光刻胶cd gap -回复
半导体制造专业英语术语
球栅阵列舞厅式布局，超净间的布局 圆桶型反应室 阻挡层金属势垒电压backing film 背膜baffle vt ・ 困惑，阻碍，为难（挡片）baffle assembly n. 集合，装配，集会，集结，汇 编 （挡片块）丨 基极，基区 batch 批 bay and chase beam blow-up离子束膨胀 beam deceleration 束流减速分类代码号双极双极技术(工艺) bird ' s beak effect 鸟嘴效应blanket deposition 均厚淀积blower增压泵boat 舟BOE 氧化层刻蚀缓冲剂Bon voyage ［法］再见，一路顺风［平安］bonding pads 压点bonding wire 焊线，引线boron(B) 硼boron trichloride(BCL3) 三氯化硼boron trifluoride (B F3)三氟化硼borophosphosilicate glass(BPSG)硼磷硅玻璃borosilicate glass(BSG) 硼硅玻璃bottom antireflective coating(BARC)下减反射涂层boule单晶锭bracket n.墙上凸出的托架，括弧，支架v.括在一起breakthrough step 突破步骤，起始的干法刻蚀步骤brightfield detection 亮场检查brush scrubbing 涮洗bubbler 带鼓泡槽buffered oxide etch(BOE) 氧化层腐蚀缓冲液bulk chemical distribution 批量化学材料配送bulk gases 大批气体bulkhead equipment layout 穿壁式设备布局bumped chip 凸点式芯片buried layer 埋层burn-box 燃烧室(或盒) burn-in 老化CCA 化学放大(胶) cantilever n. 建］悬臂cantilever paddle 悬臂桨cap oxide 掩蔽氧化层capacitance 电容capacitance-voltage test(C-Vtest) 电容-电压测试capacitive coupled plasma 电容偶合等离子体capacitor 电容器carbon tetrafluoride(CF4) 四氟化碳caro ' s acid3 号液carrier 载流子carrier-depletion region 载流子耗尽层carrier gas 携带气体cassette (承)片架cation 阳离子caustic 腐蚀性的cavitation 超声波能CD 关键尺寸CD- SEM 线宽扫描电镜Celsius adj.摄氏的center of focus(COF) 焦点焦平面center slow 中心慢速central processing unit(CPU) 中央处理器ceramic substrate 陶瓷圭寸装CERDIP 陶瓷双列直插封装Channel 沟道channel length 沟道长度channeling 沟道效应charge carrier 载流子chase技术夹层chelating agent 螯合齐ijchemical amplification(CA) 化学放大胶chemical etch mechanism 化学刻蚀机理chemical mechanical planarization(CMP) 化学机械平坦化chemical solution 化学溶液chemical vapor deposition(CVD) 化学气相淀积chip 芯片chip on board(COB)板上芯片chip scale package(CSP)芯片尺寸圭寸装circuit geometries 电路几何尺寸class number 净化级另卩cleanroom 净化间cleanroom protocol 净化间操作规程Clearfield mask 亮场掩膜板Cluster tool 多腔集成设备CMOS 互补金属氧化物半导体CMP 化学机械平坦化Coater/developer track 涂胶/显影轨道Cobalt silicide 钻硅化合物coefficient n. ［数］系数Coefficient of thermal expansion（CTE）热涨系数Coherence probe microscope 相干探测显微镜Coherent light 相干光coil v. 盘绕，卷Cold wall 冷壁Collector 集电极Collimated light 平行光Collimated sputtering 准直溅射Compensate v.偿还，补偿，付报酬Compound semiconductor 化合物半导体Concentration 浓度Condensation 浓缩Conductor 导体constantly adv・不变地，经常地，坚持不懈地Confocal microscope 共聚焦显微镜Conformal step coverage 共型台阶覆盖Contact 接触（孔）Contact alignment 接触式对准（光刻）Contact angle meter 接触角度仪Contamination 沾污、污染conti boat 连柱舟conticaster ［冶］连铸机Continuous spray develop 连续喷雾显影Contour maps 包络图、等位图、等值图Contrast 对比度、反差contribution n.捐献，贡献，投稿Conventional-line photoresist 常规I 线光刻胶Cook' s theory库克理论Copper CVD 铜CVD Copper interconnect 铜互连Cost of ownership(COO) 业主总成本Covalent bond 共价键Critical dimension 关键尺寸Cryogenic aerosol cleaning 冷凝浮质清洗Cryogenic pump(cryopump) 冷凝泵Crystal 晶体Crystal activation 晶体激活Crystal defect 晶体缺陷Crystal growth 晶体生长Crystal lattice 晶格Crystal orientation 晶向CTE 热涨系数Current-driven current amplifier 电流驱动电流放大器CVD 化学气相淀积Cycle time 周期CZ crystal puller CZ 拉单晶设备Czochralski(CZ) method 切克劳斯基法Ddamascene 大马士革工艺darkfiled detection 暗场检测darkfiled mask 暗场掩膜版DC bias 直流偏压decompose v. 分解,(使)腐烂deep UV(DUV) 深紫外光default n.默认(值)，缺省(值),食言，不履行责任，［律］缺席v.疏怠职责，缺席，拖欠，默认defects density 缺陷密度defect 缺陷deglaze 漂氧化层degree of planarity(DP) 平整度dehydration bake 去湿烘培，脱水烘培density 密度deplention mode 耗尽型degree of focus 焦深deposit n.堆积物，沉淀物，存款，押金，保证金，存放物vt ・存放,堆积vi.