纳米碳化硅材料
β相纳米碳化硅
β相纳米碳化硅
β相纳米碳化硅是一种高温多型形式的硅碳化物（SiC），具有体心立方（BCC）晶体结构。
它通过在SiC的类似钻石结构中的一些碳被硅原子取代而形成。
与更常见的α-SiC（面心立方）形式相比，β-SiC的熔点更高，机械和热稳定性也更高。
β-SiC有广泛的用途，包括用作磨料、耐火材料，以及在高功率、高温电子设备中的半导体。
其高导热性和热稳定性使其特别适合用于高功率电子和热管理应用。
β相纳米碳化硅（β-SiC）有广泛的用途，包括：
1. 高功率电子设备：β-SiC具有高的热导率和热稳定性，使其适合用于高功率电子设备，如散热器和电源开关。
2. 磨料：由于β-SiC的硬度和热稳定性，它被用作磨料。
它通常用于砂纸和砂轮中。
3. 耐火材料：由于β-SiC的高熔点和热稳定性，它被用于耐火材料。
它通常用于高温工业过程和陶瓷和玻璃的制造中。
4. 半导体：β-SiC可以用作高功率、高温电子设备的半导体，如功率半导体和热电设备。
5. 耐磨涂层：β-SiC可以用作金属或其他材料的涂层，以提高其耐磨性和耐腐蚀性。
6. 催化：由于β-SiC的高热稳定性和化学惰性，它可以在化学过程中用作催化剂。
碳化硅纳米线;气凝胶
碳化硅纳米线;气凝胶
摘要：
1.碳化硅纳米线的概述
2.碳化硅纳米线的特性与应用
3.气凝胶的概述
4.气凝胶的特性与应用
5.碳化硅纳米线与气凝胶的结合应用
正文：
碳化硅纳米线是一种由碳原子和硅原子构成的一维纳米材料，具有高强度、高硬度、高热导率和高电导率等特性。
由于其独特的物理和化学性质，碳化硅纳米线在众多领域具有广泛的应用前景，如复合材料、电子器件、能源存储和催化剂等。
气凝胶是一种具有纳米孔结构的轻质材料，其内部孔隙率高达90% 以上。
这使得气凝胶具有低密度、高比表面积、优异的隔热性能和吸声性能等特性。
因此，气凝胶在保温、隔音、环保、催化和生物医学等领域具有广泛的应用。
碳化硅纳米线与气凝胶的结合应用，可以充分发挥两者的优势。
例如，将碳化硅纳米线均匀地分散在气凝胶中，可以得到一种具有高热导率、低热阻和高热稳定性的复合材料。
这种复合材料在电子器件散热、建筑节能和太阳能利用等领域具有重要的应用价值。
另外，碳化硅纳米线与气凝胶的复合还可以提高材料的力学性能。
由于碳化硅纳米线具有高强度和高硬度，将其与气凝胶复合可以有效改善气凝胶的力
学性能，使其在承受外力时不易破碎。
这使得复合材料在催化剂载体、摩擦材料和防护涂层等领域具有广泛的应用前景。
总之，碳化硅纳米线和气凝胶作为两种具有独特性能的一维纳米材料，在众多领域具有广泛的应用前景。
将两者结合，可以充分发挥各自的优势，为实现多种功能化应用提供可能。
纳米碳化硅的用途
纳米碳化硅的用途1. 引言纳米碳化硅（Nano Silicon Carbide，简称nSiC）是一种具有优异性能的新型材料，由碳和硅元素组成。
它具有高熔点、高硬度、高强度、耐腐蚀等特点，被广泛应用于多个领域。
本文将详细介绍纳米碳化硅的用途及其在不同领域中的应用。
2. 电子领域中的应用纳米碳化硅在电子领域中有着广泛的应用。
首先，nSiC具有卓越的导热性能和耐高温特性，可作为高功率电子器件（如功率模块、光伏逆变器）中散热材料使用。
其次，由于nSiC具有优异的电气特性和较大的禁带宽度，可作为半导体材料应用于集成电路、功率器件等领域。
3. 汽车工业中的应用在汽车工业中，纳米碳化硅也起到了重要作用。
首先，nSiC具有优异的力学性能和耐高温特性，在发动机部件、刹车片等高温环境下能够保持稳定性能。
其次，nSiC还可用于制造轻量化零部件，如碳化硅纤维增强复合材料用于车身结构，可有效降低汽车整体重量并提高燃油效率。
