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常用电子元器件基础简介

常用电子元器件基础简介

常用電子元器件基礎簡介分類:電解電容 陶瓷電容 積層電容安規電容(X 、丫電容) 麥拉電容金屬聚脂薄膜電容 SMD 電容 「熱敏電阻 壓敏電阻固定電阻(CF 、MF 、MOF ) 涂裝絕緣型繞線電阻(KNP )涂裝絕緣型無感電阻(NKNP ) 耐沖擊電阻 水泥電阻二極體電晶體 IC電感磁性元件類-電子元器件分類一保險絲類(慢速、快速)電容類電容類電阻類半導體類・光耦合器1. 電解電容2. 陶瓷電容3. 積層電容4. 麥拉電容5. 金屬聚脂薄膜電容6. 安規電容7. SMD 電容二. 電阻類1. 熱敏電阻2. 壓敏電阻3. 固定電阻4. 其它類型電阻5. 晶片電阻三. 保險類四. 半導體類1. 二極體2. 電晶體3. 光耦合器4. IC五. 磁性元件類1. 電感2. 變壓器電容器( CAPACITOR ) 電容器:是由兩個金屬電極中間夾一層電,代號“ C”介質構成的電子元件特性:是通交流(AC),隔直流(DC);通高頻阻低頻.1. 電解電容:C/E---ELECTROLYTIC CAPACITOR電解電容有正負極性之分(本體有兩個引腳,其中短腳的那一邊為負極),其本體一般都印有容值,誤差,耐壓, 製造商品牌(廠商標誌)等MARKING ,SPS 通常使用容量為0.1uF~4700uF ,誤差為20^%(M 等級),容值越 大,體積越大.單位換算:仆(法拉)=1000mF (毫法)=1000 000uF (微法)=1000 000 000(納法)=1000 000 000 000pF(皮 法). 電壓範圍有:6.3V,10V,16V,25V,35V,50V,100V,200V,400V,450V. 耐溫:85C ,105C ,工作溫度在:40~105C製造商有:(RUBYCON )馨昌,(CHEMICON )佳美工,(JAMICON )凱美,(ELITE )金日,(YIHCON ) 億泓,(PANASONIC )松下.2. 陶瓷電容:C/C---CERAMIC CAPACITOR陶瓷電容有高頻瓷介電容和低頻瓷介電容之分,Y 電容也屬于陶瓷電容,亦為安規電容.本體印有容值,誤差, 耐壓等標示. 例如容值標示:103=10 000pF , 224=22 0000Pf 電壓標示:C $50V(50V 容值下面劃有一橫線“一”).◎ 500V(本體不做標示) ©1KV,2KV(直接標示于容值下面)誤差:J( 5%),K( ±0%),M(±20%),Z(+80%-20%) 耐溫:Y 級(-25E ~85C )和 Z 級(10C ~85°C )製造商有:(TDK)東電化,(OZOK)名家,(PAN OVERSEAS)匯喬.3. 積層電容:(俗名叫 小黃豆”或“獨石電容”)作用:濾波、旁路、耦合、調諧• 符號: ------- 1 -------------- 公式:C1C2C1串聯——II ——I I ——並聯 _____ — |—1^— Cr —| C2串並聯I C 1C2C3 Cr=C1*C2/(C1+C2) ------- C r 一 Cr=C1+C2CrCr=C1*(C2+C3)/C1+(C2+C3)積層電容:C/MLC —MULTIPLE LAYER CAPACITOR,多層電極電容表面光滑•本體呈黃色,考慮其本體細小,一般只標示容值于本體,容值標示類似于陶瓷電容,如223(表示22000pf), 471 (表示470pF)誤差:J (芳%),K (±0%),M(±20%),Z(+80%-20%),S(+50%-20%),P (±00%/-0)耐壓:SPS 常用25V;50V;100V製造商有:(TDK)東電化,(OZOK)名家,(JYH CHUNG )智中4. 麥拉電容:(亦屬于塑膠電容系列)英文標示:C/MYLAR,本體顏色為GREEN,其容值,誤差,電壓直接標示于本體上,字體一般為白色誤差:J(±5%),K(±10%),M(±20%)電壓表示:1H(50V) ,1J(63V) ,2A(100VDC) ,2J (63V),1A(10V),1C(16V),0J(6.3V),3A(1000V)製造商有:(SUNTRONIC)上穩,(EUROPTRONIC GROUP)優普.5. 金屬聚脂薄膜電容:(即MINI-BOX 電容)英文標示為:C/POLYESTER,金屬聚脂薄膜電容有安規要求,外表通常為黃色,灰色,紫色. 作用:跨電源線,無線電干擾抑制器,天線耦合金屬聚脂薄膜電容容值,誤差,電壓直接標于本體,有些製造商還在本體上印有製造商品牌容值誤差有:±0%(K 級)和坐0%(M級)耐溫:-40C ~100C容值範圍通常在0.01uF~2.2uF.6. 安規電容:丫電容屬于安規電容,本體呈扁圓形,藍色,有Y1和丫2電容之分,在SPS中主要跨接于初次級中間其本體都有容值、誤差、安規MARKING、電壓、類型(Y1或丫2)等標示. 容值誤差為坐0% (M等級),耐壓為250VAC,PIN腳成型方式有直腳和KINK兩種方式.製造商有:(TDK)東電化(MURATA)村田(PAN OVERSEAS)匯喬6.2: X電容屬于安規電容,本體呈方型,黃色,有X1和X2之分別,在SPS中主要應用于EMI部分(即交流輸入部分)本體都有容值、誤差、電壓、類型、電容系列、安規MARK、製造商品牌等標示.