场效应管好坏判别
判断智能手机电路场效应管的好坏
判断智能手机电路场效应管的好坏
判断智能手机电路中场效应管的好坏，可以采用以下步骤：
1. 外观检查：检查场效应管的封装是否有损坏，标识是否清晰。
2. 极性检查：使用万用表检查场效应管的三个电极（栅极、源极和漏极），以确认其极性。
3. 性能检测：将万用表调至合适的电阻档，对场效应管的三个管脚两两进行测量。
如果测量结果显示两个管脚之间存在阻值，则说明场效应管正常工作。
4. 温升检测：通过红外测温仪或热电偶测量仪测量场效应管的表面温升，以判断其工作状态。
如果温升过高，则可能是由于电流过大或散热不良引起的。
5. 电路连接检测：检查场效应管是否与其他元件正常连接，无短路或断路现象。
6. 故障分析：如果场效应管损坏，可能出现开路、击穿或性能变差等问题。
具体表现为丧失其在电路中的作用、工作点电压变化或整机电流增加等。
通过以上步骤，可以初步判断智能手机电路中场效应管的好坏。
如果仍有问题，建议寻求专业技术人员的帮助。
场效应管好坏的判断方法
场效应管好坏的判断方法摘要：一、场效应管的基本概念二、场效应管好坏的判断方法1.静态参数判断2.动态性能判断3.栅极电阻判断4.漏极电流判断5.线性度判断三、实际应用中的注意事项四、总结正文：场效应管（FET）是一种广泛应用于电子电路中的半导体器件，具有良好的线性度、高输入电阻和低噪声等特点。
在实际应用中，正确判断场效应管的好坏至关重要。
本文将介绍几种判断场效应管好坏的方法。
一、场效应管的基本概念场效应管是依据半导体材料的电子运动方式分类的一种晶体管，它主要由三个区域组成：源极、漏极和栅极。
在栅极与漏极之间存在一个绝缘层，绝缘层上的电压控制着漏极的电流。
根据绝缘层的材料，场效应管可分为金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）、增强型绝缘栅场效应管（EGBT）等。
二、场效应管好坏的判断方法1.静态参数判断静态参数是指场效应管在静态工作状态下的电气特性。
主要包括阈值电压、漏极电流、栅极电阻等。
良品场效应管的静态参数应符合设计要求。
2.动态性能判断动态性能是指场效应管在开关过程中响应速度和稳定性。
可以通过测试场效应管的过渡频率、上升时间、下降时间等指标来判断其动态性能。
优质场效应管的动态性能应较好。
3.栅极电阻判断栅极电阻是场效应管的一个重要指标，它影响着器件的功耗和稳定性。
良品场效应管的栅极电阻应较大。
4.漏极电流判断漏极电流是场效应管在截止状态下流过栅极的电流。
优质场效应管的漏极电流应较小。
5.线性度判断场效应管的线性度是指其在一定范围内输入电压与输出电流的线性关系。
优质场效应管的线性度应较好。
三、实际应用中的注意事项1.选择合适的场效应管类型：根据电路需求，选择合适的场效应管，如MOSFET、EGBT等。
2.注意静态参数：确保选用的场效应管静态参数符合电路设计要求。
3.考虑动态性能：在高速应用场合，应注意场效应管的动态性能。
4.散热设计：场效应管在工作过程中会产生热量，应设计合理的散热结构。
5.电源电压：合理选择电源电压，避免过高的电压导致场效应管损坏。
场效应管怎样测量好坏
场效应管怎样测量好坏?1.结型场效管的判别将万用表置于RXlk档，用黑表笔接触假定为栅极G管脚，然后用红表笔分别接触另两个管脚。
若阻值均比较小(约5'--10欧)，再将红、黑表笔交换测量一次。
如阻值均很大，属N沟道管，且黑表接触的管脚为栅极G，说明原先的假定是正确的。
同样也可以判别出P沟道的结型场效应管。
2.金属氧化物场效应管的判别(1)栅极G的判定用万用表Rxl00挡，测量功率场效应管任意两引脚之间的正、反向电阻值，其中一次测量中两引脚电阻值为数百欧姆，这时两表笔所接的引脚是D极与S极，则另一引脚未接表笔为G极。
(2)漏极D、源极S及类型的判定用万用表RxlokD,挡测量D极与S极之间正、反向电阻值，正向电阻值约为0.2x10kfl，反向电阻值在(5—∞)x10kfl。
在测反向电阻时，红表笔所接引脚不变，黑表笔脱离所接引脚后，与G极触碰一下，然后黑表笔去接原引脚，此时会出现两种可能：若万用表读数由原来较大阻值变为零，则此时红表笔所接为S极，黑表笔所接为D极。
用黑表笔触发G极有效(使功率场效应管D极与S极之间正、反向电阻值均为012)，则该场效应管为N沟道型。
若万用表读数仍为较大值，则黑表笔接回原引脚不变，改用红表笔去触碰G极，然后红表笔接回原引脚，此时万用表读数由原采阻值较大变为0，则此时黑表笔所接为S极，红表笔所接为D极。
