半导体封装制程与设备材料知识简介
半导体封装制程及其设备介绍

半导体封装制程及其设备介绍一、概述半导体芯片是一种微型电子器件,半导体封装制程是将芯片进行外层包装,从而保护芯片、方便焊接、测试等工作的过程。
比较常见的半导体封装方式有芯片贴装式、铅框式、无铅框式等。
本文将从半导体封装的制程入手,为大家介绍半导体封装制程及其设备。
二、半导体封装制程1. 粘结半导体封装的第一步是将芯片粘结到支撑贴片(Leadframe)上面。
支撑贴片是一种晶粒尺寸相对较大、但还不到电路板级别的导体片。
常用的粘接剂有黄胶、银胶等,其使用在制程时会加热到一定温度,使其能够黏合贴片和芯片。
2. 线缆连接芯片被粘接到支撑贴片上方后,需要进行内部连线。
通常使用铜线作为内部连线,常用的连线方式有金线焊接和铜线焊接。
它们的区别很大程度上取决于封装要求和芯片使用情况。
3. 包封装在连线之后,开始进行半导体封装的最后一步–包封装。
包封装是将芯片包封闭在一起,以进一步保护它。
常用的封装方式有QFP、BGA、SOIC、CHIP 贴片等。
三、半导体封装设备介绍1. 芯片粘结设备芯片粘结设备是半导体封装的第一步。
常用的芯片粘结设备包括黄胶粘合机、银胶粘合机、重合机等。
不同类型的设备适用于不同封装要求的芯片。
2. 线缆连接设备目前,铜线焊接机处于主流位置。
与金线焊接机相比,铜线焊接机具有成本更低、可靠度更高的优点。
因此,其能够更好地满足不同类型的芯片封装要求。
3. 包封装设备包封装设备是半导体封装的重要步骤。
常用的设备有 QFP 封装机、CHIP 贴片封装机等。
它们能够满足不同类型的封装要求,使芯片更加可靠。
四、半导体封装制程及其设备涉及到了许多知识点。
本文从制程和设备两个角度,为大家介绍了半导体封装制程及其设备。
不同的封装方式和设备对于产品的品质、成本以及生产效率都有很大的影响。
因此,在选择半导体封装制程和设备时,需要根据实际情况进行选择,以确保产品达到最佳性能和质量要求。
半导体封装制程及其设备介绍——【半导体芯片】

Dual In-line Package
Shape
Typical Features
Material Lead Pitch No of I/O
Ceramic Plastic
2.54 mm (100miles)
8 ~64
SIP
Single In-line Package
Plastic
2.54 mm (100miles) 1 direction
Material Lead Pitch No of I/O
Ceramic
1.27 mm (50miles) j-shape bend 4 direction
lead
18~124
Ceramic
0.5 mm
32~200
SMT (Optional)
Taping (Optional)
Grinding (Optional)
lead
3~25
Through Hole Mount
ZIP
Zigzag In-line Package
S-DIP
Shrink Dual In-line
Package
封裝型式
Shape
Typical Features
Material Lead Pitch No of I/O
Plastic
2.54 mm (100miles) 1 direction
Pack
封裝型式
Shape
Typical Features
Material Lead Pitch No of I/O
Plastic
1.27 mm (50miles) 2 direction
lead
8 ~40
半导体封装制程及其设备介绍详解演示文稿