容值誤差有±10% (K等級),±0% (M等級)耐壓:250VAC製造商有:(UTX)昱電,(CARLI )凱利,(HJC)華容,OKAYA7. SMD電容SMD電容包含貼片電解電容(C/E;SMD ),其本體無任何標示型號有0402,0805,1206,1210,1812,2220等幾種電壓有 6.3VDC,10VDC,16VDC,25VDC,50VDC,100VDC二:電阻類:1.熱敏電阻(THERMISTOR )熱敏電阻屬于安規零件,作用是吸收浪涌電流,起到保護作用•本體一般都有:系列、電流、阻值等標示,以為勤熱敏電阻為CUTTED LEAD LENGTH 4.0mmINNER KINK CUTTED LEADTOLERANCE OF RESISTANCE M: 20%RESISTANCE CODE 083:8Q 3ADISC SIZE:10书溫度特性有:X5R(-55 C ~85C );X7R(-55 C ~125°C );Y5V(-30 C ~85°C).SURGE CURRENT KILLER PRODUCT CODE誤差:±5% (L等級);±0% (M等級)熱敏電阻分類:負溫度系數熱敏電阻(NTC)和正溫度系數熱敏電阻(PTC),SPS電源中一般使用負溫度系數熱敏電阻(NTC).負溫度系數熱敏電阻(NTC)特性:溫度越高;阻值越小.正溫度系數熱敏電阻(PTC)特性:溫度越高;阻值越大.製造商有:(TKS)為勤;(CNR/CENTRA )舜全.2.壓敏電阻(VARISTOR)壓敏電阻本體都有系列本體尺寸電壓直接標于本體,以為勤為例子:TVR 07 471 K SI STRAIGHT LEAD:EPOXY COATING±10%(TOLERANCE OF VIMA)VIMA=470V(471)7 书(DISC DIAMETER)THINKING V ARISTOR RESISTANCE3. 固定電阻在電子線路中對電流起阻礙作用的電子元件,代號為“R”,是RESISTOR之第一個字母.通常所說的電阻指固定電阻,它是電子線路中使用最多的電子元件•特性:阻礙電流作用:分壓,限流R符號:-------- --------------- 或標示:①阻值:色環標示0123456789黑八、棕紅橙黃綠藍紫灰白21x102=2.1k Q 第一二位數字表示有效數字.第三位數字表示10的倍乖數.第四位數字表示誤差值.(NOTES:精密電阻:第一~三位數字為有效數字,第四位為10的倍乖數,第五位數字表示誤差值)水泥電阻之電阻值及功率直接標示于電阻本體上③誤差:誤差等級B C D F G J K M N V X Z S D誤差值±).1%±.2%±.5%±1%吃%±5%±10%±20%‘ ±30%±40%±50%±80%)+80%±:100%^20%外被顏色紫藍綠棕紅金銀無色③外被<環氧樹脂涂漆.>顏色R名稱 碳膜電阻 金屬皮膜電阻 (精密電阻)金屬氧化膜電阻 小型化電阻英文縮寫CF MFMOF SMALL SIZE顏色 米黃色藍色灰色暗紅色O 功率表示法(在電路中):1/4W1/2W 1W 2W 3W③尺寸:(功率俞大,尺寸俞大)⑥實際應用:1M Q =1000K Q =1000000 Q在電路中的作用是分壓,限流. 連接方式與計算公式:R=U/IR15W1W 以下 10Wd o尺寸 1/8W 1/4W 1/2W 1W 2W L3.26.59.01216T d O1 1D 1.8 2.3 3.2 4.5 6.0串聯:R1R2 並聯:L常用電阻功率尺寸對照表d0.6 0.8 0.80.5左右 0.6①按用途分類:分為光敏電阻,熱敏電阻,壓敏電阻,可變電阻(VR)4. 其它電阻類:除了固定電阻外還有以下電阻: 涂裝絕緣型繞線電阻(KNP) 涂裝絕緣型繞無感電阻(NKNP) 耐沖擊電壓電阻(SCF) 水泥電阻電力型法郎繞線電阻 厚膜排阻電阻器歐• 5•晶片電阻①英文:CHIP RESISTOR③標示:本體上只有標示電阻值:0/000=0Q ;121=120Q ;472=4700Q . ®誤差:J= ±%;F=±1% ◎型號/功率/耐壓對照表 型號定格電力(W)最高使用電壓(V)最高過負荷電壓(V)阻值範圍(Q )±%±2%,±5%0402 1/16 50 100 100Q -100K Q 10Q -1M Q 0603 1/10 50 100 10Q -1M Q 1 Q -10M Q 0805 1/8 150300 10Q -1M Q 1 Q -10M Q 1206 1/4 200 400 10Q -1M Q 1Q -10M Q12101/320040010Q -1M Q1Q -10M Q------------ Rx ---------------- ►Rx=R1+R2串並聯:R2Rx=R1+R2*R3/(R2+R3)2010 1/2200 400 10Q -1M Q 1 Q -10M Q 2512 120040010Q -1M Q1 Q -10M Q©額定電壓:E= P*R E:定格電壓 、P :定格電力 R:公稱電阻壓三•保險絲:保險絲屬于安規零件,英文:FUSE. 符號:FF圖形:------------ 或O 〜0分類:保險絲按熔斷時間一般分為快速保險絲和慢速保險絲,按結構又可以分為有腳和無腳保險絲 標示:保險絲屬于安規部品,所以本體都有安規符號,具體安規符號由實際申請的安規決定.,例如UL, CSA,VDE,PSE —— 作用:起到保護作用.製造商:CONQUER (功得),WALTER (華得) 四.