【CN110295043A】氟化物红色荧光体的制造方法【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日
(21)申请号 201910168061.1
(22)申请日 2019.03.06
(30)优先权数据2018-057331 2018.03.24 JP
(71)申请人 国立大学法人新泻大学地址 日本新泻县 申请人 信越化学工业株式会社 N-发光股份有限公司
(72)发明人 户田健司 盐原利夫 兼子达朗 工藤嘉昭
(74)专利代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127代理人 褚瑶杨 庞东成
(51)Int.Cl.C09K 11/61(2006.01)
(54)发明名称氟化物红色荧光体的制造方法(57)摘要本发明的课题在于提供一种能够在不使用氟化氢的情况下制造的氟化物红色荧光体的制造方法。氟化物红色荧光体的制造方法的特征在于，包括如下工序：作为钾源和氟源准备氟化钾的工序；作为硅源准备聚硅氮烷、TEOS、SiO2、硅酸钾中的至少一种的工序；作为锰源准备K2MnF6、Mn(HPO4)2、Mn(CH3COO)2·4H2O、MnO(OH)2、Na2MnF6或KMnO4中的至少一种的工序；准备弱碱性、中性或酸性的溶液的工序；将所述钾源和氟源、所述硅源、所述锰源以及所述溶液进行混合的工序；以及使所述混合物反应而析出K2SiF6的工序，并且，在准备所述溶液的工序中，使用由除HF和KHF2以外的化合物制备的酸性、中
性或弱碱性的溶液。
权利要求书2页 说明书12页 附图16页CN 110295043 A2019.10.01
CN 110295043
A1.一种氟化物红色荧光体的制造方法，其特征在于，包括如下工序：
作为钾源和氟源准备氟化钾的工序；
作为硅源准备聚硅氮烷、TEOS、SiO2、硅酸钾中的至少一种的工序；
作为锰源准备K2MnF6、Mn(HPO4)2、Mn(CH3COO)2·4H2O、MnO(OH)2、Na2MnF6或KMnO4中的至
少一种的工序；
准备弱碱性、中性或酸性的溶液的工序；
将所述钾源和氟源、所述硅源、所述锰源以及所述溶液进行混合的工序；以及
使所述混合物反应而析出K2SiF6的工序，
并且，在准备所述溶液的工序中，使用由除HF和KHF2以外的化合物制备的酸性、中性或
弱碱性的溶液。
2.根据权利要求1所述的氟化物红色荧光体的制造方法，其特征在于，在准备所述溶液
的工序中，使用HCl、H3PO4、CH3COOH或H2O。
3.一种氟化物红色荧光体的制造方法，其特征在于，包括如下工序：
作为钾源和氟源准备氟化钾的工序；
作为硅源准备聚硅氮烷、TEOS、SiO2、硅酸钾中的至少一种的工序；
作为锰源准备K2MnF6、Mn(HPO4)2、Mn(CH3COO)2·4H2O、MnO(OH)2、Na2MnF6或KMnO4中的至
少一种的工序；
使所述钾源和氟源、所述硅源以及所述锰源在气体中接触而进行混合的工序；以及
使所述混合物反应而析出K2SiF6的工序。
4.一种氟化物红色荧光体的制造方法，其特征在于，包括如下工序：
作为钾源和氟源准备氟化钾的工序；
作为硅源准备聚硅氮烷、TEOS、SiO2、硅酸钾中的至少一种的工序；
作为锰源准备K2MnF6、Mn(HPO4)2、Mn(CH3COO)2·4H2O、MnO(OH)2、Na2MnF6或KMnO4中的至
少一种的工序；
使所述钾源和氟源、所述硅源以及所述锰源在气体中接触，加入少量的水或酸性溶液
后进行混合的工序；以及
使所述混合物反应而析出K2SiF6的工序。
5.一种氟化物红色荧光体的制造方法，其特征在于，包括如下工序：
作为钾源和氟源准备氟化钾的工序；
准备聚硅氮烷、TEOS、SiO2、硅酸钾中的至少一种作为硅源的工序；
