可控硅电路选型分析
可控硅整流电路分析
可控硅整流电路分析一、可控硅整流电路的基本原理可控硅是一种半导体开关器件，由四层PNPN结构组成。
其工作原理基于PN结、P型耗尽区和控制电压的作用。
在正半周中，当控制电极施加正向火电压时，控制电流通过可控硅的上一层，使得P1-N1结反偏，形成障碍层，此时即使主极间加上反向电压也无法导通，所谓双向封锁；当控制电极去掉电压时，障碍层消失，主极间再加上正向电压，即可导通。
在负半周中，主极间加上正向电压时，P1-N1结正常导通，但是当控制电极加上正向电压时，由于N2层和P2层之间存在空间电荷区，从而隔断主极电压，所谓单向封锁。
可控硅整流电路利用可控硅开关功能的特点，将交流输入电压转换为直流输出电压。
二、可控硅整流电路的工作模式1.单向导通模式在单向导通模式下，可控硅的控制电极与主极间保持正向电压，使得可控硅导通。
此时，整流电路将输入交流电转换为单向的脉动直流电。
2.单向封锁模式在单向封锁模式下，可控硅的控制电极断开电压，使得可控硅反向阻断。
此时，整流电路不导通，输入交流电被隔断。
3.双向导通模式在双向导通模式下，可控硅的控制电极与主极间交替加上正向电压和零电压，以周期性地使可控硅导通和阻断。
此时，整流电路可以实现无脉动的双向直流输出。
三、可控硅整流电路的性能分析1.效率可控硅整流电路的效率被定义为直流输出功率与交流输入功率的比值。
效率通常由两部分组成：导通时段的效率和封锁时段的效率。
导通时段的效率取决于主极间的导通电压和电流，而封锁时段的效率取决于可控硅的电压封锁和损耗。
2.波形畸变可控硅整流电路的输出波形通常具有一定的畸变，主要表现为谐波含量较高。
这是由于可控硅导通和封锁时存在过渡时间，以及可控硅的非线性特性所导致的。
为了减小波形畸变，可以采用增加可控硅数目、增加电感和电容滤波等方法。
3.动态响应总结：可控硅整流电路是一种常用的电力电子器件，通过可控硅的开关功能实现交流电转换为直流电。
可控硅整流电路的工作模式包括单向导通、单向封锁和双向导通。
单向可控硅及其应用电路分析
单向可控硅及其应用电路分析单向可控硅（Thyristor）是一种常见的半导体器件，也是一种特殊的二极管。
单向可控硅由四个PN结组成，它具有三个电极：阳极（A）、阴极（K）和控制极（G）。
它的工作原理是通过控制极对可控硅进行控制，使其从关状态转变为导通状态。
单向可控硅具有可控性、低开通压降和高阻断电压等优点，因此在各种电力电子应用中得到广泛应用。
首先，单向可控硅在整流电路中应用广泛。
整流电路将交流电转换为直流电，常见的整流电路有半波整流电路和全波整流电路。
在半波整流电路中，单向可控硅被用作开关，当控制极施加触发脉冲时，可控硅导通，将正半周期的交流电转换为直流电。
在全波整流电路中，两个单向可控硅被用作开关，它们分别导通的时间间隔相互补充，可以将交流电的两个半周期转换为直流电。
其次，单向可控硅在开关电路中也有重要的应用。
开关电路用于控制电流或功率的开关，如交流电的调光开关、电机的启动和停止开关等。
在交流电调光开关电路中，通过对单向可控硅施加不同的触发脉冲宽度，可以控制交流电的导通角度，从而实现对光亮度的调节。
在电动机控制中，单向可控硅可以通过控制其导通时间和关断时间，来控制电机的转速和转向。
最后，单向可控硅在触发电路中也有重要的应用。
触发电路用于控制单向可控硅的导通和关断。
常见的触发电路有电流触发电路和电压触发电路。
电流触发电路通过控制极施加电流脉冲来触发单向可控硅的导通。
电压触发电路则通过控制极施加电压脉冲来触发单向可控硅的导通。
触发电路的设计特性会影响到单向可控硅的导通时间和关断时间，从而影响到电路的性能。
综上所述，单向可控硅是一种重要的半导体器件，在整流电路、开关电路和触发电路中得到广泛应用。
它的可控性和低开通压降等特点，使其在电力电子领域有着广泛的应用前景。
单向可控硅及其应用电路分析
单向可控硅及其应用电路分析可控硅全称“可控硅整流元件”（Silicon Controlled Rectifier），简写为SCR，别名晶体闸流管（Thyristor），是一种具有三个PN结、四层结构的大功率半导体器件。
可控硅体积小、结构简单、功能强，可起到变频、整流、逆变、无触点开关等多种作用，因此现已被广泛应用于各种电子产品中，如调光灯、摄像机、无线电遥控、组合音响等。
其原理图符号如下图所示：从可控硅的电路符号可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，只是多了一个控制极G，正是它使得可控硅具有与二极管完全不同的工作特性。
可控硅是可以处理耐高压、大电流的大功率器件，随着设计技术和制造技术的进步，越来越大容量化。
可控硅的基本结构如下图所示：三个PN 结（J1、J2、J3）组成4层P1-N1-P2-N2结构的半导体器件对外有三个电极，由最外层P型半导体材料引出的电极作为阳极A，由中间的P型半导体材料引出的电极称为控制极G，由最外层的N型半导体材料引出的电极称为阴极K，它可以等效成如图所示的两只三极管电路。
下面我们来看看可控硅的工作原理：如下图所示，初始状态下，电压V AK施加到可控硅的A、K两个端，此时三极管Q1与Q2都处于截止状态，两者地盘互不侵犯。
此时V AK电压全部施加到A、K两极之间，这个允许施加的最大电压V AK即断态重复峰值电压VDRM（Peak Repetitive Off-State V oltage），相应的有断态重复峰值电流IDRM（Peak Repetitive Off-StateCurrent）如下图所示，电压VGK施加到G、K两极后，Q2的发射结因正向偏置而使其导通，从而产生了基极电流IB2，此时Q2尚处于截止状态，可控硅阳极电流IA为0，Q1的基极电流IB1也为0，电阻R2上也没有压降，因此Q2的集电极-发射电压VCE2为V AK，这个电压值通常远大于VBE2，即使是在测试数据手册中的参数时，V AK也至少有6V，实际应用时V AK会有几百伏，因此，三极管Q2的发射结正偏、集电结反偏，开始处于放大状态。
