第四章 集成电路设计综合

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DFT基础

DFT基础

第四章 DFT 基础4.1 测试在半导体产品实现过程中的意义一 半导体产品的实现过程集成电路从设计到产品一般要经历以下几个步骤才能成为产品(如下图所示):verilog ,也可能用VHDL 语言写成,可能是RTL 级,也可能是门级。

如果是RTL 级,首先进行逻辑综合、验证将设计转变成门级网表,然后进行布局布线变成最终的版图。

2. 制造过程:代工厂接受来自设计者的版图数据(GDSII )将其制成掩膜版(mask ),然后通过复杂的制造过程将期望的电路做在晶园片上,这时晶园片上已经包含了若干个芯片的原型--裸片(die )。

3. 晶园片测试:制造好的晶园片需要进行严格的测试然后划片、封装,实际上只有那些通过测试的裸片才会进行封装,而未通过测试的裸片被淘汰。

经过封装的裸片就变成芯片。

4. 芯片测试:通过晶园片测试和封装的芯片还不能算真正的产品,它仍然要进一步进行测试确认没有故障才能成为真正的半导体产品。

从这个过程可以看出,测试是半导体产品实现过程中一个必不可少的环节。

二 测试定义测试实际上是指将一定的激励信号加载到需要检测的半导体产品的输入引脚,然后在它的输出引脚检测电路的响应,并将它与期望的响应相比较以判断电路是否有故障的过程(如图所示)。

在这个过程中,测试设备要发出适当的控制信号,式(test pattern ),这两者的主要区别在于测试向量仅仅包含激励信号,而测试模式不仅包含激励信号,而且还包含期望的响应。

由图可以看出,要实现测试,首先要有激励信号,这个激励信号就是所谓的测试向量(test vector )。

激励信号由测试设备产生;然后要判断电路是否有故障,就必须检测响应,并将实际检测的响应与期望的响应相比较,如果两者不一致,我们就认为电路中有故障。

当然以使得整个测试过程得以顺利进行。

在测试领域,与测试向量相对应还有测试模由上面的分析可以看出,测试问题在测试前就是测试模式生成和测试模式验证(时序验证)问题;而在测试时就是测试向量施加和测试响应检测及结果判断问题。

《微电子与集成电路设计导论》第四章 半导体集成电路制造工艺

《微电子与集成电路设计导论》第四章 半导体集成电路制造工艺

4.4.2 离子注入
图4.4.6 离子注入系统的原理示意图
图4.4.7 离子注入的高斯分布示意图
4.5 制技术 4.5.1 氧化
1. 二氧化硅的结构、性质和用途
图4.5.1 二氧化硅原子结构示意图
氧化物的主要作用: ➢ 器件介质层 ➢ 电学隔离层 ➢ 器件和栅氧的保护层 ➢ 表面钝化层 ➢ 掺杂阻挡层
F D C x
C为单位体积掺杂浓度,
C x
为x方向上的浓度梯度。
比例常数D为扩散系数,它是描述杂质在半导体中运动快慢的物理量, 它与扩散温度、杂质类型、衬底材料等有关;x为深度。
左下图所示如果硅片表面的杂质浓 度CS在整个扩散过程中始终不变, 这种方式称为恒定表面源扩散。
图4.4.1 扩散的方式
自然界中硅的含量 极为丰富,但不能 直接拿来用。因为 硅在自然界中都是 以化合物的形式存 在的。
图4.1.2 拉晶仪结构示意图
左图为在一个可抽真空的腔室内 置放一个由熔融石英制成的坩埚 ,调节好坩埚的位置,腔室回充 保护性气氛,将坩埚加热至 1500°C左右。化学方法蚀刻的籽 晶置于熔硅上方,然后降下来与 多晶熔料相接触。籽晶必须是严 格定向生长形成硅锭。
涂胶工艺的目的就是在晶圆表面建立薄的、均匀的、并且没有缺陷的光刻胶膜。
图4.2.4 动态旋转喷洒光刻胶示意图
3. 前烘
前烘是将光刻胶中的一部分溶剂蒸发掉。使光刻胶中溶剂缓慢、充分地挥发掉, 保持光刻胶干燥。
4. 对准和曝光
对准和曝光是把掩膜版上的图形转移到光刻胶上的关键步骤。
图4.2.5 光刻技术的示意图
图4.2.7 制版工艺流程
4.3 刻蚀
(1)湿法腐蚀
(2)干法腐蚀 ➢ 等离子体腐蚀 ➢ 溅射刻蚀 ➢ 反应离子刻蚀