作为锰源准备K2MnF6、Mn(HPO4)2、Mn(CH3COO)2·4H2O、MnO(OH)2、Na2MnF6或KMnO4中的至
少一种的工序；
将所述钾源和氟源、所述硅源、所述锰源以及水或酸性溶液收容、密闭在容器中，使它
们在该容器内接触而进行混合的工序；以及
使所述混合物反应而析出K2SiF6的工序。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的氟化物红色荧光体的制造方法，其特征在于，所
述作为钾源和氟源准备氟化钾的工序中，除所述氟化钾以外还准备氟化铵。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的氟化物红色荧光体的制造方法，其特征在于，选
择SiO2
作为所述硅源。权 利 要 求 书1/2页
2CN 110295043 A
【CN109970692A】一种铕基荧光材料及其制备方法【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日
(21)申请号 201910350587.1
(22)申请日 2019.04.28
(71)申请人 北京石油化工学院
地址 102600 北京市大兴区黄村清源北路
19号
(72)发明人 陈超 王浩 赵晨祺 林晓枫
郭文莉 李树新 伍一波 商育伟
杨丹
(74)专利代理机构 北京凯特来知识产权代理有
限公司 11260
代理人 郑立明 付久春
(51)Int.Cl.C07D 307/68(2006.01)C09K 11/06(2006.01)
(54)发明名称
一种铕基荧光材料及其制备方法
(57)摘要
本发明公开了一种铕基荧光材料及其制备
方法，该荧光材料名称为Eu2K(FDA)3(H2O)9·
(FDA)0.5，该材料分子式为：C21H25O26.5Eu2K，分子
量为1044.43，FDA为去质子的2,5-呋喃二甲酸；
该荧光材料在365nm的入射光照射下产生
25000000a.u.强度的红色荧光。其制备方法是将
2,5-呋喃二甲酸、硝酸铕和硝酸钾放入高压反应
釜中，然后加入由乙二醇：乙醇：水按1:1:1质量
比混合成的溶液中，在120℃的条件下反应得到
无色块状晶体。本发明工艺简单、化学组分易于
控制、
重复性好且产量高。
权利要求书4页 说明书9页 附图1页CN 109970692 A2019.07.05
CN 109970692
A1.一种铕基荧光材料，其特征在于，该荧光材料名称为：Eu2K(FDA)3(H2O)9·(FDA)0.5；
该荧光材料的分子式为：C21H25O26.5Eu2K，分子量为1044.43，FDA为去质子的2,5-呋喃二
甲酸；
该荧光材料的晶体结构参数为表一的参数：表一为该荧光材料的晶体结构参数
该荧光材料的相关键长和键角为表二的数据；
表二为：该荧光材料的键长和键角(°
)权 利 要 求 书1/4页
2CN 109970692 A
【CN110212075A】一种增强发光薄膜荧光发光强度的叠层结构及其制备方法【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910393599.2(22)申请日 2019.05.13(71)申请人 北京工业大学地址 100022 北京市朝阳区平乐园100号(72)发明人 闫胤洲 张玉洁 蒋毅坚 杨立学 邢承 (74)专利代理机构 北京路浩知识产权代理有限公司 11002代理人 王文君 陈征(51)Int.Cl.H01L 33/50(2010.01)C23C 14/16(2006.01)C23C 14/18(2006.01)C23C 14/34(2006.01)C23C 14/08(2006.01)C23C 14/35(2006.01)C23C 14/28(2006.01)C23C 28/00(2006.01)