用红表笔触发G，极有效，该场效应管为P沟道型。
(3)金属氧化物场效应管的好坏判别用万用表Rxlkll挡去测量场效应管任意两引脚之间的正、反向电阻值。
如果出现两次及两次以上电阻值较小(几乎为0xkll)，则该场效应管损坏；如果仅出现一次电阻值较小(一般为数百欧姆)，其余各次测量电阻值均为无穷大，还需作进一步判断。
用万用表Rxlkfl挡测量D 极与S极之间的正、反电阻值。
对于N沟道管，红表笔接S极，黑表笔先触碰G极后，然后测量D极与S极之间的正、反向电阻值。
若测得正、反向电阻值均为0fl，该管为好的，对于P沟道管，黑表笔接S极，红表笔先触碰G极后，然后测量D极与S极之间的正、反向电阻值，若测得正、反向电阻值均为01l，则该管是好的。
场效应管的检查办法
场效应管的检查办法（1）场效应管损坏的体现办法：通常场效应管损坏有如下景象：短路、开路、蜕变、元件脚开裂等。
（2）场效应管好坏差异。
将指针式万用表拨至R×1k档上，任选两个电极，别离测出其正、反向电阻值。
当某两个电极的正、反向电阻值持平，且为几千欧姆时，则该两个电极别离是漏极D和源极S。
因为对结型场效应管而言，漏极和源极可沟通，剩余的电极必定是栅极G。
也能够将万用表的黑表笔（红表笔也行）恣意触摸一个电极，另一只表笔顺次去触摸别的的两个电极，测其电阻值。
当呈现两次测得的电阻值近似持往常，则黑表笔所触摸的电极为栅极，别的两电极别离为漏极和源极。
若两次测出的电阻值均很大，阐明是PN结的反向，即都是反向电阻，能够断定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，阐明是正向PN结，便是正向电阻，断定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
若不呈现上述状况，能够沟通黑、红表笔按上述办法进行查验，直到差异出栅极接连。
接着将万用表置于“R×十”或“R×十0”档，丈量源极s与漏极D 之间的电阻，通常在几十欧～几千欧计划（各种纷歧样类型的场效应管，其电阻值是各纷歧样的，详细在手册中可知），假定测得阻值大于正常值，或许是因为内部触摸不良；假定测得阻值是无量大，或许是内部断极。
然后把万用表置于“R×十k”档，再测栅极G1与G2、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无量大，则阐明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则阐明管是坏的。
关于其它场效应管依据相应的构造来查验。
（3）通常损坏的场效应管运用同类型的场效应管更换，假定没有，用一样参数或十分好参数的场效应管更换。
场效应开关管好坏及极性判别方法
场效应开关管好坏及极性判别方法2007-09-24 21:16:56| 分类：默认分类|字号订阅场效应开关管好坏及极性判别方法！判断场效应开关管好坏的方法是：将万用表电阻档量程拨至R×1k档，用黑表笔接D极，红表笔接S极，用手同时触及一下G、D极，场效应开关管应呈瞬时导通状态，即表针摆向阻值较小的位置；再用手触及一下G、S极，场效应开关管应无反应，即表针在回零位置不动；此时即可判断该场效应开关管为好管。
场效应开关管的极性判别方法是：将万用表电阻档量程拨至R×1k档，分别测量三个管脚之间的电阻，若某脚与其他两只引脚之间的电阻值均为无穷大，并且交换表笔后再测仍为无穷大，则此脚为G极，其他两脚为S极和D极；然后用万用表测S极与D极间的电阻一次，交换两表笔后再测一次，其中阻值较低的一次，黑表笔接的是S极，红表笔接的是D极关于《IRF NMOS场效应管管脚的辨识方法》的补充说明关于《IRF NMOS场效应管管脚的辨识方法》的补充说明原文（略加了修饰）：IRF540是NMOS场效应管，中间和散热片相通的是D极，另外两个自然是S和G了。
将S和G 其中之一与D相连，串一数十欧电阻接至+12V电源+极，另一极接+12V电源-极，有电流的话，则前者为G，后者为S；否则相反。
唯一的假设：管子未坏。
如果你的指针万用表有X10K档（6~15V电池供电），则无须+12V电源。
其黑表笔就是表内电源的+极。
用它可以代替上述的电源+电阻+电流表。
只需要记住表针摆动（也就是通常说的有电阻）就是有电流；表针摆动越多（电阻越小）电流就越大。
补充说明：一点没错，场效应管确实是电压控制器件。
但是为什么要在G极接电阻呢？上面提到的加电阻云云，只是为了测试安全的需要。