集成电路设计

集成电路设计

集成电路设计在现代电子设备中,集成电路(Integrated Circuit,简称IC)在各个领域扮演着至关重要的角色。

从计算机到智能手机,从汽车电子到医疗设备,集成电路的应用无处不在。

而集成电路的设计是实现这些应用的基础。

一、集成电路设计的概述集成电路设计是指将电子元器件和电路功能集成在一个芯片上的过程。

通过将上千个甚至上百万个晶体管、电容、电阻等器件集成在一个芯片上,实现了电子设备的迷你化、优化化和高性能。

集成电路设计分为几个关键步骤,如需求分析、电路设计、模拟与数字仿真、版图设计和制造等。

每个步骤都需要经过严密的测试和验证,以确保设计的成功和满足特定应用的需求。

二、集成电路设计的分类根据集成度的不同,集成电路设计可以分为三大类,分别是小规模集成电路(SSI),中规模集成电路(MSI)和大规模集成电路(LSI)。

小规模集成电路一般包含几十个到上百个器件,主要应用于数字电路的设计。

中规模集成电路通常包含几百个到上千个器件,更常用于存储器芯片和逻辑门电路的设计。

大规模集成电路则包含上万个器件,广泛应用于微处理器和通信芯片等复杂系统的设计。

三、集成电路设计工具集成电路设计离不开专业的设计工具,其中最常见和流行的是EDA (Electronic Design Automation)软件。

EDA软件提供了包括电路仿真、版图设计、验证和测试等在内的一系列功能和工具。

常见的EDA软件包括Cadence、Synopsys和Mentor Graphics等。

这些工具使得设计师能够更高效、更准确地完成集成电路设计任务,并极大地提高了设计的可靠性和稳定性。

四、集成电路设计的挑战与发展趋势集成电路设计面临着一系列的挑战。

随着集成度的提高和器件尺寸的缩小,电路设计需要更高的精度和更强的稳定性。

此外,功耗和散热问题也是设计过程中需要考虑的重点。

另外,集成电路设计还需要与系统级设计相结合,以实现更好的整体性能和功能。

未来,随着新材料和新工艺的引入,集成电路设计将突破更多的技术瓶颈,实现更高的性能和功能。

模拟CMOS集成电路设计第四章差分放大器.

模拟CMOS集成电路设计第四章差分放大器.

ΔVinmax
2ISS 故允许输入的最大差模电压范围△V 为: ID =β
2ISS (这就是电路能处理信号的最大差模电压。) ΔVID = β
差动放大器4 # 14
基本差分对的定量分析(4)
4. 因△ID是△Vin的奇函数,故有:
ΔID(t)=αΔV 1 in(t)+αΔV 3 in (t)+αΔV 5 in (t)+......
gmR D VY = A VX VT = Vin 2
差动放大器4 # 19
差分对的小信号特性(3)
gmR D VX = A VX Vin1 = Vin1 2 gmR D VY = A VX VT = Vin1 2 (VX-VY ) |Vin1=∆Vin=-gmRD ∆Vin
(VX-VY ) |Vin2=-∆Vin=-gmRD ∆Vin
差动放大器4 # 18
差分对的小信号特性(2)
利用叠加定理 ,先考虑Vin1的 作用,再求VY
1 1 RT = = g m1 g m
VT=Vin RL1 求开路电压VT
这是CG放大器
利用小信号等 效电路,可求得:
g m1R L1R D1 利用CG放大器已有公式: VR L1 = Vin 1+ g m1R L1 g m2R D gmR D g m1R L1R D1 A VX = = VT = lim VR L1 = Vin = Vin 1+ g m2R T 2 R L1 →∞ 1+ g m1R L1
简 单 差 动 对
如何减小输入共模电平变化的影响呢?
差动放大器4 # 5
基本差动对
Vin1-Vin2 足够负, M1截止, M2导通 Vin1-Vin2 相差不 大时, M1 和 M2 均 导通

集成电路设计和综合技术研究

集成电路设计和综合技术研究

集成电路设计和综合技术研究集成电路(Integrated Circuit,简称IC)是将多个功能电路模块组合在一起,制造成一个整体电路芯片,是现代电子信息技术的一项基础性技术。