(54)发明名称一种增强发光薄膜荧光发光强度的叠层结构及其制备方法(57)摘要本发明公开了一种增强发光薄膜荧光发光强度的叠层结构及其制备方法，所述叠层结构包括依次层叠连接的单层介电微球阵列、发光薄膜和衬底，同时还包括，嵌设在所述发光薄膜和衬底之间的第一金属纳米颗粒层，及嵌设在所述发光薄膜和单层介电微球阵列之间的第二金属纳米颗粒层。本发明所提供的增强发光薄膜荧光发光强度的叠层结构结合了介电微球光场调控与金属表面等离激元耦合效应的共同作用，可使得发光薄膜的发光强度显著增强，远远高于单独使用金属纳米颗粒层或单层介电微球阵列的增强效果；其制备成本低廉、方法简单、工艺耗时短、且不受任何衬底的限制，适用于高质量半导体发
光薄膜的发光增强。
权利要求书2页 说明书7页 附图7页CN 110212075 A2019.09.06
CN 110212075
A1.一种增强发光薄膜荧光发光强度的叠层结构，所述叠层结构包括依次层叠连接的单层介电微球阵列、发光薄膜和衬底，其特征在于，还包括，嵌设在所述发光薄膜和衬底之间的第一金属纳米颗粒层，及嵌设在所述发光薄膜和单层介电微球阵列之间的第二金属纳米颗粒层。2.根据权利要求1所述的一种增强发光薄膜荧光发光强度的叠层结构，其特征在于，所述单层介电微球阵列的微球直径为1.5-7.3μm；优选地，所述单层介电微球阵列为单层二氧化硅微球阵列。3.根据权利要求1或2所述的一种增强发光薄膜荧光发光强度的叠层结构，其特征在于，所述第一金属纳米颗粒层和所述第二金属纳米颗粒层分别为金、银、铝和铂纳米颗粒层中的一种；和/或，所述第一金属纳米颗粒层和所述第二金属纳米颗粒层的厚度分别15-20nm和10-15nm。4.根据权利要求3所述的一种增强发光薄膜荧光发光强度的叠层结构，其特征在于，所述第一金属纳米颗粒层为厚度为16nm的金纳米颗粒层，其中，金纳米颗粒的粒径为15-17.5nm，间距为2.5-3.6nm；和/或，所述第二金属纳米颗粒层为厚度为10nm的铝纳米颗粒层，其中，铝纳米颗粒的粒径为9.5-10.6nm，间距为1.6-2.4nm。5.根据权利要求1-4任一项所述的一种增强发光薄膜荧光发光强度的叠层结构，其特征在于，所述发光薄膜为氧化锌薄膜、碳化硅薄膜、氮化镓薄膜和氮化铝薄膜中的一种，所述发光薄膜的厚度为200-450nm；和/或，所述衬底为单晶氧化铝、单晶氮化镓和单晶硅衬底中的一种。6.一种增强发光薄膜荧光发光强度的叠层结构的制备方法，其特征在于，依次包括以下步骤：S1、在洁净干燥的衬底上溅射第一金属纳米颗粒层；S2、在所述第一金属纳米颗粒层上表面制备发光薄膜；S3、在所述发光薄膜上表面溅射第二金属纳米颗粒层；S4、配置介电微球悬浊液，并将介电微球悬浊液通过自然沉降法在第二金属纳米颗粒层上表面自组装形成呈密铺状态的单层介电微球阵列。7.根据权利要求6所述的一种增强发光薄膜荧光发光强度的叠层结构的制备方法，其特征在于，步骤S4中，所述单层介电微球阵列的自然沉降法自组装过程具体为：通过滴管将介电微球悬浊液滴涂在呈倾斜状态的第二金属纳米颗粒层上表面，单层介电微球阵列通过介电微球悬浊液中溶剂的蒸发在液体张力作用下自组装形成；优选地，所述介电微球悬浊液的溶剂为易挥发溶剂，具体为去离子水、乙醇和异丙醇中的一种。8.根据权利要求7所述的一种增强发光薄膜荧光发光强度的叠层结构的制备方法，其特征在于，步骤S4中，所述第二金属纳米颗粒层的倾斜角度为5-10度。9.根据权利要求6-