半導體:SEMICONDUCTOR導體:導電良好的物質(金,銀,銅鐵等金屬) 絕緣體:不導電的物質(如玻璃,陶瓷,塑料) 半導體:導電性介于導體和絕緣體之間的物質(鍺,矽)特性:單向導電性.作用:整流(AC 轉DC );穩壓(穩定電壓);開關(導通和截止);發光 封裝:塑膠封裝(整流管,開關管)和玻璃封裝(穩壓管)、金屬封裝 分類:整流二極管穩壓二極管 檢波二極管1.二極體:半導體二極管是用半導體單晶材料(主要是鍺和矽及砷化鎵)制成,所以半導體器件又稱晶體器阻泥/升壓二極管 恆流二極管 變容二極管 ----命名方法:國內半導體器件命名方法 二極管的命名方法是根據分立器件型號命名方法,由5個部分組成: 第一部分:用阿拉伯數字表示器件的電極數目,2——二極管;3------三極管.第二部分:用漢語拼音字母表示器件的材料和極性,A ---表示N 型鍺材料;B---表示P 型鍺材料C---表示N 型矽材料;D---表示P 型矽材料第三部分:用漢語拼音字母表示器件類型 第四部分:用阿拉伯數字表示序號 第五部分:用漢語拼音字母表示規格號國內半導體分立器件型號命名方法規格號 序號例 1: 3 D G 180 C例 2: CS 2 B―r 1 —規格號序號高頻小功率管 NPN 型,矽材料三極管注:場效應器件,半導體特殊器件,復合管,PIN 型管,激光器件的型號命名只有第三,四,五部分.2.電晶體 電晶體大致可以分為三極體和場效應管兩種. 2.1三極體①三極體:代號TRANSISTOR(Q).電流控制器件,有三個電極(基極---B;集電極---C;發射極---E).®分類:電晶體可以分為兩類,即NPN 型和PNP 型.如上圖所示.③作用:開關2.2場效應管①場效應管:代號FET(Field Effect Transistor),電壓控制器件®分類;可以分為結型場效應管(J-FET)和金屬氧化物半導體(簡稱MOSvMetal Oxide Semic on ductor 〉 管).MOS 管又可以分為N 溝道MOS 管(N-CH)和P 溝道MOS 管(P-CH)兩種,SPS 常用P-CH.⑨管腳:有三個引腳,漏極---D(DRAIN);源極---S(SOURCE)柵極---G(GRID)④特性:輸入阻抗高,噪音低,熱穩定性好,壽命長, 3光耦合器光耦合器代號PHOTO COUPLER,光耦合器是將輸入側的發光器件和輸出側的光敏器件 (光敏電阻,光 電二極管,光電三極管,光電池,光控晶閘管等)組裝在同一管殼中構成的,發光器件與光敏器件的管芯相 互靠近且相對放置,除了前者發光,後者接收光之外,其它部分是完全封閉的 分類:光隔離型和光傳感型兩種,光傳感型又分為透過型和反射型 2種.型式:(只列舉其中幾種)4.集成電路①集成電路英文是:IC ——Integrated Circuits場效應器件(C)C ENPN 型匚②定義:集成電路是將晶體管,電阻及電容器等元器件按電路結構的要求,把一個電子單元電路或某一功能,一些功能,甚至某一整機的功能電路集中制作在一個晶片或瓷片上,然後封裝在一個便于安裝焊接的外殼之中•®優點:與分立元件相比較體積小,重量輕,功耗小,結構穩定,功能多•迪分類:按集成度分:小規模集成電路(小于100個元件);中規模集成電路(100至1000個元件);大規模集成電路(1000至數萬個);超大規模集成電路(100000個以上).另外集成電路還可以按照工藝及電路原理或按照功能進行分類•©封裝:雙列直扦型,扁平型,單列直扦型,金屬圓殼型------.⑥引腳識別:本體表面有平凹小圓點或有缺口標示處為第一腳,逆時針方向數依次遞增五.磁性元件類1.電感器:(CHOCK COIL)電感器是用漆包線在絕緣管或鐵芯,磁芯上的一種電子元件,電感器大體上有帶磁芯(包括各種磁體)和不帶磁芯的2大類.主要範圍是指電感線圈和變壓器,它們的工作原理基本上是相同的.電感線圈是根據電磁感應原理制成的,它是由導線一圈一圈地纏繞在絕緣管上,導線彼此相互絕緣, 這種元件稱為電感線圈,也叫電感器或電感•分類:常用的電感元件有固定電感器,阻流圈,電視機用行線性線圈和行,場振蕩線圈,偏轉線圈以及收音機,錄音機上用的各種電感線圈,還有延遲線和磁關等•它們在電路中起著不同的作用,但都具有在磁場中儲存能量的本領•電感器種類很多,分類方法也不統一,比較常見的方法是按工作性質,繞線結構,導磁體性質和電感形式進行分類•根據其結構和其不同的特點,在各種電器設備中常見的有單層線圈,多層線蜂圈,蜂房線圈,鐵氧體磁芯和鐵粉芯線圈,銅芯線圈,色碼電感器,阻流圈(扼流圈), 偏轉線圈,行偏轉線圈,振蕩線圈•2..變壓器:「--TRANSFORMER變壓器是電磁能轉換器件,它也是根據電磁感應原理制成的,它的主要作用是變換電壓,電流和阻抗, 在電源和負載之間進行直流隔離,以最大限度的傳送電源能量(功率).結構:結構由鐵芯(或磁芯)和線圈組成.線圈有2個或2個以上的繞組,其中接電源(或輸入信號)的繞組叫初級線圈,其余的繞組叫次級線圈•原理:當初級線圈接到交流電源或其它信號上,初級回路就有交流電流,因而在鐵芯中產生磁通.根據電磁感應原理,在次級線圈上也會產生感應電壓,當次級連接負載時,在所形成的次級回路中也會有感應電流,由于是利用磁耦合來達到傳遞電能的目的,因而在初級和次級之間就沒有電路的連接,這樣就可以較好的分別兩個回路.分類:按用途分類有電源變壓器,自耦變壓器,調壓變壓器,高頻變壓器,中頻變壓器,脈沖變壓器.。