4. 能源领域中的应用在能源领域，纳米碳化硅也有广泛的应用。
首先，在太阳能电池中，nSiC可以作为光伏材料，具有高光吸收率和较低的载流子复合速率，从而提高光电转换效率。
其次，在储能领域，nSiC可作为超级电容器的电极材料，具有较大的比表面积和良好的电导率。
5. 材料科学中的应用纳米碳化硅在材料科学领域中也有着重要的应用。
首先，在陶瓷制品中，nSiC可作为增强剂添加到陶瓷基体中，提高陶瓷材料的力学性能和耐磨性。
其次，在涂层技术中，nSiC可以作为填料添加到涂层中，提供额外的硬度和抗磨损性能。
6. 生物医学领域中的应用在生物医学领域，纳米碳化硅也有着潜在的应用价值。
首先，nSiC具有良好的生物相容性和低毒性，可作为生物材料应用于人工关节、骨修复等领域。
其次，nSiC 还可用于制备生物传感器，如基于nSiC的DNA、蛋白质传感器等。
7. 总结纳米碳化硅作为一种新型材料，在电子、汽车工业、能源、材料科学和生物医学等多个领域都有着广泛的应用前景。
纳米碳化硅
制备方法
水热法，强迫回流法，凝胶溶胶法和模板法等。
水热法: 正硅酸乙酯（碱性条件下）→水解→二氧化硅小球 → → 制得的二氧化硅-原料 无水乙醇-碳源 镁粉-还原剂
→
碳化硅
“蒸汽-液体-固相”法 它是将气相中的组分溶解在液相中并使之 在固体-溶体界面上生成结晶，这是培育 sic晶须最有效的方法。
纳米碳化硅
演讲人:宋丹华
什么是碳化硅
碳化硅是一种人造材 料，其分子式为SiC, 分子量为40.06，其中 硅的百分含量为 70.045，碳的百分含 量为29.955。碳化硅 的一般密度为3.2g/cm3 碳化硅本身在地球上 几乎不存在，仅在陨 石中有所发现
X射线衍射显示： 面心立方相
空间构型
透射电子显微镜 （TEM）照片： 颗粒和空心球， 直径大约为6001000nm
碳化硅的工厂化生产
特 性
宽带隙 高电子饱和速率 高击穿场强 大热导率 化学稳定性好 莫氏硬度：9.2-9.5，耐磨性堪比金刚石
应
用
被广泛应用于磨具磨料和结构材料的增强剂。
纳米陶瓷刀
纳米U盘
还有一种性能优良 的抗磨剂：纳米无 纳米无 机非金属陶瓷抗磨 剂
纳米传热液
纳米陶瓷抗磨剂是一种以纳米碳化硅、 纳米陶瓷抗磨剂是一种以纳米碳化硅、纳 陶瓷抗磨剂是一种以纳米碳化硅 米氮化硅的惰性固体材料为基础制成的抗磨剂， 米氮化硅的惰性固体材料为基础制成的抗磨剂， 润滑油为载体作用于机件表面 为载体作用于机件表面。 以润滑油为载体作用于机件表面。
但目前还处于研发阶段， 未面向市场， 有兴趣的同学可以致力研 究。
谢 谢！
碳化硅材料的研究及应用前景
碳化硅材料的研究及应用前景碳化硅材料是一种新兴的材料，近年来正在受到越来越多的关注。
它有着优异的耐高温、耐腐蚀、抗氧化和高硬度等物理特性，因此具有广泛应用前景。
本文将介绍碳化硅材料的研究现状和应用前景，探讨其未来的发展方向。
一、碳化硅材料的特性碳化硅材料是一种半导体材料，它由碳(C)和硅(Si)两种元素组成，具有特殊的晶体结构和优异的物理、化学性质。
具体来说，它具有如下特性：1. 耐高温：碳化硅材料具有高温稳定性，能够在高温下稳定运行，因此广泛应用于高温环境下的机械、电子器件等领域。
2. 耐腐蚀：碳化硅材料具有优异的腐蚀抗性，适合用于多种酸、碱等强腐蚀性物质的环境中。
3. 抗氧化：碳化硅材料不易氧化，能够在高氧环境中保持稳定。
4. 高硬度：碳化硅材料硬度极高，是天然金刚石之后的第二硬材料，在机械加工、磨料加工等领域有广泛应用。
二、碳化硅材料的研究现状碳化硅作为一种新兴材料，其研究进展也十分活跃。
现在，碳化硅材料的研究主要涉及以下几个方面：1. 合成方法：目前，碳化硅材料的合成方法主要有化学气相沉积法、热压法、热化学气相沉积法等。