沉淀deposition 淀积deposited oxide layer 淀积氧化层depth of focus 焦深descum 扫底膜design for test(DFT)可测试设计desorption 解吸附作用develop inspect 显影检查development 显影developer 显影液deviation n.背离device isolation 器件隔离device technology 器件工艺DI water 去离子水Diameter n.直径diameter grinding 磨边diborane ( B2H6 )乙硼烷dichlorosilane(H2SiCL2) 二氯甲硅烷die 芯片die array 芯片阵列die attach 粘片die-by-die alignment 逐个芯片对准dielectric 介质dielectric constant 介电常数die matrix 芯片阵列die separation 分片diffraction 衍射diffraction-limited optics 限制衍射镜片diffusion 扩散diffusion controlled 受控扩散digital/analog数字/模拟digital circuit diluent direct chip attach( DCA) directionality discrete dishing dislocation dissolution ratedissolution rate monitor(DRM) 溶解率监测DNQ-novolak 重氮柰醌一酚醛树脂Donor 施主dopant profile 掺杂刨面) doped虚拟的， region 掺杂区 doping 掺杂 dose monitor剂量检测仪 dose,Q 剂量 downstream reactor 顺流法反应 drain 漏 drive-in推进 dry etch 干法刻蚀 dry mechanical pump干式机械泵 dry oxidation 干法氧化dummy n.哑巴，傀儡，假人，假货 adj. 假的，虚构的 n.［计］哑元 dynamic adj. 动力的，动力学的，动态的 E economies of scale 规模经济 edge bead removal 边缘去胶 edge die 边缘芯片edge exclusion 无效边缘区域 electrically erasable PROM 电可擦除 EPROM electrode 电极 electromigration 电迁徙 electron beam lithography 电子束光刻electron cyclotron resonance 电子共振回旋加速器 electron shower 电子簇射，电子喷淋 electron stopping 电子阻止 electronic wafer map 硅片上电性能分布图 electroplating 电镀 electropolishing 电解拋光electrostatic chuck 静电吸盘 electrostatic discharge(ESD)静电放电 ellipsometry 椭圆偏振仪，椭偏仪emitter 发射极 endpoint detection 终点检测 engineering n.工程(学) electrostatic discharge(EDX)能量弥散谱仪 enhancement mode 增强型 epi 夕卜延epitaxial layer 夕卜延层epoxy underfill 环氧树脂填充不足erasable PROM 可擦除可编程只读存储器erosion腐蚀，浸蚀establish vt・建立，设立，安置，使定居，使人民接受，确定v.建立etch 刻蚀etch bias刻蚀涨缩量etch profile 刻蚀刨面etch rate 刻蚀速率etch residue 刻蚀残渣etch uniformity 刻蚀均匀性etchant 刻蚀剂etchback planarization 返刻平坦化eutectic attach 共晶焊接eutectic temperature 共晶温度evaporation 蒸发even adj.平的，平滑的，偶数的，一致的，平静的，恰好的，平均的，连贯的adv.［加强语气］甚至（・・・也）, 连…都，即使，恰好，正当vt.使平坦，使相等vi. 变平，相等n.偶数，偶校验exceed vt. 超越，胜过vi.超过其他excimer laser 准分之激光exposal n. 曝光,显露exposure 曝光exposure dose 曝光量extraction electrode 吸极extreme UV 极紫外线extrinsic silicon 掺杂硅F Fables无制造厂公司fabrication 制造facilities 设施factor n.因素，要素，因数，代理人fast ramp furnaces 快速升降温炉fault model 失效模式FCC diamond 面心立方金刚石feature size 特征尺寸FEOL 前工序Fick ' s lawsFICK 定律field-effect transistor 场效应晶体管field oxide 场氧化field-by-field alignment 逐场对准field-programmable PROM 现场可编程只读存储器film 膜film stress 膜应力final assembly and packaging 最终装配和圭寸装final test 终测first interlayer dielectric(ILD-1)第一层层间介质fixed oxide charge 固定氧化物电荷flats 定位边flip chip 倒装芯片float zone 区熔法fluorosilicate glass(FSG) 氟化玻璃focal length 焦距focal plane 焦平面focal point 焦点focus聚焦focus ion beam(FIB) 聚焦离子束footprint 占地面积formula n.公式，规则，客套语forward bias 正偏压four-point probe 四探针frenkel defect Frenkel 缺陷front-opening unified pod(FOUP)前开口盒functional test 功能测试furnace flat zone 恒温区G g-line G 线gallium(Ga)镓gallium arsenide(GaAs)砷化镓gap fill间隙填充gas 气体gas cabinet 气柜gas manifold 气瓶集装gas phase nucleation 气相成核gas purge 气体冲洗gas throughput 气体产量gate 栅gate oxide 栅氧化硅gate oxide integrity 栅氧完整性germanium(Ge) 错getter 俘获glass玻璃glazing 光滑表面global alignment 全局对准global planarization 全局平坦化glow discharge 起辉放电gray area 灰区，技术夹层gross defect 层错grove n. 小树林grown oxide layer 热氧化生长氧化层HHalogen 卤素hardbake 坚膜hardware n.