电子产品及安全附件CCC认证安全关键元器件和材料清单更新

电子产品及安全附件CCC认证安全关键元器件和材料清单更新

电子产品及安全附件CCC认证安全关键元器件和材料清单更新
强制性产品认证(CCC认证)依据的 GB 4943.1-2022 《音视频、信息技术和通信技术设备 第1部分:安全要求》已于2022年7月19日发布,将于2023年8月1日起实施并替代 GB 4943.1-2011 和 GB 8898-2011。

为适应标准变化的要求,现将CCC认证目录中电子产品及安全附件安全关键元器件和材料清单予以更新发布,作为按 GB 4943.1-2022 实施CCC认证的型式试验报告产品描述和工厂一致性检查依据。

电子产品及安全附件强制性产品认证安全关键元器件和材料清单
说明:
1、上述标准自动适用其现行有效版本,如遇特殊情况,由国家认监委另行说明;
2、上述关键件若集成在其他部件中且不能分离,则其它部件应满足关键件的相关要求,并作为关键件列出,如,作初次级隔离用的光电耦合器集成在 IC 中,则 IC 是关键件)。

3、若整机中含有 CCC 目录内的产品或元器件且上表未列出的,应补充相关信息并按照 B 类关键件考核;
4、序号 19*仅采用 GB/T 15288 中的有关安全性能部分的要求。

5、上述安全关键件如为非标器件,应列入清单并按适用标准管控。

电子行业电子材料与元器件

电子行业电子材料与元器件

电子行业电子材料与元器件1. 介绍电子行业是现代社会中不可或缺的一部分,而电子材料与元器件是电子行业的基础。

本文将介绍电子材料与元器件的基本概念、分类及其在电子行业中的应用。

2. 电子材料2.1 电子材料的定义电子材料指的是在电子行业中用于制造电子产品的材料。

它们具有特殊的物理、化学特性,能够满足电子产品的功能要求。

2.2 电子材料的分类常见的电子材料可以分为以下几类:•半导体材料:如硅、锗等。

半导体材料具有介于导体和绝缘体之间的导电特性,广泛应用于集成电路和光电器件等领域。

•金属材料:如铜、铝等。

金属材料具有良好的导电性能,常用于连接器、导线等电子元器件中。

•绝缘材料:如塑料、陶瓷等。

绝缘材料具有良好的绝缘性能,可用于电子元器件的绝缘衬底和外壳等部分。

•功能材料:如发光材料、磁性材料等。

功能材料能够赋予电子元器件特殊的功能,如显示器件中的发光材料和磁盘驱动器中的磁性材料。

2.3 电子材料的制备与性能电子材料的制备方式多种多样,包括化学合成、物理沉积、机械加工等方法。

制备出的电子材料应具备一定的物理性能,如导电性、绝缘性、发光性、磁性等,并且要满足电子元器件制造的工艺要求。

3. 电子元器件3.1 电子元器件的定义电子元器件是由电子材料制造而成,用于电子产品中的功能部件。

它们根据功能可分为被动元器件和主动元器件两大类。

3.2 被动元器件被动元器件是指在电路中不参与能量放大或者信号处理的元器件,主要用于对电路中电流、电压进行调整、分配以及保护等功能。

常见的被动元器件包括电阻器、电容器、电感器等。

3.3 主动元器件主动元器件是指能够对电流或电压进行控制,参与信号放大和处理的元器件。

常见的主动元器件包括二极管、晶体管、操作放大器等。

3.4 电子元器件的应用电子元器件广泛应用于各类电子产品中,包括通信设备、计算机、消费电子产品等。

它们承担着信号处理、功率放大、开关控制等重要功能,是电子产品实现各种功能的关键组成部分。

电子设计基础关键元器件篇电感

电子设计基础关键元器件篇电感

电子设计根底关键元器件篇〔三〕:电感电感:当线圈通过电流后,在线圈中形成磁场感应,感应磁场又会产生感应电流来抵抗通过线圈中的电流。

我们把这种电流与线圈的互相作用关系称其为电的感抗,也就是电感,单位是“亨利〞〔H〕。

电感线圈是由导线一圈靠一圈地绕在绝缘管上,导线彼此互相绝缘,而绝缘管可以是空心的,也可以包含铁芯或磁粉芯,简称电感。

用L 表示,单位有亨利〔H〕、毫亨利〔mH〕、微亨利〔uH〕,1H=10^3mH=10^6uH。

一、电感器的作用与电路图形符号〔一〕电感器的电路图形符号电感器是用漆包线、纱包线或塑皮线等在绝缘骨架或磁心、铁心上绕制成的一组串联的同轴线匝,它在电路中用字母“L〞表示,上图是其电路图形符号,以下图是实物图。