可控硅电路选型分析
一、可控硅半导体结构及其工作原理：以单向可控硅为例晶闸管(Thyristor)又叫可控硅T在工作过程中，它的阳极A和阴极K与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路。
晶闸管的工作条件：1. 晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受和种电压，晶闸管都处于关短状态。
2. 晶闸管承受正向阳极电压时，仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。
3. 晶闸管在导通情况下，只要有一定的正向阳极电压，不论门极电压如何，晶闸管保持导通，即晶闸管导通后，门极失去作用。
4. 晶闸管在导通情况下，当主回路电压（或电流）减小到接近于零时，晶闸管关断。
晶闸管是四层三端器件，它有J1、J2、J3三个PN结图1，可以把它中间的NP分成两部分，构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管图2当晶闸管承受正向阳极电压时，为使晶闸管导铜，必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。
图2中每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。
因此，两个互相复合的晶体管电路，当有足够的门机电流Ig流入时，就会形成强烈的正反馈，造成两晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。
设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2；发射极电流相应为Ia和Ik；电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若门极电流为Ig,则晶闸管阴极电流为Ik=Ia+Ig从而可以得出晶闸管阳极电流为：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）式硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图3所示。
当晶闸管承受正向阳极电压，而门极未受电压的情况下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小，故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0 晶闸关处于正向阻断状态。
直流电弧炉整流柜可控硅选型标准
直流电弧炉整流柜可控硅选型标准
直流电弧炉的整流柜可控硅的选型标准主要包括以下几个方面：
1. 额定电流：可控硅的额定电流应与电弧炉的额定电流相匹配，在正常运行时能够提供足够的电流输出。
2. 额定电压：可控硅的额定电压应与电弧炉的额定电压相匹配，以确保稳定的电压输出。
3. 反向电压：可控硅的最大反向电压应超过电弧炉的最大反向电压，以防止可控硅失效。
4. 正向电压降：可控硅的正向电压降应尽可能低，以减小能量损耗和发热。
5. 动态特性：可控硅的响应速度应足够快，以满足电弧炉的动态工作需求。
6. 可靠性：可控硅应具有良好的可靠性和稳定性，能够在长时间高负载下稳定运行。
7. 适应环境：可控硅应能够适应电弧炉的工作环境，包括温度、湿度、震动等。
除了以上基本选型标准外，还应根据具体的电弧炉的工作要求和实际情况，考虑其他个性化需求，如通信接口、保护功能等。
最后，还需要根据可控硅的技术参数和性能指标进行实际测试和验证，以确保其满足电弧炉的要求。
可控硅选型方法晶闸管选型方法
可控硅选型方法晶闸管选型方法
1．选择晶闸管的类型：晶闸管有多种类型，应根据应
用电路的具体要求合理选用。
若用于交直流电压控制、可控整流、交流调压、逆变电源、开关电源保护电路等，可选用普通晶闸管。
若用于交流开关、交流调压、交流电动机线性调速、灯具线性调光及固态继电器、固态接触器等电路中，应选用双向晶闸管。
若用于交流电动机变频调速、斩波器、逆变电源及各种电子开关电路等，可选用门极关断晶闸管。
若用于锯齿波生发器、长时间延时器、过电压保护器及大功率晶体管触发电路等，可选用BTG晶闸管。
若用于电磁灶、电子镇流器、超声波电路、超导磁能储存系统及开关电源等电路，可选用逆导晶闸管。
若用于光电耦合器、光探测器、光报警器、光计数器、光电逻辑电路及自动生产线的运行监控电路，可选用光控晶闸管。
2．选择晶闸管的主要参数晶闸管的主要参数应根据应用电
路的具体要求而定。
所选晶闸管应留有一定的功率裕量，其额定峰值电压和额定电流（通态平均电流）均应高于受控电路的最大工作电压和最大工作电流1.5~2倍。
晶闸管的正向压降、门极触发电流及触发电压等参数应符合应用电路（指门极的控制电路）的各顶要求，不能偏高或偏低，否则会影响晶闸管的正常工作。
可控硅的挑选方法
一、单向可控硅工作原理可控硅导通条件：一是可控硅阳极A与阴极B间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。
以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。