其中，化学气相沉积法是目前较为常用的一种方法，能够制备出高质量的碳化硅材料。
2. 结构研究：对于碳化硅材料的结构研究也是一个重要的方向。
近年来，越来越多的学者开始关注碳化硅的表面结构和晶体结构，这对于其材料性能的提升和应用的拓展具有重要意义。
3. 功能化探究：此外，对于碳化硅材料的功能化探究也在不断深入。
当前已有研究表明，通过对碳化硅进行掺杂等处理，能够使其具有更优异的物理、化学性质，因此这一方向的研究也十分具有前景。
三、碳化硅材料的应用前景由于碳化硅材料独特的物理、化学特性，其在多个领域具有广泛的应用前景。
以下是几个主要应用领域：1. 电子领域：碳化硅材料的高温稳定性，使其在电子领域的应用具有独特的优势。
目前，碳化硅材料已经开始应用于高频、高功率器件、射频器件、硅基太阳能电池等领域。
一种低温制备纳米碳化硅的方法与流程
一种低温制备纳米碳化硅的方法与流程低温制备纳米碳化硅是一种重要的纳米材料制备方法，其在能源、材料等领域具有广泛的应用价值。
下面将介绍一种低温制备纳米碳化硅的方法与流程。
1. 前期准备工作在进行低温制备纳米碳化硅之前，需要做好一些前期准备工作。
准备实验所需的原料和试剂，包括硅粉、碳源、氮气等。
清洗实验器皿，并将其干燥。
检查实验仪器设备是否正常，确保实验过程中的安全性和稳定性。
2. 实验操作流程接下来，进行低温制备纳米碳化硅的实验操作流程。
具体步骤如下：步骤一：原料预处理将硅粉和碳源按照一定的质量比混合均匀，然后将混合物放入烘箱中，在空气中进行预处理，使其达到一定的干燥程度。
步骤二：真空封装将预处理后的原料放入合适的容器中，并进行真空封装处理，以保证实验过程中的纯净度和稳定性。
步骤三：低温热处理将真空封装后的原料容器放入炉内，设置合适的低温热处理参数，例如温度、压力、时间等。
在氮气氛围中进行低温热处理，使原料发生碳化反应，生成纳米碳化硅。
步骤四：冷却与收集待低温热处理完成后，停止加热并进行冷却。
将炉内产生的纳米碳化硅收集起来，进行后续的纯化和表征分析处理。
3. 后期处理与表征分析进行纳米碳化硅的后期处理与表征分析。
后期处理包括纯化、形貌调控、结构分析等工作，以确保所制备的纳米碳化硅具有良好的性能和稳定性。
表征分析方面，可以运用电子显微镜、X射线衍射仪、拉曼光谱仪等各种分析手段，对纳米碳化硅的形貌、结构、物理化学性质等进行深入研究。
通过以上低温制备纳米碳化硅的方法与流程，可以得到高质量、纯净度较高的纳米碳化硅材料。
这种方法不仅操作简便，而且可以在相对较低的温度下完成碳化反应，降低了能耗和成本，具有较高的实际应用价值。
碳化硅纳米线;气凝胶
碳化硅纳米线;气凝胶
碳化硅纳米线和气凝胶是两种在材料科学领域中具有重要应用潜力的材料。
1.碳化硅纳米线：
•化学组成：主要由碳和硅元素组成。
•结构特点：碳化硅纳米线是纳米级别的材料，具有细长的形状。
它们通常具有优异的热导性、电导性和机械性能。
•应用领域：碳化硅纳米线在电子学、传感器、催化剂和纳米材料增强等领域具有潜在应用。
由于其独特的性质，
它们被研究用于制备高性能材料和器件。
2.气凝胶：
•化学组成：气凝胶通常是一种高度孔隙结构的材料，可以由多种材料制备，包括二氧化硅、氧化铝等。
•结构特点：气凝胶的结构具有高度开放的孔隙网络，表面积巨大，形成了凝胶状的结构，通常是轻、多孔、绝缘
的。
•应用领域：气凝胶在隔热、吸声、储能、传感等方面具有广泛的应用。
它们常被用作高效绝缘材料，也可以用于
制备轻型材料和具有特殊性质的复合材料。
这两种材料都在不同领域展现出了广泛的应用潜力，吸引了许多科研工作者的关注。
研究和开发这些材料有助于改进现有技术和开发新型材料应用。
纳米碳化硅生产工艺流程
纳米碳化硅生产工艺流程
