电子科大微电子工艺(第六章)刻蚀分解
电子科大微电子工艺(第六章)刻蚀教材
Film Substrate
湿法各向同性化学腐蚀
具有垂直刻蚀剖面的 各向异性刻蚀
湿法刻蚀和干法刻蚀的侧壁剖面
刻蚀类型 湿法腐蚀 侧壁剖面 各向同性 示意图
各向同性( 与设备和参数有关)
各向异性 (与设备和参数有关) 干法刻蚀 各向异性– 锥形
硅槽
湿法刻蚀是各向同性腐蚀， 不能实现图形的精确转移， 一般用于特征尺寸较大的 情况（≥3μｍ） 。
(b) Substrate after etch
6.1 引 言
刻蚀的工艺目的: 把光刻胶图形精确地转移到硅片上，最后达到复制 掩膜版图形的目的。它是在硅片上复制图形的最后 主要图形转移工艺。 刻蚀工艺分类：干法刻蚀和湿法刻蚀 干法刻蚀：把要刻蚀的硅片放在具有反应气体的等 离子体真空腔中去除表面层材料的工艺过程。亚微 米 湿法刻蚀：把要腐蚀的硅片放在化学腐蚀液里去除 表面层材料的工艺过程。大于3微米 按被刻蚀的材料分：金属刻蚀、介质刻蚀、硅刻蚀 有图形刻蚀和无图形刻蚀
干法刻蚀过程
硅片的等离子体刻蚀过程图
刻蚀作用
等离子体的电势分布
①当刻蚀机电极加上射频功率后，反应气体电离形成 辉光放电的等离子体； ②在正负半周的射频电压作用下，快速运动的电子离 开等离子体轰击上下电极，使接电源的电极产生一 个相对地为负的自偏置直流电压； ③达到一定的负电荷数量后电子会被电极排斥，产生 一个带正离子电荷的暗区（即离子壳层）；
第六章
刻蚀
6.1 引 言
刻蚀的概念: 用化学或物理的方法有选择地去除硅片表面层材料的 工艺过程称为刻蚀。 刻蚀示意图：
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
Photoresist mask
Film to be etched
微电子加工基础工艺总结
1、分立器件和集成电路区别分立元件：每个芯片只具有一种器件；集成电路：每个芯片具有各种元件。
2、平面工艺特点平面工艺是由Hoerni于1960年提出。
在这项技术中，整个半导体表面先形成一层氧化层，再借助平板印刷技术，通过刻蚀去除某些氧化层，从而形成一种窗口。
P-N结形成办法：①合金结办法A、接触加热：将一种p型小球放在一种n型半导体上，加热到小球熔融。
B、冷却：p型小球以合金形式掺入半导体底片，冷却后，小球下面形成一种再分布结晶区，这样就得到了一种pn结。
合金结缺陷：不能精确控制pn结位置。
②生长结办法半导体单晶是由掺有某种杂质（例如P型）半导体熔液中生长出来。
生长结缺陷：不适当大批量生产。
扩散结形成方式与合金结相似点：表面表露在高浓度相反类型杂质源之中与合金结区别点：不发生相变，杂质靠固态扩散进入半导体晶体内部扩散结长处扩散结结深可以精准控制。
平面工艺制作二极管基本流程：衬底制备——氧化——一次光刻（刻扩散窗口）——硼预沉积——硼再沉积——二次光刻（刻引线孔）——蒸铝——三次光刻（反刻铝电极）——P-N结特性测试3、微电子工艺特点高技术含量设备先进、技术先进。
高精度光刻图形最小线条尺寸在亚微米量级，制备介质薄膜厚度也在纳米量级，而精度更在上述尺度之上。
超纯指工艺材料方面，如衬底材料Si、Ge单晶纯度达11个9。
超净环境、操作者、工艺三个方面超净，如 VLSI在100级超净室10级超净台中制作。
大批量、低成本图形转移技术使之得以实现。
高温多数核心工艺是在高温下实现，如：热氧化、扩散、退火。
