封装制造流程介绍
封装流程的介绍
Multi-frame LOC structure
Tape LOC structure
Power Signal Signal IC chip Signal Signal Power Power IC chip
Bus bar Signal Signal Signal Signal Bus bar tape IC chip
SRAM,ROM,EPROM EEPROM,Flash, Microcontroller Microprocessor Linear,Logic,DRAM SRAM
备注: 大部分 64 脚以下零
件是以 DIP/SOP 方式封 装,而大於 44 脚多是以 LCC/QFP 封装 TSOP,TSSOP,SSOP, Q(Quarter)SOP, M(Miniature)SOP
WIRE BOND
1.0 MIL SHINETSU KMC-260 NCA
MOLDING
MARKING
DEJUNK Plating
GPM / E & R LASER
HAN-MI 101 MECO EPL-2400S
Sn / Pb 85/15
FORMING & SINGULATION
HAN-MI 203F YAMADA CU-951-1 RVSI LS3900DB / 5700
SUNRISE JEDEC 150 Deg C
LEAD SCAN/FVI/PACK
IC 封装的基本制程
与 管制重点
Conventional IC Packaging Process Flow
IC封装基本制造程序 : 以 TSOP - II Tape LOC 为例
1. 2. 3. 4. 5. Wafer Process Die Attaching Wire Bonding Molding Marking and Lead Process
4.封装流程介绍
入出料主要是将导线架 （ Lead Frame）由物料 盘 ） （Magazine）送上输送架 ） （Bar or Bridge）进入模具 ） 内做冲切；在机台中， 内做冲切；在机台中，入出 料机构的夹具动作大多以气 压作动。 压作动 magazine
F/S入料机构和D/T的入料机构大致相同，均以 F/S入料机构和D/T的入料机构大致相同， 入料机构和D/T的入料机构大致相同 magazine作为入料盒 至于出料方式，D/T为 作为入料盒， magazine作为入料盒，至于出料方式，D/T为 magazine， F/S工作行程最后均将IC从导线架 工作行程最后均将IC magazine，而F/S工作行程最后均将IC从导线架 上取出所以，出料机构总共分为二个部份： 上取出所以，出料机构总共分为二个部份： 1.Tray盘 2.Tube管 1.Tray盘 2.Tube管
固化后取出。 固化后取出。
Epoxy Molding Compound
IC塑胶封装材料为热固性环氧树脂 塑胶封装材料为热固性环氧树脂 塑胶封装材料为 (EMC)其作用为填充模穴 其作用为填充模穴(Cavity) 其作用为填充模穴 将导线架(L/F)完全包覆，使銲线好 完全包覆， 将导线架 完全包覆 的芯片有所保护。 的芯片有所保护。
Tie Bar
4.成型（Forming） 4.成型（Forming） 成型 的目的： 的目的：
将已去框（ 将已去框（Singulation） ） Package之Out Lead以连 之 以连 续冲模的方式， 续冲模的方式，将产品脚 弯曲成所要求之形状。 弯曲成所要求之形状。
海 鸥 型 引 脚 插 入 型
Heat Slug Attach
Molding
MD(封胶 封胶) 封胶 (Molding)
封装工艺流程(1)
焊区与微电子封装的I/O引线或基板上的金属
布线焊区（Pad）用金属细丝连接起来的工
艺技术。
WB技术作用机理
❖
提供能量破坏被焊表面的氧化层和污染物，
使焊区金属产生塑性变形，使得引线与被焊
面紧密接触，达到原子间引力范围并导致界
面间原子扩散而形成焊合点。引线键合键合
❖ 铜：近年来，大量用于集成电路互连。铜比
铝有较高的导电率；铜丝相对于金丝具有成
本低、强度和刚度高、适合于细间距键合的
优点。
❖
引线键合的关键工艺
❖
❖
关键工艺：温度控制、精确定位控制、工作
参数设定。
应用对象：低密度连线封装（＜300个接点）
引线键合的技术缺陷
1.
