PBGA封装制程简介
载板制程封装介绍
3. 卷帶式接合(TAB—Tape Automatic Bonding)—使用金對金熱壓接合
Gold bond
註： TCP ( Tape Carrier Package ) 應用在LCD driver上。 Unimicron Technology (SuZhou) Corp. Do The Right Things.
5.
晶圓層級(Wafer-Level)
說明：所有封裝在Wafer完成後， 再Sawing
PI 聚亞矽氨
Unimicron Technology (SuZhou) Corp.
Do The Right Things.
13
3D Packages
Wireless Bonding ( FCB , others ) Wire Bonding
manufactured and delivered in a bare, or minimally packaged die format, which ＊ has quality and reliability comparable to its functionally equivalent packaged component, ＊ can be interconnected to its next level of packaging by wire bond, tape automated bonding, or flip-chip. 說明： 已知是好的Die封裝進度， Wafer sawing 無法100% 檢出IC是好是壞? 原因：
3. 協助排除耗熱 4. 保護電子零件 5. 建構人機介面
Unimicron Technology (SuZhou) Corp.
Do The Right Things.
pbga封装的关键流程
pbga封装的关键流程目前主板控制芯片组多采用此类封装技术，材料多为陶瓷。
采用BGA 技术封装的内存，可以使内存在体积不变的情况下，内存容量提高两到三倍，BGA与TSOP相比，具有更小体积，更好的散热性能和电性能。
下面际诺斯电子(JEENOCE)将为大家介绍三大BGA封装工艺。
一、PBGA封装工艺1、PBGA基板的制备在BT树脂/玻璃芯板的两面层压极薄(12~18μm厚)的铜箔，然后进行钻孔和通孔金属化。
用常规的PCB加3232艺在基板的两面制作出图形，如导带、电极、及安装焊料球的焊区阵列。
然后加上焊料掩膜并制作出图形，露出电极和焊区。
为提高生产效率，一条基片上通常含有多个PBG基板。
2、封装工艺流程圆片减薄→圆片切削→芯片粘结→等离子清洗→引线键合→等离子清洗→模塑封装→装配焊料球→回流焊→表面打标→分离→最终检查→测试斗包装。
二、FC-CBGA封装工艺1、陶瓷基板FC-CBGA的基板是多层陶瓷基板，它的制作是相当困难的。
因为基板的布线密度高、间距窄、通孔也多，以及基板的共面性要求较高等。
它的主要过程是：先将多层陶瓷片高温共烧成多层陶瓷金属化基片，再在基片上制作多层金属布线，然后进行电镀等。
在CBGA的组装中，基板与芯片、PCB板的CTE失配是造成CBGA产品失效的主要因素。
要改善这一情况，除采用CCGA结构外，还可使用另外一种陶瓷基板--HITCE陶瓷基板。
2、封装工艺流程圆片凸点的制备->圆片切割->芯片倒装及回流焊->底部填充导热脂、密封焊料的分配->封盖->装配焊料球->回流焊->打标->分离->最终检查->测试->包装。
三、TBGA封装工艺1、TBGA载带TBGA的载带通常是由聚酰亚胺材料制成的。
在制作时，先在载带的两面进行覆铜，然后镀镍和镀金，接着冲通孔和通孔金属化及制作出图形。
因为在这种引线键合TBGA中，封装热沉又是封装的加固体，也是管壳的芯腔基底，因此在封装前先要使用压敏粘结剂将载带粘结在热沉上。
半导体封装制程与设备材料知识介绍
24~32
Ceramic Plastic
2.54 mm (100miles)
Surface Mount
SOP Small Outline Package
QFP Quad-Flat
Pack
封裝型式
Shape
Typical Features
Material Lead Pitch No of I/O
Plastic
1.27 mm (50miles) 2 direction
lead
8 ~40
Plastic
1.0, 0.8, 0.65 mm 4 direction
lead
88~200
Surface Mount
FPG
Flat Package of Glass
LCC
Leadless Chip
Carrier
封裝型式
Shape
Tester
Digital
Credence
SC312
Digital
Teradyne
J750
Mix-Signal Credence
Quartet one and one+
Mix-Signal HP
HP93000 P600
Mix-Signal HP
HP93000 C400
Mix-Signal Teradyne
Die Attach (上片)
Deposition (沉积)
WireBonding (焊线)
Wafer Inspection (晶圆检查) 前段結束
Molding (塑封)
Laser mark (激光印字)
Laser Cut & package saw Testing
BGA基板全制程简介