五金器具，(电脑的)硬件，(电子仪器的)部件HEPA filter 高效过滤器hermetic sealing 密圭寸heteroepitaxy 异质外延heterogeneous reaction 异质反应hexamethyldisilazane(HMDS)六甲基二硅氨烷high-density plasma(HDPCVD) 高密度等离子体化学气相淀积高温扩散炉 high-density plasma etch 高密度等离子刻蚀 high-pressure oxidation 高压氧化high-temperature diffusion furnace high vacuum 高真空 high vacuum pumps 高真空泵 hillock 小丘(铝)尖刺 homoepitaxy 同质外延 homogeneous reaction 同质反应 horizontal adj.地平线的，水平的 horizontal furnace 臣卜式炉 hot electron 热电子 hot wall 热壁 hydrochloric acid(HCL)盐酸 hydrofluoric acid(HF)氢氟酸 hydrogen(H2)氢气 hydrogen chloride(HCL)氯化氢 hydrogen peroxide(H2O2)双氧水 hydeophilic 亲水性 hydrophobic 憎水性，疏水性 hyperfiltration 超过滤Ii-line I 线IC packaging 集成电路封装IC reliability 集成电路可靠性 Iddq testing 静态漏电流测试 image resolution 图象清晰度 图象分解力implant v.灌输（注入） impurity 杂质 increment n.增力口,增量 initial adj.最初的，词首的，初始的 n.词首大写 字母 in situ measurements 在线测量 index of refraction 折射率 indium 铟 inductively coupled plasma （ICP ）电感耦合等离子体 inert gas惰性气体infrared interference 红外干涉ingot 锭ink mark墨水标识in-line parametric test 在线参数测试input/output（I/O）pin 输入/ 输出管脚institute n. 学会，学院，协会vt.创立，开始，制定，开始（调查）,提起（诉讼） insulator 绝缘体integrate vt.使成整体，使一体化，求…的积分v.结合integrated circuit(IC)集成电路integrated measurement tool 集成电路测量仪interval n.间隔，距离，幕间休息n.时间间隔interconnect 互连interconnect delay 互连连线延迟interface-trapped charge 界面陷阱电荷interferometer 干涉仪interlayer dielectric(ILD) 层间介质interstitial 间隙(原子) intrinsic silicon 本征硅invoke v.调用ion 离子ion analyzer 离子分析仪ion beam milling or ion beam etching(IBE) 离子铣或离子束刻蚀ion implantation 离子注入ion implantation damage 离子注入损伤ion implantation doping 离子注入掺杂ion implanter离子注入机ion projection lithography(IPL) 离子投影机PVD ionization 离子化ionized metal plasma PVD 离子化金属等离子IPA vapor dry 异丙醇气相干燥isolation regions 隔离区isotropic etch profile各向同性刻蚀刨面JJEFT结型场效应管junction(pn) PN 结junction depth 结深junction spiking 结尖刺KKelvin绝对温度killer defect致命缺陷kinetically controlled reaction 功能控制效应L laminar air flow 层状空气流，层流式lapping 拋光latchup闩锁效应lateral diffusion 横向扩散law of reflection 反射定律LDD轻掺杂漏Leadframe 引线框架leakage cuttent 漏电流len透镜lens compaction 透镜收缩light 光light intensity 光强light scattering 光散射lightly doped drain(LDD) 轻掺杂漏linear 线性linear accelerator 线性加速器linear stage 线宽阶段，线性区linewidth 线宽liquid 液体lithography 光刻loaded brush沾污的毛刷loaded effect 负载效应loadlock真空锁local interconnect(LI)局部互连local planarization 局部平坦化local oxidation of silicon(LOCOS)硅局部氧化隔离法logic逻辑lot批low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD) 低压化学气相淀积LSI大规模集成电路Mmagnetic CZ( MCZ )磁性切克劳斯基晶体生长法magnetically enhanced RIE(MERIE)磁增强反应离子刻蚀magnetron sputtering 磁控溅射Magnification n. 扩大，放大倍率magnificent adj. 华丽的，高尚的，宏伟的majority carrier 多子make-up loop补偿循环mask掩膜版n.面具，掩饰，石膏面像vt.戴面具,掩饰，使模糊vi.化装，戴面具，掩饰，参加化装舞会mask-programmable gate array 掩膜可编程门阵歹Umass flow controller(MFC) 质量流量计mass spectrometer 质谱仪mass-transport limited reaction 质量传输限制效应mathematical adj.数学的，精确的mean free path(MFP) 平均自由程medium vacuum 中真空adj. megasonic cleaning 超声清洗melt熔融membrane contactor薄膜接触器，隔膜接触器membrane filter薄膜过滤器，隔膜过滤器merchant n. 商人，批发商，贸易商，店主商业的，商人的mercury arc lamp 汞灯MESFET用在砷化镓结型场效应晶体管中的金属栅metal contact 金属接触孔metal impurities 金属杂质metal stack复合金属，金属堆叠metallization 金属化metalorganic CVD金属有机化学气相淀积metrology 度量衡学microchip微芯片microdefect 微缺陷microlithography 微光刻microloading微负载，与刻蚀相关的深宽比micron微米microprocessor n.［计］微处理器microprocessor unit 微处理器microroughness 微粗糙度Miller indices 密勒指数minienvironment 微环境minimum geometry 最小尺寸minority carrier 少子mix and match 混合与匹配mobile ionic contaminants(MIC)可动离子沾污mobile oxide charge 可动氧化层电荷module n.