2.
3.
多根引线并联产生邻近效应，导致电流分布
对芯片的影响，同时还可以屏蔽电磁干扰。
③各向异性导电聚合物:电流只能在一个方向流动。
❖ 导电胶功能：（形成化学结合、具有导电功能）
❖
2.3.4 玻璃胶粘贴法
与导电胶类似，玻璃胶也属于厚膜导体材料（后面
我们将介绍）。不过起粘接作用的是低温玻璃粉。它
是起导电作用的金属粉（Ag、Ag-Pd、Au、Cu等）
出现废品。
Chipping Die
崩边
2.3 芯片粘贴
芯片贴装：也称芯片粘贴，是将芯片固定
于封装基板或引脚架芯片的承载座上的工
艺过程。
贴装方式4种：
❖ 共晶粘贴法（Au-Si合金）
❖ 焊接粘贴法（Pb-Sn合金焊接）
❖ 环氧树脂粘结（重点）
❖ 玻璃胶粘贴法
引线框架
装
架
引线
光器件封装工艺
光器件封装工艺1. 引言光器件封装工艺是指将光学元件（如激光二极管、光纤等）与电子元件（如芯片、电路板等）相结合，形成完整的光电子系统的过程。
在光通信、激光加工、医疗设备等领域中，光器件封装工艺起到至关重要的作用。
本文将详细介绍光器件封装工艺的流程、材料选择、常见问题及解决方案。
2. 光器件封装工艺流程2.1 设计和制造基板在进行光器件封装之前，首先需要设计和制造基板。
基板的设计应考虑到电路布局、信号传输和散热等因素。
常用的基板材料有陶瓷基板和有机基板，选择合适的材料可以提高整个系统的性能。
2.2 焊接焊接是将光学元件与电子元件相连接的关键步骤。
常见的焊接方法包括手工焊接和自动化焊接。
手工焊接适用于小批量生产，而自动化焊接适用于大规模生产。
在焊接过程中，需要注意温度控制、焊接时间和焊接质量的检测。
2.3 封装封装是将光学元件和电子元件放置在封装盒中，并固定在基板上的过程。
封装盒的选择应考虑到光学元件的保护、信号传输和散热等因素。
常见的封装盒材料有金属、陶瓷和塑料等。
不同的封装方式适用于不同的应用场景，如TO-Can、SMD等。
2.4 测试与质量控制完成光器件封装后，需要进行测试与质量控制。
测试包括光学性能测试、电气性能测试和可靠性测试等。
通过测试可以评估光器件封装的质量，并对不合格产品进行筛选和修复。
3. 光器件封装工艺材料选择3.1 基板材料选择基板材料在光器件封装中起到承载电子元件和传输信号的作用。
常见的基板材料有陶瓷基板（如铝氮化铝）和有机基板（如FR-4）。
陶瓷基板具有优异的导热性能和耐高温性能，适用于高功率应用；而有机基板成本较低，适用于一般应用。
3.2 封装盒材料选择封装盒的材料选择与光学元件的保护、信号传输和散热等因素密切相关。
金属封装盒具有良好的散热性能和电磁屏蔽性能，适用于高功率应用；陶瓷封装盒具有优异的耐高温性能和机械强度，适用于特殊环境下的应用；塑料封装盒成本较低，适用于一般应用。
bga封装制造流程
bga封装制造流程English Answer:Ball Grid Array (BGA) Manufacturing Process.The ball grid array (BGA) is a type of surface-mount packaging (SMP) for integrated circuits. BGAs are widely used in high-performance electronic devices such as computers, smartphones, and gaming consoles.The manufacturing process of BGA involves several key steps:1. Wafer Fabrication: The integrated circuit (IC) is fabricated on a silicon wafer using photolithography and other semiconductor processing techniques.2. Die Attach: The IC die is attached to a carrier substrate, which provides electrical and mechanical support.3. Wire Bonding: Thin gold wires are used to connect the IC's terminals to the carrier substrate.4. Substrate Processing: The carrier substrate is processed to prepare it for the attachment of solder balls. This includes cleaning, plating, and applying solder mask.5. Solder Ball Placement: Solder balls are placed on the exposed pads of the carrier substrate using a solder paste stencil or a solder ball placement machine.6. Reflow Soldering: The assembly