另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。
可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小维持电流以下。
二、单向可控硅的引脚区分对可控硅的引脚区分，有的可从外形封装加以判别，如外壳就为阳极，阴极引线比控制极引线长。
从外形无法判断的可控硅，可用万用表R×100或R×1K挡，测量可控硅任意两管脚间的正反向电阻，当万用表指示低阻值（几百欧至几千欧的范围）时，黑表笔所接的是控制极G，红表笔所接的是阴极C，余下的一只管脚为阳极A。
三、单向可控硅的性能检测可控硅质量好坏的判别可以从四个方面进行。
第一是三个PN结应完好；第二是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断，不导通；第三是当控制极开路时，阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通；第四是给控制极加上正向电流，给阴极与阳极加正向电压时，可控硅应当导通，把控制极电流去掉，仍处于导通状态。
用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻，就可对前三个方面的好坏进行判断。
具体方法是：用R×1k或R×10k 挡测阴极与阳极之间的正反向电阻（控制极不接电压），此两个阻值均应很大。
电阻值越大，表明正反向漏电电流愈小。
如果测得的阻值很低，或近于无穷大，说明可控硅已经击穿短路或已经开路，此可控硅不能使用了。
用R×1k或R×10k挡测阳极与控制极之间的电阻，正反向测量阻值均应几百千欧以上,若电阻值很小表明可控硅击穿短路。
用R×1k或R×100挡，测控制极和阴极之间的PN结的正反向电阻在几千欧左右，如出现正向阻值接近于零值或为无穷大，表明控制极与阴极之间的PN结已经损坏。
反向阻值应很大，但不能为无穷大。
可控硅并联阻容吸收电路的选型与计算（修正）
可控硅并联阻容吸收电路的选型与计算为什么要在晶闸管两端并联阻容网络一、在实际晶闸管电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。
我们知道，晶闸管有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dl v/dlt。
它表明晶闸管在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管从断态转入通态的最低电压上升率。
若电压上升率过大，超过了晶闸管的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。
即使此时加于晶闸管的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。
因为晶闸管可以看作是由三个PN结组成。
在晶闸管处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。
当晶闸管阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。
如果晶闸管在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。
因此，对加到晶闸管上的阳极电压上升率应有一定的限制。
为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管安全运行，常在晶闸管两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。
因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感)，所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管。
同时，避免电容器通过晶闸管放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管。
由于晶闸管过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。
RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。
二、整流晶闸管(可控硅)阻容吸收元件的选择电容的选择C=(2.5-5)×10的负8次方×IfIf=0.367IdId-直流电流值如果整流侧采用500A的晶闸管(可控硅)可以计算C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5mF选用2.5mF，1kv 的电容器电阻的选择：R=((2-4) ×535)/If=2.14-8.56选择10欧PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的负12次方×R)2Pfv=2u(1.5-2.0)u=三相电压的有效值阻容吸收回路在实际应用中，RC的时间常数一般情况下取1~10毫秒。
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一、可控硅半导体结构及其工作原理：以单向可控硅为例晶闸管(Thyristor)又叫可控硅T在工作过程中，它的阳极A和阴极K与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路。