与传统的离散电路相比,集成电路具有体积小、可靠性高、功耗低、价格低等诸多优点。

目前,IC的应用范围非常广泛,覆盖电子信息、通信、医疗、安防、航空航天等多个领域。

集成电路的设计是IC技术的核心。

集成电路设计分为数字电路设计和模拟电路设计,两者结合起来构成了复杂集成电路的设计,这些电路可能具有上千万甚至数亿门电路逻辑单元。

集成电路的设计不仅需要在技术上卓越,更需要设计师具有丰富的实践经验和创新思维。

从集成电路的预研设计到正式进入市场,这一过程需要经历多个环节和流程,包括前端设计、后端设计、电路验证等步骤。

作为IC设计的重要环节之一,综合技术是保证集成电路设计全流程准确可靠的关键。

综合技术主要是将设计师提出的RTL(Register Transfer Level,寄存器传输级)描述转换为网表等电路级别描述,并对描述进行优化,最终生成门级图和布局。

这个过程需要高级别、快速、准确的综合工具支持,使得设计师能够更快速地完成设计,并降低设计成本和风险。

随着集成电路技术的不断发展和应用的广泛性,集成电路设计和综合技术也在不断创新和进步,包括基于云平台的软件设计环境、人工智能技术在设计过程中的应用等等。

这些新技术不仅提高了集成电路设计和综合的效率和精度,还为IC技术的发展带来了更广阔的前景。

总之,集成电路设计和综合技术是IC技术的重要组成部分,在电子信息技术的进步和发展中扮演着重要的角色。

在今后的发展中,需要继续深化研究和创新,以满足更多、更高、更复杂的需求。

《集成电路原理与设计》重点内容总结

《集成电路原理与设计》重点内容总结

《集成电路原理与设计》重点内容总结引言集成电路(Integrated Circuit, IC)作为现代电子工程的核心,其设计和制造技术的发展极大地推动了信息技术的进步。