is heated to a temperature that melts the solder balls, forming permanent electrical connections between the IC die and the carrier substrate.7. Molding: A protective molding compound is applied to encapsulate the assembly, providing additional mechanical strength and protection.8. Testing and Inspection: The BGA package is tested and inspected to ensure proper functionality and electricalperformance.Chinese Answer:球栅阵列（BGA）制造流程。
封装制造流程介绍
封裝製造流程
提供電力,訊號傳導路徑(包括金線、Lead frame、銅導 線及BT-substrate)，讓微細的IC電路彼此做連結
CHIP
CHIP
Chip A
PCB Interconnection
Chip B
Adding Value to Memory
Adding Value to Memory
封裝製造流程
研磨 Wafer Grinding (WG )
切割 Wafer Saw (WS )
Silicon Wafer Flame
黏晶 Die Attach
(DA )
銲線 封膠 去膠去緯 錫鉛電鍍 印碼 去框成型 Wire Bond
(WB )
Molding (MD )
Remark : TSOP : Thin Small Outline Package TSSOP : Thin Shrink Small Outline Package
Adding Value to Memory
封裝製造流程
Adding Value to Memory
封裝製造流程
1.IC是什麼?
Adding Value to Memory
封裝製造流程
技術發展趨勢
晶片尺寸(Chip Scale)封裝的樣式
Au Wire
Over Molded
Chip
Via Solder BallLsaumbsitnraattee
LFBGA
(Total height Max. 1.7mm)
Cu Traces
Au Wire
2.IC元件的演進
3.半導體產品應用
4.IC封裝的功能與目的
COF封装加工介绍
COF封装加工介绍COF（Chip-on-Film）封装加工是一种重要的集成电路封装技术，在电子产品制造领域得到广泛应用。
本文将详细介绍COF封装加工的原理、工艺流程以及应用领域。
COF封装加工的原理：COF封装是将芯片直接粘贴在柔性基底上形成电路的封装方式。
COF封装采用塑料膜作为基底，用导电胶将芯片与基底连接，并通过线路设计使芯片与基底之间的引脚相连，最终形成完整的电路系统。
COF封装加工的工艺流程：COF封装加工一般包括准备基底、准备芯片、芯片粘贴、进一步封装以及测试等步骤。
首先，准备基底，包括选择合适的塑料膜，对其进行裁剪和打孔等处理，以满足具体应用需求。
然后，准备芯片，对芯片进行测试和分类，并进行薄胶加工，确保芯片与基底之间的粘贴质量。
接下来，通过自动粘贴机将芯片粘贴在基底上，并使用压力和温度控制确保粘贴的牢固性。
完成芯片粘贴后，进行进一步的封装加工，包括打线、封装胶封装和后处理等步骤，以形成完整的封装结构。
最后，进行测试和质量控制，确保COF封装加工的电路性能和稳定性。
COF封装加工的应用领域：COF封装加工广泛应用于手机、平板电脑、电视、摄像头、显示器等电子产品中。
由于COF封装加工具有尺寸小、重量轻、柔性强的特点，能适应各种复杂曲面结构的需求，因此在电子产品的尺寸追求和功能拓展方面具有重要作用。
COF封装加工可以实现高密度布线，提高电路性能，同时也可以提供更大的空间利用率，满足产品小型化的趋势。
此外，COF封装加工还可以提供良好的信号传输性能，保证信号的稳定性和可靠性。
总结：COF封装加工是一种重要的集成电路封装技术，通过将芯片直接粘贴在柔性基底上形成完整的电路系统。
COF封装加工的工艺流程包括准备基底、准备芯片、芯片粘贴、进一步封装以及测试等步骤。
COF封装加工广泛应用于手机、平板电脑、电视、摄像头、显示器等电子产品中，具有尺寸小、重量轻、柔性强、信号传输性能好的特点。
随着电子产品小型化和功能拓展的需求增加，COF封装加工在电子产品制造领域的应用前景广阔。
tf封装工艺流程
tf封装工艺流程温馨提示：该文档是小主精心编写而成的，如果您对该文档有需求，可以对它进行下载，希望它能够帮助您解决您的实际问题。
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)
Solder Plating
(SP
)
Top Mark (TM )
Singulation
(FS
))
黏晶之目的乃將一顆顆之晶粒置於導線架上並以銀膠（epoxy）黏著固
定。黏晶完成後之導線架則經由傳輸設備送至彈匣（magazine）內，以送
至下一製程進行銲線作業.