4、芯片制造四个阶段固态器件制造分为4个大阶段（粗线条）：①材料制备②晶体生长/晶圆准备③晶圆制造、芯片生成④封装晶圆制备：（1）获取多晶（2）晶体生长----制备出单晶，包括可以掺杂（元素掺杂和母金掺杂）（3）硅片制备----制备出空白硅片硅片制备工艺流程（从晶棒到空白硅片）：晶体准备（直径滚磨、晶体定向、导电类型检查和电阻率检查）→切片→研磨→化学机械抛光（CMP）→背解决→双面抛光→边沿倒角→抛光→检查→氧化或外延工艺→打包封装芯片制造基本工艺增层——光刻——掺杂——热解决5、high-k技术High—K技术是在集成电路上使用高介电常数材料技术，重要用于减少金属化物半导体（MOS）晶体管栅极泄漏电流问题。
微电子工艺课件资料
三、起始材料--石英岩（高纯度硅砂--SiO2）
1. SiO2+SiC→Si(s)+SiO(g)+CO(g) 冶金级硅：98%；
300oC
2. Si(s)+3HCl(g) →SiHCl3(g)+H2 三氯硅烷室温下呈液态沸点为32℃，利用分馏法去 除杂质；
3. SiHCl3(g)+ H2→Si(s)+ 3HCl(g) 得到电子级硅（片状多晶硅）。
Si：
• 含量丰富，占地壳重量25%；
• 单晶Si 生长工艺简单，目前直径最大18英吋 （450mm）
• 氧化特性好， Si/SiO2界面性能理想，可做掩蔽膜、 钝化膜、介质隔离、绝缘栅等介质材料；
• 易于实现平面工艺技术；
• 直径
二、对衬底材料的要求
• 导电类型：N型与P型都易制备；
• 晶向：Si:双极器件--<111>；MOS--<100>；
4. 放肩
缩颈工艺完成后，略降低温度（15-40℃） ，让晶体逐 渐长大到所需的直径为止。这称为“放肩”。
5. 等径生长
当晶体直径到达所需尺寸后，提高拉速，使晶体直径不再 增大，称为收肩。收肩后保持晶体直径不变，就是等径生长。 此时要严格控制温度和拉速。
6. 收晶
晶体生长所需长度后，升高熔体温度或熔体温度不变， 加快拉速，使晶体脱离熔体液面。
有效分凝系数
当结晶速度大于杂质在熔体中的扩散速度时，杂质在界面 附近熔体中堆积，形成浓度梯度。
按照分凝系数定义：
k0
Cs Cl (0)
由于Cl(0)未知，然而为了描述 界面粘滞层中杂质浓度偏离对固 相中的杂质浓度的影响，引入有效 分凝系数ke:
微电子工艺技术
课程简介课程号：11194050课程名称：微电子工艺技术英文名称：Microelectronics Technology周学时：3.0-0.0学分：3预修要求：微电子学、固体物理与半导体物理、集成电路内容简介：了解集成电路制造工艺技术是从事集成电路设计、制造和研究人员所必须的。
为此所开设的微电子工艺技术课程，是微电子技术专业的一门必修课。
通过本课程的学习，使学生对半导体器件和半导体集成电路的制造工艺及原理、工艺设备及工艺流程有一个较为完整和系统的概念，並具有一定的工艺分析和设计以及解决工艺问题和提高产品质量的能力。
是一门与实际联系紧密的课程。
主要内容包括：微电子加工工艺环境及衬底制备技术；扩散和离子注入两种搀杂技术的原理、杂质分布的数学描述和具体工艺条件的选取和计算；外延和氧化、PVD等薄膜生长技术的原理、工艺过程和影响质量的诸因素；光刻和刻蚀微细图形转移技术；集成电路工艺整合等问题。