晶闸管的工作条件：1. 晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受和种电压，晶闸管都处于关短状态。
2. 晶闸管承受正向阳极电压时，仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。
3. 晶闸管在导通情况下，只要有一定的正向阳极电压，不论门极电压如何，晶闸管保持导通，即晶闸管导通后，门极失去作用。
4. 晶闸管在导通情况下，当主回路电压（或电流）减小到接近于零时，晶闸管关断。
晶闸管是四层三端器件，它有J1、J2、J3三个PN结图1，可以把它中间的NP分成两部分，构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管图2当晶闸管承受正向阳极电压时，为使晶闸管导铜，必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。
图2中每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。
因此，两个互相复合的晶体管电路，当有足够的门机电流Ig流入时，就会形成强烈的正反馈，造成两晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。
设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2；发射极电流相应为Ia和Ik；电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若门极电流为Ig,则晶闸管阴极电流为Ik=Ia+Ig从而可以得出晶闸管阳极电流为：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）式硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图3所示。
当晶闸管承受正向阳极电压，而门极未受电压的情况下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小，故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0 晶闸关处于正向阻断状态。
当晶闸管在正向阳极电压下，从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结，从而提高起点流放大系数a2,产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结，并提高了PNP管的电流放大系数a1,产生更大的极电极电流Ic1流经NPN 管的发射结。
这样强烈的正反馈过程迅速进行。
从图3，当a1和a2随发射极电流增加而（a1+a2）≈1时，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶闸管的阳极电流Ia.这时，流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定。
晶闸管已处于正向导通状态。
式（1—1）中，在晶闸管导通后，1-（a1+a2）≈0,即使此时门极电流Ig=0,晶闸管仍能保持原来的阳极电流Ia而继续导通。
晶闸管在导通后，门极已失去作用。
在晶闸管导通后，如果不断的减小电源电压或增大回路电阻，使阳极电流Ia减小到维持电流IH 以下时，由于a1和a1迅速下降，当1-（a1+a2）≈0时，晶闸管恢复阻断状态。
二、可控硅种类按照其工作特性又可分单向可控硅(SCR)、双向可控硅(TRIAC)。
其中双向可控硅又分四象限双向可控硅和三象限双向可控硅。
同时可控硅又有绝缘与非绝缘两大类，如ST的可控硅用BT名称后的“A”、与“B”来区分绝缘与非绝缘。
1、单向可控硅SCR：全称Semiconductor Controlled Rectifier(半导体整流控制器)图2-12、双向可控硅TRIAC：全称Triode ACSemiconductor Switch(三端双向可控硅开关)，也有厂商使用Bi-directional Controlled Rectifier(BCR)来表示双向可控硅。
图2-2本文中蓝色箭头指向的是高电位方向（与国内表示方法相反）；粉色箭头方向表示工作象限的切换。
三、可控硅的工作模式：1、On/Off 控制：图3-1对于这样的一个电路，当通过控制信号来开关Triac时，我们可以看到如下的电流波形：图3-2通常对于一个典型的阻性的负载使用该控制方法时，可以看到控制信号、电流、相电压的关联。
图3-32、相角控制：也叫导通角控制，其目的是通过触发可控硅的导通时间来实现对电流的控制，在简单的马达与调光系统中多可以看到这种控制方法图3-4在典型的阻性负载中，通过控制触发导通角a在0～180之间变化，从而实现控制电流的大小：图3-5四、可控硅关键参数及选型： 1、 ST 公司产品型号信息：图4-1 2、主要特性：图4-2IT(RMS)平均电流: 指的是BAT16完全导通的情况下，流经A1A2的电流平均值可以达到16A 。
请注意在数据手册之后的表3提到，该值是在正弦波触发，温度在105度或110度下测得。
VDRM/VRRM: 关断状态正向可重复峰值电压/关断状态反向可重复峰值电压。
这个参数指的值可以认为是可控硅的正反向耐压（不知道这样解释对不对）,请注意这个值与VDSM/VRSM 的差异，后者要比前者高100V 左右，但这个电压是绝对不能被逾越的，否者造成不可恢复的损坏。
IGT(Q1)触发电流：注意后面的Q1指的是工作在第一象限，这个与可控硅的工作原理是有关系的，后面会再说明。