以上测试的原理很简单，就是：把G和D直接相连，在G、D和S之间加的电压，当G-S之间的控制电压（在这里也就是D-S之间电压）大于NMOS管的导通门限控制电压时，NMOS管的D-S极将有电流出现。
场效应管好坏测量
1．判定栅极G
将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚ຫໍສະໝຸດ G极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。
2．判定源极S、漏极D
由图1可见，在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。
（5）使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例，该管子加装140×140×4（mm）的散热器后，最大功率才能达到30W。
（6）多管并联后，由于极间电容和分布电容相应增加，使放大器的高频特性变坏，通过反馈容易引起放大器的高频寄生振荡。为此，并联复合管管子一般不超过4个，而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻。�
检查跨导
将万用表置于R×1k（或R×100）档，红表笔接S极，黑表笔接D极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。
注意事项：
（1）VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管，测量时应交换表笔的位置。
（2）有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。
3．测量漏-源通态电阻RDS（on）
将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。
由于测试条件不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。
（3）目前市场上还有一种VMOS管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使用。例如美国IR公司生产的IRFT001型模块，内部有N沟道、P沟道管各三只，构成三相桥式结构。
如何测试判断场效应管好坏？
如何测试判断场效应管好坏？1、场效应管的检测方法：把数字万用表打到二极管档，用两表笔任意触碰场效应管的三只引脚，好的场效应管在量测的时候只应有一次有读数，而且数值在300--800左右，2、如果在最终测量结果中测的只有一次有读数，并且为0时须万用表短接场效应管的引脚，3、重新测量一次，若又测得一组为300--800左右读数时此管也为好管。
4、将万用表开到二极管档，用万用表的两个表笔量测D、S极和G、S极，看看两极之间的读数是不是很小，如果这个值在50以下，则可以判断为这个效应管已经被击穿场效应管（Field Effect Transistor）又称场效应晶体管，是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。
由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管，[1]它属于电压控制型半导体器件。
主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属- 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。
场效应管具有输入电阻高（10 7～10 15Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。
（1）场效应管是电压控制器件，它通过V GS(栅源电压)来控制I D（漏极电流）；（2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（10 7～10 12Ω）很大。
（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；（5）场效应管的抗辐射能力强；（6）由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。
更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。
场效应管好坏测量方法
