干法刻蚀技术的应用与发展

表3-1 干法刻蚀中的关键参数
设备参数
设备设计、电源、电源频率、压力、温度、气流速率、
真空状况、工艺菜单
工艺参数
等离子体-表面相互作用：表面材料、复合金属的不同层、表面温度、表面电荷、表面形貌；化学和无理要求；
时间
质量指标
刻蚀速率、选择比、均与性、特性曲线、关键尺寸、残留物
其他相关因素
净化间规、操作过程、维护过程、预防维护计划
2.2刻蚀作用
干法刻蚀系统中，刻蚀作用是通过化学作用或物理作用，或者是化学和物理的共同作用来实现的。在纯化学机理中，等离子体产生的反应元素（自由基和反应原子）与硅片表面的物质发生反应。为了获得高的选择比（即为了与光刻胶或下层材料的化学反应最小），进入腔体的气体（一般含氯或氟）都经过了慎重选择。等离子体化学刻蚀由于它是各向同性的，因而线宽控制差。反应中产生的挥发性生成物被真空泵抽走。
第2章干法刻蚀的机制和原理
2.1刻蚀工艺
在半导体制造中有两种基本的刻蚀工艺：干法刻蚀和湿法腐蚀。干法刻蚀是把硅片表面曝露与其他中产生的等离子体，等离子体通过光刻胶中开除的残空，与硅片发生物理或者化学反应（或这两种反应），从而去掉曝露的表面材料。干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方方法。而湿法腐蚀一般只用于尺寸较大的情况下（大于3微米）。湿法腐蚀仍然用来腐蚀硅片上的某些层或用来去除干法刻蚀后的残留物。
3.1介质的干法刻蚀
对于200mm硅片，介质的干法刻蚀是最复杂的刻蚀过程；而对于300mm硅片，介质刻蚀将遇到最大的挑战。氧化物刻蚀的最大困难在于随着特征尺寸缩小，在通互连中用于双层大马士革技术的层间介质的新的沟槽刻蚀工艺以及需要刻蚀低K层间介质所带来的更严格的工艺规。
3.1.1氧化物
刻蚀氧化物通常是为了制作接触孔和通孔。这些事很关键的应用，要求在氧化物中刻蚀出具有高深宽比的窗口。对于DRAM应用中的0.18um图形，深宽比希望能达到6:1，对下层的硅和硅化物、多晶硅的选择比要求大约50:1。有一些新的氧化物刻蚀应用，如有新沟槽刻蚀和高深宽比刻蚀要求的双大马士革结构，也有低的深宽比通孔刻蚀，如非关键性的氧化物刻蚀应用。
第3章干法刻蚀的应用
在集成电路制造过程中需要多种类型的干法刻蚀工艺，这些应用涉及在生产线上用到的所有材料。我们将按被刻蚀材料的种类：介质、硅和金属，来阐述干法刻蚀。随着关键尺寸的缩小、较高的深宽比窗口以及新材料砸硅片制造过程的应用对这三类的刻蚀提出了挑战。优化刻蚀条件是产品开发人员要解决的关键问题。一般来说，一个成功的干法刻蚀要求：
图1-1 底切现象
自1970年以来，元件制造首先开始采用电浆刻蚀技术（也叫等离子体刻蚀技术），人们对于电浆化学性的了解与认识也就越来越深。在现今的半导体集成电路或LCD制造过程中，要求精确地控制各种材料尺寸至次微米大小，而且还必须具有极高的再现性，电浆刻蚀是现今技术中唯一能极有效率地将此工作在高良率下完成的技术，因此电浆刻蚀便成为半导体制造以及TFT LCD Array制造中的主要技术之一。
3.1.1.3侧壁剖面
在局部（LI）氧化层介质中的接触窗口尺寸通常与具有高深宽比的最小特征尺寸相等。对于这种类型的应用，需要高度各项异性的垂直侧壁剖面。一个重要的因素是高密度等离子体重高方向性的离子轰击。
图2-1物理溅射（sputter）机理
1、各相异性刻蚀。
2、低刻蚀选择比。
3、并且因轰击效应使得被刻蚀膜层表面产生损伤。