【CN110095441A】一种荧光纳米标尺部件及其制备和应用【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910318120.9(22)申请日 2019.04.19(71)申请人 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所地址 215163 江苏省苏州市高新区科技城科灵路88号(72)发明人 唐玉国 张志强 史国华 蒋克明 周武平 刘聪 张涛 黎海文 (74)专利代理机构 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250代理人 谢楠(51)Int.Cl.G01N 21/64(2006.01)G03F 7/00(2006.01) (54)发明名称一种荧光纳米标尺部件及其制备和应用(57)摘要本发明涉及超高分辨率荧光显微成像技术领域，具体涉及一种荧光纳米标尺部件及其制备和应用；本发明所述荧光纳米标尺部件包括基底层和掩模层，所述掩模层的对应位置上间隔设置沟槽，所述沟槽的截面宽度为10-200nm，掩模沟槽尺寸(宽度)小，从而保证采用所述荧光纳米标尺部件组装的荧光纳米标尺精确，可以满足对超高分辨荧光显微镜的分辨率进行标定测量的要
求。
权利要求书2页 说明书9页 附图4页CN 110095441 A2019.08.06
CN 110095441
A1.一种荧光纳米标尺部件，包括基底(1)和基底上形成的掩模层(2)，所述掩模层包括间隔设置的沟槽(21)，所述沟槽的截面宽度为10-200nm。2.根据权利要求1所述的荧光纳米标尺部件，其特征在于，所述沟槽呈等间距排列，所述沟槽的截面宽度为10-150nm；优选的，所述沟槽的深宽比为0.1-20。3.根据权利要求1或2所述的荧光纳米标尺部件，其特征在于，所述掩模层的材料选自高熔点金属或紫外可见光不能透射的非金属材料。4.根据权利要求3所述的荧光纳米标尺部件，其特征在于，所述高熔点金属选自Ta、Mo、Cr、Ti和Pd中的一种；所述紫外可见光不能透射的非金属材料为Si或高密度碳掺杂的聚合物。5.根据权利要求1-4任一项所述的荧光纳米标尺部件，其特征在于，所述掩模层的材料为高熔点金属时，所述掩模层的厚度为20-100nm；所述掩模层的材料为Si时，所述掩模层的厚度为100-200nm。6.一种如权利要求1-5任一项所述荧光纳米标尺部件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：处理基底：清洗基底表面；掩模层：形成于所述基底表面；涂布光刻胶：将光刻胶涂布在掩模层上，形成光刻胶模层，厚度为20-500nm；光刻：对光刻胶模层进行图形化，在所述光刻胶模层上形成间隔设置的沟槽的光刻图案，所述沟槽的截面宽度为10-200nm；转移图案：将所述光刻胶膜层的光刻图案转移到所述掩模层上，然后去除光刻胶。7.一种如权利要求1-5任一项所述荧光纳米标尺部件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：处理基底：清洗基底表面；涂布光刻胶：将光刻胶涂布在基底上，形成光刻胶膜层，厚度为20-500nm；光刻：对所述光刻胶模层进行图形化，在所述基底上形成间隔设置的光刻胶纳米线条结构的光刻图案，所述光刻胶纳米线条结构的横切截面宽度为10-200nm；转移图案：将掩模层材料沉积在所述基底上具有所述光刻图案的一面形成掩模层，然后去除光刻胶，将所述光刻图案转移到所述掩模层上。8.根据权利要求6或7所述的荧光纳米标尺部件的制备方法，其特征在于，采用电子束光刻的方式对所述光刻胶模层进行图形化，所述电子束光刻的电压为30kV-100kV。9.根据权利要求6所述的荧光纳米标尺部件的制备方法，其特征在于，将高熔点金属作为掩模层材料时，通过沉积、溅射或者电子束蒸发于基底上，沉积速度为0.1-0.5nm/s。10.根据权利要求6所述的荧光纳米标尺部件的制备方法，其特征在于，将Si作为掩模层材料时，在涂布光刻胶之前，将SOI基底通过HF腐蚀、Si膜水相转移，将Si附着于基底上作为掩模层材料。11.根据权利要求6、8-10任一项所述的荧光纳米标尺部件的制备方法，其特征在于，在所述转移图案步骤中，采用RIE或湿法刻蚀技术将光刻胶图案转移到掩模层上。12.根据权利要求11所述的荧光纳米标尺部件的制备方法，其特征在于，所述湿法刻蚀
