TC660十二脉波三相可控硅触发板

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CHIPTRONIC TC360 三相可控硅触发板使用说明书

C HIPTRONICTC360数字式三相全控整流触发板使用说明书（双闭环恒压恒流控制）---------------------------------------------------------------------------------------------------------- 深圳市中软创芯电子有限公司版权所有电话Tel：*************传真Fax：*************手机Mob：189****8358技术支持QQ：1092081589邮箱Email：******************网址：版本号：V3.0（2016）---------------------------------------------------------------------------------------------------------- 请下载电子版，本说明书内容仅供参考，我们将不断改善用户体验，如技术参数变更，恕不另行通知用户。

目录操作前的安全规范及注意项……………………………………………………………………………………………………………3页一、产品概述……………………………………………………………………………………………………………………………5页二、技术规格……………………………………………………………………………………………………………………………5页三、性能特点……………………………………………………………………………………………………………………………6页四、参数设置与使用操作说明…………………………………………………………………………………………………………7页五、输出控制方式操作说明……………………………………………………………………………………………………………9页六、常见故障分析及排除………………………………………………………………………………………………………………10页七、控制过程中的相关原理示意图……………………………………………………………………………………………………11页八、主回路及控制回路接线示意图……………………………………………………………………………………………………12页我们产品的元器件：* 电源变压器采用军工级品质变压器，环氧树脂灌封，经过高温老化锤炼的高品质产品；* 主控芯片采用ATMEL MEGA系列工业级高性能处理器，拥有超强的运算处理能力以及可靠的抗干扰能力；* 被动元器件基本为国巨Yageo品牌，耐高温，低漂移，器件工作寿命达10年以上；* 关键被动器件采用村田Murata及英飞凌Infineon品牌，保证控制板高压关键部位不易损坏；* 接线端子采用町洋DINKLE品牌，内部铜合金制成，不像市场上的控制板是采用铁质端子；* 控制板本安型设计，电源处采用自恢复保险丝来限制电流输出，防止外接线端子意外短路损坏控制板；* 配合我们多年引领行业的核心控制算法及SMD贴片工艺，保证控制板具有可靠稳定的性能。

三相可控硅触发板说明电路图

三相移相可控硅触发器产品例图产品型号TSCR-B三相可控硅触发器优特点：只要个信号：（多种控制信号输入：DC 4-20mA、DC 1-5V、10k电位器），就能给出最佳线性，任意调温调速调压。

可直接触发800A以下的晶闸管另有3000A以下的触发板。

本控制板由进口高性能单片机作为控制、运算放大器、脉冲变压器等单元组成。

可以与各种自动化仪表配套使用，对仪表无干扰，也可以外接电位器手动控制，额定电压：AC380-440产品系列：TR电流性质：交流额定电流：800A 线圈功率：75mA触点切换电流：1触点切换电压：1防护特征：敞开式触点负载：弱功率应用范围：固态型号：TSCR-B吸合电流：1释放电流：1品牌：月盛触点形式：模拟量控制适应电路三相全控桥式可控整流电路带平衡电抗器的双反星形可控整流电路变压器原边交流调压，副边二极管整流电路三相零式整流电路三相半控桥式可控整流电路三相交流相控调压电路三相五柱式双反星形可控硅整流电路三相可控硅触发板接线图（全控整流）三相可控硅触发板接线图（相位调压）.一、可控硅模块产品概述：1.散热能力最强，同等条件温升最低且长期稳定2.外形长方型，环氧树脂灌封(模块)。

3.使用时需配适当散热器，必要时加强迫风冷。

4.国际标准封装。

5.阻燃工程塑料外壳，黄铜底板6.用途广范:如电气开关柜,自动化控制，大功率设备等二.以下是可控硅模块参数:.型号MTC-100A MTC-150A MTC-200A 额定工作电压1200V，1700V反向重复峰值电压800-1200反向重复峰值电流≤20mA浪涌电流ITMS(A) 2980门极触发电流（ma）≤150门极触发电压（V）≤2.5VDC维持电流IH(mA) ≤150通态压降VTM(V) ≤1.8通态门槛VTO(V) 0.80结壳热阻Rth（j-c）0.20（C/W）内部电路工作温度—35～75 ℃散热条件≥25A配散热器,≥40A再加风扇强冷外形尺寸94.0长×38.0高×35.0宽重量168g三.可控硅模块外形尺寸和安装接线图:(单位:mm).四.月盛可控硅模块型号对照表：如有侵权请联系告知删除，感谢你们的配合！。

关于触发脉冲的讨论

周年专刊：关于触发脉冲的讨论（只为励磁来，Leildy，Chenxm，Admin）可控硅的导通条件是：阳极加正电压，门极加正电压，导通后门极失去控制作用。

那么想请教一下触发脉冲到底是怎么触发的？好像有什么双脉冲、宽脉冲，谁能详细讲讲，谢谢！简单来说，三相6脉冲全控整流电路共阴极，共阳极支路总共6只管子（不考虑串并联），在一个周期内，共阴极和共阳极管子轮流导通，且每隔60度，一个关断另一个导通，故总共要触发6次，每个管子导通120度。