模数，模块,登月舱，指令舱modify vt・更改，修改v.修改molecular beam epitaxy (MBE) 分子束外延molecular flow 分子流monitor wafer(test wafer) 陪片，测试片，样片monocrystal 单晶monolithic device 单片器件Moore's law 摩尔定律MOS 金属氧化物半导体MOSFET 金属氧化物半导体场效应管motor curreant endpoint 电机电流终点检测(法) MSI中规模集成电路Multiplier n.增加者，繁殖者,乘数，增效器，乘法器multichip module(MCM) 多芯片模式multilenel metallization 多重金属化Murphy's model 墨菲模型N nanometer(nm)纳米native oxide 自然氧化层n-channel MOSFET n 沟道MOSFET negatine resist 负性光刻胶negative n.否定，负数，底片adj.否定的，消极的，负的，阴性的vt.否定，拒绝(接受) negatine resist development 负性光刻胶显影neutral beam trap 中性束陷阱next-generation lithography 下一代光刻技术nitric acid(HNO3)硝酸nitrogen(N2)氮气nitrogen trifluoride(NF3) 三氟化氮nitrous oxide (N2O) 一氧化二氮、笑气nMOS n沟道MOS场效应晶体管noncritical layer 非关键层nonvolatile memory 非挥发性存储器normality 归一化notch 定位槽novolak苯酚甲醛聚树脂材料npn npn 型(三极管) n-type silicon n 型硅nuclear stopping 离子终止nucleation 成核现象，晶核形成nuclei coalescence 核合并numericalaperture(NA) 数值孑L径n-well n 阱Oobjective (显微镜的)物镜off-axis illumination(OAI) 偏轴式曝光，离轴式曝光ohmic contact 欧姆接触op amp 运算放大器optical interferometry endpoint 光学干涉法终点检测optical lithography 光学光刻optical microscope(light microscope) 光学显微镜optical proximity correction(OPC)光学临近修正optical pyrometer 光学高温计optics 光学organic compound 有机化合物氧化诱生层积 vi.划桨，戏 out-diffusion 反扩散 outgassing 除气作用 overdrive 过压力 overetch step 过刻蚀 overflow rinser 溢流清洗 overlay accuracy 套准精度 overlay budget 套准偏差 overlay registration 套刻对准 oxidation 氧化 oxidation-induced stacking faults(OISF) 缺陷，氧化诱生堆垛层错 oxide 氧化物、氧化层、氧化膜 oxidezer 氧化齐ij oxide-trapped charge 氧化层陷阱电荷 ozone(O3)臭氧Ppackage 封装管壳 pad conditioning 垫修整 pad oxide 垫氧化膜 paddle 悬臂 n.短桨，划桨，明轮翼 水，涉水 vt ・用桨划，搅，拌parabolic stage 拋物线阶段parallel-plate(planar)reactor 平板反应parallel testing 并行测试 parameter 参数parametric test 参数测试 parasitic 寄生parasitic capacitance 寄生电容 parasiticresistance 寄生电阻 parasitic transistor 寄生电阻器 partial pressure 分压 particledensity 颗粒密度 particle per wafer perpass(PWP)每步每片上的颗粒 数passivation 钝化 passivation layer 钝化层passive components 无源元件pattern sensitivity 图形灵敏性patterned etching 图形刻蚀pattern wafer 带图形硅片patterning 图形转移，图形成型，刻印pc board 印刷电路版完成任务 p-channel MOSFETp 沟道 MOSFET PCM 工艺控制监测 PEB 曝光后烘焙 PECVD 等离子体增强化学气相淀积PEL 允许曝露极限值pellicle 贴膜 pentavalent 五价元素 perform vt ・ 履行,执行，表演，演出 v. performing adj. 表演的，履行的 perimete array 周边阵列式(圭寸装) pH scale pH 值 phase-shift mask(PSM) 相移掩膜技术 phosphine(PH3) 磷化氢 phosphoric acid(H3PO4)磷酸 phosphorus(P)磷 phosphorus oxychloride(POCL3)三氯氧磷 phosphosilicate glass(PSG)磷硅玻璃 photoacid generator(PAG)光酸产生剂 photoacoustics 光声的 photoactive compound(PAC)感光化合物 photography n.摄影，摄影术 光刻photolithography 光刻(技术) photomask 光掩膜 photoresist 光刻胶 photoresist stripping 去胶、光刻胶去除 physical etch mechanism 物理刻蚀机理 physical vapor deposition(PVD)物理气相淀积 pigtail 引出头 pin grid array(PGA) 针栅阵列式(封装)pinhole 针孑 L piranha 3 号液 pitch 间距 planar 平面 planar capacitor 平面电容 planar process 平面工艺 planarization 平坦化 plasma 等离子体 n.［解］血浆，乳浆，［物］等离子体，plasma-induced damage 等离子体诱导损伤plasma potential distribution 等离子体势分布plastic dual in-line package(DIP) 双列直插塑料圭寸装plastic leaded chip carrier(PLCC) 塑料电极芯片载体plastic packaging 塑料圭寸装plug塞，填充vt.