【CN110079315A】一种热致变色MoOSub3SubYbEr上转换荧光粉、制备方法及其上转换
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日
(21)申请号 201910275666.0
(22)申请日 2019.04.08
(71)申请人 昆明理工大学地址 650093 云南省昆明市五华区学府路253号
(72)发明人 杨正文 李明骏 邱建备 宋志国 杨勇 周大成
(51)Int.Cl.C09K 11/67(2006.01)
(54)发明名称一种热致变色MoO3：Yb，Er上转换荧光粉、制备方法及其上转换发光可逆调控方法(57)摘要本发明涉及一种热致变色MoO3：Yb，Er上转换荧光粉、制备方法及其上转换发光可逆调控方法，属于热致变色荧光粉制备应用技术领域。该热致变色MoO3：Yb，Er上转换荧光粉，化学式为MoO3：Yb，Er。将浅黄色MoO3：Yb，Er上转换荧光粉在H2和N2还原气氛，在温度为300℃~700℃保温2h，冷却到室温后得到蓝色MoO3：Yb，Er荧光粉，再次将蓝色MoO3：Yb，Er荧光粉在空气气氛下加热，冷却到室温后又变换成浅黄色MoO3：Yb，Er上转换荧光粉；在980nm光源激发下，黄色MoO3：Yb，Er上转换荧光粉发出绿色的荧光，而蓝色MoO3：Yb，Er荧光粉发光减弱或直至不发光，通过实现MoO3：Yb，Er荧光粉颜色“浅黄色-蓝色”的多次重
复变换进行上转换发光可逆调控。
权利要求书1页 说明书4页 附图2页CN 110079315 A2019.08.02
CN 110079315
A1.一种热致变色MoO3：Yb，Er上转换荧光粉，其特征在于：化学式为MoO3：Yb，Er。
2.一种根据权利要求1所述的热致变色MoO3：Yb，Er上转换荧光粉的制备方法，其特征在
于具体步骤如下：
步骤1、首先将(NH4)6Mo7O24·4H2O、Er2O3、Yb2O3按照化学组成式的摩尔比混合均匀，加入
无水乙醇，研磨得到混合物料；
步骤2、将步骤1得到的混合物料在空气气氛下加热到500℃，保温2h后随炉冷却到室
【CN110092417A】一种氟锆酸钾的制备方法【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910309193.1(22)申请日 2019.04.17(71)申请人 南通金星氟化学有限公司地址 226400 江苏省南通市如东县洋口化学工业聚集区(72)发明人 陆鹤亭 (74)专利代理机构 南京正联知识产权代理有限公司 32243代理人 卜另北(51)Int.Cl.C01G 25/04(2006.01)
(54)发明名称一种氟锆酸钾的制备方法(57)摘要本发明公开了一种氟锆酸钾的制备方法，以二氧化锆、氢氟酸和氢氧化钾为原料制备得到。本发明的优点是：反应完毕得到的副产物只有水，而目的产物氟锆酸钾不溶于水，很容易就能将氟锆酸钾从水中分离出来，相较于传统的氟锆酸钾的制备工艺，本发明制备氟锆酸钾的方法效率更高、
成本更低。
权利要求书1页 说明书2页CN 110092417 A2019.08.06
CN 110092417