单宽脉冲是比较早应用的一种触发方式，此脉冲宽度要大于60度，也就是意味着要在此宽度内导通两只管子（一只共阴极，一只共阳极），故整个周期内只发三个脉冲即可，从硬件角度来说节省了（对于早期模拟式器件），但损耗增大了。

后来随着数字式触发器件的发展，已不再象模拟时期要有很多硬件完成触发功能，更关心减少损耗，而双窄脉冲更适合此发展，因为这样每个周期要触发六次，但是每次的宽度都减少了，只要够维持此管子导通即可，故损耗大大降低了，所以现在普遍采用双窄脉冲的触发方式。

我得理解就是这些，希望进一步交流。

Chenxm：对于三相全控桥来说，功耗最小，前沿最陡，传输效率最高的脉冲是双窄脉冲列：用高频脉冲列构成一个双窄脉冲，高频频率为10KHZ左右。

触发脉冲需要用脉冲变压器传输能量，而变压器的传输效率是传输量的频率越高效果越好，在相同传输能力的情况下，宽脉冲需要大的变压器，且脉冲顶部的直流衰减很大；双窄脉冲需要中等大的变压器；双窄脉冲列只需要小变压器即可。

采用脉冲列技术的励磁有：siemens励磁，能达励磁，GE励磁等。

这是我推崇的脉冲技术，是西安电力电子技术搂晓峰传授给我的技术。

双窄脉冲列构成原理：用双窄脉冲去控制一个高频振荡器的输出，即在双脉冲存在的期间，高频脉冲输出，否则，高频振荡不输出。

这样，双窄脉冲列就形成。

这可是最好的脉冲形式。

Admin：楼上的各位说的真好，各有各的看法，我也说说吧：对于三相全控整流电路来说，在任何时刻都必须有两个晶闸管导通，才能形成导电回路，所以为了保证共阴极组和共阳极组各有一只管子导通，或者由于电流断续后再次能导通，必须对两组中应该导通的一对管子同时给触发脉冲，所有就有两种方法：一种是宽脉冲（大于60度）；另一种是在触发某一号管子的同时给前一号管子补发一个脉冲，也就相当于两个窄脉冲等效替代大于60度的宽脉冲，即双脉冲触发。

可控硅的工作原理

可控硅中频电源的工作原理可控硅中频电源的基本工作原理,就是通过一个三相桥式整流电路,把50 Hz的工频交流电流整流成直流,再经过一个滤波器(直流电抗器)进行滤波,最后经逆变器将直流变为单相中频交流以供给负载,所以这种逆变器实际上是一只交流—直流—交流变换器,其基本线路如图2 。

下面分整流电路,逆变电路及保护回路分别进行一些介绍。

一三相桥式全控整流电路的工作原理1 三相桥式全控整流电路的工作过程。

三相桥式全控整流电路共有六个桥臂,在每一个时刻必须2个桥臂同时工作,才能够成通路,六个桥臂的工作顺序如图3 。

现假定在时刻t1-t2(t1-t2的时间间隔为60o电角度，既相当于一个周波的1/6)此时SCR 1和SCR6同时工作(图3(a)中涂黑的SCR),输出电压即为VAB。

到时刻t2-t3可控硅SCR2因受脉冲触发而导通,而SCR6则受BC反电压而关闭,将电流换给了SCR2,这时SCR1和SCR2同时工作,输出电压即为VAC,到时刻t3-t4,SCR3因受脉冲触发而导通，SCR1受到VAB的反电压而关闭,将电流换给了SCR3,SC R2和SCR3同时工作,输出电压为VBC,据此到时刻t4-t5, t5-t6, t6-t1分别为SCR3和SCR4, SCR4和S CR5, SCR5和SCR6 同时工作,加到负载上的输出电压分别为VBA,VCA,VCB,这样既把一个三相交流进行了全波整流,从上述分析可以看出,在一个周期中,输出电压有六次脉冲。

这种整流电路由于在每一瞬间都有两个桥臂同时导通,而且每个桥臂导通时间间隔为60o,故对触发脉冲有一定要求,即脉冲的时间间隔必须为60o,而且如果采用单脉冲方式,脉冲宽度必须大于60o,如果采用窄脉冲,则必须采用双脉冲的方法, 既在主脉冲的后面60o的地方再出现一次脉冲。

2 三相同步及触发线路1)三相同步的选取及整形根据三相桥式全控整流过程的有关要求,首先要保证触发电路与三相电源严格同步。

英飞凌 FP50R12N2T7P EconoPIM 2 模块数据表

EconoPIM ™2 模块采用第七代沟槽栅/场终止IGBT7和第七代发射极控制二极管带有温度检测NTC 和预涂导热介质特性•电气特性-V CES = 1200 V-I C nom = 50 A / I CRM = 100 A -沟槽栅IGBT7-低 V CEsat-过载操作达175°C•机械特性-高功率循环和温度循环能力-集成NTC 温度传感器-铜基板-低热阻的三氧化二铝 Al 2O 3 衬底-预涂导热介质-焊接技术可选应用•辅助逆变器•电机传动•伺服驱动器产品认证•根据 IEC 60747、60749 和 60068标准的相关测试，符合工业应用的要求。

