3.4 能带结构的计算

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材料物理化学中的能带结构研究

材料物理化学中的能带结构研究

材料物理化学中的能带结构研究能带结构是材料物理化学中的一个重要概念,它可以描述材料中电子的能量分布和输运特性。

在固体物理学、半导体材料、光电子学、化学等领域都有广泛的应用。

本文将介绍能带结构的相关概念、研究方法以及应用领域。

一、能带结构的基本知识1. 能量带材料中的电子可以分布在不同能量区间内,称为能量带。

常见的能量带有价带和导带。

价带是最高占据能级以下的能带,电子在这个能带内可以与原子核形成化学键。

导带是在价带之上的能带,当电子被外界激发时可以跃迁到导带中,产生导电。

2. 能带结构能带结构是指材料中所有电子的能量分布情况。

在能带结构图中,纵坐标是电子的能量,横坐标是它们的动量(即波矢),每一个能带对应一段能量范围内的波矢。

对于一些半导体材料,还会有禁带存在,禁带是电子不能跃迁的一段能量范围。

禁带越宽,材料的导电性能就越差。

3. 能带计算方法能带计算方法主要有密度泛函理论(DFT)、紧束缚(TB)方法和自洽劳森-库伦(Kohn-Sham)方法等。

其中DFT方法是最常用的一种,它基于电子密度函数的变分原理,可以精确计算固体材料的结构和电子特性。

二、能带结构的实验研究1. 光电子能谱光电子能谱技术是探测材料中电子能量分布的有效方法之一。

它通过照射单色光子或白光等光源,使光学激发材料表面的电子,从而得到电子的能量分布情况。

这种技术可以用于研究半导体材料、金属表面等材料的能带结构。

2. X射线衍射X射线衍射技术可以测量固体材料中晶格的结构和位置。

将不同波长的X射线照射在固体材料上,其中一部分X射线会被材料原子散射,形成衍射图案。

通过分析衍射图案可以得到晶格常数、晶格形态以及材料中原子的分布情况等,进而对其能带结构进行研究。

三、能带结构在材料领域的应用1. 半导体器件能带结构在半导体器件的设计和制造中起着重要作用。

半导体器件的性能取决于其能带结构,如能带宽度、费米能级位置等。

通过研究能带结构和调控能带结构可以使半导体器件具备特定的电学、光学、磁学等性能。

孙会元固体物理基础第三章能带论课件3.4能带结构的其它计算方法

孙会元固体物理基础第三章能带论课件3.4能带结构的其它计算方法

( ) r) ,相互作用势依赖于 i ( r ) ,同时 i ( r ) 由于nr i( i i ( r ) 既出现 又要由薛定谔方程来决定,也就是说, 在系数中,同时又是方程的解.所以,必须用自洽的 计算方法—迭代法来处理.这种求解工作量很大, 需借助计算机进行. 求解思路: 1).首先确定所研究晶体的结构和组成(确知价 电子并计算出电荷密度); 2). 确定初始的单电子势 V ( r ) ;
3.密度泛函理论(density functional theory) 该理论是对哈特利—福克(Hartree—Fock)近 似,亦即将多电子问题化为单电子问题的更严格、 更精确的描述. (具体内容可参考谢希德、陆栋主 编的《固体能带理论》17). 在密度泛函理论基础之上的局域密度近似 (local density approximation,简称为LDFT)框架 下的计算 ,在大多数情况下能得到较好的结果。 密度泛函理论的基础是非均匀相互作用电子 系统的基态能量由基态电荷密度唯一确定,是基态 电子密度n ( r ) 的泛函.阎守胜书P287(12.1.3)给出了 证明;同时给出了当电子密度的空间变化缓慢时,由 局域密度近似得到的单电子薛定谔方程.
内层电子的能带---窄带;外层电子的能带---宽带 通常把被电子填满的最高能带称为价带,而把 最低空带或半满带称为导带(后面我们还要讨论). 固体的物性主要取决于价带和导带中的电子.而对 于这些外层电子而言,离子实区内和离子实区外是 两种性质不同的区域. 离子实区外,电子感受到的是弱的势场的作用, 波函数很平滑,类似于平面波;离子实区内由于强 烈的局域势作用,波函数急剧振荡,可由紧束缚波 函数来描述。 外层电子(价带和导带中的电子)的波函数可由 两者的线性组合来描述。
(2)