Epoxy
Die Bond
Die
Conventional Package
(DA )
銲線 Wire Bond
(WB )
封膠 Molding
(MD )
去膠去緯 錫鉛電鍍 印碼 去框成型 Dejunk/Trim
(DT
)
Solder Plating
Remark : TSOP : Thin Small Outline Package TSSOP : Thin Shrink Small Outline Package
Adding Value to Memory
封裝製造流程
Adding Value to Memory
封裝製造流程
1.IC是什麼?
Die Attach (DA 黏晶)
Epoxy Curing (EC 銀膠烘烤)
封裝製造流程
Wire Bond (WB 銲線)
Die Coating (DC 晶粒封膠)
Molding (MD 封膠)
Post Mold Cure (PMC 封膠後烘烤)
Dejunk/Trim (DT 去膠去緯)
Solder Plating (SP 錫鉛電鍍)
Dejunk/Trim
(DT
)
Solder Plating
(SP
)
Top Mark (TM )
Singulation
(FS
))
Dicing Blade Flame
Blue Tape
晶片切割之目的乃是要將前製程加 工完成的晶圓上一顆顆之晶粒 （Die）切割分離。首先要在晶圓 背面貼上膠帶（blue tape）並置 於鋼 製之框架上，此一動作叫晶圓黏片 （wafer mount），如圖，而後再 送至晶片切割機上進行切割。切割 完後，一顆顆之晶粒井然有序的排 列在膠帶上，同時由於框架之支撐 可避免膠帶皺摺而使晶粒互相碰撞 ，而框架撐住膠帶以便於搬運。
Wire Tail End
d
e
f
銲線的目的是將晶粒上的接點以極細的金 線(18~50um）連接到導線架上之內引腳，藉 而將ＩＣ晶粒之電路訊號傳輸到外界。
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封裝製造流程
研磨 Wafer Grinding (WG )
切割 Wafer Saw (WS )
黏晶 Die Attach
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封裝製造流程
研磨 Wafer Grinding (WG )
切割 Wafer Saw (WS )
黏晶 Die Attach
(DA )
銲線 Wire Bond
(WB )
封膠 Molding
(MD )
去膠去緯 錫鉛電鍍 印碼 去框成型 Dejunk/Trim
(DT
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封裝製造流程
未來主要產品應用產業 1.個人電腦及其週邊 2.寬頻網路通訊(光通訊…) 3.無線通訊(行動電話,PDA,藍芽,IEEE…) 4.記憶體(DRAM, Flash) 5.顯示器(LCD)
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封裝製造流程
Adding Value to Memory
封裝製造流程
研磨 Wafer Grinding (WG )
切割 Wafer Saw (WS )
黏晶 Die Attach
(DA )
銲線 Wire Bond
(WB )
封膠 Molding
(MD )
去膠去緯 錫鉛電鍍 印碼 去框成型 Dejunk/Trim
(DT
封裝製造流程
PDIP : Plastic Dual In line Package SOP : Small Outline Package SSOP : Shrink Small Outline Package QFP : Quad Flat Package (LQFP or TQFP) SOJ : Small Outline J-lead PLCC : Plastic Lead Chip Carrier BGA : Ball Grid Array FBGA : Fine Pitch Ball Grid Array TrenchBGA : Trench Ball Grid Array
EIA : Electronic Industries Alliance
A
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封裝製造流程
MCP (Multi-Chip Package)
Bump Bond
Elastomer
Gold Wire
Die 2
Compound
Substrate
Die 1
Solder Ball
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封裝製造流程
Flip Chip Package
Soldering Bump IC
Solder
Substrate
Soldering Ball
Adding Value to Memory
封裝製造流程
1.IC是什麼?