描述FP50R12N2T7PEconoPIM ™2 模块内容描述 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1可选应用 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1产品认证 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1内容 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2 1封装 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3 2IGBT, 逆变器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3 3二极管,逆变器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5 4二极管,整流器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6 5IGBT, 斩波器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7 6Diode-斩波器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8 7负温度系数热敏电阻 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9 8特征参数图表 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .10 9电路拓扑图 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16 10封装尺寸 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16 11模块标签代码 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .17修订历史 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .18免责声明 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .191封装表 1绝缘参数特征参数代号标注或测试条件数值单位绝缘测试电压V ISOL RMS, f = 50 Hz, t = 1 min 2.5kV 模块基板材料Cu内部绝缘基本绝缘 (class 1, IEC 61140)Al2O3爬电距离d Creep端子至散热器10.0mm 电气间隙d Clear端子至散热器7.5mm 相对电痕指数CTI>200相对温度指数 (电)RTI封装140°C 表 2特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值杂散电感,模块L sCE35nH 模块引线电阻,端子-芯片R AA'+CC'T H=25°C, 每个开关 5.5mΩ模块引线电阻,端子-芯片R CC'+EE'T H=25°C, 每个开关 4.8mΩ储存温度T stg-40125°C 最高基板工作温度T BPmax150°CM5, 螺丝36Nm 模块安装的安装扭距M根据相应的应用手册进行安装重量G180g注:The current under continuous operation is limited to 50 A rms per connector pin.Storage and shipment of modules with TIM => see AN2012-072IGBT, 逆变器表 3最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位集电极－发射极电压V CES T vj = 25 °C1200V 连续集电极直流电流I CDC T vj max = 175 °C T H = 90 °C50A 集电极重复峰值电流I CRM t P = 1 ms100A 栅极－发射极峰值电压V GES±20V表 4特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值集电极－发射极饱和电压V CE sat I C = 50 A, V GE = 15 V T vj = 25 °C 1.50 1.80VT vj = 125 °C 1.64T vj = 175 °C 1.72栅极阈值电压V GEth I C = 2 mA, V CE = V GE, T vj = 25 °C 5.15 5.80 6.45V 栅极电荷Q G V GE = ±15 V, V CE = 600 V0.92µC 内部栅极电阻R Gint T vj = 25 °C0Ω输入电容C ies f = 100 kHz, T vj = 25 °C, V CE = 25 V, V GE = 0 V11.1nF 反向传输电容C res f = 100 kHz, T vj = 25 °C, V CE = 25 V, V GE = 0 V0.039nF 集电极-发射极截止电流I CES V CE = 1200 V, V GE = 0 V T vj = 25 °C0.01mA 栅极-发射极漏电流I GES V CE = 0 V, V GE = 20 V, T vj = 25 °C100nA开通延迟时间(感性负载)t don I C = 50 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Gon = 7.5 ΩT vj = 25 °C0.059µs T vj = 125 °C0.061T vj = 175 °C0.062上升时间(感性负载)t r I C = 50 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Gon = 7.5 ΩT vj = 25 °C0.043µs T vj = 125 °C0.047T vj = 175 °C0.049关断延迟时间(感性负载)t doff I C = 50 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Goff = 7.5 ΩT vj = 25 °C0.290µs T vj = 125 °C0.380T vj = 175 °C0.420下降时间(感性负载)t f I C = 50 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Goff = 7.5 ΩT vj = 25 °C0.110µs T vj = 125 °C0.200T vj = 175 °C0.270开通损耗能量 (每脉冲)E on I C = 50 A, V CE = 600 V,Lσ = 35 nH, V GE = ±15 V,R Gon = 7.5 Ω, di/dt = 900A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 5.07mJ T vj = 125 °C 6.76T vj = 175 °C7.72关断损耗能量 (每脉冲）E off I C = 50 A, V CE = 600 V,Lσ = 35 nH, V GE = ±15 V,R Goff = 7.5 Ω, dv/dt =2900 V/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 3.37mJ T vj = 125 °C 5.31T vj = 175 °C 6.58(待续)表 4(续) 特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值短路数据I SC V GE≤ 15 V, V CC = 800 V,V CEmax=V CES-L sCE*di/dt t P≤ 8 µs,T vj=150 °C190At P≤ 7 µs,T vj=175 °C180结－散热器热阻R thJH每个 IGBT, Valid with IFX pre-appliedThermal Interface Material0.777K/W 允许开关的温度范围T vj op-40175°C注:T vj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN 2018-14.3二极管,逆变器表 5最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位反向重复峰值电压V RRM T vj = 25 °C1200V 连续正向直流电流I F50A 正向重复峰值电流I FRM t P = 1 ms100A I2t-值I2t V R = 0 V, t P = 10 ms T vj = 125 °C465A²sT vj = 175 °C420表 6特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值正向电压V F I F = 50 A, V GE = 0 V T vj = 25 °C 1.72 2.10VT vj = 125 °C 1.59T vj = 175 °C 1.52反向恢复峰值电流I RM I F = 35 A, V R = 600 V,V GE = -15 V, -di F/dt = 900A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C31A T vj = 125 °C39T vj = 175 °C45恢复电荷Q r I F = 50 A, V R = 600 V,V GE = -15 V, -di F/dt = 900A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 3.96µC T vj = 125 °C7.37T vj = 175 °C9.89(待续)表 6(续) 特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值反向恢复损耗（每脉冲）E