能带结构分析、态密度和电荷密度的分析

能带结构分析、态密度和电荷密度的分析

电荷密度图、能带结构、态密度的分析能带图的横坐标是在模型对称性基础上取的K点。

为什么要取K点呢?因为晶体的周期性使得薛定谔方程的解也具有了周期性。

按照对称性取K点,可以保证以最小的计算量获得最全的能量特征解。

能带图横坐标是K点,其实就是倒格空间中的几何点。

纵坐标是能量。

那么能带图应该就是表示了研究体系中,各个具有对称性位置的点的能量。

我们所得到的体系总能量,应该就是整个体系各个点能量的加和。

主要是从以下三个方面进行定性/定量的讨论:1、电荷密度图(charge density);2、能带结构(Energy Band Structure);3、态密度(Density of States,简称DOS)。

电荷密度图是以图的形式出现在文章中,非常直观,因此对于一般的入门级研究人员来讲不会有任何的疑问。

唯一需要注意的就是这种分析的种种衍生形式,比如差分电荷密图(def-ormation charge density)和二次差分图(difference charge density)等等,加自旋极化的工作还可能有自旋极化电荷密度图(spin-polarized charge density)。

所谓“差分”是指原子组成体系(团簇)之后电荷的重新分布,“二次”是指同一个体系化学成分或者几何构型改变之后电荷的重新分布,因此通过这种差分图可以很直观地看出体系中个原子的成键情况。

通过电荷聚集(accumulation)/损失(depletion)的具体空间分布,看成键的极性强弱;通过某格点附近的电荷分布形状判断成键的轨道(这个主要是对d轨道的分析,对于s或者p轨道的形状分析我还没有见过)。

分析总电荷密度图的方法类似,不过相对而言,这种图所携带的信息量较小。

成键前后电荷转移的电荷密度差。

此时电荷密度差定义为:delta_RHO = RHO_sc - RHO_atom其中RHO_sc 为自洽的面电荷密度,而RHO_atom 为相应的非自洽的面电荷密度,是由理想的原子周围电荷分布堆彻得到的,即为原子电荷密度的叠加(a superposition of atomic charge densities)。

能带结构的计算资料

能带结构的计算资料
§ 3.4 能带结构的计算
求解晶体中单电子的薛定谔方程
2 [ V (r )] k (r ) (k ) k (r ) 2m
2
其中V (r ) V (r R n ),具 有晶格的平移对称性
须知道势场V ( r )
离子实产生的势场 所有其他电子产生的平均库仑势场
1 k Rn k Rn
ik Rn n,k (r Rn ) e n,k (r )
缀加平面波方法 正交化平面波方法
(1)缀加平面波和糕模势
1933年Winger和Seitz将晶体原胞近似为等体积的球,假定势场
具有球对称性,即 V (r ) V (r ) ,
波函数为中心力场薛定谔方程标准解的线性组合,边条件为
成功:在碱金属能带计算上取得了很大的成功。 不足:将原胞简化成球,结果仅依赖于每个原子平均占据的体 积,忽略了实际晶体结构的影响。 但是,如采用真实的多面体WS原胞,为在表面上满足边界条件, 计算会十分困难。同时,也会导致中
n (k ) n (k )
表明:如果晶体的Bravais格子的全部点对称操作的集合G中有f个 元素,则可将FBZ分成f个体积相等的等价小区域,那么在计算能 带时只须在其中一个小区域中进行即可。
证明如下:
由Bloch定理
i 1k Rn n (r +Rn ) e n (r ) 1 (αr )得 φn(r)用α k标记,可写成ψnα1k(r), 由φn(r)ψnk
所以方程的求解只能用自洽的计算方法处理
近代能量计算的基础:密度泛函理论
其依据是:非均匀相互作用电子系统的基态能量仅由基态电子密
度确定,是基态电子密度的泛函 在局域密度近似下得到的单电子薛定谔方程如下: 2 1 e2 1 e2 2 n( r ' ) dr ' 40 Rn | r Rn | 40 | r r ' | 2m vex (n(r )) vcorr (n(r )) i (r ) i i (r )