纳米碳化硅生产工艺流程：①原料准备：精选硅粉、碳源及添加剂。
②混合造粒：按比例混合原料，制备均匀颗粒。
③热压成型：在一定温度、压力下压制成型。
④高温烧结：在惰性气氛中，经1400-1500℃高温烧结致密化。
⑤纳米化处理：后续研磨、酸洗、热处理等手段实现晶粒细化至纳米级别。
⑥质量检测：测定粒度分布、纯度、晶体结构等指标。
⑦分级包装：按规格筛选、封装，标识产品信息。
⑧库存管理：存放于干燥、避光环境中，定期盘查。
⑨出货交付：根据客户需求，安排物流发货。
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纳米碳化硅材料王星（武汉工业学院化学与环境工程学院湖北武汉430023）摘要：本文介绍了碳化硅的结构，纳米碳化硅几种常用的制备的方法和它掺杂改性以及应用。
虽然SiC纳米材料制备规模小、成本高、工序复杂，近期难以实现大规模生产，但SiC纳米材料性能优于传统的SiC材料，能够达到高新技术领域的严格要求，具有更为广泛的用途，为此，应进一步加大对SiC纳米材料的研究。
关键词：纳米碳化硅掺杂改性应用1 引言纳米材料的出现是21世纪材料科学发展的重要标志，它所表现出的强大的科学生命力不仅是因为揭示出科学的深刻物理含义，而更重要的是它所发现的新结构、新现象、新效应源源不断地被用来开发具有新结构、新性能的固体器件，对通讯、微电子等高新技术产生极其深远的影响。
SiC纳米材料具有高的禁带宽度，高的临界击穿电场和热导率，小的介电常数和较高的电子饱和迁移率，以及抗辐射能力强，机械性能好等优点，成为制作高频、大工率、低能耗、耐高温和抗辐射器件的电子和光电子器件的理想材料。
SiC 纳米线表现出的室温光致发光性，使其成为制造蓝光发光二极管和激光二极管的理想材料。
所以，对纳米碳化硅材料的研究具有十分重要的意义。
2碳化硅的结构碳化硅（SiC）俗称金刚砂，又称碳硅石是一种典型的共价键结合的化合物，自然界几乎不存在。
碳化硅晶格的基本结构单元是相互穿插的SiC4和CSi4四面体。
四面体共边形成平面层，并以顶点与下一叠层四面体相连形成三维结构。
SiC 具有α和β两种晶型。
β－SiC的晶体结构为立方晶系，Si和C分别组成面心立方晶格；α－SiC存在着4H、15R和6H等100余种多型体，其中，6H多型体为工业应用上最为普遍的一种。
在SiC的多种型体之间存在着一定的热稳定性关系。
在温度低于1600℃时，SiC以β－SiC形式存在。
当高于1600℃时，β－SiC 缓慢转变成α－SiC的各种多型体。
4H－SiC在2000℃左右容易生成；15R和6H 多型体均需在2100℃以上的高温才易生成；对于6H－SiC，即使温度超过2200℃，也是非常稳定的。
下面是三种SiC多形体结构图常见的SiC多形体列于下表1：表1 SiC常见多型体及相应的原子排列多型体晶体结构单位晶胞中参数原子排列次序C（β- SiC）2H（α-SiC）4H（α-SiC）6H（α-SiC）8H（α-SiC）15R（α-SiC）六方六方六方六方六方菱方1246815ABCABCABCABABABABACABACABCACBABCACBAABCABACBAABCACBCABACABCBA3纳米碳化硅材料制备方法和掺杂改性纳米碳化硅的制备溶胶-凝胶法溶胶-凝胶法是采用特定的纳米材料前躯体在一定的条件下水解，形成溶胶，然后经溶剂挥发及加热等处理，使溶胶转变成网状结构的凝胶，在经过适当的后处理工艺形成纳米材料的一种方法。
张洪涛等人[1]采用长链三甲氧基硅烷和正硅酸乙酯两种有机物为起始原料，用溶胶一凝胶法通过合理控制反应条件，制备出SiC凝胶粉体，然后在氩气氛中，900—1300℃下热处理，制备了高纯、低氧含量，直径2.10nm，长度40.80nm的SiC晶须；缺点是容易形成团聚，分散性和结晶度差。