rec I F = 50 A, V R = 600 V,V GE = -15 V, -di F/dt = 900A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 1.31mJ T vj = 125 °C 2.52T vj = 175 °C 3.46结－散热器热阻R thJH每个二极管, Valid with IFX pre-appliedThermal Interface Material1.13K/W 允许开关的温度范围T vj op-40175°C注:T vj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN 2018-14.4二极管,整流器表 7最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位反向重复峰值电压V RRM T vj = 25 °C1600V 最大正向均方根电流(每芯片)I FRMSM T H = 60 °C70A最大整流器输出均方根电流I RMSM T H = 60 °C100A 正向浪涌电流I FSM t P = 10 ms T vj = 25 °C560AT vj = 150 °C435I2t-值I2t t P = 10 ms T vj = 25 °C1570A²sT vj = 150 °C945表 8特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值正向电压V F I F = 50 A T vj = 150 °C 1.05V 反向电流I r T vj = 150 °C, V R = 1600 V1mA 结－散热器热阻R thJH每个二极管, Valid with IFX pre-appliedThermal Interface Material1.10K/W 允许开关的温度范围T vj, op-40150°C5IGBT, 斩波器表 9最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位集电极－发射极电压V CES T vj = 25 °C1200V 连续集电极直流电流I CDC T vj max = 175 °C T H = 110 °C25A 集电极重复峰值电流I CRM t P = 1 ms50A 栅极－发射极峰值电压V GES±20V表 10特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值集电极－发射极饱和电压V CE sat I C = 25 A, V GE = 15 V T vj = 25 °C 1.60 1.85VT vj = 125 °C 1.74T vj = 175 °C 1.82栅极阈值电压V GEth I C = 0.525 mA, V CE = V GE, T vj = 25 °C 5.15 5.80 6.45V 栅极电荷Q G V GE = ±15 V, V CE = 600 V0.395µC 内部栅极电阻R Gint T vj = 25 °C0Ω输入电容C ies f = 100 kHz, T vj = 25 °C, V CE = 25 V, V GE = 0 V 4.77nF 反向传输电容C res f = 100 kHz, T vj = 25 °C, V CE = 25 V, V GE = 0 V0.017nF 集电极-发射极截止电流I CES V CE = 1200 V, V GE = 0 V T vj = 25 °C0.004mA 栅极-发射极漏电流I GES V CE = 0 V, V GE = 20 V, T vj = 25 °C100nA开通延迟时间(感性负载)t don I C = 25 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Gon = 9.1 ΩT vj = 25 °C0.041µs T vj = 125 °C0.043T vj = 175 °C0.044上升时间(感性负载)t r I C = 25 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Gon = 9.1 ΩT vj = 25 °C0.025µs T vj = 125 °C0.028T vj = 175 °C0.030关断延迟时间(感性负载)t doff I C = 25 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Goff = 9.1 ΩT vj = 25 °C0.230µs T vj = 125 °C0.320T vj = 175 °C0.350下降时间(感性负载)t f I C = 25 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Goff = 9.1 ΩT vj = 25 °C0.140µs T vj = 125 °C0.220T vj = 175 °C0.280(待续)表 10(续) 特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值开通损耗能量 (每脉冲)E on I C = 25 A, V CE = 600 V,Lσ = 35 nH, V GE = ±15 V,R Gon = 9.1 Ω, di/dt = 810A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 1.47mJ T vj = 125 °C 2.05T vj = 175 °C 2.39关断损耗能量 (每脉冲）E off I C = 25 A, V CE = 600 V,Lσ = 35 nH, V GE = ±15 V,R Goff = 9.1 Ω, dv/dt =3120 V/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 1.65mJ T vj = 125 °C 2.58T vj = 175 °C 3.13短路数据I SC V GE≤ 15 V, V CC = 800 V,V CEmax=V CES-L sCE*di/dt t P≤ 8 µs,T vj=150 °C90At P≤ 7 µs,T vj=175 °C85结－散热器热阻R thJH每个 IGBT, Valid with IFX pre-appliedThermal Interface Material1.19K/W 允许开关的温度范围T vj op-40175°C注:T vj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN 2018-14.6Diode-斩波器表 11最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位反向重复峰值电压V RRM T vj = 25 °C1200V 连续正向直流电流I F25A 正向重复峰值电流I FRM t P = 1 ms50A I2t-值I2t V R = 0 V, t P = 10 ms T vj = 125 °C125A²sT vj = 175 °C95表 12特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值正向电压V F I F = 25 A, V GE = 0 V T vj = 25 °C 1.83 2.30VT vj = 125 °C 1.70T vj = 175 °C 1.63(待续)表 12(续) 特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值反向恢复峰值电流I RM I F = 25 A, V R = 600 V,V GE = -15 V, -di F/dt = 810A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C21.7A T vj = 125 °C26.7T vj = 175 °C29.8恢复电荷Q r I F = 25 A, V R = 600 V,V GE = -15 V, -di F/dt = 810A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 1.69µC T vj = 125 °C 3.29T vj = 175 °C 4.29反向恢复损耗（每脉冲）E rec I F = 25 A, V R = 600 V,V GE = -15 V, -di F/dt = 810A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C0.63mJ T vj = 125 °C 1.28T vj = 175 °C 1.69结－散热器热阻R thJH每个二极管, Valid with IFX pre-appliedThermal Interface Material1.63K/W 允许开关的温度范围T vj op-40175°C注:T vj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN 2018-14.7负温度系数热敏电阻表 13特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值额定电阻值R25T NTC = 25 °C5kΩR100偏差ΔR/R T NTC = 100 °C, R100 = 493 Ω-55%耗散功率P25T NTC = 25 °C20mW B-值B25/50R2 = R25 exp[B25/50(1/T2-1/(298,15 K))]3375K B-值B25/80R2 = R25 exp[B25/80(1/T2-1/(298,15 K))]3411K B-值B25/100R2 = R25 exp[B25/100(1/T2-1/(298,15 K))]3433K 注:根据应用手册标定7 负温度系数热敏电阻9电路拓扑图图 110封装尺寸图 211模块标签代码图 3修订历史修订历史修订版本发布日期变更说明1.002022-02-01Initial version商标所有参照产品或服务名称和商标均为其各自所有者的财产。