堵，塞，插上，插栓n塞子，插头, 插销pMOS(p-channel) p 沟道MOSpn junction diode pn 结型二极管pnp pnp型三极管point defect 点缺陷Poisson's model 泊松模型polarization 极化，偏振polarized light 极化光，偏振光polish拋光polish rate 拋光速率polished wafer edge(edge grind) 倒角polishing loop 磨拋循环polishing pad 拋光(衬)垫polycide 多晶硅化物光刻胶显影post-develop inspection 显影后检查post-exposure bake(PEB) 曝光后烘焙ppb 十亿分之几ppm 百万分之几ppt 万亿分之几preamorphization 预非晶化precursor 先驱物predeposition 预淀积premetaldielectric(PMD) 金属前介质preston equation Preston 方程primary orientation flat 主定位边print bias光刻涨缩量printed circuit boade(PCB) 印刷电路板probe探针probe card 探针卡prober探针台process 工艺process chamber工艺腔，工艺反应室process chemical 工艺化学process control monitor(PCM)工艺控制监测(图形) process latitude工艺水平，工艺能力process recipe 工艺菜单programmable arraylogic(PLA) 可编程阵列逻辑programmable logic device 可编程逻辑器件programmable read-only memory 可编程只读存储器projected range 投影射程prompt n.提示，付款期限vt・提示，鼓动，促使, (给演员)提白adj.敏捷的，迅速的，即时的adv.准时地n. DOS命令：改变DOS系统提示符的风格proportion n.比例，均衡，面积，部分vt.使成比例，使均衡，分摊proportional adj. 比例的，成比例的，相称的，均衡的proportional band 比例区，比例带，比例尺范围proximityaligner 接近式光刻机p-type silicon P 型硅puddle develop搅拌式显影pump speed 抽气速率punchthrough 穿通purge （冲气）清洗purge cycle （冲气抽气）清洗循环PVD物理气相淀积p-well P 阱pyrogenic steam 热流pyrogen 热原（质）pyrolytic 热解pyrophoric 自燃的Qquad flatpack（QFP）方型管壳封装quadrupole mass analyzer （QMA）四极质量分析仪quality measure 质量测量quarz石英quarz tube 石英管quarz wafer boat 石英舟queue time排队时间R radiation damage 辐射损伤radical 激发random access memory(RAM) 随机存储器range射程rapid thremal anneal(RTA) 快速热退火rapid thermal processor(RTP)快速热处理RCA clean RCA 清洗reaction rate limited 反应速率限制reactive ion etch(RIE)反应离子刻蚀reactivity 反应性reactor反应室，反应腔read-only memory(ROM)只读存储器recombination 复合redistribution 再分布reflection spectroscopy 反射光谱仪reflective notching 反射开槽reflow回流refraction 折身寸refractory metal 难融金属regeneration 再生regeneration套准精度relative index of refraction,n removal n. 移动，免职,切除repeat n.重复，反复vt・重做，复述，向他人转述，复制，使再现vi.重复，留有味道representation n. 表示法,表现,陈述,请求，扮演，画像，继承，代表reset v.重新安排residual gas analyzer(RGA)残余气体分析器resist光刻胶resist development 光刻胶显影resistance 电阻resistivity 电阻率resolution 分辨率reticle掩膜版retrograde well 倒掺杂阱reverse bias 反偏reverse osmosis(RO)反向渗透RF射频RF sputtering射频溅射rinse v嗽口，(用清水)刷，冲洗掉，漂净n.清洗嗽洗，漂洗，漂清，冲洗RO反向渗透Roots blower罗茨(机械增压)泵roughing pump 低真空泵，机械泵RTA快速热退火RTP快速热处理Ssatisfy vt.满足，使满意，说服，使相信v.满意，确保Scaling按比例缩小SCALPEL具有角度限制分散投影电子束光刻Scanner扫描仪scanning electron microscope(SEM)扫描电子显微镜scanning projection aligner 扫描投影光刻机schottky diode 肖特基二极管screen oxide layer 掩蔽氧化层scribe line 戈H 片道scribe line monitor(SLM)戈J片线监测scumming 底膜secondary electron 二次电子secondary electron flood 二次电子流secondary ion mass spectrometry(SIMS)二次离子质谱 (法) seed' s model SEE 模型selective etching 选择性刻蚀selective oxidation 选择性氧化selectivity 选择性semiconductor grade silicon 半导体极硅semiconductor 半导体sensitivity 灵敏度shallow trench isolation(STI)浅沟槽隔离sheet resistance,RS 方块电阻sheet resistivity,方块电阻率shot size胶(点)尺寸shrinking 缩小SI units 公制Sidewall spacer 侧墙Silane(siH4)硅烷Silicide硅化合物silicon 硅silicon dioxide(SIO2)二氧化硅silicon nitride(SI3N4)氮化硅silicon on sapphire 蓝宝石伤硅silicon on insulator(SOI)绝缘体上硅silicontetrachloride(SIC4) 碳化硅silicon tetrafluoride(SIF4)四氟化硅silicon tetrachloride(SICL4)四氯化硅single crystal silicon 单晶硅silylation硅烷化(作用)SIMOX 由注入氧隔离，一种SOI材料single crystal 单晶slip滑移slurry磨料SMIF标准机械接口Sodium hydroxide(NaOH)氢氧化钠soft bake 前烘solid固体solvent 溶齐ijSOS蓝宝石上硅Source 源source drain implants 源漏注入spacer n.取间隔的装置，逆电流器spatial coherence 空间相干spatial signature analysis 空间信号分析specialty gase 特种气体species 种类specific gravity 比重specific heat 比热speckle 斑点spectroscipic ellipsometry 椭圆偏振仪spin coating光刻胶旋涂spin dryer 旋转式甩干桶spin-on-dielectric（SOD）旋转介质法spin-on-glass（SOG）旋转玻璃法spray cleaning 喷雾清洗spray rinser喷雾清洗槽spreading resistance probe 扩散电阻探测sputter n・喷溅声，劈啪声，急语，咕哝vi.