普通晶闸管可控硅模块 MTX70A1600V

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LD422243单边可控硅模块手册

LD422243单边可控硅模块手册晶闸管模块也叫可控硅模块，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。

家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件，海飞乐技术封装可控硅模块代替一下型号：SKKT15/12(16)E(D)SKKT20/12(16)E(D)SKKT26(27)/12(16)E(D)SKKT41(42)/12(16)E(D)SKKT56(57)/12(16)E(D)SKKT71(72)/12(16)E(D)SKKT91(92)/12(16)ESKKT105(106)/12(16)E(D)SKKT131/12(16)ESKKT132/12(16)ESKKT161/12(16)ESKKH15/12(16)E(D)SKKH20/12(16)E(D)SKKH26(27)/12(16)E(D)SKKH41(42)/12(16)E(D) SKKH56(57)/12(16)E(D) SKKH71(72)/12(16)E(D) SKKH91(92)/12(16)E(D) SKKH105(106)/12(16)E(D) SKKL15/12(16)E(D)SKKL20/12(16)E(D)SKKL26(27)/12(16)E(D) SKKL41(42)/12(16)E(D) SKKL56(57)/12(16)E(D) SKKL71(72)/12(16)E(D) SKKL91(92)/12(16)E(D) SKKL105(106)/12(16)E SKKL131/12(16)ESKBT28/12(14)SKBT40/12(14)SKBT28/12(14)SKBT28/12(14)SKBT28/12(14)SKBT40/12(14)SKCH28-14SKKT162/12(16)ESKKT213/12(16)E SKKT250/12(16)E SKKT253/12(16)E SKKT330/12(16)E SKKT500/12(16)E SKKT330/12(16)E SKKT400/14(16)E SKKQ31/12(16) SKKQ45/12(16) SKKH131/12(16)E SKKH132/12(16)E SKKH161/12(16)E SKKH162/12(16)E SKKH210/12(16)E SKKH213/12(16)E SKKH250/12(16)E SKKH253/12(16)E SKKH500/12(16)E SKKL132/12(16)E SKKL161/12(16)E SKKL162/12(16)ESKKH213/12(16)E SKKH250/12(16)E SKKH253/12(16)E SKKH500/12(16)E SKDH100/12(16) SKDL100/12(16) SKDT60/12(16) SKDT100/12(16) SKCH28-16(1600V) SKDL150/09(16) SKFT150/10MCC26/12(16)io1B MCC44/12(16)io1B MCC56/12(16)io1B MCC72/12(16)io1B MCC95/12(16)io1B MCC132/12(16)io1B MCC162/12(16)io1B VHF28-14io1MCD26/12(16)io1B MCD44/12(16)io1BMCD56/12(16)io1B MCD72/12(16)io1B MCD95/12(16)io1B MCC170/12(16)io1B MCC220/12(16)io1B MCC250/12(16)io1B MCC312/12(16)io1B MCO450-20MCO500-12/16 MCO600-12/16VHF28-16iO1MCD132/12(16)io1B MCD162/12(16)io1B MCD220/12(16)io1B MCD250/12(16)io1B MCD312/12(16)io1B TM90CZ-HTM200CZ-HTM20DA-HTM25DZ-HTM25DZ-24(H)TM55DZ-HTM90DZ-HTM90DZ-24(H) TM130DZ-HTM130DZ-24(H) TM200DZ-HTM200DZ-24(H) TM400DZ-HTM400DZ-24(H) TM400DA-HTM400DA-24(H) TM60SZ-MTM100SZ-MTM60SA-6TM90SA-6TM150SA-6TM20RA-HTM25RZ-HTM25RZ-24(2H) TM55RZ-HTM55RZ-24(3H) TM90RZ-HTM130RZ-HTM130RZ-24(2H)TM200RZ-HTM200RZ-24(2H)TM10T3B-HTM15T3A-HTM25T3A-H可控硅模块从内部封装芯片上可以分为可控模块和整流模块两大类；从具体的用途上区分，可以分为：普通晶闸管模块（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模块(MDC)、普通晶闸管、整流管混合模块(MFC)、快速晶闸管、整流管及混合模块（MKC\MZC)、非绝缘型晶闸管、整流管及混合模块（也就是通常所说的电焊机专用模块MTG\MDG)、三相整流桥输出可控硅模块（MDS)、单相（三相）整流桥模块（MDQ)、单相半控桥（三相全控桥）模块(MTS)以及肖特基模块等。