BT 系列包含A 绝缘型和B 非绝缘两类正反向可重复峰值电压最小触发电流3、选型重点关注参数：我们知道，一个可控硅在触发前到触发后到触发关断的一个完整触发过程一共需要经历四个状态，分别是：关断、关断到触发、触发、触发到关断。
①、首先在触发前，也就是关断状态，我们需要考虑系列参数：1)、VDRM/VRRM、VDSM/VRSM2)、dV/dt3)、Vgd通俗的讲在这个状态下我们需要考虑可控硅的耐压不要被击穿、可控硅不要被误触发。
1)、VDRM/VRRM英文全称：Repetitive peak off-state voltage (50-60Hz).英文解释：This is the maximum peak voltage allowed across the device. This parameter is specified up to the maximum junction temperature and leakage currents IDRM /IRRM are specified under this value.中文名称：关断状态正向可重复峰值电压/关断状态反向可重复峰值电压。
VDSM/VRSM英文全称：Non-repetitive peak off-state voltage.英文解释：This is the maximum peak voltage allowed under pulse conditions across the device.It is specified for pulse duration lower or equal to 10ms.This parameter guaranteesthe ruggedness of the Triac in case of fast line transients exceeding the specifiedVDRM / VRRM value.图4-3上图介绍了可控硅在控制过程中会出现的不同电压参数的关系，一共出现了三个电压值（在同一个电压方向上）：VDRM、VDSM、Dreakdown V oltage。
通常VDSM会比VDRM大100V左右，但是前提条件是这多出100V的电压加在A1A2两端的时间不能超过10mS，超过的结果当然是over！并且是不可逆的过程！阴影部分是绝对禁止越过的！2)、dV/dt英文全称：Critical rate of rise of off-state voltage.英文解释：This is the maximum value of the slope of the rising voltage that can be applied across a SCR or a Triac in the off-state without risking it turning on spuriously.dV/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率，这是防止误触发的一个关键参数！此值超限将可能导致可控硅出现误导通的现象。
也许有人会问为什么？由于可控硅的制造工艺决定了A2与G之间会存在寄生电容。
我们知道dV/dt的变化在电容的两端会出现等效电流，这个电流就会成为Ig，也就是出现了触发电流。
需要注意的是dV/dt导致的结果是误触发，但不会对器件本身造成损伤！对设备本身就需要看可控硅控制的是什么了。
图4-4数据手册上有两个dV/dt ：图4-5前一个指的是静态下，它的值受温度影响。
后一个受Rgk（SCR，单向可控硅，R与K的寄生电阻）影响，由于R与K同时也存在寄生电容Cgk，等效如下图：图4-6双向可控硅也是同样，G与A1之间是绝对禁止加入电容！因为不利对电压噪声的抑致。
3)、Vgd英文全称：Non-triggering gate voltage.英文解释：This is the maximum voltage which can be applied to the gate without causing undesired turn-on.This parameter is specified, for the worst case scenario, at the maximum junctiontemperature.门极电压V GA1>V GD才可能导通图4-7总结：在这一阶段我们最关心两个问题：1、不要过压；二、误触发。
压敏电阻可以保护过压，误触发有没有什么好的办法？有的，就是RC滤波电路。
图4-8②、关断到导通从关断状态到导通我们需要考虑下列参数：1)、Igm2)、Igt/Vgt3)、dI/dt1)、Igm英文全称：Peak gate current.英文解释：This is the maximum peak current allowed between gate and cathode, defined for 20μs pulse duration.对于SCR单向结构，我们知道Ig总是为正，即只有流进的电流。
其等效电路为：对于双向可控硅，就有可能存在正负两种电流。
下图展示了Ig、Vt、It的关系，假定认为箭头方向全部为正方向将Vt与It映射到二维坐标上，我们可以知道他们的关系：请注意上图中紫色箭头的方向，可以理解为一个完成的正弦波形。
下图展示了Ig与It的关系，同样我们将这种关系映射到二维坐标内：我们可以得到在一个正弦波内可控硅可以被触发四次（理论上，并不是所有的双向可控硅都可以四个象限被触发，后面会介绍），按照Ig的方向，我们发现Q1、Q4象限电流为正，Q2、Q3象限电流为负；如果选择Q1、Q4象限驱动。