计算物理 知识点总结

计算物理 知识点总结

计算物理知识点总结一、计算方法1.1 数值积分数值积分是计算物理中常用的一种方法,它用于求解复杂的积分运算。

数值积分的基本原理是将积分区间分割成若干小区间,然后对每个小区间进行近似计算,最后将这些结果累加起来,得到整个积分的近似值。

1.2 微分方程数值解微分方程在物理学中广泛应用,而一般情况下微分方程是无法直接求解的,因此需要利用数值方法来求解。

微分方程数值解的基本原理是将微分方程离散化,然后用数值方法求解离散化后的方程,从而得到微分方程的近似解。

1.3 存储器和算法计算物理中使用的数学模型往往需要大量的内存和计算时间,因此如何有效地利用存储器和设计算法变得尤为重要。

在实际应用中,通常需要根据具体问题的特点来选择合适的存储器和算法,以提高计算效率和准确性。

1.4 随机数生成在模拟技术中,常常需要使用随机数来模拟物理过程中的随机性。

因此如何生成高质量的随机数成为一个重要的问题。

现代的计算机通常能够生成高质量的随机数序列,但需要注意的是,随机数的生成方法和质量直接影响了模拟结果的准确性。

二、模拟技术2.1 蒙特卡洛方法蒙特卡洛方法是一种常用的模拟技术,它通过使用随机数来模拟物理系统的行为。

蒙特卡洛方法广泛应用于统计物理、量子力学等领域,具有很高的准确性和灵活性。

2.2 分子动力学模拟分子动力学模拟是一种用于研究原子和分子在时间和空间上的运动规律的方法。

通过对分子之间的相互作用力进行近似计算,然后用数值积分方法求解微分方程,得到了分子的运动轨迹和能量变化。

2.3 能带结构计算能带结构是固体物理和半导体物理中的一个重要概念,它描述了材料中电子的能量分布情况。

计算物理可以通过模拟方法来计算材料的能带结构,从而帮助研究者理解材料的电子性质和相应的物理特性。

2.4 流体动力学模拟流体动力学模拟是一种用于研究流体运动规律的方法,它广泛应用于气体、液体和等离子体等领域。

通过对流体的运动和相互作用进行模拟,可以帮助研究者理解流体的物理特性,并且为相关工程应用提供参考。

某种固体材料的能带结构和光电子性质计算

某种固体材料的能带结构和光电子性质计算

某种固体材料的能带结构和光电子性质计算随着计算科学技术的不断发展,计算固体物理学和计算化学学科也越来越受关注。

固态材料的光电子性质是其电子波函数分布和布里渊区之间的关系,因此,为了深入了解材料的性质和性能,我们需要计算其能带结构和光电子性质。

一、什么是能带结构?能带结构是指在固体中能量密度与能量的关系,它体现了电子束缚在离子化合物中的行为。

能带结构决定了固体材料的导电性、热导性、光学性质等重要性质。

对能带的理解是材料研究的基础,同时也是材料设计和制造的基础。

二、如何计算能带结构?在计算能带结构之前,需要进行几何优化和晶格参数的确定。

目前常用的计算方法有密度泛函理论(DFT)、半经验紧束缚(TB)模型和分子动力学模拟(MD)等。

在DFT计算中,能带结构的计算需要使用Kohn-Sham方程,即解决一个自旋-密度函数理论问题。

利用Kohn-Sham方程可以计算出在一个自旋极化势下的电子能量,然后通过Kohn-Sham哈密顿量的本征解来计算能量本征值。

因此,DFT可以给出准确的材料能带结构。

TB模型是计算固体中的定量电子结构和物性的一种方法。

TB模型通过线性组合原子轨道,来构建材料电子结构,可以做到在轨道数少、运算速度快的前提下,准确地表达大多数晶体的电子结构和波函数。

与DFT相比,TB模型在计算速度上更加优越。

MD是通过高性能计算机进行的,它可以在分子层面上理解和预测无机固体材料和生物分子的性质、反应和运动。

MD的主要思想是通过牛顿定律计算每个原子的位置和速度,并根据这些参数计算分子的能量。

三、什么是光电子性质?光电子性质是固体材料的吸收和发射光谱的重要性质,它们包含了许多材料的中心参数,如电子结构、能带结构、光捕获、电荷转移、光敏性等。

光电子性质的计算可以通过交叉分析计算能带结构和电荷密度,分析石墨烯、钙钛矿、量子点、光致发光(PL)等材料的光学和电子性质。

四、如何计算光电子性质?光电子性质的计算可以通过采用DFT、TD-DFT等计算方法,其中TD-DFT方法是一种用于计算对激发态电子聚集的产生的波函数和能量的方法。