二极管、晶闸管等型号命名

详细参数请查询我公司网站：品牌：TH型号：ZP5A/400V•材料：硅引用常用整流二极管型号大全极管型号:4148安装方式:贴片功率特性:大功率二极管型号:SA5.0A/CA-SA170A/CA安装方式:直插二极管型号:IN4007/IN4001安装方式:直插功率特性:小功率频率特性:低频二极管型号:70HF80安装方式:螺丝型功率特性:大功率频率特性:高频二极管型号:MRA4003T3G安装方式:贴片二极管型号:1SS355安装方式:贴片功率特性:大功率二极管型号6A10安装方式:直插功率特性:大功率;型号:2DHG型安装方式:直插功率特性:大功率二极管型号B5G090L安装方式:直插功率特性:小功率频率特性:超高频型号最高反向峰值电压(v) 平均整流电流(a) 最大峰值浪涌电流(a 最大反向漏电流(Ua) 正向压降(V) 外型IN4001 50 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN4002 100 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN4003 300 110 30 5.0 1.0 DO--41IN4004 400 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN4005 600 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN4006 800 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN4007 1000 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN5391 50 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5392 100 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5393 200 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5394 300 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5395 400 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5396 500 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5397 600 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5398 800 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5399 1000 1.5 50 5.0 1.5 DO--15RL151 50 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL152 100 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL153 200 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL154 400 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL155 600 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL156 800 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL157 1000 1.5 60 5.0 1.5 DO--15普通整流二极管参数(二)型号最高反向峰值电压(v) 平均整流电流(a) 最大峰值浪涌电流(a 最大反向漏电流(Ua) 正向压降(V) 外型RL201 50 2 70 5 1 DO--15RL202 100 2 70 5 1 DO--15 RL203 200 2 70 5 1 DO--15 RL204 400 2 70 5 1 DO--15 RL205 600 2 70 5 1 DO--15 RL206 800 2 70 5 1 DO--15 RL207 1000 2 70 5 1 DO--15 2a01 50 2 70 5 1.1 DO--15 2a02 100 2 70 5 1.1 DO--15 2a03 200 2 70 5 1.1 DO--15 2a04 400 2 70 5 1.1 DO--15 2a05 600 2 70 5 1.1 DO--15 2a06 800 2 70 5 1.1 DO--15 2a07 1000 2 70 5 1.1 DO--15 RY251 200 3 150 5 3 DO--27 RY252 400 3 150 5 3 DO--27 RY253 600 3 150 5 3 DO--27 RY254 800 3 150 5 3 DO--27 RY255 1300 3 150 5 3 DO--27 普通整流二极管参数(三)IN5401 50 3 200 5 1 DO--27 IN5402 100 3 200 5 1 DO--27 IN5403 150 3 200 5 1 DO--27 IN5404 200 3 200 5 1 DO--27 IN5405 400 3 200 5 1 DO--27 IN5406 600 3 200 5 1 DO--27 IN5407 800 3 200 5 1 DO--27 IN5408 1000 3 200 5 1 DO--27 6a05 50 6 400 10 0.95 R--6 6a1 100 6 400 10 0.95 R--6 6a2 200 6 400 10 0.95 R--66a4 400 6 400 10 0.95 R--6 6a6 600 6 400 10 0.95 R--6 6a8 800 6 400 10 0.95 R--6 6a10 1000 6 400 10 0.95 R--6 P600a 50 6 400 10 0.95 R--6 P600B 100 6 400 10 0.95 R--6 P600D 200 6 400 10 0.95 R--6 P600G 400 6 400 10 0.95 R--6 P600J 600 6 400 10 0.95 R--6 P600K 800 6 400 10 0.95 R--6 P600M 1000 6 400 10 0.95 R--6ZP型普通整流管（平板型）适用范围：适用于机车电传，电解，充电，电机励磁，电机调速领域的变流装置。