A1.一种氟锆酸钾的制备方法，其特征在于，以二氧化锆、氢氟酸和氢氧化钾为原料制备得到。2.根据权利要求1所述的一种氟锆酸钾的制备方法，其特征在于，具体操作步骤如下：a、六氟锆酸的制备：首先向反应容器中加入定量的氢氟酸，而后向反应容器的加料口中缓慢加入二氧化锆，边加入边搅拌，待二氧化锆都添加完毕再反应4-6个小时，制备得到六氟锆酸；b、氟锆酸钾的制备：边向步骤a中的反应容器中加入氢氧化钾溶液进行中和反应，边对反应容器中的反应液的pH值进行检测，当检测到反应液的pH值为7.5-8.5时停止向反应容器中加入氢氧化钾溶液，制备得到结晶状的氟锆酸钾；c、氟锆酸钾的纯化：将步骤b中的反应容器内的反应液都倒入离心机内进行离心脱水，而后将离心脱水后得到的物料进行水洗去除氢氧化钾，最后将剩余物料进行干燥，得到纯化后的氟锆酸钾。3.根据权利要求2所述的一种氟锆酸钾的制备方法，其特征在于，所述二氧化锆的浓度为99.5%，所述氢氟酸的浓度为50%，所述氢氧化钾的浓度为48%。4.根据权利要求2所述的一种氟锆酸钾的制备方法，其特征在于，所述步骤b中的水洗过程包括自来水漂洗三遍和蒸馏水清洗过程。5.根据权利要求2所述的一种氟锆酸钾的制备方法，其特征在于，所述二氧化锆、氢氟酸和氢氧化钾的用量比值范围为1:1.9-2.1:1.7-1.9，优选为1:2:1.8，所述步骤a中的反应温度为95-
【CN110204578A】一种金属有机发光钨配合物及其合成方法【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日
(21)申请号 201910377310.8
(22)申请日 2019.05.03
(71)申请人 天津大学
地址 300072 天津市南开区卫津路92号
(72)发明人 赵广久 梁悦 郭玉荣
(74)专利代理机构 天津市北洋有限责任专利代
理事务所 12201
代理人 李素兰
(51)Int.Cl.C07F 11/00(2006.01)C07D 213/38(2006.01)C07C 215/50(2006.01)C07C 213/08(2006.01)C07C 217/08(2006.01)C07C 213/02(2006.01)C09K 11/06(2006.01)H01L 51/50(2006.01)H01L 51/54(2006.01)
(54)发明名称
一种金属有机发光钨配合物及其合成方法
(57)摘要
本发明公开了一种金属有机钨配合物及其
合成方法，主要是用1倍物质的量的2,4-二取代
苯酚亚胺类化合物和1倍物质的量的二氯二氧化
钨和1:2.1至1:2.2倍物质的量的吡啶，以甲苯为
溶剂，在115℃至120℃的条件下回流反应至少24
小时，得到金属有机钨配合物，并对其紫外吸收
光谱和荧光发射光谱进行研究，紫外最大吸收波
长位于260nm左右，最大荧光发射光谱位于285nm
左右。本发明合成的金属钨配合物可作为有机发
光二极管的发光层。同时，为研究该类化合物的
性质和应用提供了依据。
权利要求书4页 说明书9页 附图4页CN 110204578 A2019.09.06
CN 110204578
A1.一种金属有机钨配合物，其特征在于，结构式是下述A、B、C、D中的一种：A：B：C：D：
其中：
MeNOON的紫外最大吸收波长位于260nm，最大荧光发射光谱位于285nm；
MeNOOO的紫外最大吸收波长位于261nm，最大荧光发射光谱位于284nm；
【CN109735332A】一种黄色荧光石墨烯量子点及其制备方法和应用【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910119217.7(22)申请日 2019.02.15(71)申请人 上海应用技术大学地址 200235 上海市徐汇区漕宝路120-121号(72)发明人 徐虎 翁维阳 李涵洋 王宇红 (74)专利代理机构 上海汉声知识产权代理有限公司 31236代理人 胡晶(51)Int.Cl.C09K 11/65(2006.01)C01B 32/184(2017.01)B82Y 20/00(2011.01)B82Y 40/00(2011.01)G01N 21/64(2006.01)