场效应管好坏测量方法场效应管是一种常用的半导体器件，广泛应用于放大、开关、滤波等电路中。
场效应管的好坏直接影响到整个电路的性能，因此对场效应管进行准确的测量和评估是非常重要的。
本文将介绍几种常用的场效应管好坏测量方法，希望能为大家提供一些参考。
首先，我们可以通过静态参数来评估场效应管的好坏。
静态参数包括漏极电流、饱和电流、开启电压等。
通过测量这些参数，我们可以初步了解场效应管的基本性能。
漏极电流是指在一定的栅极电压下，场效应管的漏极-源极间的电流，它反映了场效应管的导通能力。
饱和电流是指在一定的栅极电压下，场效应管的漏极-源极间的最大电流，它反映了场效应管的最大导通能力。
开启电压是指在一定的漏极电流下，场效应管的栅极电压，它反映了场效应管的导通起始点。
通过测量这些参数，我们可以初步判断场效应管的好坏。
其次，我们可以通过动态参数来评估场效应管的好坏。
动态参数包括开关时间、导通电阻、截止频率等。
开关时间是指场效应管从截止到导通或者从导通到截止所需要的时间，它反映了场效应管的开关速度。
导通电阻是指场效应管在导通状态下的电阻大小，它反映了场效应管的导通能力。
截止频率是指场效应管在高频条件下的截止频率，它反映了场效应管在高频条件下的性能。
通过测量这些参数，我们可以更全面地评估场效应管的好坏。
最后，我们可以通过温度特性来评估场效应管的好坏。
温度特性是指场效应管在不同温度下的性能表现。
由于场效应管在实际应用中会受到温度的影响，因此了解场效应管在不同温度下的性能表现对于评估其好坏非常重要。
通过测量场效应管在不同温度下的静态和动态参数，我们可以更准确地评估场效应管的好坏。
综上所述，对场效应管进行好坏测量是非常重要的。
我们可以通过静态参数、动态参数和温度特性来评估场效应管的好坏。
通过准确的测量和评估，我们可以更好地选择和应用场效应管，从而提高电路的性能和稳定性。
希望本文介绍的方法能够帮助大家更好地了解和应用场效应管。
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一.指针表
黑接G红接S(触发)，迅速黑接D，红不动（然后导通），表针指示。
迅速黑接S，红接G，然后截止。
其实场效应管三极管很好判断：有字面朝上从左到右依次为：G、D、S，有些管相反：S、D、G。
我修显示器、主板、电源都是从上面的方法测绝对没问题。
你不信随便拆块板看一看，场效应管在电路图板的布局及应VMOS大功率场效应晶体管的检测
二．1判别各电极与管型
用万用表R×100档，测量场效应晶体管任意两引脚之间的正、反向电阻值。
其中一次测量中两引脚的电阻值为数百欧姆，这时两表笔所接的引脚为源极S
和漏极D，而另一引脚为栅极G。
再用万用表R×10k档测量两引脚（漏极D与源极S）之间的正、反向电阻值。
正常时，正向电阻值为2kΩ左右，反向电阻值大于500kΩ。
在测量反向电阻值时，红表笔所接引脚不动，黑表笔脱离所接引脚后，先与栅极G触碰一下，然后再去接原引脚，观察万用表读数的变化情况。
若万用表读数由原来较大阻值变为0，则此红表笔所接的即是源极S，黑表笔所接为漏极D。
用黑表笔触发栅极G有效，说明该管为N沟道场效应管。
若万用表读数仍为较大值，则黑表笔接回原引脚不变，改用红表笔去触碰栅极G后再接回原引脚，若此时万用表读数由原来阻值较大变为0，则此时黑表笔接的为源极S，红表笔接的是漏极D。
用表红笔触发栅极G有效，说明该管为P沟道场效应晶体管。
2．判别其好坏
用万用表R×1k档或R×10k档，测量场效应管任意两脚之间的正、反向电阻值。
正常时，除漏极D与源极S的正向电阻值较小外，其余各引脚之间（G与D、G与S）的正、反向电阻值均应为无穷大。
若测得某两极之间的电阻值接近0Ω，则说明该管已击穿损坏。
另外，还可以用触发栅极G（P沟道场效应晶体管用红表笔触发，N沟道场效应管用黑表笔触发）的方法来判断场应管是否损坏。
若触发有效（触发栅极G 后，D、S极之间的正、反向电阻均变为0），则可确定该管性能良好。
用吧
三,1 用10K档,内有15伏电池.可提供导通电压.
2 因为栅极等效于电容,与任何脚不通,
不论N管或P管都很容易找出栅极来,否则是坏管.
3 利用表笔对栅源间正向或反向充电,可使漏源通或断,
且由于栅极上电荷能保持,上述两步可分先后,不必同步,方便.
但要放电时需短路管脚或反充.
4 大都源漏间有反并二极管,应注意,及帮助判断.
5 大都封庄为字面对自已时,左栅中漏右源.
以上前三点必需掌握,后两点灵活运用,很快就能判管脚,分好坏.。