MTC110A1600V可控硅模块

中国·杭州国晶电子科技有限公司符号参数测试条件结温Tj （℃）参数值单位最小典型最大 I T(A V) 通态平均电流 180°正弦半波，50HZ 单面散热，T c =85℃ 125 110 A I T(RMS) 方均根电流125 173 A V DRM V RRM 断态重复峰值电压反向重复峰值电压 V DRM &V RRM tp=10msV D s M &V RsM = V DRM &V RRM +200V 125 600 1600 1800 V I DRM I RRM 断态重复峰值电流反向重复峰值电流 V DM = V DRMV RM = V RRM125 12 mA I TSM 通态不重复浪涌电流 10ms 底宽，正弦半波 125 2.40 KAI 2t 浪涌电流平均时间积 V R =0.6 V RRM 125 29 103A 2SV TO 门槛电压 0.8 V R T 斜率电阻125 2.29 m Ω V TM 通态峰值电压 I TM =330A 25 1.50 1.60 V dv/dt 断态电压临界上升率 V DM =67%V DRM125 800 V/μs di/dt 通态电流临界上升率 I TM =330A 门极触发电流幅值 IGM=1.5A ，门极电流上升时间tr ≤0.5μs 125 100 A/μs I GT 门极触发电流30 40 100 mA V GT 门极触发电压 V A =12V ，I A =1A 25 0.8 1.0 2.5 V I H 维持电流20 100 mA V GD 门极不触发电压 V DM =67%V DRM125 0.2 V R th(j-c) 热阻抗（结至壳） 180°正弦半波，单面散热 0.250 ℃/W R th(c-h) 热阻抗（结至散） 180°正弦半波，单面散热 0.15 ℃/W V iso 绝缘电压 50HZ ，R.M.S ，t=1min I iso :1Ma(max) 2500 V F m 安装扭矩（M5）安装扭矩（M6） 2.0 3.0 N ·m N ·m T sbg 储存温度 -40 125 ℃ W t质量140g特点： ■芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 ■采用德国产玻璃钝化芯片焊接，优良的温度特性和功率循环能力 ■体积小，重量轻典型应用： ■加热控制器 ■交直流电机控制 ■各种整流电源 ■交流开关 I T(A V) 110AV DRM /V RRM 600~1800V I TSM 2.4KA I 2T 29 103A 2SOutline M220、M225中国·杭州国晶电子科技有限公司模块典型电路电联结形式（右图）模块外型图、安装图M220M225使用说明：一、使用条件及注意事项：1、使用环境应无剧烈振动和冲击，环境介质中应无腐蚀金属和破坏绝缘的杂质和气氛。

普通晶闸管可控硅模块 MTC200A1600V

4 3.5 3
Gate Trigger Zone at varies temperature 90$
-30°C -10°C 25°C 125°C
䮼ᵕ⬉य़,VGTˈ V
2.5 2 1.5 1 0.5 0 0 50
100
150
200
250
䮼ᵕ⬉⌕ ,IGT ˈmA
Fig.9 䮼ᵕࡳ⥛᳆㒓
Fig.10 䮼ᵕ㾺থ⡍ᗻ᳆㒓
MTC200A
特点
1). 芯片与底板电气绝缘，2500V交流电压 2). 全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力 3). 体积小,重量轻
典型应用
1). 交直流电机控制 2). 各种整流电源 3). 变频器
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
200A 600~1800V 7.2 A×103 259 A2S*103
外形尺寸图

214F3
216F3
401F
乐清市柳晶整流器有限公司（编）
普通晶闸管、可控硅模块
3/3
主要参数
符号 IT(AV) IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM It VTO rT VTM dv/dt di/dt IGT VGT IH VGD Rth(j-c) Rth(c-h) Viso Fm Tstg Wt Size
2
参数通态平均电流方均根电流断态重复峰值电压反向重复峰值电压断态重复峰值电流反向重复峰值电流通态不重复浪涌电流浪涌电流平方时间积门槛电压斜率电阻通态峰值电压断态电压临界上升率通态电流临界上升率门极触发电流门极触发电压维持电流门极不触发电压热阻抗(结至壳) 热阻抗(壳至散) 绝缘电压安装扭矩(M8) 安装扭矩(M6) 贮存温度质量包装盒尺寸