BT 树脂 (Bismaleimide Triazine Resin )
BT 树脂的全名为 bismaleimide - triazine resin(双顺丁烯酸酰亚 胺/三氮)，是一种热固性树脂 (thermosetting resin)，为以 上两种(B及T)成分之结合体，由 日本三菱瓦斯公司于1982年经由 Bayer公司技术指导后，使用连 续合成法进行商业化之量产，目 前全球仅其一家生产，产能为 250吨/年，因有鉴BGA之快速成 长，故1997年即投资24.5～32.7 百万美元增加生产线，使产能扩 充至600～700吨/年。
网印
Pre cure
网印
Pre cure
黄光室
UV cure
Post cure
显影
opening
曝光
UV
底 片
22
镀Ni/Au
电镀Ni/Au
清洁槽(除表
面油脂及异物)
酸洗
水洗
水洗
微蚀槽
(清洁铜面)
水洗
酸洗(清洁铜
面及预浸酸)
水洗
镀Ni 槽(电
镀Ni至所需厚 度)
水洗
预镀金槽(镀
上一层薄金作为 后镀金之介层)
4
BGA基板制造流程
发料烘烤
2 layer
蚀薄铜
4 layer
线路形成(内层)
钻孔
AOI自动光学检测 Deburr
绿漆
AOI自动光学检测
线路形成
镀Ni/Au
成型
O/S电测 出货
压合
镀铜
塞孔 (option) 终检
包装
5
发料烘烤
功能: ❖消除基板应力，防止板弯﹑ 板翘
❖安定尺寸，减少板材涨缩
PBGA封装制程简介
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簡述 PBGA封裝製程 PBGA前段流程 PBGA後段流程
簡報地圖
PBGA 後段流程
A116 PLASMA
A120 MOLDING
A160
POST MOLD CURE
A216
BALL MOUNT
A218
CLEAR
A225
SINGULATION
腳架優缺點詮釋 基板和釘架之差異比較
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簡述 PBGA封裝製程 PBGA前段流程 PBGA後段流程
簡報地圖
項目 腳架
21 22
基板(Substrate)
漏底材 背面錫球墊
釘架(Lead A封裝製程 PBGA前段流程 PBGA後段流程
1.1 MI BOND
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簡述 PBGA封裝製程 PBGA前段流程 PBGA後段流程
簡報地圖
WIRE BOND 作業前後之產品
銲線前之 BOND
TAPE
A020 WAFER MOUNT
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簡述 PBGA封裝製程 PBGA前段流程 PBGA後段流程
簡報地圖
WAFEAW
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簡述 PBGA封裝製程 PBGA前段流程 PBGA後段流程
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A03OPTICAL INSPECTION
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簡述 PBGA封裝製程 PBGA前段流程 PBGA後段流程
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A040 2nd OPTICAL INSPECTION
工作描述：檢查切割後DICE外觀有無缺陷 機台型號：NIKON OPTIPHOT 200
A070
OVEN
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簡述 PBGA封裝製程 PBGA前段流程 PBGA後段流程
pbga封装流程
pbga封装流程Title: PBGA Encapsulation ProcessTitle: PBGA封装流程Introduction:The PBGA (Plastic Ball Grid Array) packaging process is a method used to encapsulate integrated circuits (ICs) for protection and efficient thermal dissipation.This document outlines the step-by-step procedure for the PBGA encapsulation process.介绍：PBGA（塑料球栅阵列）封装流程是一种用于封装集成电路（IC）的方法，用于保护和有效散热。
本文概述了PBGA封装过程的逐步程序。
Step 1: Wafer PreparationBefore the PBGA encapsulation process begins, the IC wafer is cleaned and polished to ensure a smooth surface.The wafer is then laser marked for identification purposes and undergoes a photolithography process to create the necessary patterns.步骤1：晶圆准备在PBGA封装过程开始之前，IC晶圆经过清洁和抛光，以确保表面平滑。