半导体封装制程及其设备介绍详解演示文稿尊敬的各位听众我将在接下来的时间中为您详解半导体封装的制程及其设备。
铭记电子发展的历史,即能明其过程,又能知其未来。
今天共划时代的创新,无一漏缺地离不开半导体封装。
首先,让我们理解什么是半导体封装。
半导体封装是一种将半导体芯片(例如CPU或内存)与外界物理连接的技术,它将半导体芯片从硅片(wafer)切割下来,封装到保护壳内,然后通过金线或铜线与焊带或引脚建立电连接,使之能够与电路板对接,实现电子器件的封装和连接。
然后是半导体封装的流程。
典型的封装流程包括:芯片切割、引脚安装、芯片粘合、线键合、模塑、切割、测试等步骤。
每一步都需要高精度的设备保障生产效率和产品品质。
现在,我们详细讨论一下封装过程中的关键设备。
首先是切割设备,使用硅切割机将硅片切成单独的芯片。
这需要极高的精度和稳定性,以确保芯片切割在正确的位置,并且每颗芯片的尺寸一致。
其次是引脚设备,通常会使用引脚机或复合机进行安装。
引脚机会安装各种类型的引脚,包括直插式、SMT式等等。
复合机则可以一次完成多个步骤,例如引脚安装、芯片粘合和线键合。
接着是芯片粘合设备,使用芯片粘合机,将芯片粘合到基板或框架上。
粘合需要高温,通常使用电热板或光源加热。
此外,粘合需要一定的压力,通常使用空气压缩机提供。
然后是线键合设备,使用线键合机,通过金线或铜线将芯片和引脚连接起来。
这也需要高精度和稳定性,以确保线键合的位置准确,连接的可靠性。
紧接着的工艺是模塑过程,它使用模塑机将塑料封装材料注入至芯片上,形成一层保护壳,保护芯片不被外界环境侵蚀。
最后的设备是测试设备,通过测试机对每一颗半导体进行电气性能和可靠性测试,确保每一颗产品都符合规格要求。
这既包括初级的模拟测试,也包括复杂的数字和混合信号测试。
半导体封装领域的设备技术不断进步,智能制造技术、精密测量技术、自动化技术等不断引入,提升了封装品质和效率,降低了成本,为推动半导体科技的发展,帮助创造出越来越多的高效实用的电子产品,充满了无尽的可能。
半导体封装制程与设备材料知识介绍

24~32
Ceramic Plastic
2.54 mm (100miles)
Surface Mount
SOP Small Outline Package
QFP Quad-Flat
Pack
封裝型式
Shape
Typical Features
Material Lead Pitch No of I/O
Plastic
1.27 mm (50miles) 2 direction
lead
8 ~40
Plastic
1.0, 0.8, 0.65 mm 4 direction
lead
88~200
Surface Mount
FPG
Flat Package of Glass
LCC
Leadless Chip
Carrier
封裝型式
Shape
Tester
Digital
Credence
SC312
Digital
Teradyne
J750
Mix-Signal Credence
Quartet one and one+
Mix-Signal HP
HP93000 P600
Mix-Signal HP
HP93000 C400
Mix-Signal Teradyne
Die Attach (上片)
Deposition (沉积)
WireBonding (焊线)
Wafer Inspection (晶圆检查) 前段結束
Molding (塑封)
Laser mark (激光印字)
Laser Cut & package saw Testing
半导体封装制程及其设备介绍-PPT

Substrate
Solder paste pringting
Stencil
Chip shooting
Nozzle Capacitor
Reflow Oven
Hot wind
DI water cleaning
Automatic optical
inpection
DI water
Camera
PAD PAD
Wafer tape
Back Grind
Wafer Detape
Wafer Saw
Inline Grinding & Polish -- Accretech PG300RM
Coarse Grind 90%
Fine Grind 10%
Centrifugal Clean
Alignment & Centering
Die distance Uniformity
4。PICKING UP
3。EXPANDING
No contamination
TAPE ELONGATION
WEAK ADHESION
3.Grinding 辅助设备
A Wafer Thickness Measurement 厚度测量仪 一般有接触式和非接触式光学测量仪两种;
Solder paste
Die Prepare(芯片预处理) To Grind the wafer to target thickness then separate to single chip
---包括来片目检(Wafer Incoming), 贴膜(Wafer Tape),磨片(Back Grind),剥膜(Detape),贴片(Wafer Mount),切割(Wafer Saw)等系列工序,使芯片达到工艺所要求的形状,厚度和尺寸,并经过芯片目 检(DVI)检测出所有由于芯片生产,分类或处理不当造成的废品.
半导体封装制程及其设备介绍详解演示文稿