12脉波整流维修说明

12脉波KGPS中频电源控制原理KGPS系列感应加热晶闸管变频装置是利用晶闸管将三相工频交流电能转换为几百或几千赫的单相交流电能。

具有控制方便、运行可靠、效率高等特点，有利于提高产品的产量和质量。

本装置采用全数字控制，扫频启动方式，无须同步变压器等，线路简单，调试方便，负载适应能力强，启动可靠。

应用于铸钢、不锈钢、合金钢的冶炼，真空冶炼，感应加热等不同场合。

1．主电路原理整流电路原理整流电路主要是将50HZ的交流电整流成直流。

由12个晶闸管组成的12脉波串联全控整流电路，输入工频电网电压(400V)，控制可控硅的导通，实现输出0～510V 连续可调的直流电压。

(如图)六相12脉波全控整流桥工作原理当触发脉冲在任意控制角时，其输出直流电压为：Ud =式中：Ua = 三相进线电压a-控制角逆变电路原理：该产品采用了并联逆变器，这种逆变器对负载变化适应能力强，见图（4）所示。

它的主要作用是将三相整流电压Ud逆变成单相400-10KC的中频交流电。

一般，由于功率大小、进线电压等原因，逆变可控硅的数量有，四只、八只、十六只三种，即采用单管、串管、并管等技术。

但为了分析方便，将其等效为图（4）电路。

下面分析一下逆变器的工作过程，假设图（4）中，先是①②导通③④截止，则直流电流Id经电抗器Ld，可控硅①②流向Lc谐振回路，Lc产生谐振，振荡电压正弦波。

此时电容器两端的电压极性为左正右负，如果在电容器两端电压尚未过零时之前的某一时刻产生脉冲去触发可控硅③④，此时形成可控硅①②③④同时导通状态，由于可控硅③④的导通，电容器两端的电压通过可控硅③④加在可控硅①②上使可控硅①②两端承受反压而关断，也就是说可控硅①②将电流换给了③④。