然后，晶圆通过激光标记进行标识，并经过光刻工艺以创建必要的图案。
Step 2: Die AttachmentThe prepared IC die is attached to a carrier substrate using a dieattach adhesive.This adhesive ensures a strong bond between the die and the substrate, providing structural support during the encapsulation process.步骤2：芯片粘贴使用芯片粘合剂将准备好的IC芯片粘贴到载体基板上。
bga封装的主要工序
bga封装的主要工序
BGA（Ball Grid Array）封装的主要工序包括以下几个步骤：
1. PCB基板制备：选择适当尺寸的FR4基板，进行切割和打孔，确保适合BGA封装的组装。
2. 基板表面处理：通过返修、清洁和去氧化等步骤，保证基板表面光滑，以便后续的焊接工序。
3. BGA焊球排列：将细小的焊球按照BGA封装要求串联在基板上的焊盘上，形成焊球阵列。
4. BGA封装加热：通过热风炉或红外线炉等设备，对要封装的BGA芯片进行热处理，使焊球熔接于焊盘上。
5. BGA焊接质检：通过显微镜等工具，检查焊接是否均匀、焊接质量是否良好。
若发现焊球破裂、焊接不良等问题，需要进行返修措施。
6. 焊接后处理：清洁焊接区域，去除可能残留的焊接剂、残留物等，保证焊接区域的清洁度。
上述步骤仅为BGA封装的主要工序，实际封装过程还可能会涉及其他辅助工序和质检步骤，以确保BGA芯片封装的质量和可靠性。
一文看懂半导体制造工艺中的封装技术
一文看懂半导体制造工艺中的封装技术共读好书半导体制造工艺流程半导体制造的工艺过程由晶圆制造（Wafer Fabr ication）、晶圆测试（wafer Probe/Sorting)、芯片封装（Assemble）、测试（T est）以及后期的成品（Finish Goods）入库所组成。
半导体器件制作工艺分为前道和后道工序，晶圆制造和测试被称为前道（Front End）工序，而芯片的封装、测试及成品入库则被称为后道（Back End）工序，前道和后道一般在不同的工厂分开处理。
前道工序是从整块硅圆片入手经多次重复的制膜、氧化、扩散，包括照相制版和光刻等工序，制成三极管、集成电路等半导体元件及电极等，开发材料的电子功能，以实现所要求的元器件特性。
后道工序是从由硅圆片分切好的一个一个的芯片入手，进行装片、固定、键合联接、塑料灌封、引出接线端子、按印检查等工序，完成作为器件、部件的封装体，以确保元器件的可靠性，并便于与外电路联接。
半导体制造工艺和流程晶圆制造晶圆制造主要是在晶圆上制作电路与镶嵌电子元件（如电晶体、电容、逻辑闸等），是所需技术最复杂且资金投入最多的过程。
以微处理器为例，其所需处理步骤可达数百道，而且所需加工机器先进且昂贵。
虽然详细的处理程序是随着产品种类和使用技术的变化而不断变化，但其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗之后，接着进行氧化及沉积处理，最后进行微影、蚀刻及离子植入等反复步骤，最终完成晶圆上电路的加工与制作。
晶圆测试晶圆经过划片工艺后，表面上会形成一道一道小格，每个小格就是一个晶片或晶粒（Die），即一个独立的集成电路。
在一般情况下，一个晶圆上制作的晶片具有相同的规格，但是也有可能在同一个晶圆上制作规格等级不同的晶片。
晶圆测试要完成两个工作：一是对每一个晶片进行验收测试，通过针测仪器（Probe）检测每个晶片是否合格，不合格的晶片会被标上记号，以便在切割晶圆的时候将不合格晶片筛选出来；二是对每个晶片进行电气特性（如功率等）检测和分组，并作相应的区分标记。
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簡述 PBGA封裝製程 PBGA前段流程 PBGA後段流程
簡報地圖
A060 DICE ATTACH簡介
工作描述：將DICE黏至SUBSTRATE 上 機台型號：ESEC 2007
PANASONIC DA46L-H 銀膠型式：8355 ( 銀膠 )
K&S 7500
A030 WAFER SAW
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WAFAW
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WAFER SAW 作業動作簡介
BLUE TAPE
A020 WAFER MOUNT
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A020 WAFER MOUNT簡介
W)
有 ×符號的不良品 用鋼珠筆作記號
有基板號碼 空氣中易吸水 有拒銲劑異物 耐溫比較低 作業前烘烤 須電漿清洗e)
沒有 ×品 用奇異筆作記號
無釘架號碼 易氧化 無 比較高
不用烘烤 不用 無 無
腳以下 7. BGA須考量基板吸水性,QFP則考量釘架鍍銀氧