选用教材或参考书：教材：《ULSI Technology》，C.Y.Chang，Publisher: McGraw-HillScience/Engineering/Math;ASIN: 0070630623 ;January 12, 1996，Editions:2nd主要参考书：1. 《Introduction to Microelectronic Fabrication》(2nd Edition) ，RichardC. Jaeger，Prentice Hall，October 17, 2001，ISBN: 020*******2. 《Silicon VLSI Technology:Fundemantals, Practice, and Modeling》PeterB.GriffinPublisher: Prentice Hall; ISBN: 0130850373 ; 1 edition (July 14, 2000)《微电子工艺技术》教学大纲一、课程的教学目的和基本要求教学目的：通过本课程的学习，使学生对半导体器件和半导体集成电路的制造工艺及原理、工艺设备、工艺流程有一个较为完整和系统的概念，並具有一定的工艺分析和设计以及解决工艺问题和提高产品质量的能力。
微电子工艺的流程
微电子工艺的流程一、工艺步骤1. 材料准备：微电子工艺的第一步是准备好需要的材料，这些材料包括硅片、硼化硅、氧化铝、金属等。
其中，硅片是制造半导体芯片的基本材料，它具有优良的导电性和导热性能，而硼化硅和氧化铝则用于作为绝缘层和保护层。
金属材料则用于连接不同的电路元件。
2. 清洗：在进行下一步的工艺之前，需要对硅片进行清洗，以去除表面的杂质和污垢。
常用的清洗方法包括浸泡在溶剂中、超声波清洗等。
清洗后的硅片表面应平整光滑，以便后续的工艺步骤能够顺利进行。
3. 刻蚀：刻蚀是微电子工艺中的重要步骤，它用于在硅片表面上形成需要的电路图案。
刻蚀一般采用化学法或物理法，化学法包括湿法刻蚀和干法刻蚀，物理法包括离子束刻蚀、反应离子刻蚀等。
刻蚀后，硅片表面将形成不同深度和形状的电路结构。
4. 清洗：刻蚀后的硅片需要再次进行清洗，以去除刻蚀产生的残留物，并保证表面的平整度和清洁度。
清洗一般采用流动水冲洗、超声波清洗等方法。
5. 沉积：沉积是在硅片表面上沉积一层薄膜来形成电路元件或连接线的工艺步骤。
常用的沉积方法包括化学气相沉积、物理气相沉积、离子束沉积等。
沉积后，硅片表面将形成具有特定性能和功能的导电膜或绝缘膜。
6. 光刻：光刻是将需要的电路图案投射在硅片表面上的工艺步骤。
光刻过程中，先在硅片表面涂上感光胶，然后利用光刻机将光阴影形成在感光胶上，最后用化学溶液溶解感光胶，形成需要的电路结构。
光刻过程需要高精度的设备和技术支持。
7. 离子注入：离子注入是将控制的离子注入硅片表面形成电子器件的重要工艺步骤。
通过控制注入的离子种类、注入能量和注入剂量，可以形成不同性能和功能的电子器件。
离子注入是微电子工艺中的关键技术之一。
8. 清洗和检测：在工艺步骤完成后，硅片需要再次进行清洗和检测，以确保电路结构和性能符合要求。
清洗和检测一般采用高精度的设备和技术支持，包括扫描电子显微镜、原子力显微镜等。
二、工艺参数和设备微电子工艺需要严格控制各种工艺参数，包括温度、压力、流量、时间等。
微电子工艺学课件_4
第四章加工环境与基片清洗4.1概述4.2 环境净化4.3 硅片清洗4.4 吸杂4.5 测量方法2局部光散射栅氧化层完整性≫≫ITRS Roadmap成品率每百分之一的提升都有巨大价值！Y randomY systematic Y total 起步阶段20％80％16％上升阶段80％90％72％成熟阶段90％95％86％影响成品率的因素：5!!!......................................