MTC25A1600V 可控硅模块技术资料

IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
25A 600~1800V 0.55 A×103 1.5 A2S*103
主要参数
符号 IT(AV) IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM It VTO rT VTM dv/dt di/dt IGT VGT IH VGD Rth(j-c) Rth(c-h) Viso Fm Tstg Wt Size
Tc(max), C
Conduction Angle
IT(AV),A
IT(AV),A
Fig.3
Max. Power Dissipation Vs.Mean On-state Current
360
Fig.4
Max. case Temperature Vs.Mean On-state Current
360
参数值典型最大 25 41 1800 8 0.55 1.50 0.85 9.68 1.69 800 50 30 100 2.5 150 0.950 0.2 2500 4 6 -40 125 100
单位 A A V mA KA A s*103 V mΩ V V/μs A/μs mA V mA V ℃ /W ℃ /W V N·m N·m ℃ g mm
-30 C -10 C
V
V
,VGT
,VGT
25 C 125 C
,IGT
A
,IGT
mA
Fig.9
Fig.10
外形尺寸图
215F3
101F

info@
3/3
PT(AV)(max),W
Tc(max), C
Conduction Angle
Conduction Angle

普通晶闸管可控硅模块 MTC55A1600V

2
ITM=170A VDM=67%VDRM ITM =110A, 门极触发电流幅值IGM=1.5A, 门极上升时间tr≤0.5μs VA=12V, IA=1A At 67%VDRM 180°正弦波, 单面散热 180°正弦波, 单面散热 50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(MAX)
䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
Fig.5 ᳔໻ࡳ㗫Ϣᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
Surge Current 1.25 Vs.Cycles ਼⊶᭄ n,@ 50Hz ⬉⌕ᑇᮍᯊ䯈鳥I2t,103A2S 䗮ᗕ⌾⍠⬉⌕ITSM,KA
MTC55A
特点
1). 芯片与底板电气绝缘，2500V交流电压 2). 全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力 3). 体积小,重量轻
典型应用
1). 交直流电机控制 2). 各种整流电源 3). 变频器
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
55A 600~1800V 1.25 A×103 7.8 A2S*103
测试条件 180°正弦半波,50Hz单面散热,Tc=85℃ VDRM&VRRM tp=10ms VDSM&VRSM= VDRM&VRRM+200V VDM= VDRM VRM= VRRM 10ms 正弦半波 VR=0.6VRRM
结温 Tj(℃) 125 125 125 125 125 125 600 最小
普通晶闸管、可控硅模块
3/3
25 125 125
25 125
0.8 20 0.2
外形为101F 210×113×42（10只装）
普通晶闸管、可控硅模块
1/3
MTC55A
性能曲线图

西门康可控硅选型

SKM300GB174D
300A/1700V/2U
SKM200GAR123D
200A/1200V/2U
SKM50GAL123D
50A/1200V/2U
SKM300GAR123D
300A/1200V/2U
SKM75GAL123D
75A/1200V/2U
SKM400GAR124D
400A/1200V/2U
150A/1200V/2U
SKM400GAL124D(125D)
400A/1200V/2U
SKM200GB123D(124D)
200A/1200V/2U
SKM100GAL173D
100A/1700V/2U
SKM300GB123D(124D)
300A/1200V/2U
SKM145GAL174DN
145A/1700V/2U
SKKT131/12(16)E
130A/1200V(1600V)/2U
SKKQ31/12(16)
31A/1200V(1600V)双相反并联2U
SKKT132/12(16)E
130A/1200V(1600V)/2U
SKKQ45/12(16)
45A/1200V(1600V)双相反并联2U
型号(半控)
技术指标
西门康可控硅系列
西门康可控硅模块(SKKT=两可控硅串联,SKKH=二极管+高端可控硅,SKKL=低端可控硅+二极管)
型号(全控)
技术指标
型号(全控)
技术指标
SKKT15/12(16)E(D)
15A/1200V(1600V)/2U
SKKT161/12(16)E
160A/1200V(1600V)/2U

