教案.第六讲常用cmos逻辑门电路及74ls系列ttl逻辑门电路
电子课件电子技术基础第六版第六章门电路及组合逻辑电路可编辑全文

逻辑函数除可以用逻辑函数表达式(逻辑表达式)表示以 外,还可以用相应的真值表以及逻辑电路图来表示。真值表 与前述基本逻辑关系的真值表类似,就是将各个变量取真值 (0 和 1)的各种可能组合列写出来,得到对应逻辑函数的真 值(0 或 1)。逻辑电路图(逻辑图)是指由基本逻辑门或复 合逻辑门等逻辑符号及它们之间的连线构成的图形。
TTL 集成“与非”门的外形和引脚排列 a)外形 bOS 集成门电路以绝缘栅场效应管为基本元件组成, MOS 场效应管有 PMOS 和NMOS 两类。CMOS 集成门电路 是由 PMOS 和 NMOS 组 成的互补对称型逻辑门电路。它具 有集成度更高、功耗更低、抗干扰能力更强、扇出系数更大 等优点。
三、其他类型集成门电路
1. 集电极开路与非门(OC 门) 在这种类型的电路内部,输出三极管的集电极是开路的, 故称集电极开路与非门,也称集电极开路门,简称 OC 门。
OC 门 a)逻辑符号 b)外接上拉电阻
74LS01 是一种常用的 OC 门,其外形和引脚排列如图所 示。
74LS01 的外形和引脚排列 a)外形 b)引脚排列
2. 主要参数 TTL 集成“与非”门的主要参数反映了电路的工作速度、抗 干扰能力和驱动能力等。
TTL 集成“与非”门的主要参数
TTL 集成“与非”门具有广泛的用途,利用它可以组成很多 不同逻辑功能的电路,其外形和引脚排列如图所示。如 TTL“ 异或”门就是在 TTL“与非”门的基础上适当地改动和组合而成 的;此外,后面讨论的编码器、译码器、触发器、计数器等 逻辑电路也都可以由它来组成。
电气自动化技术《教案-TTL逻辑门电路》

TTL 逻辑门电路一、 学习目标1.了解TTL 与非门的工作原理2.理解门电路的相关参数;3.掌握TTL 集成门电路使用考前须知;4.掌握OC 门、三态门的特征,了解其应用;二、问题导入1〕TTL 门电路有什么功能?2〕TTL 门电路常用芯片有哪些、怎么使用?3〕使用TTL 电路芯片时应注意哪些方面?三、知识点1.TTL 与非门1)电路组成电路组成:多发射极晶体管V 1和电阻1R 组成输入级;V 2和32R R 、组成中间级;V 3、V 4、VD 3和4R 组成输出级。
图1 TTL与非门2)工作原理:输入级通过V1的各个发射极实现与的功能。
图2多发射极电路中间级从V2的集电极和发射极输出两个相位相反的信号,驱动V3、V4。
输出级输出信号驱动负载。
当输入信号A、B、C中任何一个为低电平时,都将使V1饱和,V2、V4截止,V3导通,输出级工作在射极输出状态,u为o高电平;当输入信号A、B/、C均为高电平时,那么会使V1倒置,V2、V4饱和,V3、截止,u为低电平。
显然输入与输出之间是与o非关系。
ABY1常用的集成TTL与非门7400是一种四2输入的与非门器件,内部含有4个2输入端与非门,共有14个引脚。
引脚排列图如图3所示。
图3 74LS00引脚排列图2.其他常用的TTL门电路1〕OC门在工程实践中,有时需要将几个门的输出端并联使用,以实现与逻辑,称为线与。
普通的TTL门电路不能进行线与。
为此,专门生产了一种可以进行线与的门电路——集电极开路门。
OC 门电路与符号如图4所示。
图4 OC门电路与符号OC门主要有以下几方面的应用:(1〕实现线与图5线与电路电路如图5所示,逻辑关系为OC门进行线与时,外接上拉电阻RP的选择:所以:R P〔min〕<R P<R P〔max〕〔2〕实现电平转换。
如图6所示,可使输出高电平变为10V。
图6实现电平转换2).三态门〔1〕三态输出门的结构及工作原理如图7〔a〕所示,当EN=0时,G输出为1,D1截止,相当于一个正常的二输入端与非门,称为正常工作状态。
数字逻辑电路实验教案