能带结构和带隙宽度的计算原理

能带结构和带隙宽度的计算原理

能带结构和带隙宽度的计算原理能带结构和带隙宽度是用来描述材料的电子结构的重要概念。

它们对于理解材料的导电和光电性质具有重要意义。

下面将介绍一些计算能带结构和带隙宽度的基本原理。

计算能带结构和带隙宽度的方法主要基于密度泛函理论(Density Functional Theory, DFT)。

首先,我们需要计算材料的晶体结构,这可以通过X射线衍射或者密度波方法来获得。

接下来,我们使用基于DFT的计算代码,如VASP或Quantum ESPRESSO,来计算材料的电子结构。

在DFT计算中,我们假设材料中的电子服从Schrodinger方程,但是电子间的相互作用被近似为平均场相互作用。

这个近似可以通过一个名为交换-相关泛函的势能来描述。

我们可以选择不同的泛函来计算材料的能带结构和带隙宽度,如局域密度近似(Local Density Approximation, LDA)或广义梯度近似(Generalized Gradient Approximation, GGA)。

通过求解Schrodinger方程,我们可以得到材料的能带结构,即电子在能量-动量空间中的分布情况。

能带结构通常由离散的能带和能带间的能隙组成。

能带分为导带和价带,导带是指材料中电子能量较高,可以自由移动的能级,而价带是指能量较低,被电子占据的能级。

带隙宽度定义为导带和价带之间的能量差。

带隙宽度决定了材料的导电性和光电性。

对于半导体材料来说,带隙宽度较大,电子很难跃迁到导带,因此它们通常是电绝缘体或者半导体。

而对于导体材料来说,带隙宽度较小,电子容易跃迁到导带,因此它们能够导电。

计算能带结构和带隙宽度需要基于密度泛函理论,通过求解Schrodinger方程和选择合适的交换-相关泛函来得到材料的能带结构和带隙宽度。

这些计算有助于我们深入理解材料的电子结构和性质,为材料科学和器件设计提供重要依据。

能带结构分析

能带结构分析

能带结构分析能带结构分析现在在各个领域的第一原理计算工作中用得非常普遍了。

但是因为能带这个概念本身的抽象性,对于能带的分析是让初学者最感头痛的地方。

关于能带理论本身,我在这篇文章中不想涉及,这里只考虑已得到的能带,如何能从里面看出有用的信息。

首先当然可以看出这个体系是金属、半导体还是绝缘体。

判断的标准是看费米能级和导带(也即在高对称点附近近似成开口向上的抛物线形状的能带)是否相交,若相交,则为金属,否则为半导体或者绝缘体。

对于本征半导体,还可以看出是直接能隙还是间接能隙:如果导带的最低点和价带的最高点在同一个k点处,则为直接能隙,否则为间接能隙。

在具体工作中,情况要复杂得多,而且各种领域中感兴趣的方面彼此相差很大,分析不可能像上述分析一样直观和普适。

不过仍然可以总结出一些经验性的规律来。

主要有以下几点:1)因为目前的计算大多采用超单胞(supercell)的形式,在一个单胞里有几十个原子以及上百个电子,所以得到的能带图往往在远低于费米能级处非常平坦,也非常密集。