换流以后，直流电流Id经电抗器Ld、可控硅③④反向流向LC谐振回路。

电容器两端的电压继续按正弦规律变化，而电容器两端电压极性为左负右正，负载回路中的电流也改变了方向。

当电容器右端的正电压要在过零前的某一时刻再将可控硅①②触发导通，再次形成可控硅①②③④同时导通状态。

tb6612fng用法

tb6612fng用法一、概述TB6612FNG是一款常用的马达驱动芯片，常用于电动工具、自动化设备、机器人等需要控制马达的场合。

它的主要功能是提供高效率、高转矩、宽电压范围的马达驱动，同时具有过电流保护等保护功能。

二、TB6612FNG的主要特点1.高效率：TB6612FNG能够提供高效稳定的马达驱动，降低能源的浪费。

2.高转矩：在低电压、低电流的情况下，TB6612FNG仍能提供足够的马达转矩。

3.宽电压范围：TB6612FNG适用于5V至36V的输入电压范围，能够适应不同的电源环境。

4.自动保护：具有过电流保护、过热保护等功能，能有效保护马达和驱动电路。

三、TB6612FNG的连接方式TB6612FNG一般会与电机和电感器连接。

其中电机需要使用适当的功率电阻和电容进行配置。

以下是一个基本的连接方式示例：*将电机与TB6612FNG的“电机”端口连接。

*将电感器的一端与TB6612FNG的“输入”端口连接，另一端连接电机。

*将电源通过TB6612FNG的“输出”端口提供给电机。

四、控制信号TB6612FNG需要使用两个控制信号：启动信号和停止信号。

启动信号可以通过一个高电平有效（例如5V）的启动信号端口提供，停止信号则通过一个低电平有效的停止信号端口提供。

一般情况下，电机转动时启动信号保持为高电平，停止时切换为低电平。

需要注意的是，正确的控制信号延迟设置也是非常重要的。

五、使用注意事项*TB6612FNG在初次使用时，需要先进行上电测试，确保其正常工作。

*在连接电机时，要确保电机的正负极与TB6612FNG的连接正确，避免短路。

*在设置电感器时，要确保电感器的值正确，以避免过电流或电机无法转动的情况。

*在使用过程中，如果发现电机转动不正常或出现异常声音，应该立即断开电源并检查电路。

*确保TB6612FNG的工作环境干燥、无尘，避免潮湿和金属粉尘对其造成损害。

六、总结总的来说，使用TB6612FNG需要一定的电子基础知识，以及对电机驱动和马达控制的理解。

三相可控硅触发板原理

三相可控硅触发板原理
三相可控硅触发板是一种用于控制三相可控硅开通和关断的电路板。

它的工作原理基于对三相电源电流进行触发控制，从而实现对三相可控硅的控制。

该触发板通常由一个触发控制器、传感器、逻辑控制电路和可控硅组成。

传感器用于检测电源的相角，将实时相角信息反馈给触发控制器。

逻辑控制电路用于处理传感器反馈的相角信息，并根据预设的逻辑规则生成触发信号。

触发信号通过触发控制器送至可控硅，从而实现对其开通和关断。

触发器控制器是整个触发板的核心部分。

它通常由一组逻辑电路和计时器组成，用于根据传感器反馈的相角信息，判断何时触发可控硅的开通或关断操作。

触发控制器还可以根据用户设置的参数，自动调整触发信号的时序和频率，以控制可控硅的导通和截止时间。

在工作过程中，当传感器检测到电源相角达到预设值时，触发控制器会根据设置的触发规则生成触发信号，触发可控硅的开通或关断。

利用触发板，可以实现对三相可控硅的精确控制，从而在不同的电力系统中实现电流的正向和逆向控制、功率因数校正等功能。

总之，三相可控硅触发板通过控制可控硅的开通和关断，实现对三相电流的控制。

它利用传感器检测电源的相角，并通过触发控制器生成相应的触发信号，以实现对可控硅的触发控制。

通过调整触发信号的时序和频率，可以实现对可控硅的精确控制，满足不同电力系统的需求。

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C HIPTRONICTC660数字式十二脉波三相全控整流触发板（恒压恒流控制）本说明书内容仅供参考，我们将不断改善用户体验，如数据参数变更，恕不通知用户。

以下为特别需要注意事项：1、任何情况下都不可以在带电状态下拔插接线或试图触摸插座内各接点，以防触电和发生意外。

2、本机设计使用于阴凉干燥环境，需保持良好的通风散热环境，请不要在浸水、阳光曝晒场所工作，也不要在超过电气特性要求的温度范围之外工作，定期对控制板进行清洁工作。

3、任何情况下请勿将本控制板在超越设计极限状态下运行。

4、请严格按照本使用说明操作，对于不按本操作说明所造成的任何设备或人身伤害，本公司不承担任何民事和刑事责任。

5、任何情况下请都不要打开本机机壳，以防电击。

如本机出现故障请至致电本公司，我们将尽快协助排除故障，请不要试图维修本机。

6、一定要确认控制器需要可靠接地。

否则将会导致机壳带电，发生严重安全事故！！！触发板调试注意事项及问题处理：*可控硅触发接口处，请注意K1-K6及G1-G6为第一组（主板）的三相全控整流控制端口(△/△)，K7-K12及G7-G12为第二组（小板）的三相全控整流控制端口(△/Y)，第一组与第二组的脉冲相位差为30°，如有接错会出现损坏器件的风险；主回路上的可控硅应安装适当的阻容吸收及VDR等保护电路，接线图中的RC阻容吸收保护器件，便于用户使用本公司有相关配套生产RC01阻容板，如欲购买请在订货时和销售人员说明。