70TPS16高压单向可控硅晶闸管

105A SERIES STANDARDThe 70TPS16 SCR is suitable to fit modes of control found in applications suchas voltageregulation circuits for motorbikes,over-voltage crowbar protection,motor control circuits in power tools and kitchen aids , inrush current limiting circuits ,capacitive discharge ignition.The insulated fullpack package allows a back toback configuration.DESCRIPTIONFEATURES•Repetitive Peak Off-State Voltage : 1600V •R.M.S On-State Current ( I = 105 A )•Low On-State Voltage (1.8V(Max.)@ I )•RoHS CompliantT(RMS)TMABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ()T = 25°C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED J SILICON CONTROLLED RECTIFIERSSymbol Parameter Value Unit I T(RMS)RMS on-state current Tc =109°C 105A I T(AV)Average on-state currentTc =109°C70A I TSM Non repetitive surge peak on-state current tp =8.3msTj=25°C1400A tp =10ms1500I²t I²t Value for fusingtp =10ms Tj=25°C 11250A²S dI/dt Critical rateof rise of on-state current I G =2x I GT ,tr ≤100ns F =60Hz Tj=125°C 150A/µs I GM Peak gate currenttp =20µsTj=125°C 2.0A P G(AV)Average gate power dissipation Tj=125°C2.0W T stg Storage junction temperature range -40to +150°CT jOperating junction temperature range-40to +125V DRM Repetitive Peak off -State Voltage 1600V V RRM Repetitive Peak Reverse Voltage1600VELECTRICAL CHARACTERISTICS ( TC = 25 °C UNLESS OTHERWISE NOTED )VOLTAGE CURRENT CHARACTERISTIC OF SCRSymbol Test ConditionsMin.Typ.Max.Unit I GT V D =12V R L =30ohm-1080mA V GT - 1.5V V GD V D =V DRM R GK =10.kohm T j =125°C--0.25V I H I T =1.0A -100mA I L I G =1.2I GT-150mA d /d V t V D =67%V DRM Gate open T j =125°C 1000-V/µs V TM I TM =150A t p =380µs T j =25°C -- 1.8V I DRM V D =V DRMV R =V RRMT j =25°C --50µA I RRMT j =125°C --10mA----PACKAGE MECHANICAL DATATO-247COPYRIGHT SEMIWILL 2009 - This literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner.SPECIFICATIONS:reserves the right to change the electrical and or mechanical characteristics described herein without notice.DESIGN CHANGES: SEMIWILL reserves the right to discontinue product lines without notice and that the final judgement concerning selection and specifications is the buyer’s and that in furnishing engineering and technical assistance. SEMIWILL assumes no responsibility with respect to the selection or specifications of such products. SEMIWILL makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SEMIWILL assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit and specifically disclaims any and all liability without limitation special,consequential or incidental damages.LIFE SUPPORT POLICY: SEMIWILL products are not authorized for use in life support systems without written consent from the factory.©SEMIWILL。

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Conduction Angle

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䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
普通晶闸管、可控硅模块
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Gate Trigger C -10e C 25e C 125e C

䮼ᵕ㾺থ⬉⌕ ,IGTˈ mA
Fig.9 䮼ᵕࡳ⥛᳆㒓
Fig.10 䮼ᵕ㾺থ⡍ᗻ᳆㒓
外形尺寸图
215F3

201F
乐清市柳晶整流器有限公司（编）
普通晶闸管、可控硅模块
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MTX70A
性能曲线图
07& Peak On-state Voltage Vs.Peak On-state Current 䗮ᗕዄؐ⬉य़VTM,V 䗮ᗕዄؐ⬉⌕ ITM,A T J=125e C ⶀᗕ⛁䰏ᡫZth,e C/W Max. junction To case Thermai Impedance Vs.Time