¾e负二项模型聚集因子¾微粒金属离子化学物质细菌污染物静电缺陷从哪里来？缺陷：Life time killers1. ¾所有可以落在硅片表面的微小颗粒1 μm2 μm 30μm 100 μm烟尘尘埃指纹印人类毛发最关心颗粒尺寸：可在空气中长时间悬浮¾可移动离子污染物Fe, Cu, Ni,Fe, Cu, Ni,每10亿单位中金属杂质Sodium（Na）50 Potassium（K）50 Iron（Fe）50 Copper（Cu）60 Nickel （Ni）60 Aluminium（Al）60 Magnesium（Mg）60 Lead（Pb）60 Zinc（Zn）60某光刻胶去除剂金属杂质含量与氢原子发生电荷交换，和硅结合而被束缚在其表面。
硅片表面氧化时，进入氧化例write, read 漏放电的峰值电流静电荷在两物体间未经控制地传递，可能损坏芯片；电荷积累产生的电场会吸引带电颗粒或极化并吸引如何控制污染、降低缺陷密度？4.2ISO, FS209E洁净度等级对照19个/M3≥0.5umISO14644-1(1999)US209E(1992)US209D(1988)EECGGMP(1989)FRANCEAFNOR(1981)GERMANYVDI2083(1990)JAPANJAOA(1989)13.520210.0M135.33M1.5113100M23534M2.51024 1,000M33,5305M3.5100A+B4,00035 10,000M435,3006M4.51,0001,00046 100,000M5353,0007M5.510,000C400,00057 1,000,000M63,530,0008M6.5100,000D4,000,00068 10,000,000M7空气洁净大于或等于表中粒径的最大浓度限值(pc/m3)度等级(N)0.1um0.2um0.3um0.5um1um5um11022 （光刻、制版）100241043 （扩散、CVD）10002371023584 （封装、测试）1000023701020352835 （单晶制备）1000002370010200352083229 61000000237000102000352008320293 7352000832002930 8352000083200029300 9352000008320000293000空气初级过滤器鼓风机亚高效过滤器高效过滤器排放口收集口出风口洁净环境洁净室局部净化垂直层流式水平层流式乱流式净化工作台净化通道局部微环境垂直层流式水平层流式乱流式净化工作台净化通道局部微环境洁净室（clean room）:泛指集成电路和其它微电子22231、屋顶：复杂的封闭式结构，有两种类型：a. 轧制铝支架加现场制作的静压箱／风道；b. 预制的整体式静压箱／风道加支架。
微电子工艺概论6-12
第六章1.离子注入的基本原理离化后的原子在强电场的加速作用下，注射进入靶材料的表层，以改变这种材料表层的物 理或化学性质2.射程R: 离子从进入靶起到停止点所通过路径的总距离R投影射程xp ：射程 R 在入射方向上的投影射程横向分量xi ：射程在垂直于入射方向的平面内的投影长度平均投影射程Rp ：所有入射离子投影射程的平均值 Rp ：投影射程离子浓度的统计波动R3.离子注入的两种能量损失机制（LSS 理论）注入离子在靶内的能量损失分为两个彼此独立的过程：(1) 核碰撞：能量为E 的一个注入离子与靶原子核碰撞，离子能量转移到原子核上，结果将使离子改变运动方向，而靶原子核可能离开原位，成为间隙原子核，或只是能量增加。