Transfer De-taping
Transfer
第十七页,共67页。
Back Side Upward
Mount
Key Technology: 1. Low Thickness Variation: +/_ 1.5 Micron 2. Good Roughness: +/- 0.2 Micron 3. Thin Wafer Capacity: Up to 50 Micron
第二十二页,共67页。
Wafer Taping -- Nitto DR300II
Alignment
Taping
Cut Tape
Transfer Back
Transfer
Key Technology: 1. High Transfer Accuracy: +/_ 2 Micron 2. High Cut Accuracy : +/- 0.2 mm
Taping
(Optional)
Assembly Main Process
Grinding (Optional)
Detaping (Optional)
Wafer
Mount
Die Saw
Die Bond
Die Cure
(Optional)
Plasma
UV Cure
(Optional)
Wire Bond
3. High Throughput : 50 pcs wafer / Hour
第七页,共67页。
封裝型式
Shape
Typical Features
Material Lead Pitch No of I/O
Plastic
半导体封装制程与设备材料知识介绍-FE

半导体封装制程与设备材料知识介绍-FE半导体封装制程是半导体工业中不可或缺的一部分,其随着市场需求的变化不断地在更新换代。
本文将主要介绍半导体封装的制程步骤及相关设备材料知识。
半导体封装制程步骤半导体封装制程主要按照以下步骤进行:1.按照需要封装的芯片布局,设计封装排线和金属引线等结构。
同时,设计封装的外观结构,包括尺寸、形状、数量和分布等。
2.使用设计软件,制作电路图样,该图样包含标准的元器件符号、等电线和连接符等信息。
3.基于制作的电路图样,制作光刻版,在载片上进行银河线蚀刻。
因为光刻版制作的精度较高,可以制作很细的线路和高保真度的图案。
4.将加载的原件(如晶体管芯片等)与抛光后的铜器系排线粘结在一起,其中的薄胶层在压合交联后,铜器系排线被粘在原件表面上。
通过紫外线固化胶水,以确保清洗过程中不再分离。
5.将元器件放入封装内部,并对外壳进行粘接焊接或压力焊接以完成封装。
半导体封装设备材料1.电池板:电池板全名为半导体电池板,是半导体制造中的必要材料之一。
它通常被用作制造微芯片和其他半导体产品的基础材料。
电池板通常由纯硅制成,因为硅是制造半导体的最佳材料之一。
2.排线:排线是半导体封装中最常用的材料之一,因为它可以连接到各种元器件和芯片,从而使它们可以在更广泛的电路中工作。
排线通常由铜、铝或金刚石制成。
铜是最常用的材料之一,因为其导电性能优良,且价格较为实惠。
3.烟雾处理设备:烟雾处理设备是半导体封装过程中至关重要的设备之一。
它可以用来过滤设备产生的烟雾和粉尘,以确保制造环境的清洁和卫生。
烟雾处理设备通常包括过滤器、碳过滤器以及粒子清洁器等。
4.封胶设备:封胶设备用于在芯片上涂覆胶水,并紫外线固化粘胶以固定芯片和排线。
封胶设备的选择应根据使用封胶的材料进行调整,因为不同材料的粘合性能不同。
通常使用的封胶设备有涂胶机、涂覆机和喷涂机等。
半导体封装制程在现代电子产业中扮演着重要角色。
从封装的步骤到所需的设备材料,我们可以看出半导体封装制程的复杂性和高技术含量。
半导体封装制程与设备材料知识介绍-FE-文档资料