《集成电路原理与设计》课程涵盖了IC设计的基础理论、工艺技术、设计流程和应用实例,对于电子工程领域的学生和专业人士具有重要意义。

第一部分:集成电路基础1.1 集成电路概述集成电路是将大量电子元件(如晶体管、电阻、电容等)集成在一块半导体材料(通常是硅)上的微型电子器件。

IC的出现极大地减小了电子设备的体积,提高了性能,降低了成本。

1.2 半导体物理基础半导体物理是IC设计的基础。

重点内容包括:半导体材料的特性,如硅和锗的电子结构。

PN结的形成和特性。

载流子(电子和空穴)的行为。

半导体中的扩散和漂移现象。

1.3 晶体管原理晶体管是IC中最基本的放大和开关元件。

重点内容包括:双极型晶体管(BJT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的工作原理。

晶体管的电流-电压特性。

晶体管的开关时间和速度。

第二部分:集成电路设计2.1 设计流程IC设计包括前端设计和后端设计两个主要阶段。

重点内容包括:系统规格定义和功能模块划分。

逻辑设计和电路设计。

物理设计,包括布局、布线和验证。

2.2 设计工具和方法IC设计涉及多种计算机辅助设计(CAD)工具和方法。

重点内容包括:硬件描述语言(如VHDL和Verilog)的使用。

逻辑综合和优化技术。

时序分析和仿真。

2.3 工艺技术IC的制造工艺对设计有重要影响。

重点内容包括:CMOS工艺流程。

工艺参数对IC性能的影响。

新型工艺技术,如FinFET和SOI。

第三部分:集成电路应用3.1 数字集成电路数字IC是实现数字逻辑功能的核心。

重点内容包括:门电路和触发器的设计。

算术逻辑单元(ALU)和微处理器的设计。

存储器的设计,如SRAM、DRAM和Flash。

3.2 模拟集成电路模拟IC用于处理模拟信号。

重点内容包括:放大器、滤波器和振荡器的设计。

集成电路设计

集成电路设计

集成电路设计
集成电路设计是指将多个电子元器件集成在一起,组成一个功能完整的整体电路系统。

它通常通过布线和逻辑设计来实现。

集成电路设计在现代电子工业中占据重要地位,它被广泛应用于各个领域,包括通信、计算机、汽车、医疗器械等。

在集成电路设计中,有几个主要的步骤。

首先是需求分析,设计人员需要了解电路的功能和性能要求,以确定设计的目标。

然后是电路架构设计,设计人员需要选择适当的架构来实现所需的功能。

接着是电路元器件的选择,设计人员需要根据需求选择合适的电子元器件,包括晶体管、电容、电阻等。

在选择元器件之后,设计人员需要进行电路布线和逻辑设计。

布线是将元器件连接起来,并安排它们的位置。

逻辑设计是确定电路中各个元器件的功能和工作方式,以实现整体的功能。

这些步骤需要使用专业的电路设计软件,如CAD、EDA等。

集成电路设计还需要进行电路仿真和验证。

在设计过程中,设计人员需要使用电路仿真软件来验证电路的功能和性能。

通过仿真,可以发现和修复电路中存在的问题,确保电路的正常工作。

验证是对最终设计的电路进行测试,以确保其满足预定的功能和性能要求。

最后,集成电路的制造和测试是集成电路设计的最后步骤。

制造是将设计好的电路制作成实际的芯片,这需要使用先进的微电子技术和制造设备。

测试是对制造好的芯片进行测试,以确保其质量和可靠性。

总的来说,集成电路设计是一项复杂而重要的工作,它需要设计人员具备深厚的电子知识和工作经验。

通过合理的设计和优化,可以开发出功能强大、性能卓越的集成电路产品,推动电子科技的发展。

集成电路设计与优化的算法研究

集成电路设计与优化的算法研究

集成电路设计与优化的算法研究第一章:引言近年来,随着科技的发展和应用需求的提升,集成电路设计与优化的算法研究成为了一个重要的研究领域。

集成电路设计是指将各功能模块集成在一块芯片上,以实现特定的功能。

而优化算法则是为了设计的集成电路能够在不同的方面取得最佳性能,如功耗、面积、时延等。

本文将对集成电路设计与优化的算法进行研究和探讨。

第二章:集成电路设计的基本原理2.1 集成电路设计流程集成电路设计流程包括需求分析、系统建模、电路设计、验证与仿真、版图设计、物理实现等一系列步骤。

在需求分析阶段,确定集成电路的功能和性能指标。

系统建模阶段,将功能需求转化为逻辑电路。

电路设计阶段,根据逻辑电路设计电路结构。

验证与仿真阶段,对设计的电路进行功能验证和性能仿真。

版图设计阶段,将电路布局规划到芯片上。

最后,通过物理实现将芯片制造出来。

2.2 集成电路设计中的优化目标集成电路设计中的优化目标主要包括功耗、面积和时延。

功耗优化旨在通过降低电路的功耗来提高芯片的工作效率,以延长电池寿命和减少散热。

面积优化是指在满足设计要求的前提下,尽量减少芯片占用的空间。

时延优化是指减少电路的传输延迟,以提高电路的工作速度和响应时间。