(54)发明名称一种黄色荧光石墨烯量子点及其制备方法和应用(57)摘要本发明公开了一种黄色荧光石墨烯量子点及其制备方法和应用，制备方法包括如下步骤：S1：按照投料比为0.1g∶30mL∶2mL，将久洛尼定固体，无水乙醇液体和醋酸液体混合后在室温条件下超声10分钟；S2：将超声后的反应液放在高压反应釜中，通过溶剂热法制备石墨烯量子点；S3：将反应液通过透析的方法进行纯化，透析液经浓缩、冷冻干燥后得到黄色荧光石墨烯量子点，该制备方法工艺简单，成本低廉，制得的黄色荧光石墨烯量子点粒径均匀、无毒，可作为荧光探针直接应用于水样和人体血清中硫代硫酸根和双氧水的检测，操作便捷，
检测结果准确。
权利要求书1页 说明书4页 附图6页CN 109735332 A2019.05.10
CN 109735332
A1.一种黄色荧光石墨烯量子点的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：按照投料比为0.1g∶30mL∶2mL，将久洛尼定固体，无水乙醇液体和醋酸液体混合后在室温条件下超声10分钟；S2：将超声后的反应液放在高压反应釜中，通过溶剂热法制备石墨烯量子点；S3：将反应液通过透析的方法进行纯化，透析液经浓缩、冷冻干燥后得到黄色荧光石墨烯量子点。2.一种由权利要求1所述的制备方法制得的黄色荧光石墨烯量子点。3.根据权利要求2所述的一种黄色荧光石墨烯量子点，其特征在于，其尺寸为4.1±0.4nm。4.一种权利要求2所述的黄色荧光石墨烯量子点作为荧光探针在水样和人体血清中硫代硫酸根和双氧水检测中的应用，其特征在于，包括如下步骤：S1：室温条件下取1mg权利要求2所述的一种黄色荧光石墨烯量子点，溶于10mL水中，制得浓度为0.1mg/mL的黄色荧光石墨烯量子点溶液；S2：取2-2.2mL上述黄色荧光石墨烯量子点溶液于4mL比色皿中，并加入3.5-4.5nM的碘，由于碘与黄色荧光石墨烯量子点的内虑作用，会导致明显的荧光淬灭；S3：向S2的混合溶液中加入1-4nM的硫代硫酸钠溶液，由于硫代硫酸钠与碘反应，会导致内虑作用消失，进而导致荧光恢复效果；S4：再向S3的混合溶液中加入5-5.5nM的双氧水，使碘离子与双氧水发生反应，从而生成碘单质与黄色荧光石墨烯量子点再次发生内虑作用，荧光再次淬灭，从而达到反复利用的效果。5.根据权利要求4所述的应用，其特征在于，在S2中，所取黄色荧光石墨烯量子点溶液的体积为2mL。6.根据权利要求5所述的应用，其特征在于，在S2中，加入的碘浓度为4nM。7.根据权利要求6所述的应用，其特征在于，在S3中，加入的硫代硫酸钠溶液浓度为4nM。8.根据权利要求7所述的应用，其特征在于，在S4中，加入的双氧水浓度为5nM。9.根据权利要求8所述的应用，其特征在于，在S3中，硫代硫酸钠在470nm的波长激发下，发射波长在545nm，荧光强度从6000以上明显降低至100以下，用于硫代硫酸钠的检测应用。10.根据权利要求9所述的应用，其特征在于，在S4中，双氧水在470nm的波长激发下，发射波长在545nm，荧光强度从100以下恢复至6000以上，
【CN110386930A】聚集诱导发光化合物、其制备方法及其应用【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日
(21)申请号 201910298175.8
(22)申请日 2019.04.15
(30)优先权数据62/762,037 2018.04.18 US
(71)申请人 香港科技大学地址 中国香港九龙清水湾
(72)发明人 唐本忠 赵征
(74)专利代理机构 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112代理人 高钊 李小山