ᯊ䯈t,S

Fig.1䗮ᗕӣᅝ⡍ᗻ᳆㒓
07& Max. Power Dissipation Vs.Mean On-state Current
᳔໻䗮ᗕࡳ㗫PT(AV),(max),W
Fig.2 㒧㟇ㅵ໇ⶀᗕ⛁䰏ᡫ᳆㒓
Max. case Temperature07& Vs.Mean On-state Current ㅵ໇⏽ᑺTc(max),e C
䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
Fig.5 ᳔໻ࡳ㗫Ϣᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
Fig.6 ㅵ໇⏽ᑺϢ䗮ᗕᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
Surge Current 1.6 Vs.Cycles 䗮ᗕ⌾⍠⬉⌕ITSM,KA ਼⊶᭄ n,@ 50Hz ⬉⌕ᑇᮍᯊ䯈鳥 I2t,103A2S
主要参数
符号 IT(AV) IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM I2t VTO rT VTM dv/dt di/dt IGT VGT IH VGD Rth(j-c) Rth(c-h) Viso Fm Tstg Wt Size 参数通态平均电流方均根电流断态重复峰值电压反向重复峰值电压断态重复峰值电流反向重复峰值电流通态不重复浪涌电流浪涌电流平方时间积门槛电压斜率电阻通态峰值电压断态电压临界上升率通态电流临界上升率门极触发电流门极触发电压维持电流门极不触发电压热阻抗(结至壳) 热阻抗(壳至散) 绝缘电压安装扭矩(M5) 安装扭矩(M6) 贮存温度质量包装盒尺寸外形为201F 210×113×42（8只装） -40 115 At 67%VDRM 180°正弦波, 单面散热 180°正弦波, 单面散热 50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(MAX) 2500 4 6 125 125 VA=12V, IA=1A 25 ITM=210A VDM=67%VDRM ITM =140A, 门极触发电流幅值IGM=1.5A, 门极上升时间tr≤0.5μs VDRM&VRRM tp=10ms VDSM&VRSM= VDRM&VRRM+200V VDM= VDRM VRM= VRRM 10ms 正弦半波 VR=0.6VRRM 测试条件 180°正弦半波,50Hz单面散热,Tc=85℃ 结温 Tj(℃) 125 125 125 125 125 125 25 125 125 30 0.8 20 0.2 0.410 0.2 600 参数值最小典型最大 70 110 1800 10 1.60 13.0 0.80 2.64 1.48 800 50 100 2.5 150 A A V mA KA A2s*103 V mΩ V V/μs A/μs mA V mA V ℃ /W ℃ /W V N·m N·m ℃ g mm 单位
MTX70A
特点
1). 芯片与底板电气绝缘，2500V交流电压 2). 全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力 3). 体积小,重量轻
典型应用
1). 交直流电机控制 2). 各种整流电源 3). 变频器
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
70A 600~1800V 1.60 A×103 13 A2S*103
360
᳔໻䗮ᗕࡳ㗫PT(AV)(max),W

Conduction Angle
ㅵ໇⏽ᑺTc(max),e C

Conduction Angle

'&
Fig.3᳔໻ࡳ㗫Ϣᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
07& Max. Power Dissipation Vs.Mean On-state Current
360
Fig.4ㅵ໇⏽ᑺϢ䗮ᗕᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
Max. case Temperature Vs.Mean On-state Current 07& '&
13 11 9 7 5 3 1 15
1.6 I t13Vs.Time
2
ᯊ䯈 t,ms
10
Fig.7 䗮ᗕ⌾⍠⬉⌕Ϣ਼⊶᭄ⱘ݇㋏᳆㒓
Fig.8 I2t⡍ᗻ᳆㒓
普通晶闸管、可控硅模块
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MTX70A
Gate characteristic at 25e C junction temperature 䮼ᵕ⬉य़,VGT ˈ V 䮼ᵕ⬉⌕ ,IGTˈ A 3*: PLQ PD[ 䮼ᵕ㾺থ⬉य़ ,VGTˈV 3*0 : V㛝ᆑ