封装工艺流程简介
第二章 封装工艺流程
封装工艺的基本流程：
硅片减薄 芯片切割 硅片贴装 芯片互连
打码
上焊锡 切筋成形
成型技术即 （塑料封装） 去飞边毛刺
尹小田
硅片的尺寸越来越大，为了方便制 造、测试和运送过程，厚度增加。
硅片减薄 芯片切割 硅片贴装 芯片互连
成型技术即
打码 上焊锡 切筋成形
（塑料封装） 去飞边毛刺
背面减薄技术有： 磨削、研磨、干式抛光(Dry Polishing)、 化学机械抛光(chemical mechanicai polishing,CMP)、 电化学腐蚀(Electrochemical Etching)、 湿法腐蚀(Wet Etching,WE)、 等离子增强化学腐蚀(Plasma-Enhanced Chemical Etching，PECE) 常压等离子腐蚀(Atmosphere Downstream Plasma
尹小田
（4）玻璃胶粘贴法
方法：用高分子材料聚合物玻璃胶进行芯片粘贴。 工艺：先以盖印、网印、点胶的技术把胶原料涂布在基
板的芯片座中，再把芯片置于玻璃胶上粘贴。
1、多用于陶瓷封装中 2、冷却过程谨慎控制降温的速度以免造成应力破 裂
优3、点增：加可热以、得点到传无导空性隙能、，热可稳以定加性金优属良如的：、箔低、结银合应力、 低湿气含量的芯片粘贴；
尹小田
4、芯片互连
硅片减薄 芯片切割 硅片贴装 芯 切筋成形
（塑料封装） 去飞边毛刺
定义：把电子外壳的I/O引线或基板上的金线焊区与芯片的 焊区相连。
涂布合适的厚度和轮廓的芯片焊盘上进行固化。
1、各向同性材料。
不精确会怎样？
2、导电硅橡胶。
3、各向异性导电聚合物。 导电胶的缺点：热稳定性不好、高温时容易劣化和引发导 目电用的胶于导是中高电：有可胶改机靠中善物度填胶气要充的体求银导充的颗热分封粒性泄装或，漏。银增而薄强降片散低，热产因能品此力的都。 可是靠是度导，电因的此。不
封装工艺流程
封装工艺流程
《封装工艺流程》
封装工艺流程是指将集成电路芯片封装成完整的电子元器件的过程。
封装工艺流程主要包括封装设计、封装材料选择、封装模具制造、封装过程控制等环节。
下面我们将简要介绍一下封装工艺流程的主要步骤。
封装设计是封装工艺流程的第一步，它要根据芯片的功能和尺寸特点来确定封装的类型和尺寸，以及排线的布局和引脚数量等。
封装设计的好坏直接影响到后续封装工艺的成功与否。
封装材料选择是封装工艺流程的第二步，它要根据封装的类型和应用环境来选择合适的封装材料，如塑料封装、陶瓷封装、球栅阵列封装等。
不同的封装材料有不同的特性和成本，要合理选择以满足产品的要求。
封装模具制造是封装工艺流程的第三步，它要根据封装设计和封装材料来制造合适的封装模具。
封装模具的制造质量直接关系到封装产品的质量和成本，因此要选择合适的制造工艺和材料，以确保模具的精度和寿命。
封装过程控制是封装工艺流程的最后一步，它要对封装过程中的温度、湿度、压力、时间等参数进行控制，以确保封装产品的质量和稳定性。
封装过程控制是封装工艺流程中最关键的环节，要严格执行相应的标准和流程，以确保产品的合格率和可靠性。
总的来说，封装工艺流程是一个复杂的技术活，它要求在封装设计、封装材料选择、封装模具制造和封装过程控制等方面有丰富的经验和技术，以确保封装产品的质量和性能。
只有做好封装工艺流程的每一个环节，才能生产出合格的封装产品，满足客户的需求。
封装的工艺流程
封装的工艺流程封装的工艺流程封装是电子元器件生产中非常重要的一环，它将制造好的集成电路芯片封装在外部保护壳中，以保证电路的正常运行和使用。
下面将介绍一种常用的封装工艺流程。
首先，封装工艺流程的第一步是准备工作。
准备工作包括准备所需的封装材料，如塑料壳体、封装芯片、导线等，并清洗这些材料以确保其表面清洁。
此外，还需要准备要使用的封装设备和工具。