Transfer
De-taping
Transfer Back Side Upward Mount
Key Technology: 1. Low Thickness Variation: +/_ 1.5 Micron 2. Good Roughness: +/- 0.2 Micron 3. Thin Wafer Capacity: Up to 50 Micron 4. All-In-One solution , Zero Handle Risk
SanDisk Assembly Process Flow SanDisk 封装工艺流程
Wafer IQC 来料检验
SMT 表面贴装 Die Prepare 芯片预处理 Die Attach 芯片粘贴 Mold 模塑 PMC 模塑后烘烤
前道 FOL
Laser Mark 激光印字
后道 EOL
Plasma Clean 清洗
Skinny Dual In-line Package
Ceramic Plastic
24~32
PBGA Ceramic Pin Grid Array Plastic 2.54 mm (100miles)
封 裝 型 式
Surface Mount
SOP
Shape
Material
Typical Features
Lead Pitch No of I/O
Small Outline Package
Plastic
1.27 mm (50miles) 2 direction lead
8 ~40
QFP Quad-Fla0.65 mm 4 direction lead
88~200
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封裝型式
Shape
Typical Features
Materia Lead Pitch No of I/O l
Cerami c
1.27, 0.762 mm
(50, 30miles) 2, 4 direction
lead
20~80
Ceramic
1.27,1.016, 0.762 mm (50, 40, 30
(氧化处理)
Depositio n
(沉积)
WireBondin g
(焊线)
Laser mark (激光印字)
Laser Cut & package saw
(切割成型)
Testin g
(测试)
Lithograp hy
(微影)
Wafer Inspection (晶圆检查) 前段結束
Moldin g
(塑封)
Plastic
1.27 mm (50miles) 2 direction
lead
8 ~40
Plastic
1.0, 0.8, 0.65 mm 4 direction
lead
88~200
Surface Mount
FPG
Flat Package of Glass
LCC
Leadless Chip
Carrier
lead
18~124
Ceramic 0.5 mm
32~200
SMT (Optional)
Taping (Optional)
Assembly Main Process
Grinding (Optional)
Detaping (Optional)
Wafer Mount
UV Cure (Optional)
HITACHI ESEC ASM C-SUN K&S SKW ASM MARCH TEPLA TOWA ASA
MODEL
DB700 ESEC2007/2008
ASM889898 QDM-4S
K&S MAXUM ULTRA UTC-2000 Eagle60 AP1000 TEPLA400
半导体封装制程与设备材料知识简介
半导体封装制程概述
半导体前段晶圆wafer制程 半导体后段封装测试
封装前段(B/G-MOLD)-封装后段(MARK-PLANT)-测试
封装就是將前製程加工完成後所提供晶圓中之每一顆IC晶粒獨立分離,並外 接信號線至導線架上分离而予以包覆包装测试直至IC成品。
半导体制程
Package (包装)
製造完成
封 裝 型 式 (PACKAGE)
Through Hole
Mount
DIP
Dual In-line Package
Shape
Typical Features
Materia Lead Pitch No of I/O l
Ceramic Plastic
2.54 mm (100miles)
Die Saw Molding
Die Bond
Die Cure (Optional)
Plasma
Post Mold Cure
Laser mark
Laser Cut
Wire Bond
Package Saw
Cleaner
Memory Test
Card Asy
Card Test
Packing for Outgoing
Skinny Dual In-line
Package
PBGA
Pin Grid Array
Shape
封裝型式
Typical Features
Materia l
Ceramic Plastic
Lead Pitch
2.54 mm (100miles)
half-size pitch in the
width direction
8 ~64
SIP
Single In-line Package
Plastic
2.54 mm (100miles) 1 direction
lead
3~25
Through Hole
Mount
ZIP
Zigzag In-line Package
S-DIP
Shrink Dual In-line
Package
封裝型式
IC制造开始
Wafer Cutting (晶圆切断)
Etchin g
(蚀刻) 后段封装开始
Wafer Reduce (晶圆减薄)
Diffusion Ion Implantation (扩散离子植入)
Grind & Dicing (晶圓研磨及切割)
Die Attach (上片)
Oxidizatio n
TSK
MODEL
HOR-2I HS-60 DR3000-III PG300RM 8560 MA3000 MA3000 DFD 6361 A-WD-300T
半导体设备供应商介绍-前道部分
PROCESS
DIE BOND
CURE OVEN WIRE BONDER
PLASMA CLEAN Mold
VENDOR
miles)
20~40
封裝型式
Surface Mount
PLCC
Plastic Leaded Chip Carrier
VSQF
Very Small Quad Flatpack
Shape
Typical Features
of I/O
1.27 mm (50miles) j-shape bend 4 direction
Shape
Typical Features
Materia Lead Pitch No of I/O l
Plastic
2.54 mm (100miles) 1 direction
lead
16~24
Plastic
1.778 mm (70miles)
20 ~64
Through Hole
Mount
SK-DIP
半导体设备供应商介绍-前道部分
PROCESS
SMT - PRINTER SMT – CHIP MOUNT
TAPING INLINE GRINDER & POLISH
STANDALONE GRINDER DETAPING
WAFER MOUNTER DICING SAW
VENDOR
DEK SIMENS NITTO ACCRETECH DISCO NITTO NITTO DISCO
No of I/O 24~32
Ceramic Plastic
2.54 mm (100miles)
封裝型式
Surface Mount
SOP Small Outline Package
QFP Quad-Flat
Pack
Shape
Typical Features
Materia Lead Pitch No of I/O l