〔二〕电感器的作用电感器的主要作用是对交流信号进展隔离、滤波或与电容器、电阻器等组成谐二、电感器的构造与特点电感器一般由骨架、绕组、屏蔽罩、封装材料、磁芯或铁芯等组成。

1.骨架骨架泛指绕制线圈的支架。

一些体积较大的固定式电感器或可调式电感器〔如振荡线圈、阻流圈等〕,大多数是将漆包线〔或纱包线〕环绕在骨架上,再将磁芯或铜芯、铜芯等装入骨架的内腔,以进步其电感量。

骨架通常是采用塑料、胶木、陶瓷制成,根据实际需要可以制成不同的形状。

小型电感器〔例如色码电感器〕一般不使用骨架,而是直接将漆包线绕在磁芯上。

空心电感器〔也称脱胎线圈或空心线圈,多用于高频电路中〕不用磁芯、骨架和屏蔽罩等,而是先在模具上绕好后再脱去模具,并将线圈各圈之间拉开一定间隔。

2.绕组绕组是指具有规定功能的一组线圈,它是电感器的根本组成部分。

绕组有单层和多层之分。

单层绕组又有密绕〔绕制时导线一圈挨一圈〕和间绕〔绕制时每圈导线之间均隔一定的间隔〕两种形式;多层绕组有分层平绕、乱绕、蜂房式绕法等多种。

3.磁芯与磁棒磁芯与磁棒一般采用镍锌铁氧体〔NX系列〕或锰锌铁氧体〔MX系列〕等材料,它有“工〞字形、柱形、帽形、“E〞形、罐形等多种形状,如右图所示。

电子与电气工程中的电子材料与元器件制造技术

电子与电气工程中的电子材料与元器件制造技术

电子与电气工程中的电子材料与元器件制造技术电子与电气工程是一个广泛而重要的学科领域,涉及到了电力系统、电子器件、通信技术等多个方面。

其中,电子材料与元器件制造技术是电子与电气工程中的核心内容之一。

本文将从材料的选择与设计、元器件制造过程以及未来发展趋势等方面,探讨电子与电气工程中的电子材料与元器件制造技术。

一、材料的选择与设计在电子与电气工程中,材料的选择与设计是电子材料与元器件制造技术的基础。

材料的选择需要考虑到其物理特性、电学特性以及可靠性等因素。

例如,对于集成电路来说,硅材料是最常用的基底材料,因为硅具有良好的半导体特性和可加工性,适合用于制造微电子器件。

而对于电容器来说,电介质材料的选择则需要考虑到其介电常数、介电损耗以及耐电压等特性。

在材料的设计方面,需要综合考虑器件的功能需求、制造工艺以及成本等因素。

例如,在高频电子器件中,需要选择具有低损耗和高电导率的材料,以提高器件的工作效率。

同时,还需要考虑到材料的制造工艺,例如薄膜沉积、光刻和离子注入等工艺,以确保材料能够满足器件的制造要求。

二、元器件制造过程元器件制造过程是电子材料与元器件制造技术的核心环节。

它包括了材料的加工、器件的制造以及测试与封装等步骤。

首先,材料的加工是指将原始材料进行切割、清洗和涂覆等处理,以获得符合要求的材料形态。

例如,在集成电路的制造过程中,需要将硅片进行切割成小尺寸的芯片,并通过化学和物理方法进行清洗和涂覆,以去除杂质和形成合适的表面。

其次,器件的制造是指将加工好的材料进行组装和加工,以制造出具有特定功能的电子器件。

在制造过程中,需要使用到各种工艺技术,例如光刻、薄膜沉积和离子注入等。

通过这些工艺技术,可以在材料表面形成细微的结构和器件元件,如晶体管、电容器和电感等。

最后,测试与封装是指对制造好的器件进行性能测试,并将其封装为成品。

测试的目的是验证器件的电学特性和可靠性,以确保其符合设计要求。

封装则是将器件进行封装,以保护其免受外界环境的影响,并方便与其他器件的连接和使用。

电子材料与元器件介绍

电子材料与元器件介绍
1
以电子学和光电子学为代表的信息产业已成为当今知识经 济时代国民经济和社会发展的战略性基础产业和支柱产业。 而电子功能材料与器件则是电子学和光电子学的重要物质 基础与先导。
电子信息材料是指以电子或光子为载体、用于制造各种电 子及光电子元器件、半导体集成电路、纳米电子器件、磁 性元器件、电子陶瓷器件等的材料。
6
基于光电子材料
1960年出现第一台红宝石激光器。 固态激光器(包括固体激光器和半导体激光器),
A1GaAs半导体激光器和lnGaAsP半导体激光器。 1991年提出和发现光子晶体。
光子晶体是一种介质或金属材料在空间呈周期性排列 并能自由控制光的人造晶体。光子晶体内部的光学折 射率呈周期性分布。
同时又是一种多学科交叉的学科,涉及到电子技术、光学、 物理化学、固体物理学和工艺技术等多学科知原理并不排斥通过操纵单个原 子来制造物质。这样做并不违反任何 定理,而且原则上是可以实现的。毫 无疑问,当我们得以对细微尺度的事 物加以操纵的话,将大大扩充我们可 能获得物性的范围 。 ---费曼,1959
随着电子学向光电子学、光子学迈进,微电子材料 在未来10~15年仍是最基本的信息材料,光电子材 料、光子材料将成为发展最快和最有前途的信息材 料。
9
1 硅基半导体材料
硅单晶研发的主要方向:提高硅集成电路成品率、性能,降 低成本,增大直拉硅单晶的直径,解决缺陷等。
2013年进入32纳米技术代,栅长13nm;2016年进入22纳米技 术代,栅长9nm;2022年栅长将是4.5nm。
半导体芯片上晶体管数量及特征尺寸的变化趋势 3
以半导体材料为载体 摩尔定律
18个月,IC集成晶体管数目翻倍 18个月,IC产品性能提高一倍 18个月,相同性能产品降价一半