第二步是芯片的固定。
在封装过程中，芯片需要被固定在封装壳体中。
这可以通过使用胶水或焊锡来完成。
胶水是刷在封装壳体的内部的，将芯片粘贴在指定的位置上。
而焊锡则是通过加热来使其融化，并将芯片焊接在壳体上。
第三步是连接导线。
封装工艺中的一个重要步骤是将芯片与其他电子器件连接起来。
这可以通过焊接、印刷、接插等多种方式来实现。
焊接是最常用的方式之一，它通过将导线与芯片的引脚连接，并加热使其焊接在一起。
而印刷是将导线印制在芯片表面和封装壳体内部，通过印刷设备将导线印制在指定的位置上。
接插则是将导线插入到芯片的插槽中，通过插座与芯片连接起来。
第四步是封装壳体的密封。
为了确保芯片的安全性和耐用性，封装壳体需要进行密封处理。
这可以通过使用胶水或密封胶来完成。
胶水是将封装壳体的两个半壳粘合在一起，以达到密封的目的。
而密封胶是将其涂抹在封装壳体的连接处，使其更加牢固和密封。
第五步是整体的检验和测试。
在封装工艺完成后，需要对封装好的器件进行检查和测试，以确保其质量和性能。
这可以通过视觉检查、电气测试和功能测试等方式来完成。
视觉检查可以通过直观地观察封装壳体、连接线和芯片等部分的外观，以检查是否有缺陷或损坏。
电气测试是通过测试仪器对封装好的芯片进行电气性能测试，以确保其符合规定的电参数要求。
功能测试是对封装好的芯片进行功能性能测试，以确保其正常运行和使用。
最后，是封装工艺流程的完工和包装。
当封装工艺流程完成后，封装好的器件需要经过最后的包装处理。
这可以通过将器件放入包装盒或包装袋中，然后进行标签贴附、封口等操作来完成。
封装工艺流程简介 (3)
设备:
封装工艺流程简介
Tape and reel 编带
设备:
描述:
使用卷带包装设备，将单 颗产品用编带材料（卷带+盖 带）进行打卷包装。
封装工艺流程简介
Packing 包装
描述:
通过捆绑/包装以确 保产品在操作,运输的过 程中不受湿气, ESD的侵 袭,同时也确保产品在运 输过程中不受损伤。
封装工艺流程简介
2016-Jan-1
封装工艺流程简介
FOL
IQA SMT Pre-bake
基板收取Βιβλιοθήκη 来料检验IQA表面贴装* 可选 基板烘烤
Taping BG W/M
De-tape
D/S
2/O Fail
QA Pass
DA
DAC
Plasma
圆片收取 来料检验 贴保护膜 背部研磨 圆片装载 去掉保护膜
芯片切割 第二次光学检查
封装工艺流程简介
Baking 烘烤
描述:
PCB需要在做DA之 前做一下烘烤，以去 除PCB中的水分，提高 产品的可靠性能。
设备:
N2以防止PCB氧化
N2 inlet
Carrier Carrier
Outlet
125oC
封装工艺流程简介
Die Attach 装片
描述:
利用银浆或Film的 粘性将切割好的好的 晶粒吸取并粘贴于基 板上,以便于后制程作 业。
等离子清洗示意图
封装工艺流程简介
MD 包封
描述:
将前道完成后的产品 ，使用塑封料把芯片 塑封起来,免受外力损 坏。同时加强器件的 物理特性便于使用。
设备:
封装工艺流程简介
PMC 包封后烘
封装工艺流程(1)
焊区与微电子封装的I/O引线或基板上的金属
布线焊区（Pad）用金属细丝连接起来的工
艺技术。
WB技术作用机理
❖
提供能量破坏被焊表面的氧化层和污染物，
使焊区金属产生塑性变形，使得引线与被焊
面紧密接触，达到原子间引力范围并导致界
面间原子扩散而形成焊合点。引线键合键合
❖ 铜：近年来，大量用于集成电路互连。铜比
铝有较高的导电率；铜丝相对于金丝具有成
本低、强度和刚度高、适合于细间距键合的
优点。
❖
引线键合的关键工艺
❖
❖
关键工艺：温度控制、精确定位控制、工作
参数设定。
应用对象：低密度连线封装（＜300个接点）
引线键合的技术缺陷
1.