(51)Int.Cl.C07D 417/04(2006.01)C07D 285/14(2006.01)C09K 11/06(2006.01)H01L 51/50(2006.01)H01L 51/54(2006.01)G01N 21/84(2006.01)G01N 21/64(2006.01)
(54)发明名称聚集诱导发光化合物、其制备方法及其应用(57)摘要本发明提供了聚集诱导发光化合物、其制备方法及其在有机电致发光器件、薄膜或生物成像中的应用，所述化合物由下式I表示：
其中各变量基团
如本文所定义。所述化合物为具有优异的深红/近红外发光特性、热力学稳定性和光学性质的全
新发光材料。
权利要求书5页 说明书19页 附图25页CN 110386930 A2019.10.29
CN 110386930
A1.一种聚集诱导发光化合物，其特征在于由下式I表示：
其中，Ar1和Ar2相同或者不同，并且各自独立地为氢、取代或未取代的成环碳原子6-18
的芳香族环烃基、取代或未取代的成环碳原子5-18的芳香族杂环基或其组合，在取代的情
况下，芳香族环烃基和/芳香族杂环基的至少一个氢被选自卤原子、烷氧基、羟基、氨基、烯
基、炔基、炔基羰基、芳基、酯基、巯基、醛基、氰基、氧原子、亚氨基、砜基、羰基、炔基酯基、亚
烯基、亚炔基、亚芳基、-C(＝O)OH、硫原子、亚硝基、硝基、任选地被一个或多个C6-C18芳香
族环烃基或成环碳原子5-18的芳香族杂环基取代的C2-C18烯基、任选地被一个或多个C6-
【CN110278627A】一种发光装置【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910193796.X(22)申请日 2019.03.14(30)优先权数据62/643,039 2018.03.14 US(71)申请人 晶元光电股份有限公司地址 中国台湾新竹市(72)发明人 张朝凯 王振宇 吴长协 郭家泰 (74)专利代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105代理人 王珊珊(51)Int.Cl.H05B 33/08(2006.01)
(54)发明名称一种发光装置(57)摘要本发明公开了一种发光装置，包含去频闪电路、包含有高电子迁移率晶体管的电流源与光源，其中，
光源电性连接去频闪电路与电流源。
权利要求书1页 说明书12页 附图18页CN 110278627 A2019.09.24
CN 110278627
A1.一种发光装置，包含：光源，包含第一端与第二端；稳定电流电路，连接该第一端，并包含第一晶体管串联该光源；以及电流源，连接该第二端，并包含第二晶体管串联该光源。2.如权利要求1所述的发光装置，其中该光源包含灯丝。3.如权利要求1所述的发光装置，其中该稳定电流电路包含高电子迁移率晶体管。4.如权利要求1所述的发光装置，还包含滤波器连接该稳定电流电路。5.如权利要求1所述的发光装置，还包含泄流电路，连接该稳定电流电路与该电流源。6.一种发光装置，包含：第一电流源，于第一电压启动；稳定电流电路，于第二电压启动并电性连接该第一电流源；第二电流源，电性连接该第一电流源；以及光源，于第三电压启动并电性连接该稳定电流电路与该第二电流源，其中，该第一电压小于该第三电压，该第三电压小于该第二电压。7.如权利要求6所述的发光装置，其中该第二电流源包含两个并联的高电子迁移率晶体管。8.如权利要求6所述的发光装置，还包含串联的齐纳二极管与电容，该齐纳二极管与该电容位于该稳定电流电路内。9.如权利要求8所述的发光装置，还包含串联着的第一电阻与第二电阻，该第一电阻与该第二电阻与该齐纳二极管及该电容并联。10.如权利要求6所述的发光装置，还包含滤波器，