4、反应副产物多为非挥发性，容易累积于腔体部。
2.1.2化学刻蚀
纯化学反应性蚀刻，则是利用各式能量源（RF，DC，microwave等）给予气体能量，产生电浆，进而产生化学活性极强的原(分)子团，原(分)子团扩散至待蚀刻物质的表面，与待蚀刻物质反应产生挥发性之反应生成物，最后挥发性生成物被真空设备抽离反应腔。因这种反应完全利用化学反应来达成，故谓之化学反应性蚀刻。这种蚀刻方式相近于湿式蚀刻，只是反应物及产物的状态由液态改变为气态，并利用电浆来促进蚀刻的速率。因此纯化学反应性蚀刻拥有类似于湿式蚀刻的优点及缺点，特点有：
刻蚀也可以分成有图形刻蚀和无图形刻蚀。有图形的刻蚀采用掩蔽层（有图形的光刻胶）来定义要刻蚀掉的表面材料区域，只有硅片上被选择的这一部分在刻蚀过程中刻掉，有图形刻蚀可用来在硅片上制作多种不同的特征图形，包括栅、金属互联线、通孔、接触孔和沟槽。无图形刻蚀、反过来或剥离是在整个硅片没有掩膜的情况下进行的，这种刻蚀工艺用于剥离掩蔽层（如STI氮化硅剥离和用于制备近体馆注入侧墙的硅化物工艺后钛的剥离）。反刻是在想要把某一层膜的总的厚度减小时采用的（如当平坦化硅片表面是需要见效形貌特征）。光刻胶是另一个剥离的例子。总的来说。有图形刻蚀和无图形刻蚀工艺能够采用干法刻蚀或湿法腐蚀技术来实现。
干法刻蚀也可以根据被刻蚀的材料类型来分类。按材料分，刻蚀主要分成三种：金属刻蚀、介质刻蚀和硅刻蚀。介质刻蚀是用于介质材料的刻蚀，如二氧化硅。接触空和通孔结构制作需要刻蚀介质，从而在ILD中刻蚀出窗口，而具有高深度宽比（窗口的深于宽的比值）的窗口刻蚀具有一定的挑战性。硅刻蚀（包括多晶硅）应用于需要去除硅的场合，如刻蚀多晶硅晶体管栅和硅槽电容。金属刻蚀主要是在金属层上去掉铝合金复合层，制作出互联线。
3.1.1.2光刻胶选择比
为了防止形成倾斜的侧墙，获得高的氧化硅/光刻胶选择比是很重要的。光刻胶用于定义要刻蚀的图形。在接触孔和通孔的刻蚀中，数百万的孔被同时刻蚀，每个孔中都需要去除精确数量的表层材料，而孔常常位于不同的深度，一种见效光刻胶选择比的因素是在高密度等离子体重活性氟原子的有效生成。自由的氟原子会刻蚀掉有机的光刻胶的选择比。另外，需要刻蚀抗反射涂层，这延长了刻蚀时间，进一步减小了光刻胶的厚度。
3.1.1.1下层材料的选择比
氧化物刻蚀的主要困难之一是获得对下层材料（通常是硅、氮化硅或者一层抗反射图层）的高的选择比。获得对硅的高选择比的一种方法是通过在化学气体中加入洋气来控制氧化物和硅之间的选择比。少量洋气能改善氧化物刻蚀和硅刻蚀的速率。当氧气浓度大至大约20%时，氧化物刻蚀比硅刻蚀要更快，增大了选择比，减少了对下层硅的刻蚀。另一种提高选择比的方法是在气体混合物中加入氢气，减少硅的刻蚀速率，当氢气浓度达到大约40%是，硅刻蚀的速率几乎为零。同时，氧化物刻蚀速率在氢气浓度地狱40%的时候几乎不受什么影响。
1、对不需要刻蚀的材料（主要是光刻胶和下层材料）的高选择比。
2、获得可接受的产能的刻蚀速率。
3、好的侧壁剖面控制、
4、好的片均匀性。
5、低的期间损伤。
6、宽的艺制造窗口。
对于每一种特殊的干法刻蚀应用，关键的刻蚀工艺参数通过工艺优化来确定。其中一些参数在表（3-1），在许多情况下，优化是通过工艺设备的计算机模拟来实现的。因为用硅片进行实际的样机测试需要很高的成本。