原则上讲,这个区域的能带并不具备多大的解说/阅读价值。

因此,不要被这种现象吓住,一般的工作中,我们主要关心的还是费米能级附近的能带形状。

2)能带的宽窄在能带的分析中占据很重要的位置。

能带越宽,也即在能带图中的起伏越大,说明处于这个带中的电子有效质量越小、非局域(non-local)的程度越大、组成这条能带的原子轨道扩展性越强。

如果形状近似于抛物线形状,一般而言会被冠以类sp带(sp-like band)之名。

反之,一条比较窄的能带表明对应于这条能带的本征态主要是由局域于某个格点的原子轨道组成,这条带上的电子局域性非常强,有效质量相对较大。

3)如果体系为掺杂的非本征半导体,注意与本征半导体的能带结构图进行对比,一般而言在能隙处会出现一条新的、比较窄的能带。

这就是通常所谓的杂质态(doping state),或者按照掺杂半导体的类型称为受主态或者施主态。

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设 nk (r )为满足单电子薛定谔方程的本征函数,其本征值 为 n (k )。由于 为点群中的对称操作,所以 nk ( r ) 应 为具有同样本征值 (k ) 的另一本征函数,记为:n ( r ) n n (r ) nk ( r ) ik Rn 由布洛赫定理: ( r Rn ) e nk ( r ) nk
KKR方法又称为格林函数方法,KKR法与APW法求解的都
是超越方程(矩阵元都是能量的函数),所以要用自洽法计算,计 算量很大,因而人们做了改进—LMTO法和LAPW法。
2).LMTO方法(线性化糕模式轨道法) (详见谢希德、陆栋主编的《固体能带理论》P133) 线性化糕模式轨道法是在KKR法基础上,由O.K.Andersen 提出的一个线性化方法,又称为Muffin-tin 轨道线性组合法。 3).LAPW方法(线性化缀加平面波法) (详见谢希德、陆栋主编的《固体能带理论》P119) LAPW方法(线性化缀加平面波法)是在APW方法上作的改进。
2004年2月,PRL 92,037204,(2004)上发表了一篇研究Fe反
常霍尔效应的起因方面的文章,是由中科院物理所王鼎盛、 王恩格等完成的,采用的就是基于第一性原理的LAPW方法。
二、 n (k ) 的对称性
1. n (k ) n (k Gh ) 第一节(P57)已给出过证明。 该特点表明: n (k ) 在 k 空间中平移一个倒格矢 Gh后保
离子实带正电,本来对价电子有强的吸引势,而波函数的
正交性使得价电子又受到一强的排斥势的影响。这种吸引势和 排斥势总的作用效果,使价电子受到的势场等价于一弱的平滑
势—赝势(pseudopotential,简称PP)
赝势的存在正是弱周期势近似(近自由电子模型)成立的
物理基础 赝势方法的基本精神是适当选取一个平滑势,波函数用 少数平面波展开,使算出的能带结构与真实接近。 3.其他方法 1).KKR(Korringa-Kohn-Rostoker)方法 (详见谢希德、陆栋主编的《固体能带理论》P103)
借助平均库仑势将多电子问题转化为单电子问题的方
法称为哈特利 (Hartree)近似。
电子系统的基态波函数是归一化的单电子波函数的乘积,
H (q1, q2 , q3 ,, qN ) 1 (q1 ) 2 (q2 ) 3 (q3 ) N (qN ) 哈特利近似中,q 只包含位置坐标 r ,没有包含自旋变量。
持不变。所以我们可以使 能带结构的计算限制在一个原胞内
的WS原胞,即第一布里渊区内。 (平移对称性) 2. 下面讨论能带的一些特点:
进行。原胞的取法有多种,标准的做法是取以 k 0 为中心
为晶体所属点群中的任一操作。
n (k ) n ( k )
(点群对称性)
证明:
书P287(12.1.3)给出了证明;同时给出了当电子密度的空间变化
局域密度近似得到的单电子薛定谔方程:
2 2 1 e2 1 e2 [ r R 4 r r n(r )dr 2m 4 0 Rn 0 n ex (n(r )) corr (n(r ))] i ( r ) i i ( r )
nk (r )
1 ik r e cnk N k
归一化因子, 为原胞体积。
早期的波函数的改进,都是围绕平面波来展开的。
平面波的特点: 1).较好的解析形式:正交归一化,无需考虑交叠积分。因而 多数情况下哈密顿量矩阵元在平面波基下可用解析式表达; 2). 为了改善基函数集的性质,可以加上更多的平面波; 3). 基是非定域的,即不依赖于原子的位置。 晶体的波函数占有很宽的动量范围:在紧靠原子核附近,原 子核势具有很强的定域性,电子具有很大的动量,波函数很快
因而: (k ) ( 1k ) n n
G G n (k ) n ( k )
1
对称元素(点群对称操作)的数目分成若干等价的小区域,若有 f个点群对称操作(三维立方晶体f=48),则只需讨论f个小区中
n (k ) 的点群对称性使得在能带计算中可将第一布里渊区按
球谐函数