产品关键元器件清单

产品关键元器件清单

开关类
控制器类
照明部件类
电容器类
保护装置类 热熔断体 压缩机热保护器 电动机热保护器 电动机 变压器 GB9816 GB14536 GB14536 GB12350 GB19212.5 GB19212.7 GB19212.18
绕组类
注:器具上所使用的非金属材料应有耐热、耐燃和耐漏电起痕的性能。申请人应随整机 提供所使用的相关的非金属零部件每种 2—3 个,或提供相应非金属材料样块(125×13 ×3 mm)5 块。
随机检测送样源线组件 电源插头
电源连接类
电源线 耦合器 (含连接器) 连接器件 扁形快速连接器 各类开关 继电器 温度控制器 时间控制器 电控制器 电动水阀 能量调节器 电动机用继电器 螺口灯座 各类镇流器 启辉器 卡口灯座 荧光灯座/启动器座 气体放电灯镇流器 各种电容器 小型熔断器
送样数量 12 组 12 个 50 米 12 套 10 个 24 个 10 个 10 个 10 个 10 个 10 个 10 个 10 个 10 个 12 个 10 个 30 个 12 个 10 个 17 个 46 个 48 个(管状 熔断体) 66 个(超小 形熔断体) 60 个 10 个 10 个 2个 7个
对应标准 GB15934 GB2099.1 GB1002 GB5013 GB5023 GB17465 GB13140 GB17196 GB15092 GB14536 GB14536 GB14536 GB14536 GB14536 GB14536 GB14536 GB17935 GB15143(电子) GB2313(电感) QB2276 GB17936 GB1312 GB14045 GB/T3667.1 GB9364
产品关键元器件清单
元件名称 电源线 插头 电线组件 内部导线 快速扁平接插件 电动机 电子线路板 程序控制器 开关 接线柱 电磁阀 温控器 定时器 发热元件 电容器 变压器 继电器 热断路器 保险丝 材料 制造商/商标 型号/规格 技术参数 适用标准 认证标志

工业“四基”发展目录(word版)

工业“四基”发展目录(word版)

前言令狐采学工业基础是支撑和推动制造业发展的支撑条件,是我国制造业赖以生存发展的基石,是制造业核心竞争力的根本体现,是我国制造强国建设的决胜制高点。

随着制造业的发展,我国工业基础能力取得了一定成就,关键技术突破能力增强,具有自主创新能力的骨干企业稳步成长,产业技术基础体系逐步建立,基本满足整机和系统的一般性需求。

但是,与发达国家相比,我国工业基础能力薄弱问题依然严峻,尤其是经济发展进入新常态以后,核心基础零部件(元器件)、关键基础材料、先进基础工艺和产业技术基础(简称:四基)严重依赖进口,产品质量和可靠性差,创新体系缺失,制约制造业由大到强的瓶颈更为凸显。

因此,未来5-10 年,强化工业基础能力,夯实制造业基础,则实现制造强国根深本固。

国务院牵头编制并于 2015 年 5 月 8 日正式发布了《中国制造2025》,对强化工业基础能力做出战略部署,提出实施工业强基工程,明确到2025 年,70%的核心基础零部件、关键基础材料实现自主保障,80 种标志性先进基础工艺得到推广应用,部分达到国际领先水平,建成较为完善的产业技术基础服务体系,逐步形成整机牵引和基础支撑协调互动的产业创新发展格局。

2016 年 8 月 19 日,工业和信息化部、发展改革委、科技部、财政部联合印发《工业强基工程实施指南》,围绕《中国制造 2025》十大重点领域,开展重点领域“一揽子突破行动”,实施重点产品“一条龙”应用计划,建设一批产业技术基础平台,培育一批专精特新“小巨人”企业,推动“四基”领域军民融合发展。

为营造从国家到企业全社会重视工业基础的氛围,引导企业从事工业基础领域,鼓励社会资本参与工业基础领域发展,发挥金融体系支持工业基础能力的作用,国家制造强国建设战略咨询委员会特组织编制了核心基础零部件(元器件)、关键基础材料、先进基础工艺、产业技术基础的发展目录,汇总成册,称为《“四基”发展目录》。

发展目录的编制始于 2015 年 3 月启动,动员了 40 多位院士、200 多位专家和相关企业高层管理人员参加,广泛征集了行业协会、学会、企业、科研院所的意见,并将征求意见稿抄送工信部、发展改革委、科技部、财政部、质检总局、工程院、国防科工局。

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电子基础材料和关键元器件电子基础材料和关键元器件“十二五”规划全文作者工业和信息化部发布时间2012-02-29 082225 来源RFID中国网关键词电子基础材料元器件十二五文档技术文档| 技术原理| 软件| 产品资料| 方案案例| 智能卡分享到前言电子材料和元器件是电子信息产业的重要组成部分,处于电子信息产业链的前端,是通信、计算机及网络、数字音视频等系统和终端产品发展的基础,对于电子信息产业的技术创新和做大做强有着重要的支撑作用。