绪论数字逻辑电路是高等学校计算机科学技术专业中的一门主要的技术基础课程,它是为培养计算机科学技术专业人才的需要而设置的,它为计算机组成原理、微型机与其应用等后续课程打下牢固的硬件基础。
数字逻辑电路是一门理论性和实践性均较强的专业基础课,实验是数字逻辑电路课程中极其重要的实践环节。
通过数字逻辑电路实验可以使学生真正掌握本课程的基本知识和基本理论,加强对课本知识的理解,有利于培养各方面的能力;有利于实践技能的提高;有利于严谨的科学作风的形成。
一、常用电子仪器的使用1、示波器2、THD—4型数字电路实验箱3、万用表二、实验课的程序1.实验预习由于实验课的时间有限,因此,每次实验前要作好预习,写好预习报告。
预习的要求:a.理解实验原理,包括所用元器件的功能。
b.粗略了解实验具体过程。
c.根据实验要求,画好实验线路与数据表格。
2.实验操作每次测量后,应立即将数据记录下来,并由实验老师签字。
实验操作一般步骤:(1)在连接实验线路之前,必须保证“数字电路实验箱”所有电源关闭;(2)按所画的实验线路图连接实验线路,所用短路线必须事先用万用表检查,以减少故障点;(3)实验线路连接完成后,必须仔细检查实验线路,以保证实验线路连接无误;(4)实验线路连接正确后,接通电源,进行具体实验。
(5)如变动实验线路,必须从(1)重新进行。
故障检查方法与处理:(1)检查元器件的接入电源是否正确;(2)使实验线路处于静态,用万用表“直流电压挡”,从输入级向输出级逐级检查逻辑电平,确定故障点;(3)关闭“数字电路实验箱”电源,用万用表“欧姆挡”,检查实验线路连接是否正确,确定故障点;(4)关闭“数字电路实验箱”电源,按实验操作一般步骤(2)(3)(4)将故障排除。
3.实验报告写实验报告应有如下项目:(1)实验目的(2)实验内容(3)实验设备与元器件(4)实验元器件引脚图(5)实验步骤、实验线路与实验记录等(6)实验结果与故障处理分析、讨论和体会等(7)“思考题”要求同学在完成基本实验内容的前提下去做,并将实验内容、实验所用器件、线路、结果与分析等做副页附在实验报告最后,其副页由实验老师签字确认。
第六讲 真值表与基本逻辑运算

1 10
11
灌电流
IOL
IIL …
1
低电平扇出数:
N OL
I OL ( 驱 动 门) I IL (负 载 门)
IIL n个 IOL(max) ≥ IIL(total)
0 拉电流
11
IOH
10
IIH
…
1
IIH n个 IOH(max) ≥IIH(total)
高电平扇出数:
N OH
IOH ( 驱 动 门) IIH (负 载 门)
3 基本逻辑门电路
1 逻辑门:实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路。
2 逻辑门电路的分类 分立门电路
逻辑门电路 集成门电路
二极管门电路
三极管门电路 MOS门电路
TTL门电路
NMOS门 PMOS门 CMOS门
1.CMOS门电路和TTL门电路
(1)CMOS集成电路:
广泛应用于超大规模、甚大规模集成电路
00000011 数字输出
保持、量化、 编码
(4)数字信号的描述方法
二值数字逻辑 0、1数码 ---表示数量时称二进制数
表示方式
---表示事物状态时称二值逻辑
逻辑电平与电压值的关系(正逻辑)
电压(V) 二值逻辑 +5(3.3~5) 1 0(0~1.5) 0
电平 H(高电平) L(低电平)
2 二值逻辑变量与基本逻辑运算
最大数目。驱动器件必须对负载器件提供足够大的拉电流和灌 电流。
负载器件所要求的输入电压
1 vO
驱动门
vI 1
负载门
vO
VOH (min)
vI
VIH (min)
VOH(min)
≥ VIH(min)
74LS系列集成电路分类及常用芯片功能

10