(2) 电子碰撞:注入离子与靶内白由电子以及束缚电子之间的碰撞总能量损失为两者之和4.离子注入的纵向分布函数5.离子注入的沟道效应沟道（渗透）效应：衬底为单晶材料，当离子束准确的沿着晶格方向注入时，几乎不会受 到原子核的碰撞，因此来自靶原子的阻止作用要小的多，注入深度大于在无定型靶中的深 度，其纵向分布峰值与高斯分布不同6.减小沟道效应的方法·非晶表面阻挡层：在表面生长一层纯二氧化硅薄膜，此膜层使得离子入射方向随机化， 造成离子以不同的角度进入晶片，以减小沟道效应。
·晶片偏离晶向：把晶片表面偏离主平面5°到10°。
大部分离子注入机使晶片倾斜7°， 并使主平面扭曲22°来防止离子沟道效应。
·在晶片表面设置破坏层：采用硅和锗的重离子注入给晶片表面造成预损区，在晶片表面 形成一个结构随机化的膜层。
7.退火的概念、工艺、目的·概念：利用热能将离子注入后的样品进行热处理，以消除辐射损伤，激活注入杂质，恢 复晶体的电性能·具体工艺：在某一高温下保持一段时间，使杂质通过扩散进入替位位置，成为电活性杂 质；并使晶体损伤区域“外延生长”为晶体，恢复或部分恢复硅的迁移率与少子寿命 ·目的：去除由注入造成的损伤，让硅晶格恢复原有完美晶体结构让间隙杂质进入电活性位置－替位位置恢复电子和空穴迁移率注：退火过程中应避免大幅度的杂质再分布8.列举离子注入的几个应用 ()()n e dE S E S E dx =+21()exp 22T P P P Q x R n x R R π⎡⎤⎛⎫⎢⎥ ⎪⎢⎥⎝⎭⎣⎦-=-∆∆浅结的形成对阈值电压VT的控制自对准金属栅结构CMOS、双极型的制造第七章1.CVD的概念化学气相淀积(CVD)是将构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气以合理的流速通入反应室，通过化学反应在衬底上进行薄膜淀积的工艺方法2.多晶硅薄膜淀积的基本步骤以及两个过程·淀积过程分为5个基本步骤：·氢气和硅烷混合物进入反应室；·硅烷从主气流区以扩散方式穿过边界层到达衬底硅片表面；·硅烷以及在气态分解的含硅原子团吸附在硅片表面，成为吸附原子；·吸附的硅和含硅原子团发生表面化学反应，生成硅在衬底上聚集，连接成片、被后续硅原子覆盖成为淀积薄膜；·反应副产物氢气和未反应的反应剂从衬底表面解析，扩散穿过边界层进入主气流区，被排出系统。
电子科大微电子工艺复习提纲
第三章 掺杂——离子注入
学习内容： 1. 离子注入概念及目的。 2. 离子注入工艺原理、参数及注入浓度分布。 3. 离子注入效应。 4. 离子注入设备。 5.离子注入的应用。 学习要求： 1. 掌握离子注入的概念及目的，与扩散工艺相比较离子注入
扩散的工艺目的主要是形成P－N结。结深是杂质扩散浓度 分布曲线与衬底掺杂浓度曲线的交点的位置。
6. 恒定表面源扩散杂质分布特征。 恒定表面源扩散，杂质分布满足余误差函数分布
a. 杂质表面浓度由该种杂质在扩散温度下的固溶度所决定。 当扩散温度不变时，表面杂质浓度维持不变
b. 扩散时间越长，扩散温度越高，则扩散进入硅片内的杂质 总量就越多
答：a.栅氧化层，用作MOS管栅和源漏之间的介质。 b.场氧化层，用于同型MOS管之间的电隔离。 c.掺杂阻挡层，作为扩散或注入杂质到硅中的掩蔽材料。 d.注入屏蔽氧化层，用于减小注入沟道效应和注入损伤。 e.垫氧化层，做氮化硅缓冲层以减小应力。 f.阻挡层氧化层，保护有源器件和硅免受后续工艺的影响