张波[2]等人用蔗糖和正硅酸乙酯（TEOS）为前躯体，用溶胶-凝胶法通过合理控制反应条件，并证明只要添入适量的水与TEOS反应，无论是在酸碱条件下，将凝胶块研磨成粉后，于1400℃在氩气气氛下热处理，最后在600℃于空气中除碳，都能得到粒径为15-20nm左右的β-SiC粉。
此种工艺方法具有成本低廉，工艺简单等特点，但水的加入量应严格计算后适量加入，而且在碱性环境中水解制得的碳化硅粉团团聚程度高。
化学气相沉积法（CVD法）化学气相沉积法是指通过气相化学反应生成固态产物并沉积在固体表面的过程。
分为热能CVD、等离子体增强CVD、光化学CVD、热激光CVD。
化学气相沉积方法制备的碳化硅材料可以达到理论密度并具有极高的纯度（99.999%），其物理性能与力学性能均十分优异，可以用作核屏蔽材料或光学镜头的热压模具材料，该方法还可用于制备碳化硅纤维，使用CVD 方法已成功地制备出25mm厚1500mm宽的板[3]，这种材料的室温热传导率达到250 W/(m·K) ，弯曲强度为466GPa，可用于亚纳米级光学质量的表面抛光。
杨修春等[4]采用CVD法对SiH4-C2H4一H2体系在1423—1673 K进行研究，结果表明T=1623K、V(C2H4)／V(SiH4)=1.2时，只存在单相β—SiC，平均粒径1lnm，SiC 的质量分数97.8％，氧的质量分数1.3％，碳的质量分数0.9％。
碳纳米管模板法碳纳米管模板法最可能的生长机理[5]是先驱体碳纳米管的纳米空间为上述气相反应提供了特殊的环境，为气相的成核以及核的长大提供了优越的条件。
碳纳米管的作用就像一个特殊的“试管”，一方面它在反应过程中提供所需的碳源，消耗自身，另一方面，提供了成核场所，同时又限制了SiC的生长方向。
可以认为，在相同的反应条件下，碳纳米管内的合成反应和管外的反应是不同的。
1994年，Zhou等[6]首次用碳纳米管作为先驱体，在流动Ar气保护下让其与SiO气体于1700℃反应，合成了长度和直径均比碳纳米管大一个数量级的实心“针状”的SiC晶须。
该过程的总反应式为：2C（S）+ SiO（V）→SiC（S）+CO（V）式中S为固态，V为蒸气。
研究表明，在没有金属催化剂条件下，用碳纳米管先驱体之所以能合成实心SiC 晶须，是因为碳纳米管自身的高活性和它的几何构型对晶须的形成和生长起了决定性的作用。
Pan等[7]用碳纳米管阵列与Si0反应生成纳米线阵列。
首先他们用热解乙炔法制得排列整齐的碳纳米管阵列刚，直径为10-40nm，长度可达2mm，垂直于铁/Si02衬底生长，管与管之间的空隙约lOOnm。
以制备的碳纳米管和纯度99.9%的SiO为原料，在氩气(50mFmin)保护下加热到1400℃并保温2h，得到与碳纳米管相似的SiC纳米线，垂直于衬底生长，直径10.40nm，长度可达2mm。
这种方法制备的SiC纳米线呈13相，没有无定型包裹物，排列整齐，稳定性好，有高密度的发射尖端，所以有望应用于真空微电子器件中。
清华大学韩伟强等[8]研究了纳米碳管与Si—SiO2的混合物制备SiC晶须的反应过程，指出：在反应过程中，首先是固态Si和SiO2反应生成SiO气，Si（S）+SiO2（S）→Si0（V）；然后生成的SiO气体与碳纳米管反应，生成SiC纳米丝，SiO（V）+2C（S）→SiC（S）+CO（V）；同时伴随以下反应：SiO（V）+2CO（V）→SiC（S）+CO（V）及C(纳米管)+C02（V）→2CO（V）。
除此之外，纳米碳化硅的制备还有通电加热蒸发法、电弧放电法、流动催化剂法、烧蚀法、溶胶-凝聚与碳热还原法等多种方法制备。