(3)CMOS电路在特定条件下可以并联使用。当同一芯片上2个 以上同样器件并联使用(例如各种门电路)时,可增大输出灌电 流和拉电流负载能力,同样也提高了电路的速度。但器件的输出 端并联,输入端也必须并联。 (4)从CMOS器件的输出驱动电流大小来看,CMOS电路的驱动 能力比TTL电路要差很多,一般CMOS器件的输出只能驱动一个 LS-TTL负载。但从驱动和它本身相同的负载来看,CMOS的扇出 系数比TTL电路大的多(CMOS的扇出系数≥500)。CMOS电路 驱动其他负载,一般要外加一级驱动器接口电路。
VCC_CIRCLE
+5V
4N25
1
1
R3 51
2
T1 1 5 VCC_CIRCLE
2
4 +
¡ 18V - 2«
4 8
C1Βιβλιοθήκη R1 150 74LS07
1
1 1
+
¡ 220V «
VCC_CIRCLE VCC_CIRCLE
9013 220uF
2
R2 3K
3
R4 330
2
2
VCC_CIRCLE
B ¤ ¢ ö å ´ ²Â ³ A
R=(Ec-Vcc)/30mA R
1 2
Ec
Vcc CMOSµ Â ç ² DW C Vss
9
VCC_CIRCLE
3.对输入端的处理 在使用CMOS电路器件时,对输入端一般要求如下: (1)应保证输入信号幅值不超过CMOS电路的电源电压。即 满足VSS≤VI≤Vcc,一般VSS=0V。 (2)输入脉冲信号的上升和下降时间一般应小于数ms,否则 电路工作不稳定或损坏器件。 (3)所有不用的输入端不能悬空,应根据实际要求接入适当 的电压(Vcc或0V)。由于CMOS集成电路输入阻抗极高,一 旦输入端悬空,极易受外界噪声影响,从而破坏了电路的正常 逻辑关系,也可能感应静电,造成栅极被击穿。 4.对输出端的处理 (1)CMOS电路的输出端不能直接连到一起。否则导通的P沟道 MOS场效应管和导通的N沟道MOS场效应管形成低阻通路,造成电 源短路。 (2)在CMOS逻辑系统设计中,应尽量减少电容负载。电容负载 会降低CMOS集成电路的工作速度和增加功耗。
数电CMOS逻辑门

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稳定性好
CMOS逻辑门的输出电压范围较小,不易受到温度和工艺变化的影响。
CMOS逻辑门的阈值电压也相对稳定,有利于提高数字电路的稳定性。
输入阻抗高
CMOS逻辑门的输入电路采用反相器结构,具有较高的输入阻抗。
高输入阻抗能够减小信号传输过程中的损耗,提高信号的保真度。
03
CMOS逻辑门的应用
在数字电路中的应用
新型CMOS逻辑门的研究
总结词
随着集成电路技术的发展,新 型CMOS逻辑门不断涌现,以
满足新的应用需求。
详细描述
新型CMOS逻辑门通过创新设 计理念和结构,提高性能、降 低功耗和减小尺寸。
总结词
新型CMOS逻辑门包括可重构 逻辑门、自适应逻辑门和神经 网络逻辑门等。
详细描述
这些新型逻辑门具有更高的灵 活性、自适应性和智能化水平 ,为未来集成电路的发展提供
输入级通常由一个或两个反 相器构成,用于实现逻辑非 的功能。
输出级由一个反相器和两个 串联的二极管构成,用于实 现逻辑与的功能。
CMOS逻辑门的制作工艺
CMOS逻辑门采用成熟的半导体制作工艺, 包括外延、光刻、腐蚀、扩散和蒸镀等工艺 。
外延工艺用于生长单晶硅层,光刻工艺用于 在硅片上形成电路图形,腐蚀工艺用于去除 不需要的硅层,扩散工艺用于掺杂不同元素 形成导电区域,蒸镀工艺用于形成金属导线
数电CMOS逻辑门
目 录
• CMOS逻辑门简介 • CMOS逻辑门的特点 • CMOS逻辑门的应用 • CMOS逻辑门的实现 • CMOS逻辑门的发展趋势
01
CMOS逻辑门简介
什么是CMOS逻辑门
逻辑门电路授课课件

3.1.4 CMOS反相器
1.电路结构
CMOS逻辑门电路是由N沟道MOSFET和P沟
υI
道MOSFET互补而成。
2.工作原理
(设VDD>(VTN + |VTP|),且VTN = |VTP|) (1)当υi=0V时,TN截止,TP导通。输出υO≈VDD。 (2)当υi=VDD时,TN导通,TP截止,输出υO≈0V。
传输延迟时间 tpd/ns(CL=15pF)