第三章:集成电路设计与优化的算法3.1 遗传算法遗传算法是一种模拟生物进化过程的优化算法。

它通过模拟自然选择、交叉、变异等操作,不断改进和优化电路设计。

遗传算法可以通过对电路参数进行编码,通过交叉和变异操作生成新的设计方案,然后通过评估函数对新的设计方案进行评估和选择。

遗传算法具有全局搜索能力强、不易陷入局部最优等特点,因此在集成电路设计中得到了广泛应用。

3.2 模拟退火算法模拟退火算法是一种基于物理退火原理的优化算法。

它通过模拟材料的退火过程,以寻找电路设计中的最优解。

模拟退火算法通过定义一个系统的能量函数,并通过不断降低系统温度来改善设计方案。

在算法中,解空间中的每个解被看作系统的一个状态,状态之间的转移则对应了设计变量的改变。

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二、逻辑综合
2.2 输入逻辑综合工具的信息有三种(续4)
b. 约束(续2)
> 关于时钟的约束 (续1) - 为了更好地反映实际时钟的工作状态,还可以对时钟定义 一些附加约束。 Example:
29
二、逻辑综合
2.2 输入逻辑综合工具的信息有三种(续5)
b. 约束(续3)
> 关于面积的约束 - 用面积约束条件规定设计中所有逻辑器件应控制的面积大小。 Example: 注:* 此面积不包含逻辑器件连线和器件间隔的面积等。 * 面积约束条件只是一个目标值,实际综合结果可偏离此值。 * 面积约束条件一般不要取零值,以免增加综合的时间。 - 多数综合工具允许以工艺库中 基本元件单元作为面积单位。
一、设计综合
2.1 高层次综合的意义(续3)
a. 可以对一个系统的行为描述,就不同的性能指标和不同的 面积/速度等指标进行优化,形成多种可选实现方案。(续3)
> 例:单独控制时序,不顾及面积控制
A B C D OUT
12
一、设计综合
2.1 高层次综合的意义(续3)
b. 对于超大规模芯片设计和上市时间的要求,设计者较难一开 始就设计出低层次的实现描述。通过高层次综合可以将设计 者给出的算法级行为描述快速转化为RTL级的结构描述。 c. 在对系统实现方案的规划过程中,通过高层次综合可以在设 计初期就对各种方案的资源占用和速度方面的特性做出评估, 以减少和避免在设计后期的设计(逻辑层、电路层、版图层) 回溯。
b. 其他新特点
> Top-down/Bottom-up结合的设计方法; > 综合优先于功能验证,精确的时序分析成为设计成功与否的关键; > 注重逻辑层次与版图层次的一致性。
c. 目前设计的障碍
> 性能得不到满足; > “关键路径”的延时性能不满足,进而导致整个设计的失败。
18
思考题
1. 简述集成电路设计综合的层次化划分方式? 2. 何谓高层次综合?简述高层次综合的意义。 3. 简述高层次综合的主要步骤。 4. 何谓版图综合?版图综合的目标是什么? 5. 版图综合对设计方法学的要求有哪些?
36
二、逻辑综合
2.2 输入逻辑综合工具的信息有三种(续12)
b. 约束(续10)
> 关于延时的约束 (续6) - 在综合过程中,对于面积约束和延时约束是一对矛盾,通常 综合工具认为延时约束比面积约束拥有更高的优先级。 * 为满足延时时间最小的设计目标 ——在综合优化电路中大量增加并行电路。 * 为满足面积占用最小(延时时间不为主)的设计目标 ——在综合优化电路中大量采用串行的复用电路。
> 把设计综合最佳地连接到版图综合; > 由于实际版图及参数的返标将加快设 计过程的收敛。
17
一、设计综合
3.5 版图综合对设计方法学的要求
a. SoC设计的出现,对版图综合的能力有了更高的要求。
> IP硬核使版图综合将面对一种大规模器件; > 多时钟SoC 将使版图综合时的时序处理超出想像; > 版图综合的布局设计将以IP核为单元,进入层次化设计阶段。
B E
SUM3 <= A + B + E;
C D E
A
B
+ +
SUM1
+ +
SUM2
+ +
SUM3
+ +
SUM1
+
SUM2
+
SUM3
9
一、设计综合
2.1 高层次综合的意义(续1)
a. 可以对一个系统的行为描述,就不同的性能指标和不同的 面积/速度等指标进行优化,形成多种可选实现方案。(续1)
> 例:时序控制(改变器件的连接顺序) Z <= A + B + C + D ( Where Z is time constrained )
—— 根据RTL级描述和工艺库提供的器件单元工艺信息,产生 一个满足时序和约束的正确实现方案。
* 目前业界主流逻辑综合EDA工具是: - Synopsys公司的Design Compiler - Cadence公司的Encounter RTL Compiler
25
二、逻辑综合
2.2 输入逻辑综合工具的信息有三种(续1)
33
二、逻辑综合
2.2 输入逻辑综合工具的信息有三种(续9)
b. 约束(续7)