答：(1)初始状态时已有0.1μm的氧化层 初始时间τ ＝ ( t2ox + Atox ) / B = 0.3 h 120τ分=0钟.3h氧代化入后，，得氧to化x=0硅.4总73厚um度：t2ox＋Atox＝B(t + τ)，t=2h， 120分钟氧化的SiO2厚度为：0.473-0.1=0.373um (2) 120分钟内水汽氧化中所消耗的硅的厚度 0.373 ×0.45＝0.168um
11. 已知线性－抛物线性模型为：t2ox＋Atox＝B(t + τ)。其中， tox为硅片上生长的SiO2总的厚度(μm)；B为抛物线速率系数 (μm2/h)；B/A为线性速率系数(μm/h)；τ为生成初始氧化层所 用的时间(h)。假如硅片在初始状态时已有100nm的氧化层。 计算 (1) 在120分钟内，920℃水汽氧化过程中生长的SiO2的厚 度。(2) 在120分钟内水汽氧化中所消耗的硅的厚度是多少？ 已知：在920℃下，A=0.50μm，B=0.20μm2/h。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
(b) Substrate after etch
6.1 引 言
刻蚀的工艺目的: 把光刻胶图形精确地转移到硅片上，最后达到复制 掩膜版图形的目的。它是在硅片上复制图形的最后 主要图形转移工艺。 刻蚀工艺分类：干法刻蚀和湿法刻蚀 干法刻蚀：把要刻蚀的硅片放在具有反应气体的等 离子体真空腔中去除表面层材料的工艺过程。亚微 米 湿法刻蚀：把要腐蚀的硅片放在化学腐蚀液里去除 表面层材料的工艺过程。大于3微米 按被刻蚀的材料分：金属刻蚀、介质刻蚀、硅刻蚀 有图形刻蚀和无图形刻蚀
聚合物（Polymer）的形成
聚合物是在刻蚀过程中由光刻胶中的碳并与刻蚀 气体和刻蚀生成物结合在一起而形成的；能否形 成侧壁聚合物取决于所使用的刻蚀气体类型。 聚合物的缺点：聚合物在刻蚀结束后难以去除；
在反应室的任何地方都有聚合物，影响纵向的刻
蚀速率，增加反应室的清洗工作。
8. 等离子体诱导损伤 等离子体诱导损伤有两种情况：
6.2 刻蚀参数
为了复制硅片表面材料上的掩膜图形，刻蚀必须满
足一些特殊的要求，包括以下几个刻蚀参数。
刻蚀参数
1. 刻蚀速率 2. 刻蚀剖面 3. 刻蚀偏差 4. 选择比 5. 均匀性 6. 残留物 7. 聚合物 8. 等离子体诱导损伤 9. 颗粒沾污和缺陷
1. 刻蚀速率 刻蚀速率是指刻蚀过程中去除硅片表面材料的速度。 刻蚀速率＝ΔT / t （Å/min) 其中，ΔT=去掉的材料厚度（ Å 或 μm） t=刻蚀所用时间（min）
第六章
刻蚀
6.1 引 言
刻蚀的概念: 用化学或物理的方法有选择地去除硅片表面层材料的 工艺过程称为刻蚀。 刻蚀示意图：
Photoresist mask
Film to be etched
Photoresist mask
Protected film
(a) Photoresist-patterned substrate
干法刻蚀有各向同性腐蚀，也 有各向异性腐蚀。各向异性腐 蚀能实现图形的精确转移，是 集成电路刻蚀工艺的主流技术。
3. 刻蚀偏差
刻蚀偏差是指刻蚀以后线宽或关键尺寸的变化 刻蚀偏差＝Wa－Wb
Wb Wa Resist Film Substrate Overetch Undercut Bias Resist Film Substrate (b)
1）等离子体在MOS晶体管栅电极产生陷阱电荷引 起薄栅氧化硅的击穿。
2）带能量的离子对暴露的栅氧化层或双极结表面 上的氧化层进行轰击，使器件性能退化。 9. 颗粒沾污