径向波函数
球外区域II,取 V (r ) 0 ,波函数为平面波。
APW方法用于金属的能带计算相当成功。 2.正交化平面波方法(Orthogonalized plane-wave method;OPW) (详见谢希德、陆栋主编的《固体能带理论》P52-73)
由于单纯的平面波展开中,对晶体波函数来说既要考虑 k 很 大的—原子核附近,又要考虑 k 小的—远离原子核处。所以
(参见P66图3.5)
显然,通过求解思路我们看到方程的求解是相当复杂的,
为此,常要做一些近似。当然,这些近似基本上还是离不开我 们前面所提到的:不是改变单电子的有效势,就是波函数的形
式。下面简单介绍一些常用的近似方法。
一、 近似方法
1.缀加平面波方法(Augmented plane-wave method;APW) (详见谢希德、陆栋主编的《固体能带理论》P87) 最简单的正交、完备的函数集是平面波,原则上,晶体的单电 子波函数总可以用平面波来展开:
17)。 在密度泛函理论基础之上的局域密度近似(local density approximation,简称为LDFT)框架下的计算 ,在大多数情况下 能得到较好的结果。
量由基态电荷密度唯一确定,是基态电子密度n(r ) 的泛函 。本
缓慢时,由局域密度近似得到的单电子薛定谔方程。
密度泛函理论的基础是非均匀相互作用电子系统的基态能
2). 确定初始的单电子势 V (r ) ;
3).
求解单电子薛定谔方程(3.4.1),得到相应的 nk
进而得到 n(r )
4). 将得到的 n(r ) 代入单电子势中的有关项,得到改进的单电
子势;
占据态

2 nk (r ) ;
和 (r )
nk
5). 重复3)—4)的过程,直到n+1次计算得到的 nn1 (r )和 Vn1 (r ) 与第n次的 nn (r ) 和 Vn (r ) 在误差范围内相等为止。
n (r Rn ) nk ( r Rn ) e 1 i k Rn e n (r ) n 1k ( r )
1 k Rn k Rn ( see P 44) 1 i k Rn
处理;(典型代表:赝势方法—PP法)
不同能带计算方法的出发点就是晶体中单电子的薛定谔方程:
2 2 (r ) [ V (r )] k (r ) (k) k 2m 具有晶格的平移对称性。 势场 V (r )=V (r Rn )
V (r ) 包括离子实产生的势场以及所有其它电子产生的平均库
换项以外,未能包括的相互作用能的其余部分,形式较多。
2 2 1 e2 1 e2 [ r R 4 r r n(r )dr 2m 4 0 Rn 0 n ex (n(r )) corr (n(r ))] i ( r ) i i ( r )
nk 展开中,导致平面波展开收敛很慢,计算量很大。
k
考虑到晶体波函数的特点,OPW 方法将波函数取为平面 波和紧束缚波函数的线性组合,并要求与离子实不同壳层紧束 缚波函数正交。实际应用中,往往只要取几个正交化平面波,
就能得到很好的结果。
价电子波函数在离子实附近的激烈振荡,等价于价电子受 到一排斥势的影响。 按OPW 方法,这种振荡来源于波函数必 须与离子实的芯态波函数正交(不能发生交叠),因而使电子远 离离子实。
交换势(exchange potential) 关联势(correlation potential)
2 其中电子密度 n(r ) i (r ) ,求和对所有占据态进行。
i
交换能一般可取为:
3e2 13 2 ex (n(r )) [3 n(r )] 8 0
关联能corr 是在库仑相互作用电子系统中,除直接库仑项和交
的一个。所占体积为第一布里渊去的1/f.因而工作量变小。
3. n (k ) n (k )
反演对称
中心反演对称 属于点群对称操作的一个基本元素,所以当 然成立。但是对于不包含反演对称的晶体来说,该结论仍然 成立。
证明: 由于晶体中单电子薛定谔方程中的哈密顿量是实数,则:
仑势场。 1.其它电子产生的平均库仑势场:
2 e k (r ) 1 e r r dr 4 0 k k
2
2 处电子数密度的贡献。 ( r ) k 是处于 k 态的电子对 r
2.哈特利—福克(Hartree—Fock)近似
即对于满足薛定谔方程:
i i
即没有考虑全同费米子波函数应满足的粒子交换应满足的
反对称性。 如果考虑自旋变量 ,就要使单电子波函数的乘积满足交
换反对称性—福克(Fock)近似,或称为哈特利—福克
(Hartree—Fock)近似,此时,单电子势 V (r ) 陆栋主编的《固体能带理论》P4-8);

中除库仑项外,还
要增加一个交换项。(具体内容可参考P281(12.1.1),或谢希德、
3.密度泛函理论(density functional theory) 该理论是对哈特利—福克(Hartree—Fock)近似,亦即将多 电子问题化为单电子问题的更严格、更精确的描述。 (具体内
容可参考P287(12.1.3),或谢希德、陆栋主编的《固体能带理论》
第四节
能带结构的计算
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