2.
3.
多根引线并联产生邻近效应，导致电流分布
对芯片的影响，同时还可以屏蔽电磁干扰。
③各向异性导电聚合物:电流只能在一个方向流动。
❖ 导电胶功能：（形成化学结合、具有导电功能）
❖
2.3.4 玻璃胶粘贴法
与导电胶类似，玻璃胶也属于厚膜导体材料（后面
我们将介绍）。不过起粘接作用的是低温玻璃粉。它
是起导电作用的金属粉（Ag、Ag-Pd、Au、Cu等）
出现废品。
Chipping Die
崩边
2.3 芯片粘贴
芯片贴装：也称芯片粘贴，是将芯片固定
于封装基板或引脚架芯片的承载座上的工
艺过程。
贴装方式4种：
❖ 共晶粘贴法（Au-Si合金）
❖ 焊接粘贴法（Pb-Sn合金焊接）
❖ 环氧树脂粘结（重点）
❖ 玻璃胶粘贴法
引线框架
装
架
引线
封装工艺流程
导电胶粘贴法的缺点是热稳定性不好，高温下会引 起粘接可靠度下降，因此不适合于高可靠度封装。
第二章 封装工艺流程
玻璃胶粘贴法
与导电胶类似，玻璃胶也属于厚膜导体材料（ 后面我们将介绍）。不过起粘接作用的是低温玻璃 粉。它是起导电作用的金属粉（Ag、Ag-Pd、Au、Cu 等）与低温玻璃粉和有机溶剂混合，制成膏状。
第二章 封装工艺流程
2.4.2 载带自动键合技术
TAB技术的关键材料
基带材料：要求耐高温，与金属箔粘贴性好，热匹配性 好，抗化学腐蚀性强，机械强度高，吸水率低。例如，聚酰亚胺
（PI）、聚乙烯对本二甲酸脂（PET）和苯并环丁烯（BCB）
TAB金属材料：要求导电性能好，强度高，延展性、表 面平滑性良好，与各种基带粘贴牢固，不易剥离，易于用光 刻法制作出精细复杂的图形，易电镀Au、Ni、Pb/Sn焊接材 料，例如，Al、Cu。 芯片凸点金属材料：一般包括金属Au、Cu、Au/Sn、 Pd/Sn。
硅片背面减技术主要有： 磨削、研磨、化学抛光 干式抛光、电化学腐蚀、湿法腐蚀 等离子增强化学腐蚀、常压等离子腐蚀等
减薄厚硅片粘在一个带有金属环或塑料框架的薄膜 （常称为蓝膜）上，送到划片机进行划片。现在划片机都 是自动的，机器上配备激光或金钢石的划片刀具。切割分 部分划片（不划到底，留有残留厚度）和完全分割划片。 对于部分划片，用顶针顶力使芯片完全分离。划片时，边 缘或多或少会存在微裂纹和凹槽这取决于刀具的刃度。这 样会严重影响芯片的碎裂强度。
第二章 封装工艺流程
2.1.2 封装工艺流程概况 流程一般可以分成两个部分：在用塑料封装之前的工 序称为前段工序，在成型之后的操作称为后段工序。成型 工序是在净化环境中进行的，由于转移成型操作中机械水 压机和预成型品中的粉尘达到1000级以上（空气中0.3μm 粉尘达1000个/m3以上）。 现在大部分使用的封装材料都是高分子聚合物，即所 谓的塑料封装。上图所示的塑料成型技术有许多种，包括 转移成型技术、喷射成型技术、预成型技术，其中转移成 型技术使用最为普遍。
3d封装工艺流程
3d封装工艺流程3D封装工艺是一种先进的封装技术，可实现芯片堆叠和三维集成。
以下是3D 封装工艺流程的主要步骤：1. 芯片制备：首先，在硅片上制备出具有不同功能的有源芯片和无源芯片。
这些芯片可以是基于不同材料和工艺制作的，例如CMOS、EEPROM、MOSFET等等。