为全面科学地总结“十一五”的发展经验,明确“十二五”期间我国电子基础材料和关键元器件产业的发展方向,确保产业健康发展,根据工业转型升级“十二五”规划、信息产业“十二五”发展规划和电子信息制造业“十二五”发展规划,制定本规划。

本规划涉及电子材料、电子元件、电子器件三大行业中的基础材料和关键元器件,是“十二五”期间我国电子基础材料和关键元器件产业发展的指导性文件,以及加强行业管理、组织实施重大工程的重要依据。

一、”十一五”产业发展回顾(一)产业规模稳步增长我国电子材料和元器件产业在“十一五”期间产量、销售额、进出口总额都有较大幅度提升,增强了我国作为基础电子生产大国的地位。

虽然其间受国际金融危机冲击,产业经历小幅调整,但总体发展稳定。

2010年,在国内行业整体增长特别是新兴产业快速发展的带动下,行业恢复发展到历史最高水平。

“十一五”期间,我国电子材料行业销售收入从2005年的540亿元增长至1730亿元,年均增长率26;电子元器件销售收入年均增长率16,从2005年的6100亿元增长到超过13000亿元,其中印制电路销售收入1230亿元,化学与物理电源销售收入2978亿元,显示器件销售收入380亿元。

(二)企业实力进一步增强随着“大公司”战略的深入,我国已初步建立起一批具有自主创新能力、具备国际竞争力的电子材料和元器件大公司。

在某些专业领域,已经具有相当强的实力,不论是产品产量还是质量,都位居世界前列。

近10年来,我国电子元件百强企业的销售收入总额增长2.84倍,年平均增长率为12.32。

2010年,我国电子元件百强企业共完成销售收入1544.9亿元,实现利润总额139.58亿元,出口创汇55.83亿美元。

2010年元件百强企业中,有39家企业的销售收入超过10亿元,有7家企业的销售收入超过50亿元。

“十一五”期间我国印制电路产业规模超过日本和美国成为世界第一大生产国,2010年,我国印制电路百强企业平均销售额超过8.26亿元,合计规模占全国总量60,年均增长超过15。

民营电子材料和元器件企业的生产规模、产品质量在“十一五”期间飞速发展,“十一五”末,民营企业数量占全行业的48,销售收入占全行业的30,上缴税金占全行业的47,上市公司逐年增多。

(三)生产技术水平持续提升“十一五”期间,国产电子材料配套能力显着提高,在硅材料、半导体照明材料、电子陶瓷材料等领域技术水平进步显着。

在最能代表行业发展水平的硅材料上,国内产品水平有了大幅的提升,已建成了年产12万片的12英寸硅片中试线,12英寸掺氮直拉硅单晶抛光片也可以小批量生产,标志着我国电子材料技术正逐步进入国际先进水平行列。

“十一五”期间,我国电子材料和元器件生产技术水平持续提升,重点产品本地化率大幅提高。

“十一五”初期,我国光纤预制棒完全依赖进口;“十一五”末,我国光纤预制棒总产量达700吨,已占国内使用总量的30。

国内印制电路技术由传统单、双面生产技术向高多层、高密度互联板(HDI)方向迈进,国内企业已经掌握先进的HDI生产技术,主要产品产量、销售额的绝对量已经由传统多层板向高多层乃至20层以上提升。

第6代及以上高世代液晶面板生产线建成并量产,扭转了我国大尺寸电视用液晶面板完全依赖进口的被动局面,标志着我国平板显示产业开始进入大尺寸产品领域。

等离子显示器(PDP)领域,国内已具备量产50英寸PDP 模组的能力,技术水平进一步提升,产业链本地化配套建设取得阶段性成果。

为在未来显示竞争中争取主动权,国内企业已纷纷开展有机发光显示器(OLED)技术研发及产业化布局,已有1条无源有机发光显示器(PM-OLED)生产线投产,多条有源有机发光显示器(AM-OLED)生产线正在进行紧张建设。

(四)清洁生产稳步推进,循环经济初步发展“十一五”期间,电子材料和元器件产业以印制电路、多晶硅和电池行业为重点,稳步推进节能减排和循环经济发展。

印制电路行业一批先进的技术和设备如“废印制电路板物理回收技术及设备”、“蚀刻废液循环再用技术及设备”、“低含铜废液处理技术及设备”在行业推广应用,许多企业自愿开展了清洁生产审核。

“十一五”期间,氢镍电池、锂离子电池等电动车用动力电池已进入产业化发展阶段,太阳能电池等可再生能源快速发展,电池生产企业“节能、降耗、减排、治污”取得了一定成效,企业的生产环境和条件大为改善。

(五)产业发展仍存在突出问题本土企业规模偏小且分散不集中,缺乏具有国际竞争能力的龙头企业;研发能力较弱,产业上下游缺乏协作、互动;全行业的对外依存度过高,许多关键原材料及零配件需要从国外进口;行业标准发展相对滞后,关键电子元器件和电子材料质量与可靠性水平有待进一步提高;推进节能减排、清洁生产和发展循环经济仍面临较大的压力。