总结与展望总结与展望一总结本文简单描述了干法刻蚀的机理和原理了解干法刻蚀的在集成电路制造工艺的一些应用熟悉了干法刻蚀设备的构成和主要性能指干法技术的出现是由于集成电路制造工艺的需要其发展也是伴随集成电路的不断微细化和高集成化而完善更新
干法刻蚀技术的应用与发展
摘要
在半导体生产中，干法刻蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。而干法刻蚀是一个惯称，它指的是在低气压下雨等离子体有关的腐蚀方法。经过二十多年的发展，经历了多样化的发展过程，使技术不断完善和创新。一定程度上，干法刻蚀的水平决定了集成电路器件性能和生产规模。
1、各向同性刻蚀
2、高刻蚀选择比
3、高刻蚀速率
4、低表面损伤
5、反应腔体洁净度较易维持
图2-2化学反应性刻蚀机理
在半导体以及LCD制程中，纯化学反应性蚀刻应用的情况通常为不需做图形转换的步骤，如光阻的去除等。
图2-3 基于化学反应机制的理想乾蚀刻过程
如图2-3所示，一个仅基于化学反应机制的理想乾蚀刻过程可分为以下几个步骤：（1）刻蚀气体进入腔体，在电场作用下产生电浆形态之蚀刻物种，如离子及自由基(Radicals)；（2）蚀刻物种藉由扩散、碰撞或场力移至待蚀刻物表面；（3）蚀刻物种吸附在待蚀刻物表面一段时间；（4）进行化学反应并产生挥发性之生成物；（5）生成物脱离表面；（6）脱离表面之生成物扩散至气体中并排出。上述步骤中若其中一个停止发生，则整个反应将不再进行。而其中生成物脱离表面的过程最为重要，大部份的反应物种皆能与待蚀刻物表面产生快速的反应，但除非生成物有合理的气压以致让其脱离表面，否则反应将不会发生。
广义而言，所谓的刻蚀技术，是将显影后所产生的光阻图案忠实地转印到光阻下的材质上，形成由光刻技术定义的图形。它包含了将材质整面均匀移除及图案选择性部分去除，可分为湿式刻蚀(wet etching)和干式刻蚀(dry etching)两种技术。湿式刻蚀具有待刻蚀材料与光阻及下层材质良好的刻蚀选择比（selectivity）。然而，由于化学反应没有方向性，因而湿式刻蚀是各向同性刻蚀。当刻蚀溶液做纵向刻蚀时，侧向的刻蚀将同时发生，进而造成底切（Undercut）现象，导致图案线宽失真，如下图所示。
干式刻蚀通常指利用辉光放电（glow discharge）方式，产生包含离子、电子等带电粒子以及具有高度化学活性的中性原子、分子及自由基的电浆，来进行图案转印（pattern transfer）的刻蚀技术。干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法，广泛应用于半导体或LCD前段制程。和其他一些技术。比如气相腐蚀、激光诱导腐蚀，以及无掩膜的聚焦离子束腐蚀等，虽然亦有别于“湿法”，但已自成体系，一般不列入干法刻蚀之中。经过二十多年的发展，出现多种干法刻蚀结构形式，她们具有各自的时代背景，也有各自的特点。
还有一种是物理和化学混合作用机理，其中离子轰击改善化学刻蚀作用。刻蚀剖面可以通过调节等离子体条件和气体组分从各向同性向异性改变。这种物理和化学混合作用机理刻蚀能获得好的线宽控制并有不错的选择比，因而在打多少数干法刻蚀工艺中被采用。
干法刻蚀系统可以是各向同性或各向异性的刻蚀机，这取决于RF电场相对于硅片表面的方向。意思是指正离子溅射的发生是硅片表面还是硅片的边缘。如果这个电场是垂直于硅片表面，刻蚀作用就是重正离子溅射和一些基本的化学反应，如果这个电场平行于硅片表面，物理的溅射作用就很弱，因此刻蚀作用主要是表面材料和活性元素之间的化学反应。