唾沫飞溅，发劈啪声，急忙地讲vt.喷出，飞溅出，气急败坏地说sputtering 溅射sputter etch溅射刻蚀sputtered aluminum 溅射铝sputtering yield 溅射产额SSI小规模集成电路stacking fault层积缺陷，堆垛层错standard clean 1(SC-1) 1 号清洗液standard clean 2(SC-2) 2 号清洗液standard mechanical interface(SMIF)机械标准接口standing wave 驻波static RAM静态存储器statistical process control ( SPC)统计过程控制step coverage台阶覆盖step height台阶高度step-and-repeat aligner 分步重复光刻机step-and-scan system步进扫描光刻机stepper步进光刻机stepping motor driver步进电机驱动器电路stepper步进光刻机stoichiometry化学计量(配比) staggle投射标准偏差stress应力striation 条纹strip vt・剥，剥去n. 条，带stripping 去胶structure 结构subatmospheric CVD亚大气压化学气相淀积submicron 亚微米sub-quarter micron 亚0・25微米substrate 衬底sublimation 升华substitutional atom 替位原子subtract v (〜from)减去,减subwaverlength lithography 亚波长光刻sulfur hexafluoride(SF6)六氟化硫sulfuric acid (H2SO4 )硫酸surface profiler 表面形貌surface tension 表面张力susceptor 基座Ttarget chamber 靶室target 靶temperature ramp rate 温度斜率temperature 温度TEOS正硅酸乙脂test algorithm 测试算法test coverage 测试覆盖test structure 测试结构test vector测试向量thermal budget 热预算thermal oxide 热氧化thermocompression bonding 热压键合thermocouple 热电偶thermogravimetric analysis (TGA) 热重量分析thermosonic bonding 热超声键合thin film 薄膜thin small outline package(TSOP)薄小型圭寸装川-V compound 三/五族化合物thorough adj.十分的，彻底的Threshold 域值threshold voitage 域值电压threshold voltage adjustment implant 调栅注入，域值调整注入throughput 产量tilt [tilt] v.(使)倾斜，(使)翘起，以言词或文字抨击time of flight SIMS(TOF -SIMS) 飞行时间二次离子质谱titanium silicide 钛硅化合物TLV极限域值top surface imaging 上表面图形topography 形貌torr 托toxic有毒track system(also track) 轨道系统transient enhanced diffusion(TED)瞬时增强扩散transistor 晶体管trench 槽trench capacitor 槽电容trichlorosilane(TCS or SiHCL3)三氯氢硅triode planar reactor三真空管平面反应室triple well 三阱trivalent 三价tungsten(W)钨tungsten stch back 钨反刻tungsten hexafluoride(WF6)六氟化钨tungstenplug钨塞，钨填充turbomolecular pump(turbo pump) 涡轮分子泵twin planes(twinning) 双平面twin-well(twin-tub)双阱UULSI甚大规模集成电路ultralow penetration air(ULPA)超低穿透空气ultrafiltration 超过滤ultrafine particle 超细颗粒ultrahigh purity 超高纯度ultrahigh vacuum 超高真空ultrashallow junction 超浅结ultrashallow junction 超声键合(压焊) ultraviolet 紫外线undercut 钻蚀uniformity 均匀性unit cell元包，晶胞unpatterned etching(spripping)无图形刻蚀(剥离) unpatterned wafer 无图形硅片unplug v.拔去(塞子，插头等),去掉…的障碍物UV紫外线VVacancy 空位vacuum 真空vacuum wand真空吸片棒，真空镊子van der pauw method 范德堡法vapor phase epotaxy(VPE)气相外延vapor pressure 气压vapor prime气相熏增粘剂，气相成底膜vaporization 气化variable n.［数］变数，可变物，变量adj. 可变的，不定的，。
半导体专业术语
1.acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)2.acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3.Acid：酸4.Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）5.Align mark(key)：对位标记6.Alloy：合金7.Aluminum：铝8.Ammonia：氨水9.Ammonium fluoride：NH4F10.Ammonium hydroxide：NH4OH11.Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）12.Analog：模拟的13.Angstrom：A（1E-10m）埃14.Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH）15.AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）16.ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）17.Argon(Ar)氩18.Arsenic(As)砷19.Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷20.Arsine(AsH3)21.Asher：去胶机22.Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）23.Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）24.Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）25.Baseline：标准流程26.Benchmark：基准27.Bipolar：双极28.Boat：扩散用（石英）舟29.CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。