75 10 13 2.9
功耗 (mW) 1(1MHz) 1.5 (1MHz) 1 (1MHz) 0.0003~7.5
延时功耗积 (pJ) 75 15 13
0.00087~22
3.1.9 NMOS门电路(略)
3.2 TTL逻辑门
3.2.1 BJT的开关特性
⑴ 扇入数:一个门电路输入端接入同类门电路的最大数目,取决于门电 路的输入端的个数。
⑵ 扇出数:一个门电路输出端能带同类门电路的最大数目,它表示带负 载的能力。
驱动门的所带负载分为灌电流负载和拉电流负载两种情况:
① 带灌电流负载
② 带拉电流负载
如NOH= NOL则取两者的最小值为门的扇出系数。
各类数字集成电路主要性能参数的比较
3.1.5 CMOS逻辑门电路
1.CMOS与非门
两个并联的P沟道和两个串联的N沟道增强型MOS管组成。
VDD
TP1
TP2
(1)当A、B中只要一个为低时,就会使与 之相连的NMOS管截止,PMOS管导
通,输出为高;
L
(2)当A、B全为高时,两串联的NMOS
B TN2
管导通,两并联的PMOS管截止,输 出为低。
VDD
TTL和CMOS门电路

TTL和CMOS门电路摘要:门电路是构成各种复杂数字电路的基本逻辑单元,TTL和CMOS门电路作为目前应用最广的两种门电路,掌握TTL和CMOS 门电路的逻辑功能和电气特性,对于正确使用数字集成电路是十分必要的。
本文对于TTL和CMOS门电路的初学者有一定的参考作用。
关键词:TTL门电路;CMOS门电路1.引言随着数字集成电路的问世和大规模集成电路工艺水平的不断提高,为数字电路的应用开拓了无限广阔的天地。
从制造工艺上可以将目前使用的数字集成电路分为双极型、单极型和混合型三种。
在数字集成电路发展的历史过程中,首先得到推广应用的是双极型的TTL 电路。
由于其体积小、重量轻、可靠性好,至今仍是最流行的集成电路系列之一。
CMOS集成电路出现于20世纪60年代后期,随着其制造工艺的不断进步,CMOS电路逐渐成为当前集成电路的主流产品。
本文将简要总结TTL和CMOS这两种目前使用最多的数字集成电路。
2.TTL门电路TTL门电路是以双极型三极管作为开关器件的集成电路。
在TTL 门电路的定型产品中有反相器(非门)、与门、或门、与非门、或非门、与或非门和异或门几种常见的类型。
尽管它们逻辑功能各异,但输入端、输出端的电路结构形式基本相同。
2.1 反相器2.1.1 反相器的电路结构与逻辑关系反相器是TTL集成门电路中电路结构最简单的一种。
图1给出了74系列TTL反相器的典型电路。
图1 TTL反相器典型电路图1所示电路由三部分组成:T1、R1和D1组成的输入级,T2、R2和R3组成的倒向级,T4、T5和R4组成的输出级。
反向器输入和输出之间是反向关系,即Y=A'。
2.1.2 反相器的外部特性及参数为了正确地解决门电路与门电路、门电路与其他电路的连接问题,必须了解门电路的输入特性、输出特性、负载特性、传输特性和噪声容限等问题。
2.1.2.1 电压传输特性如果把图1所示反相器电路输出电压随输入电压的变化用曲线描绘出来,就得到了图2所示的电压传输特性。
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上一讲内容回顾:CMOS 反相器结构和工作原理+V DDB 1G 1D 1S 1u Au YT NT PB 2D 2S 2G 2VSS+-uGSNu +-GSPAY 0V+V DD u Au GSN|u GSP |T NT Pu Y 0V<U th(N)>|U th(P)|截止导通V DD V DD >U th(N)<|U th(P)|导通截止0V设U th(N)=2V ,U th(P)=-2V ,V DD =5V 。