化 8. BGA晶片均須研磨,而QFP則僅TQ要研磨 9.A和QFP產品優缺點比較
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簡述 PBGA封裝製程 PBGA前段流程 PBGA後段流程
工作描述：將WAFER（晶圓）切割成 DICE（晶片）
機台型號：K&S 7500 刀具型式：27AW
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W WAFER MOUNT
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WAFEAW
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A030 WAFER SAW簡介
A090 3/0
A040 2/O
A075 PLASMA 牛牛文档分享A020 WAFER MOUNT
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A020 WAFER MOUNT簡介
工作描述：將WAFER（晶圓）黏至TAPE上 機台型號：NITTO M-286N TAPE 型式：UV TAPE (WHITE)
QMI536 ( 白膠 ) CB011 ( 黑膠 )
BGA 優缺點詮釋 BGA和QFP產品比較
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簡述 PBGA封裝製程 PBGA前段流程 PBGA後段流程
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1. BGA只有正面有封膠但QFP則正反面均有封膠 2. BGA W/B的銲金線區為鍍金而QFP為鍍銀 3. BGA使用基板(Substrate)而QFP使用釘架(Lead
frame) 4.BGA須作電漿清洗,QFP則無須清洗 5. BGA封裝溫度比QFP低20度以上(不含Reflow). 6. BGA腳數可到600隻腳以上而QFP卻只在400隻
腳架優缺點詮釋 基板和釘架之差異比較
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簡述 PBGA封裝製程 PBGA前段流程 PBGA後段流程
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項目 腳架
21 22
基板(Substrate)
漏底材 背面錫球墊
釘架(Lead A封裝製程 PBGAe)
有凹槽 無
比較薄 鍍銀 懸空
比較寬 為金屬 易變形 不易產生靜電 手指氧化
腳架優缺點詮釋 基板和釘架之差異比較
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簡述 PBGA封裝製程 PBGA前段流程 PBGA後段流程
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項目 腳架
11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
腳架優缺點詮釋 基板和釘架之差異比較
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簡述 PBGA封裝製程 PBGA前段流程 PBGA後段流程
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項目 腳架
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
基板(Substrate)
整條是平的 大部份均有導電環
比較厚 手指鍍金 手指固定 手指寬度比較細 材質為絕緣 不易變OPTICAL INSPECTION
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簡述 PBGA封裝製程 PBGA前段流程 PBGA後段流程
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A040 2nd OPTICAL INSPECTION
工作描述：檢查切割後DICE外觀有無缺陷 機台型號：NIKON OPTIPHOT 200
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Substrate Байду номын сангаас介
粘晶粒、銲線、 封膠、正印區域
銲錫球區域正面 牛牛文档分享背面PBGA 前段流程
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PBGA 前段流程
A020 W/M
A060 D/A
A030 W/S
A070 OVEN
A080 W/B
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項目
產品
1. 接腳數目
2. 平面度 3. 成品拿取 4. 所佔體積 5. 電性 6. 生產良率 7. 散熱 8. 整體成本
9. 上板子良 容易 較小 較好 較高 較易 較低 較高 較寬
QFP
較少 較差 困難 較大 較差 較低 較難 較高 較低 較窄