> 关于延时的约束 (续3) - 被综合电路输出延时(Output_delay)约束。(续1) Example:
注:通过定义被综合电路 输出路径外部逻辑的 延时大小,来约束被 综合电路内部输出路 径的延时量,进而综 合出相应的电路。
14
一、设计综合
2.3 高层次综合存在的问题
a. 设计空间的有效搜索方法与策略确定。 b. 异步数字系统的设计。
> 如接口电路设计。
c. 数字系统的划分。
> 划分为相关过程。
d. 人的因素在高层次综合中的作用。
> 如专家干预等。
e. 高层次综合的可测性设计等。
15
一、设计综合
3. 版图综合简述(自学) 3.1 深亚微米工艺版图设计出现的新课题
8
一、设计综合
2. 高层次综合简述(自学) 2.1 高层次综合的意义
a. 可以对一个系统的行为描述,就不同的性能指标和不同的 面积/速度等指标进行优化,形成多种可选实现方案。
> 例:面积控制(资源共享,节省面积) SUM1 <= A + B + C;
A B C A B D A
SUM2 <= A + B + D;
34
二、逻辑综合
2.2 输入逻辑综合工具的信息有三种(续10)
b. 约束(续8)
> 关于延时的约束 (续4) - 被综合电路输入 / 输出延时约束一般要求内部逻辑路径占 一个时钟周期的40%。 Example:
35
二、逻辑综合
2.2 输入逻辑综合工具的信息有三种(续11)
b. 约束(续9)
> 关于延时的约束 (续5) - 在综合过程中,可以通过时序报告来判断延时约束的综合结果。 Example:
13
一、设计综合
2.2 高层次综合的主要内容
a. 翻译与优化
> 将算法描述翻译成中间格式, 并编译优化和操作优化。
b. 调度(Scheduling)
> 从时间上安排操作的执行顺序。
c. 分配
> 从空间上完成操作和变量(或 值)对应功能单元和寄存器的 资源分享。
d. 控制器综合
主要步骤的流程示意图 > 对按调度要求驱动数据通道的 控制器进行。
数字系统集成电路设计流程
22
二、逻辑综合
1. 逻辑综合定义
从 RTL 描述或从布尔方程、真值表、状态 图等描述到逻辑门级网表描述的综合过程。
Synthesis = Translation + Optimization + Mapping
23
二、逻辑综合
2. 逻辑综合过程 2.1 逻辑综合的一般步骤
16
一、设计综合
3.3 版图综合的目标
根据逻辑综合完成后的结果来进行以性能优化为目标的版图设计。
3.4 逻辑综合网表连接到版图设计的流程:
a. 设计前期在顶层的整体规划,通过预布局得出一种满足定 时、面积、功耗和可布通性约束的一种硅编辑预测; b. 转入版图布线; c. 连接版图自动交互设计环境。
a. 互连线延时已经在电路性能(定时)设计中占主导地位; b. 设计的逻辑层次与版图的物理层次的一致性问题十分重要; c. 需要提供实际版图拓扑的用户定义线负载模型; d. 满足高速器件中关键路径的时序性能与版图的可布通性之 间的收敛性。
3.2 深亚微米工艺版图设计面临的新挑战
时序速度 功率优化 版图面积 可布通性
带约束的寄存器和云图
27
二、逻辑综合
2.2 输入逻辑综合工具的信息有三种(续3)
b. 约束(续1)
> 关于时钟的约束 - 必须定义好时钟输入端和时钟周期
10
Example: create_clock -period 10 [ get_ports Clk ] 一般希望一个芯片中的时钟均为同步时钟。
28
a. RTL级描述—— 在规定设计中,以各种寄存器形式为特征, 然后在寄存器之间插入组合逻辑。
> 注:在 RTL 级选用什么样的描述去完成逻辑综合,与选用的 EDA 逻辑综合工具有密切的关系。 > 寄存器和云图描述方式用于逻辑综合的分输入逻辑综合工具的信息有三种(续2)
1. 集成电路设计综合概述 1.1 设计综合技术的发展
a. 20世纪60年代,IBM公司T.J.Watson研究中心开发ALERT系 统,将RTL算法描述转化成逻辑级结构实现。 b. 20世纪70年代,主要致力于较低层次的逻辑综合与版图综合。 c. 20世纪80年代中期,由于ASIC设计与应用的加大,推动了从 算法级设计描述向RTL级设计描述转换的高层次综合技术。
b. 约束(constraints)—— 与电路系统的设计要求有关,用于 (逻辑综合的核心) 控制优化输出和映射工艺。
> 环境约束针对芯片工作环境,如:电压、温度、负载和驱动等。 > 时序约束针对芯片工作时钟,如:时钟、接口时序/延时等。 > 设计规则约束针对工艺规则,如:面积、最大扇入扇出和最大电容等。
6
一、设计综合
1.2 集成电路设计综合的层次化(续1)
c. 不同设计层次的设计综合划分
7
一、设计综合
1.2 集成电路设计综合的层次化(续2)
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