T R ONPu Y +V DD V DD SN T P T R ONNu Y +V DD 0V SN T PAY导通导通截止截止u A =0V 时u A =V DD 时电压传输特性和电流传输特性i D ++V DDB 1G 1D 1S 1u I-u OT NT PB 2D 2S 2G 2V SSA BCDE FU th(N)V DDU THU th(P)U NLU NHu O / Vu I / VD A BC E Fi D /mAu I / VU TH电压传输特性电流传输特性1. 常用逻辑功能的CMOS 门电路 (一)CMOS 逻辑与非和或非门电路 ①与非门A B T N1T P1T N2T P2Y 0 00 11 01 1截通截通通通通截截通截截截截通通1110与非门u A+V DD +10VVSS T P1T N1T P2T N2A B Y u Bu Y0101AB Y =AB Y②或非门或非门B A Y +=u A+V DD +10V V SS T P1T N1T N2T P2ABYu B u YA B T N1T P1T N2T P2Y 0 00 11 01 1截通截通通通通截截通截截截截通通1000ABY (二)CMOS 漏极开路输出门电路(OD 门) 为什么需要OD 门能否将普通2个及以上的CMOS 门电路的输出直接连在一起,进而实现“线与”! 21Y Y Y =A B YC DY 1Y 2是否可以如此连接与应用10产生一个很大的电流 漏极开路输出CMOS 门电路(OD 门)AB Y AB Y =R L V DD2V DD1A BV SS用途:输出缓冲/驱动器;输出电平的变换;满足大功率负载电流的需要;实现线与逻辑。
应用举例“线与”连接方法R LV DD G 1A B Y 2G 2CD Y 1Y A BY C D R L V DD Y 2Y 1G 1G 2“线与”逻辑符号21Y Y Y ⋅=AB Y =1CD Y =2CD AB CD AB Y +=⋅= R L 的选择 m '个V DD V IHV ILV ILR L(max)L IH OH OH DD L R mI nI V V R =+-≤I OHI IHn 个OH L IH OH DD V R mI nI V ≥+-)(V OHV DD V IL V IL V IL R L m 个m 、m'是负载门电路分别为高、低电平时,负载门输入端进或出电流的数目。
负载门为CMOS 门电路情况下,m 和m '相等。
V OLI OL I IL (max)/)(OL IL L OL DD I I m R V V ≤'+-(min)(max)||L IL OL OLDD L R I m I V V R ='--≥ (三)CMOS 传输门和双向模拟开关及CMOS 异或门TG C C u o /u iu i /u oCCu i /u o u o /u iV DD 时,传输门导通。
01==C C ,时,传输门截止。
10==C C ,传输门的一个用途可作模拟开关,用来传输连续变化的模拟电压信号。
TG Cu i /u o u o /u i SW u o /u i u i /u o C SWu o u i C R L C =1时开关接通;C =0时开关截止。
利用CMOS 传输门和CMOS 反相器可以组合成各种复杂的逻辑电路,如:异或门、同或门、触发器等。
用反相器和传输门构成异或门电路TG 1TG 2AB YA B Y B A Y ⊕=A =1、B =0时,TG 1截止,TG 2导通,Y = =1;B A =0、B =1时,TG 2截止,TG 1导通,Y =B =1;A =0、B =0时,TG 2截止,TG 1导通,Y =B =0;A =1、B =1时,TG 1截止,TG 2导通,Y = =0;B 01100 00 11 01 1YA B(四)三态输出CMOS 门电路三态输出的CMOS 反相器控制端低电平有效三态门: YAEN V DDA Y EN=时,反相器正常工作。
0EN 时,输出呈现高阻态。
1=EN 低电平有效⎩⎨⎧===)()(10EN Z EN A Y 控制端高电平有效三态门:A Y EN高电平有效⎩⎨⎧===)()(01EN Z EN A Y 三态门有三种状态:高电平、低电平、高阻态。