二、“十二五”面临的形势(一)产业面临良好发展机遇在国家转变经济发展方式的大方针指引下,我国电子材料和元器件产业将迎来促进产业升级关键时期和历史性发展机遇。

战略性新兴产业的培育和发展,数万亿元的投资规模,给电子材料和元器件产业提供了前所未有的创新发展空间。

新兴产业带来巨大配套需求让行业呈现出更为广阔的市场前景。

(二)技术创新孕育新的突破智能、绿色、低碳、融合等发展趋势催生产业技术创新。

埋置元件技术、印制电子技术、多功能电子模块技术等突破性技术正快速发展。

面向新兴产业采用新工艺、新技术、新材料的新型产品,以及不断缩短的产品更新换代时间,将更为有力地促进技术的发展与提升。

为达到体积更小、成本更低、精度和集成度更高的目的,采用新工艺、新技术的新型电子材料和元器件的发展前景十分光明。

(三)外部环境变化对产业的挑战日趋严峻“十二五”期间,人力资源成本压力更大,单纯依靠低廉劳动力开展生产经营的企业将步履维艰,通过产业转移降低人力成本,提高产品的附加值,将成为生产企业发展壮大的必由之路。

随着世界经济全球化的发展,国际竞争将更加激烈,由此产生的贸易摩擦也将日益增多。

东南亚、印度、巴西、俄罗斯等国家和地区将逐渐成为新的电子材料和元器件主要生产区,对我国在该产业的“世界工厂”地位形成威胁。

国际经济形势不确定性因素日益增强,尤其是对全球资源的争夺和国际大宗商品价格波动对国内产业影响越来越大。

国际汇率波动,尤其是人民币升值对电子材料和元器件出口厂家竞争力具有较大影响。

(四)产业面临转型升级的迫切需要随着全球经济结构的进一步调整和产业转移,我国电子材料和元器件产品结构已逐步向中高端迈进。

“十二五”期间需抓紧新一轮经济发展机遇,主动引导产业淘汰落后产能,优化产业资源配置,增强产业配套能力,提高自动化生产效率,为推动电子信息产业发展提供有力支撑。

三、产业发展的指导思想和目标(一)指导思想按照国务院加快培育和发展战略性新兴产业的总体部署,紧紧围绕电子信息产品和战略性新兴产业的发展需求,以推动产业结构升级为主线,以创新主导价值提升,以优化产品性能、降低成本为动力,提高电子材料和元器件产业竞争力;以量大面广的产品为突破口,大力推进市场前景广、带动作用强、发展基础好、具有自主知识产权的电子材料和元器件产业化发展。

(二)发展目标 1.经济指标“十二五”期间,我国电子材料年均增长率8,到2015年销售收入达2500亿元;电子元件年均增长10,到2015年销售收入超18000亿元,其中化学与物理电源行业销售收入达4000亿元,印制电路行业实现销售收入1700亿元;电子器件年均增长25,达到1800亿元,其中平板显示器件产业年均增长超过30,销售收入达到1500亿元,规模占全球比重由当前的5提升到20以上。

2.结构指标高端电子材料占全行业产品的40以上,国产材料配套能力显着提升。

继续推动大公司战略,培养10个以上年销售收入超过100亿元的电子元件大公司,争取电子元件销售收入亿元以上企业占到全行业销售收入总额的75。

国内平板显示生产技术达到国际先进水平,形成2~3个年销售收入在300亿元以上的龙头企业,全面支撑我国彩电产业转型和升级。

3.创新指标大力加强自主创新和民族品牌的建设,形成一批具有自主知识产权、具有国内国际知名品牌与影响的企业,初步形成一批以研发为驱动力的创新型中小企业。

推进知识产权建设,力争“十二五”期间,全行业新申请的核心专利数量和重要标准拥有量有较大幅度的提升,其中发明专利增长10以上。

4.节能环保指标规划期间,通过节能减排和资源综合利用及推进清洁生产,提高三废中有用物质的回收利用率,减少对环境的影响,印制电路行业实现铜回收再利用率由目前的45提高到80以上,水回收再利用率由20提高至30以上。

四、主要任务和发展重点(一)主要任务 1.推动产业升级我国已是电子元器件生产大国,但产品大多属于中低端,产品附加值低、价格低廉、利润微薄。

“十二五”期间,需借助战略性新兴产业迅猛发展的契机,加快为战略性新兴产业配套的高端产品的研发和产业化速度,提升关键元器件及材料的质量和档次,争取在关键领域实现部分甚至全面本地化替代。

结合实施重大工程,推动结构调整和产业升级,继续实施大企业战略,引导大型骨干企业加强对本土材料、设备的应用,形成结构优化、配套完整的基础产业体系。

2.加强科技创新发挥政府引导和推动作用,创新行业管理方式,引导创新要素向企业集聚,引导企业围绕产业技术创新的关键、共性技术问题进行联合攻关。

完善以企业为主体,“产、研、学、用”相结合的自主创新体系,依托企业建立产业联盟突破核心技术、关键设备与材料。

3.统筹规划产业布局通过宏观调控和市场资源配置等手段,聚集资源,推动企业联合重组,提高产业集中度,培育和鼓励骨干企业做大做强。

以地区和产品为纽带,打造产业集群,推进产业链的进一步完善和形成,做强电子材料和元器件产业。

积极推动通过产业转移进行结构调整和新的产业布局,为行业持续长久发展创造条件。

4.加强自主品牌建设支持企业创立自主品牌,提升本土产品的国际竞争力;引导企业加强产品质量管理,提升品牌形象;强化产品质量体系建设,通过树立品牌更好地参与国际竞争。

5.促进产业协同发展引导电子元器件企业与上游材料、设备企业开展合作,突破原材料、设备核心技术;引导和推动计算机、通信、家电等行业有实力的整机企业向产业链上游“纵向发展”,使其在提升自身配套能力的同时,推动元器件行业发展,形成联动的产业格局。

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