注意U、V、W接口线，请接在变压器的初级线圈位置。

* 本控制板运行时会自动检测负载主回路输入电源，当电源缺相时会停止输出，显示Err1或2或3提示，出现此情况请检查负载端电源输入线是否接好。

* 在通电工作前，检查控制板按本身实际要求接好连线，然后把可控硅触发端的控制线先断开，不要连接至负载，确定无误后通电工作，再根据自身需求进入菜单设置，修改控制板的相关参数，完成后把可控硅触发板的控制线连接好负载，则可以进行实际运行操作。

* 详细参照本控制板使用说明书接线图正确接线，为防止干扰，给定控制线，可控硅触发线，主电路电源线最好分别接线。

如果不分开走线，给定控制线请使用绞合屏蔽线；同时严格遵守控制板与可控硅接线的对应关系。

* 通电前，请仔细检查接线，断开负载，接入一小功率阻性假负载试验，建议接入220V/500W X2灯泡做试验性负载。

在用白炽灯做负载进行调试时，按启动键观看白炽灯的亮度变化情况，如果白炽灯能根据不同设定值连续平滑变化，则控制板接线正常；如果出现失控则不正常，请立取关掉电源，检查是否接线错误以免烧坏器件。

控制板调试正常后，则可以接入真负载进行运行工作。

* 如果晶闸管装置需要作绝缘测试时，请您从装置上取下控制板，否则可能造成控制板永久性的损坏。

* 在使用中，控制板以外其它部件的损坏，本公司概不负责。

服务承诺：在用户正常使用操作内，提供一年免费保修服务。

在保修期满后，继续提供技术支持和帮助，在此期间，更换零部件以成本价提供。

在操作本控制板前，请先详细阅读说明书，以免出现误操作及意外事故！！！产品概述：TC660十二脉波三相整流可控硅触发板为高度数字化军工品质设计，支持网络远程控制及现场控制，Fuzzy-PID参数开放性调节，集开环调压、闭环恒压和恒流三种调节方式于一体，控制可控硅实现恒压限流或恒流限压，功能参数设定采用按键操作，故障报警、界面参数采用LED数码管显示，设定参数自动储存。

控制板带自动判别相位、缺相保护、上电软起动、缓关断、恒流输出、恒压输出、过压保护、过流保护、工作状态指示等功能。

具有十二脉波三相全控桥式整流或带平衡电抗器的双反星形十二脉波整流触发方式，可触发5000A以下的可控硅，适用于工业各领域的电压电流调节的变压器一次侧等阻性感性负载类型，应用于对电源有高要求控制的电解电镀、充电、三相晶闸管电源等控制精度高的十二脉波电源设备。

本触发板采用工业级高性能微处理器，持续引领行业内核心控制算法及软件技术的创新，控制软件包的结构及单片机处理速度可以保证所有控制回路的调节作用在主电路十二个可控硅桥的转换时间内完成，以保证电压电流环的采样时间小于3.33mS（50HZ电源）或2.77mS（60HZ电源），以获得优越的性能。

该十二脉波三相整流可控硅触发板具有多种给定控制信号选择，支持0-5Vdc、0-10Vdc、0-10mA、4-20mA等模拟量输入自动控制模式，也可用电位器（10K 2W）及通过面板按键手动控制，灵活方便，所有参数均为数字量，无温度漂移变化，提高了调节精度和电源利用效率，减少对电源的污染，具有稳压精度高，可靠稳定性好。

同时本控制板具有强抗干扰能力，采用独特防干扰措施，恶劣干扰环境正常运行，输出全部采取隔离技术，具有多种保护功能，适用范围宽。

一、技术规格：1.1、工作电源：220VAC/380VAC ±10% 50/60HZ （可根据客户要求订制）1.2、电压调节范围：0～100%1.3、电流调节范围：0～100%1.4、负载适应调节电压：AC220V/380V/660V1.5、移相范围：0-175° 调节输出分辨率：1/1000 稳定精度：优于 ±1%1.6、输入信号：面板按键操作、DC0-5V、1-5V、DC0-10V、0-10mA、0-20mA、4-20mA、10K电位器调节1.7、触发电流：≥ 750mA 触发容量：≤ 5000A单双向可控硅1.8、PID动态响应时间：≤50mS，超调量：≤10%1.9、三相触发不平衡度：≤ 0.3°1.10、报警继电器触点容量：250VAC/10A（阻性）1.11、适用负载：各种变压器一次测等阻性感性负载1.12、工作环境温度：-20℃～60℃ 相对湿度：≤90%RH（无结霜）1.13、绝缘体强度：2500VAC 1分钟1.14、外形尺寸：240X160X50mm1.15、开孔尺寸：225X145mm1.16、重量：1.2KG二、性能特点：2.1、十二脉波三相输出控制，元器件采用高稳定性的进口器件，全自动SMD工艺制造，性能稳定可靠。