注意:高阻状态不是逻辑状态!三态输出反相器应用举例用三态输出反相器接成总线结构…1EN 1A 1G 2EN 2A 2G nEN nA nG ……总线用三态输出反相器实现数据双向传输EN Y O D 1G 2G 总线ID I O D D /(五)CMOS 电路的特点与使用注意问题 ①CMOS 电路的优点• 静态功耗小;允许电源电压范围宽?20V);扇出系数大,噪声容限大。
②CMOS 电路的正确使用 输入电路的静电保护• 所有与CMOS 电路直接接触的工具、仪表等必须可靠接地。
• 存储和运输CMOS 电路,最好采用金属屏蔽层做包装材料。
多余的输入端不能悬空• 可以按功能要求接电源或接地,或与其它输入端并联使用。
输入电路需过流保护• 低内阻信号源时,输入端与信号源之间串进保护电阻; • 输入端接有大电容时,应在输入端和电容之间串联接入保护电阻;• 输入端接长线时,应在门电路的输入端串联接入保护电阻。
2. 74LS 系列TTL 门电路(一)LSTTL 非门结构与工作原理TTL 集成门电路发展主要经历了四个系列,74系列、74H 系列、74S 系列、74LS 系列。
前三个系列已经被淘汰,74LS 系列虽面临淘汰,但是目前仍有使用,故课程仅简单介绍74LS 系列原理。
利用肖特基管的低导通电压~和多数载流子形成电流特性抗深饱和提高速度。
R R RR R R D 3V CCY28K120KAB 1.5KT 2T 3T 45120T 5R 44K C 3K T 6u o u i D 2612K D 1SBDb ee cbc电压关系表u I /V u O /V 0.3 3.4(4.3)3.40.3真值表0110A YD2、D3的作用D2在T5导通的瞬间起作用,可抽取T4的基区电荷,加速其截止过程。
D3在T5导通的过程中起作用,此时T2的集电极电位比T5的集电极电位低,可以通过D3给负载电容放电,而这个放电电流又去驱动T5,减小了电路的导通延迟。
T6电路的作用T2由截止变导通,先驱动T5饱和导通,然后T6才导通,对(四)LSTTL 与非门74LS00逻辑与V CCY R 2R 1BR BT 2T 3T 4R 5T 5R 4R C T 6D 5D 6A R 6D 4D 2D 1D 3V 7CC 1148GNDD 3和D 4为输入保护二极管(五)CMOS 门电路与TTL 门电路两者特点比较• CMOS 工作速度一般比TTL 低,HCMOS 与TTL 相当。
• CMOS 扇出系数比TTL 电路大。
• CMOS 电路的电源电压允许范围较大,约在~20V ,抗干扰能力比TTL 电路强。
• CMOS 电路的功耗比TTL 电路小得多。
TTL 功耗几mW 、 CMOS 的功耗只有几个μW 。
• CMOS 集成电路的集成度比TTL 电路高。
• CMOS 电路容易受静电感应而击穿,在使用和存放时应注意静电屏蔽,焊接时电烙铁应接地良好,尤其是CMOS 电路多余不用输入端不能悬空,应根据需要接地或接高电平。
速度TTL(LS)大小(µ30%功耗噪声容限扇出系数集成度快(mW)(0.4V 左右)小(20≤)低CMOS 较快(74HC)小W)大(≥V DD )大(≥50)高多余输入端的处理措施处理原则:不能影响输入与输出之间的逻辑关系。
①可并联起来使用;②可根据逻辑关系的要求接地或接高电平。
• TTL 电路多余的输入端悬空表示输入为高电平。
一般可根据门电路逻辑功能将多余的输入端通过上拉电阻(1~3K?)接电源正端(逻辑1的处理);直接把多余端接地(逻辑0的处理)。
尽量把多余的输入端并联使用;虽然可以通过大电阻接地(逻辑1的处理),但最好不要采用。
• CMOS 电路,多余的输入端不允许悬空,否则电路将不能正常工作。
对于CMOS 电路对多余输入端,尽量根据门电路逻辑功能并联使用,或者根据需要直接接地(逻辑0的处理);或直接接V DD (逻辑1的处理)。