颗粒沾污和缺陷由等离子体产生，是刻蚀中经常
遇到的问题，应尽量减少。
列举刻蚀的9个重要参数？ 思考：残留物和颗粒沾污的区别？
6.3 干法刻蚀
干法刻蚀过程
1. 刻蚀气体进入反应腔 2. RF电场使反应气体分解电离 3. 高能电子、离子、原子、自由基等结合产生等离子体 4. 反应正离子轰击表面－各向异性刻蚀（物理刻蚀） 5. 反应正离子吸附表面 6. 反应元素（自由基和反应原子团）和表面膜的表面反 应－各向同性刻蚀（化学刻蚀） 7. 副产物解吸附 8. 副产物去除
干法刻蚀的优点（与湿法腐蚀比）
1. 刻蚀剖面各向异性，非常好的侧壁剖面控制 2. 好的CD控制 3. 最小的光刻胶脱落或粘附问题 4. 好的片内、片间、批次间的刻蚀均匀性 5. 化学品使用费用低
干法刻蚀的缺点（与湿法腐蚀比）
1. 对下层材料的刻蚀选择比较差 2. 等离子体诱导损伤 3. 设备昂贵
(a)
4. 选择比 选择比：指在同一刻蚀条件下，刻蚀一种材料对另 一种材料的刻蚀速率之比。 高选择比: 意味着只刻除想要刻去的膜层材料，而 对其下层材料和光刻胶不刻蚀。 SiO2对光刻胶的选择比＝（ΔTsio2/t1）/（ΔT胶/t1） ＝ ΔTsio2/ΔT胶
（a）0时刻
（b）t1时刻
5. 均匀性 刻蚀均匀性是指刻蚀速率在整个硅片或整批硅片上 的一致性情况。非均匀性刻蚀会产生额外的过刻蚀。 ARDE效应-微负载效应：Aspect Ratio Dependence Etching
干法刻蚀过程
硅片的等离子体刻蚀过程图
刻蚀作用
等离子体的电势分布
①当刻蚀机电极加上射频功率后，反应气体电离形成 辉光放电的等离子体； ②在正负半周的射频电压作用下，快速运动的电子离 开等离子体轰击上下电极，使接电源的电极产生一 个相对地为负的自偏置直流电压； ③达到一定的负电荷数量后电子会被电极排斥，产生 一个带正离子电荷的暗区（即离子壳层）；
T = change in thickness T 光刻胶
被刻蚀材料
t = elapsed time during etch
Start of etch
End of etch
2. 刻蚀剖面
刻蚀剖面是指被刻蚀图形的侧壁形状 两种基本的刻蚀剖面: 各向同性和各向异性刻蚀剖面
Anisotropic etch - etches in only one direction Isotropic etch - etches in all directions at the same rate Resist Resist Film Substrate
Film Substrate
湿法各向同性化学腐蚀
具有垂直刻蚀剖的 各向异性刻蚀
湿法刻蚀和干法刻蚀的侧壁剖面
刻蚀类型 湿法腐蚀 侧壁剖面 各向同性 示意图
各向同性( 与设备和参数有关)
各向异性 (与设备和参数有关) 干法刻蚀 各向异性– 锥形
硅槽
湿法刻蚀是各向同性腐蚀， 不能实现图形的精确转移， 一般用于特征尺寸较大的 情况（≥3μｍ） 。
Emax：最大刻蚀速率 Emin：最小刻蚀速率 Eave：平均刻蚀速率
微负载效应
6. 残留物 刻蚀残留物是刻蚀以后留在硅片表面不想要的材料。 残留物的去除：湿法去胶时去除 7. 聚合物 聚合物的形成有时是有意的，是为了在刻蚀图形的 侧壁上形成抗腐蚀膜从而防止横向刻蚀，这样能形 成高的各向异性图形，增强刻蚀的方向性，从而实 现对图形关键尺寸的良好控制。
④等离子体相对于接地电极产生正电势电位。电源电 极自偏置电压的大小取决于RF电压的幅度、频率和 上下电极面积的比值。