2.2、具备数字恒流恒压功能及限流限压功能，对负载进行精确的控制，过流过压过温异常保护及紧急停止功能。

2.3、双排LED显示窗口实时显示运行各种状态，输入键盘具有自动锁定功能，防止误操作。

2.4、智能PID控制方案，参数开放性，可以灵活设定成任何物理量，适应不同性质负载，控制精度高，动态特性好。

2.5、完善的故障检测及报警功能，实时检测负载电流、负载电压、控制信号、反馈信号丢失等参数。

2.6、接口兼容性：支持0-5Vdc、0-10Vdc、0-10mA、4-20mA等输入自动控制模式，与各种仪表、PLC信号直接接口；也可用电位器或面板按键手动控制。

2.7、缺相保护：主回路电源出现缺相时报警提示，并实时控制负载停止输出。

2.8、软启动：在启动时，输出电压会从零开始逐渐增大到100%，以消除对电网及负载的冲击，软启动时间参数可设置。

2.9、缓关闭：在关闭时，输出电压会从100%开始逐渐减小到零，以消除对电网及负载的冲击，缓关闭时间参数可设置。

2.10、具有自动识别相序功能，对控制板供电电源无相序要求，无需外接同步信号，免调试，接线方便。

2.11、电流环（电压环）反馈输入信号支持互感器、霍尔电流（电压）传感器、0-75mV分流器、0-5V等各种模拟量输入信号。

2.12、可控硅驱动接口带双排LED灯指示，绿灯指示触发板是否故障，红灯指示外接控制线是否正确，可以快速检查出错位置。

2.13、控制板具有防可控硅触发接口烧坏保护设计，支持输入输出多功能可扩展板。

2.14、先进的MODBUS现场总线通讯功能，RS485全隔离控制(选配项)。

2.15、远程控制或现场控制方式，同时具备控制板间通讯控制功能，实现一对多台的同步运行控制(选配项)。

2.16、线路板全部涂三防漆保护，具有优越的绝缘、防尘、防潮湿、防腐蚀、防老化、耐电晕等性能。

三、参数设置与使用操作说明：3.1、面板操作及状态说明：面板名称功能说明① FN键功能键。

② SET设置键按三秒进入参数设置状态；当在设定界面时，短按键时作为切换参数功能。

③ ▲键参数修改时，增加参数值。

④▼键参数修改时，减少参数值。

⑤ A显示窗该显示窗显示内容为XXX时，显示值为当前输入信号的百分比值；当出错时则显示各种报警状态。

⑥ B显示窗运行状态时显示为RUN，处于停止状态时显示为OFF。

⑦ CV状态指示灯（绿色）指示灯亮时，表示控制板处于恒压调节状态；当CV与CC两个指示灯同时不亮时，则表示控制板处于开环调压状态。

⑧ CC状态指示灯（绿色）指示灯亮时，表示控制板处于恒流调节状态。

⑨ AL报警指示灯（红色）当出现负载过流过压过温及缺相情况时，此指示灯会常亮提示，并关断负载端输出。

⑩ LOCK锁定指示灯（红色）当设置参数处于锁定状态时，此指示灯会常亮提示，此状态下不能进行参数的修改。

3.2、菜单功能设置操作（操作前键盘请先解锁）：在停止工作状态下，按 SET 键三秒以上，控制板进入参数设定状态，功能参数值显示闪烁，短按SET 键切换下一个设置功能，按 ▲ 或者 ▼ 键可以修改参数值，设定完成后再长按SET键三秒或十秒内无操作，控制板自动保存当前值，回到刚才显示的数据，并自动执行该动作，下次开机时根据存储的数据自动工作。

主菜单显示代码及说明（A窗口显示）：功能参数恒压模式恒流模式开环调压默认值参数单位备注X是0～2的数字，0为恒压模式；1为恒流模式；2为开环Fc X：工作模式设定 ● ● ● 0 --调压模式。

X是0或1的数字，0为控制板上按键操作；1为外接输入信Co X：输入信号设定 ● ● ● 1 --号，如0-5Vdc、0-10Vdc、0-10mA、4-20mA、电位器等。

X是1～99的数字，99时再往上调显示--，--时表示取消限HU X：限压值设定 ○ ● ○ -- %压保护。

X是1～99的数字，99时再往上调显示--，--时表示取消过oU X：过压值设定 ● ● ● -- %压保护。

X是1～99的数字，99时再往上调显示--，--时表示取消限HA X：限流值设定 ● ○ ○ -- %流保护。

X是1～99的数字，99时再往上调显示--，--时表示取消过oA X：过流值设定 ● ● ● -- %流保护，一般为负载额定电流的1.2倍。

do X：软启动时间设定 ● ● ● 10 秒钟 X是1～90的数字。

dc X：缓关闭时间设定 ● ● ● 10 秒钟 X是0～90的数字。

X是1～100的数字，对应移相角度0-180°。

F X：移相范围限定 ● ● ● -- %X是-30°～30°的数字，为第二组触发脉冲相对于第一组触发P X：相位偏移校准 ● ● ● 30 角度脉冲的相位差，两组变压器相位超前还是滞后30°。