它们有各自的优缺点，shi等[9]用激光烧蚀法制备的SiC纳米线，成本比较高，生成的SiC纳米线外面裹有无定型的SiOx。
Seer等[10]用电弧放电法合成了SiC纳米棒，他们用里面填充了硅、石墨和铁粉的石墨作为阳极，但合成的产物中含有大量的纳米颗粒。
Li等[11]在此基础上通过改进从而可以大面积地制取β-SiC纳米棒。
纳米碳化硅的掺杂改性纳米碳化硅基材料的掺杂改性碳化硅虽然有着许多其他材料不可比拟的优点，但是在性能上还存在自己的局限性。
因此纳米碳化硅的掺杂改性得到人们的重视。
碳化硅陶瓷有强度高、硬度大、耐高温、抗氧化等优点，但它的抗弯强度低，断裂韧性低。
欧洲动力公司推出的航天飞机高温区用碳纤维增强碳化硅基体和用碳化硅纤维增强碳化硅基体所制造的陶瓷基复合材料，可以分别在1700和1200下保持20时的抗拉强度，并有较好的抗压性能较高的层间剪切强度。
周新贵等人[12]采用聚对亚苯基硼的甲苯溶液为前驱体进行液相浸渍，然后在950℃、氮气保护下热解，反复两次后获得了厚度约为0.5-1.0um的碳纤维碳化硼涂层，并制得碳纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料，此复合材料断裂韧性因具有碳化硼涂层而提高，断裂韧性值最高可达17.41MPa·m1/2 。
在碳化硅材料的光学方面，I.G.Ivanov等[13]给出了磷硼共掺的4H-SiC薄膜小于体材带隙能量发光的特性。
S.G.Sridhara研究小组[14]测量并讨论了B作为浅受主杂质和深受主杂质掺入四氢碳化硅薄膜中的光致发光特性，并在室温下测量到了与B掺杂4H-SiC电致发光相似的绿光发射。
河北大学杜洁等人研究了N掺杂的比例对3C-SiC薄膜光学带隙的影响趋势，并得出掺杂比例的增加，纳米粒子的减小导致杂质能级加深，使发光增强。
掺杂纳米碳化硅材料近年来，纳米碳化硅因其优异的性能而被作为增强相广泛的掺杂到其他的基体材料中。
肖戴红等人[15]通过将SiC颗粒掺杂到铝基材料中制备了体积分数为50%的SiC/ Al-5.3 Cu-0.8Mg-0.6Ag-0.5Mn 耐热铝基复合材料，在基体Al-5.3Cu-0.8Mg-0.6Ag-0.5Mn合金中掺入高体积分数的SiC 颗粒后，复合材料的时效硬化与拉伸性能得到了大幅度的提高，185 ℃峰时效处理后的抗拉强度从356 MPa 增大到520 MPa 。
SiC/ Al-5.3 Cu-0.8Mg-0.6Ag-0.5Mn复合材料的组织致密，分布均匀，其断裂方式包括界面脱开、基体韧断和增强体开裂。
高飞鹏等人[16]采用机械搅拌和超声分散相结合的方法制备出了纳米SiC 颗粒增强ADC12 铝合金基复合材料，并对制备出的复合材料进行微观结构分析和力学性能测试，与基体合金相比，当纳米SiC 颗粒的含量为2.0%时，所制得的复合材料的抗拉强度、弹性模量、断面收缩率及硬度分别提高23%、43%、160%和7.4%。
华小社等人[17]采用复合电镀技术将Ni和SiC镀到铜电极上，制备出Ni-SiC纳米镀层，此纳米复合镀层晶粒细小，表面光滑、平整，组织均匀致密，且其显微硬度较纯镍镀层可提高3-4倍。
张艳丽等人[18]采用复合电镀技术在炭素结构钢板的表面上制备高硬度的Ni- SiC 纳米复合镀层，当阴极电流密度为2.56A/dm2，镀液中纳米碳化硅粉的质量浓度为20 g/L，镀液的pH 值为5.0，温度为50 ℃时，镀层生长良好，均匀细致平滑，镀层的显微硬度可达到950HV0.2，远高于普通纯镍镀层的硬度。
4纳米碳化硅材料的应用改性高强度新材料纳米β-SiC粉体颗粒在高分子复合材料中相容性好分散度好和基本结合性好，改性后高强度尼龙合金抗拉强度比普通PA6提高100％以上，耐磨性能提高2.5倍以上，用户反应很好。