称测量法基本上能把副效应的影响从测量结果中消除。
具体的做法是I s和B（即I M）的大小不变，并在设定电流和磁场的正反方向后，依次测量由下面四组不同方向的I s和B（即I M）时的V1，V2，V3，V4，1）+I s+B V12）+I s-B V23）-I s-B V34）-I s+B V4然后求它们的代数平均值，可得：通过对称测量法求得的V H误差很小II．仪器（交流220V）仪器面板为三大部分：1、励磁电流I M输出：前面板右侧、三位半数显显示输出电流值I M（A）。
2、霍尔片工作电流I S输出：前面板左侧、三位半数显显示输出电流值I S （mA）。
3、霍尔电压V H输入：前面板中部三位半数显表显示输入电压值V H（mV），使用前将两输出端接线柱短路，用调零旋钮调零。
4、三档换向开关分别对励磁电流I M，工作电流I S、霍尔电势V H进行正反向换向控制。
III．按仪器面板上的文字和符号提示将DH4512实验仪与DH4512测试仪正确连接。
1、将DH4512霍尔效应测试仪面板右下方的励磁电流I M的直流恒流输出端（0～0.500A），接DH4512霍尔效应实验仪上的励磁线圈电流I M的输入端（将红接线柱与红接线柱对应相连，黑接线柱与黑接线柱对应相连）。
2、将DH4512霍尔效应测试仪面板左下方供给霍尔元件工作电流I S的直流恒流源（0～5mA）输出端，接DH4512霍尔效应实验仪上霍尔片工作电流I S输入端（将红接线柱与红接线柱对应相连，黑接线柱与黑接线柱对应相连）。
3、DH4512霍尔效应实验仪上霍尔元件的霍尔电压V H输出端，接DH4512霍尔效应测试仪中部下方的霍尔电压输入端。
IV．测量霍尔电压VH与工作电流Is的关系1）先将Is，I M都调零，调节中间的霍尔电压表，使其显示为0mV。
2）将霍尔元件移至线圈中心，调节I M =500mA，调节Is =1.00mA,按表中Is，I M正负情况切换方向，分别测量霍尔电压VH值（V1，V2，V3，V4）填入表（1）。
以后Is每次递增0.50mA，测量各V1，V2，V3，V4值。
绘出Is—VH 曲线，验证线性关系。
V．测量霍尔电压V H与励磁电流I M的关系1）先将Is调节至3.00mA，2）调节I M=100、150、200……500mA(间隔为50mA),分别测量霍尔电压V H值填入表（2）中的值。
3）根据表（2）中所测得的数据，绘出I M—V H曲线，验证线性关系的范围，分析当I M达到一定值以后，I M—V H直线斜率变化的原因。
VI．测量线圈中磁感应强度B的分布1）先将I M，Is调零，调节中间的霍尔电压表，使其显示为0mV。
2）将霍尔元件置于线圈中心，调节I M＝500mA，调节I S＝3.00mA，测量相应的V H。
3）将霍尔元件从中心向边缘移动每隔5mm选一个点测出相应的V H，填入表3。
4）由以上所测V H值，由公式：V H＝K H I S B可得：B＝3、根据B=uH可知，介质中的磁导率u=B/H二、测量介电常数方法一一、实验原理电介质是一种不导电的绝缘介质，在电场的作用下会产生极化现象，从而在均匀介质表面感应出束缚电荷，这样就减弱了外电场的作用。
在充电的真空平行板电容器中，若金属极板自由电荷密度分别为错误！未找到引用源。
，极板面积为S，两内表面间距离为d，而且错误！未找到引用源。
，则电容器内部所产生的电场为均匀电场，电容量为：错误！未找到引用源。
（1）当电容器中充满了极化率为c的均匀电介质后，束缚电荷（面密度为错误！未找到引用源。
）所产生的附加电场与原电场方向相反，故合成电场强度E较错误！未找到引用源。
为小，可以证明：（2）由于极板上电量不变，若两极板的电位差下降，故电容量增大。
式中，错误！未找到引用源。
成为电介质的相对介电常数，是一个无纲量的量。
因此，它是一个描写介质特性的物理量。
若分别测量电容器在填充介质前、后的电容量，即可根据式（2）推算该介质的相对介电常数。
二、实验器材QS18A型万能电桥（编号：217）、QJ2002型供电器、0—125mm游标卡尺（最小刻度为0.02mm）、0—25mm螺旋测微仪（最小分度0.01mm）、小垫片、卷尺、导线等。
三、实验内容1.万能电桥的连接与调试①将待测原件接入被测旋钮，将损耗倍率开关放在D错误！未找到引用源。
0.01，损耗平衡盘放在1左右，并选择适当的量程。
②逐步增大灵敏度，使电表指针略小于满刻度。
③将读数开关置于零，调节读数盘，使电表指针趋于零，从而粗测出待测原件的大小。
然后将量程开关盒读数开关放在合适位置，调节读数盘，使电表指针趋零；再增大灵敏度，反复调节读数盘，直至灵敏度尽可能高且电表指针达最小，然后读数。
2.插入介质板，测量该介质的相对介电常数①用万能电桥测量充满介质时的电容错误！未找到引用源。
②测量平板电容器尺寸，计算真空电容错误！未找到引用源。
③由公式计算介质的相对介电常数错误！未找到引用源。
3.由公式ɛ= ɛrɛ0计算介电常数。
方法二a为两个平行放置的金属板构成的电容器，两板分别带有等量异号电荷—Q和+Q。
板间充满空气，可做真空处理。
b的板间充满电介质。
将两板分别连接到静电计的直杆和外壳上。
可由直杆上指针偏转的大小测出两板间的电压分别为U0和U。
U=U0/ɛr,即ɛr= U0/U 介电常数ɛ= ɛrɛ0= ɛ0U0/U。