这些芯片将在后续的工艺流程中用于构建三维集成电路。
2. 基板制备：为了实现芯片的垂直连接，需要使用基板作为支撑和连接材料。
基板通常由高导热性和高电导率的材料制成，例如铜、铝等。
基板上需要制备出凸点和连接线路，以便后续的连接工艺。
3. 芯片贴装：将有源芯片和无源芯片贴装在基板上。
贴装方法可以采用传统的引线键合或倒装焊技术。
在贴装过程中，需要保证芯片的位置和角度精度，以确保后续的连接工艺能够顺利进行。
4. 连接工艺：在贴装完毕后，需要采用引线键合、倒装焊或凸点连接等方法，实现芯片与基板之间的连接。
这些连接方法需要根据不同的应用需求进行选择和优化。
5. 封装保护：在完成连接后，需要采用合适的封装材料和工艺，将整个三维集成电路进行封装保护。
常用的封装材料包括塑料、陶瓷和金属等。
在封装过程中，需要注意保护好内部电路，并确保封装后的可靠性和稳定性。
6. 测试与校准：完成封装后，需要对三维集成电路进行测试和校准。
测试内容可以包括电路性能、电气特性、热特性、机械性能等方面。
根据测试结果进行校准和调整，以保证电路的性能达到预期要求。
以上是3D封装工艺流程的主要步骤。
在实际应用中，根据不同的需求和设计要求，可能还需要进行其他优化和改进。
3D封装工艺的发展为芯片集成和三维集成提供了广阔的应用前景，可以应用于电子器件、通信设备、医疗设备等多个领域。
同时，随着技术的发展和创新，3D封装工艺也将不断得到优化和改进。
单管封装工艺流程
单管封装工艺流程可以分为以下几个步骤：1. 准备工作：在开始封装之前，需要做好各项准备工作，包括检查设备、调整参数、确定封装位置和顺序等。
2. 固定芯片：将芯片固定在封装板上，确保芯片的位置正确且稳定。
3. 固定支架和基板：使用支架将芯片固定在基板上，然后使用助焊剂确保固定可靠，同时确保焊点干燥。
4. 测试：对封装后的芯片进行测试，确保其功能正常，无任何异常。
5. 清洗：对芯片进行清洗，去除多余的助焊剂和污垢。
6. 打码：在芯片上打印上生产序列号或其他标识，便于后续识别和管理。
7. 质量检测：对整个封装过程进行质量检测，确保工艺流程的准确性和稳定性。
8. 包装：将封装后的芯片进行包装，确保其安全、可靠和美观。
具体流程如下：1. 将基板和芯片支架准备好，并确定芯片的封装位置和顺序。
2. 将芯片固定在相应的位置，并用支架进行固定。
3. 将基板和芯片支架放入焊接设备中，并使用相应的焊料和焊剂进行焊接。
4. 焊接完成后，对芯片进行功能测试和外观检查，确保其符合要求。
5. 使用清洗剂对芯片进行清洗，去除多余的助焊剂和污垢。
6. 在芯片上打印上生产序列号或其他标识，以便于后续识别和管理。
7. 对整个封装过程进行质量检测，确保工艺流程的准确性和稳定性。
8. 将封装后的芯片放入相应的包装盒中，并进行严格的包装处理，确保其安全、可靠和美观。
9. 装箱、发货：将封装好的芯片按照客户的要求进行装箱、发货。
需要注意的是，单管封装工艺流程涉及到多个环节和细节，需要严格控制每个环节的质量和可靠性，以确保最终产品的质量和性能符合要求。
同时，为了保证工艺流程的顺利进行，还需要不断优化设备和工艺参数，提高生产效率和产品质量。