在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。
30.Character window：特征窗口。
半导体照明术语及定义(芯片外延片)
外延术语1、外延生长（Epitaxy）2、量子阱（Quantum Well）3、能带工程（Energyband engineering）4、半导体发光二极管（Light Emitting Diode）5、PN结的击穿（PN junction Striking）6 Deposition）7、异质结构（Heterogeneous Structure）8、量子阱半导体激光器（Quantum Well Laser）9、超晶格（Super Lattice）EpitaxyGaP：磷化镓n-GaN：N型氮化镓p-GaN：P型氮化镓GaAs：砷化镓GaN：氮化镓AlInGaP：磷化铝镓铟（铝铟镓磷）AlGaAs：砷化铝镓（铝镓砷）InGaN 铟镓氮AlGaN 铝镓氮Wafer：晶片、外延片分析仪器1、XRD：X射线衍射仪，主peak GaN分析仪器2、PL：荧光光谱仪（或光致发光光谱仪），Peak强度越强，FWHM越窄，表示有较佳的QW。
3、Hall：霍尔测试仪，利用霍尔效应测量载流子（对n-GaN载流子为电子，对p-GaN,载流子为空穴）迁移率（mobility）以及Sheet Resistance，分析时同结构若有相同的掺杂（Doping），若是量测的迁移率mobility较小，可以推测此结构有较多的缺陷（Defects）。
4、SEM（Scanning Electron Microscopy）：扫描式电子显微镜，测量刻蚀深度、及刻蚀截面状况。
5、Microscope：显微镜6、Differential Microscopy（Nikon-OPTI PHOT）：晶相（金相）显微镜，用morphology）。
7、EDS EDS之仪器构造主要是由一个硅(锂)固态侦测器为核心，它是由硅单晶参杂锂原子而成的。
8、：金属有机化学汽相9、TEM10、SIMS：二次离子质谱仪，测量每层的掺杂状况，可测量P-GaN以及N-GaN的掺杂状况，以及掺杂载子的浓度以及扩散距离等测量。
半导体照明术语及定义(芯片外延片)
外延术语1、外延生长（Epitaxy）2、量子阱（Quantum Well）3、能带工程（Energyband engineering）4、半导体发光二极管（Light Emitting Diode）5、PN结的击穿（PN junction Striking）6 Deposition）7、异质结构（Heterogeneous Structure）8、量子阱半导体激光器（Quantum Well Laser）9、超晶格（Super Lattice）EpitaxyGaP：磷化镓n-GaN：N型氮化镓p-GaN：P型氮化镓GaAs：砷化镓GaN：氮化镓AlInGaP：磷化铝镓铟（铝铟镓磷）AlGaAs：砷化铝镓（铝镓砷）InGaN 铟镓氮AlGaN 铝镓氮Wafer：晶片、外延片分析仪器1、XRD：X射线衍射仪，主peak GaN分析仪器2、PL：荧光光谱仪（或光致发光光谱仪），Peak强度越强，FWHM越窄，表示有较佳的QW。
3、Hall：霍尔测试仪，利用霍尔效应测量载流子（对n-GaN载流子为电子，对p-GaN,载流子为空穴）迁移率（mobility）以及Sheet Resistance，分析时同结构若有相同的掺杂（Doping），若是量测的迁移率mobility较小，可以推测此结构有较多的缺陷（Defects）。
4、SEM（Scanning Electron Microscopy）：扫描式电子显微镜，测量刻蚀深度、及刻蚀截面状况。
5、Microscope：显微镜6、Differential Microscopy（Nikon-OPTI PHOT）：晶相（金相）显微镜，用morphology）。
7、EDS EDS之仪器构造主要是由一个硅(锂)固态侦测器为核心，它是由硅单晶参杂锂原子而成的。
8、：金属有机化学汽相9、TEM10、SIMS：二次离子质谱仪，测量每层的掺杂状况，可测量P-GaN以及N-GaN的掺杂状况，以及掺杂载子的浓度以及扩散距离等测量。
半导体专业术语.
1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3. Acid：酸4. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）5. Align mark(key)：对位标记6. Alloy：合金7. Aluminum：铝8. Ammonia：氨水9. Ammonium fluoride：NH4F10. Ammonium hydroxide：NH4OH11. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）12. Analog：模拟的13. Angstrom：A（1E-10m）埃14. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH）15. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）16. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）17. Argon(Ar)氩18. Arsenic(As)砷19. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷20. Arsine(AsH3)21. Asher：去胶机22. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）23. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）24. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）25. Baseline：标准流程26. Benchmark：基准27. Bipolar：双极28. Boat：扩散用（石英）舟29. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。
在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。
精品TFT工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称2
Pre bake
预烘
PR Coating
光刻胶涂布
PR vacuum dry
光刻胶低压干燥
PR soft bake
前烘
Expose
曝光
Develop
显影
PR hard bake
坚膜
ADI
显影后自动光学检查
Micro/Macro Inspection
宏微观检查
ITO film etch
ITO膜湿刻
彩膜投料
CF Initial Clean
彩膜预备清洗
CF AOI
彩膜自动光学检查
CF Sort
彩膜分级
PI
配向膜
Cleanbefore PI
配向膜涂布前清洗