2.IC元件的演進
3.半導體產品應用
4.IC封裝的功能與目的
2.IC元件的演進
3.半導體產品應用
4.IC封裝的功能與目的
5.IC封裝製造流程
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封裝製造流程
2.IC元件的演進
PDIP
SOP
SSOP
TSOP
PLCC
QFP
LQFP
TQFP
VF/TF/LF-BGA
PBGA
.
TrenchBGA for DDRI/II/III
4.IC封裝的功能與目的
5.IC封裝製造流程
Adding Value to Memory
封裝製造流程
1.IC是什麼?
I. C. 中文譯名: 積體電路 英文譯名: Integrated Circuit
- From normal 0.13um and 0.11um to 90nm and 65nm
力晶, 茂德, 華亞科, 聯電和台積電
Over Molded
Solder Ball
Laminate substrate
TFBGA
(Total height Max. 1.2mm)
Cu Traces
Remark : LFBGA,TFBGA and VF-BGA total height defined by JEDEC-STD
Adding Value to Memory
封裝製造流程
2006-08-18
Assembly process flow
課程大綱： 1.介紹傳統和BGA先進產品封裝流程 2.晶圓切割,黏晶,焊線到IC封裝完成各製程介紹
Adding Value to Memory
封裝製造流程
1.IC是什麼?
2006-08-18
2.IC元件的演進
3.半導體產品應用
Overall height (“A”)
A > 1.70 mm 1.20 < A ≦ 1.70 mm
1.00 < A ≦ 1.20 mm 0.80< A ≦ 1.00 mm 0.65< A ≦ 0.80 mm
0.50< A ≦ 0.65 mm A ≦ 0.50 mm
JEDEC : Joint Electron Device Engineering Council
0.13 um
台積電和聯電
90 nm
台積電和聯電
65 nm
- Wafer size from 4、5、6、8 to 12 inch even future 16 inch
Adding Value to Memory
不同外形的IC元件
封裝製造流程
Adding Value to Memory
Package naming rule
1.IC是什麼?
2.IC元件的演進
3.半導體產品應用
4.IC封裝的功能與目的
5.IC封裝製造流程
Adding Value to Memory
封裝製造流程
4.IC封裝的功能與目的 利用封裝體為一個引接的介面,使用內部電氣訊號
可以透過封裝材料將之連接到系統主機板並提供矽晶 片免於受外力與水/濕氣之破壞與腐蝕等……….
封裝製造流程
保護IC晶片不受外力的破壞及避免溼氣滲透到IC內部 提供IC晶片散熱路徑
ESD _ _ _
Humidity
IC Chip
Heat Transfer
BGA
Adding Value to Memory
封裝製造流程
1.IC是什麼?
2.IC元件的演進
3.半導體產品應用
4.IC封裝的功能與目的
Process Process of wafer backside grinding to obtain the target finish work thickness with diamond wheels.
Feature It is the common equipment with TSOP/ QFP/ PLCC/ SOJ/ PDIP/ BGA/MCP.
Top Mark (TM 正面印碼)