PI Print
配向膜涂布
Pre-cure
预固化
PI Inspection
配向膜检查
PI Thickness
Measurement
配向膜厚度测量
副单体
Port
端口
OIC(Operator Interface Client)
操作者界面
EDB
工程数据库
FGMS
成品管理系统
Dispatcher
派货
Create
建立
Start
下线
Scrap
报废
Un scrap
取消保废
Complete
完成
Ship
出货
Un ship
取消出货
Receive
收料
Track In
Mic/Mac Inspection
宏微观检查
Active film Dry etch & Ashing
半导体(双语教学)桂电复习资料
英文缩写MOS: metal- oxide semiconductor 金属氧化物半导体CVD：chemical vapor deposition 化学气相沉积ARC：anti-reflection coating 抗反射涂层MGS：metallurgical-grade silicon 冶金级硅IMD：inter metal dielectric 金属间介质CD：critical dimension 临界尺寸PECVD：plasma-enhanced CVD 等离子增强型CVDEGS：electronic-grade silicon 电子级硅EDA：electronic design automation 电子设计自动化PMD：pre-metal dielectric 金属前介质LED：light-emitting diode 发光二极管MFP：mean free path 平均自由行程SOG：spin-on glass 旋涂玻璃CMP：chemical mechanical polishing/planarization 化学机械抛光/研磨RIE：reactive ion etch 反应离子刻蚀MEMS：m icro-e lectro m echanical system 微机电系统PEB：post exposure bake 曝光后烘烤SOI：silicon-on-insulator 绝缘体上硅STI：shallow trench isolation 浅槽隔离RTA：rapid thermal annealing 快速热退火第四章1. Give two reasons why silicon is more commonly used than any other semiconductor material.（给出两个硅比其他半导体材料更常用的原因）①abundant, cheap (便宜丰富)②Silicon dioxide is very stable, strong dielectric, and it is easy to grow in thermal process.( 二氧化硅非常稳定而且有很强的介电性，在热处理过程中容易生长。
半导体专业词汇
1.acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)2.acceptor: 受主，如：8,掺入Si中需要接受电子3.ACCESS :一个EDA ( Engineering Data Analysis )系统4.Acid :酸5.Active device :有源器件，如MOS FET (非线性，能够对信号放大)6.Align mark(key):对位标志7.Alloy :合金8.Aluminum :铝9.Ammonia :氨水10.Ammonium fluoride : NH4F11.Ammonium hydroxide : NH4OH12.Amorphous silicon : a-Si，非晶硅(不是多晶硅)13.Analog :模拟的14.Angstrom : A ( 1E-10m )埃15.Anisotropic :各向异性(如POLY ETCH )16.AQL(Acceptance Quality Level):接受质量标准，在必定采样下，能够95%置信度经过质量标准(不一样于靠谱性，靠谱性要求一准时间后的无效率)17.ARC(Antireflective coating):抗反射层(用于METAL 等层的光刻)18.Antimony(Sb) 锑19.Argon(Ar) 氩20.Arsenic(As)砷21.Arsenic trioxide(As2O3) 三氧化二砷22.Arsine(AsH3)23.Asher :去胶机24.Aspect ration :容貌比(ETCH中的深度、宽度比)25.Autodoping :自夹杂(外延时SUB的浓度高，致使有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层)26.Back end :后段(CONTACT 此后、PCM 测试前)27.Baseline :标准流程28.Benchmark :基准29.Bipolar :双极30.Boat :扩散用(石英)舟31.CD : (Critical Dimension )临界(重点)尺寸。
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光刻胶cd gap -回复
光刻胶（CD Gap）是在光刻工艺中使用的一种特殊胶液。
在光刻工艺中，光刻胶用于制作半导体器件和集成电路中的图形。
光刻工艺是一种重要的微电子制造工艺，用于在硅片上制作微小的图形和结构。
光刻技术基于光敏胶液对紫外光的敏感性。
在光刻过程中，光刻胶液起到了很关键的作用，它能够在硅片表面形成一层高度均匀、厚度可控的薄膜。
这个薄膜可以通过光刻机器暴露给紫外光，然后根据所需的图形进行显影，最终形成微小的结构。
光刻胶液的制备通常需要选择合适的化合物作为基础材料，并进行一系列的化学反应来调整其光敏性和物理性能。
CD Gap是一种常用的光刻胶液，其主要成分是聚酰亚胺。
这种聚酰亚胺材料与紫外光有很好的反应性，可以很容易地形成高质量的图形。
光刻胶液的制备过程需要进行严格的控制和测试。
首先，需要选择合适的化合物作为基础材料，并混合一定比例的溶剂来形成溶液。
溶剂的选择也是非常重要的，它应该能够很好地溶解光刻胶材料，并且在显影过程中易于去除。
然后，通过物理或化学方法将光刻胶液与硅片表面接触，形成一层均匀的薄膜。
接下来的步骤是将光刻胶薄膜曝光给紫外光。
这一步骤需要使用光刻机器
来控制光源的强度和照射时间。
光刻胶中的光敏物质在吸收紫外光后会发生化学反应，从而改变其化学性质。
这个过程被称为曝光。
在曝光之后，还需要进行显影步骤。
显影是通过浸泡光刻胶薄膜在显影液中，使未曝光的区域溶解，从而形成所需的图形。
显影液的选择也是关键，它应该能够溶解未曝光区域的光刻胶，但不会影响已曝光区域的胶液。
最后，剩余的光刻胶需要通过退火或其他处理方法来去除。
退火是一个热处理过程，通过加热硅片可以使光刻胶变脆，然后通过机械或化学方法将其从硅片上去除。
光刻胶CD Gap在微电子制造中扮演着重要角色。
它具有良好的光敏性和物理性能，能够确保在硅片表面形成高质量的图形。
在光刻工艺中，控制好光刻胶液的制备过程以及曝光和显影步骤的参数是非常关键的。
只有严格控制每个步骤，才能生产出稳定、可靠的半导体器件和集成电路。
总之，光刻胶CD Gap是一种用于光刻工艺的特殊胶液。
它通过一系列的化学反应和处理步骤，能够在硅片表面形成高质量的图形。
在微电子制造中，光刻胶CD Gap扮演着至关重要的角色，能够确保半导体器件和集成电路的稳定性和可靠性。
通过对光刻胶制备过程的严格控制和测试，可以获得高质量的产品。