教案.第六讲 常用CMOS逻辑门电路及74LS系列TTL逻辑门电路
电子课件电子技术基础第六版第六章门电路及组合逻辑电路可编辑全文

逻辑函数除可以用逻辑函数表达式(逻辑表达式)表示以 外,还可以用相应的真值表以及逻辑电路图来表示。真值表 与前述基本逻辑关系的真值表类似,就是将各个变量取真值 (0 和 1)的各种可能组合列写出来,得到对应逻辑函数的真 值(0 或 1)。逻辑电路图(逻辑图)是指由基本逻辑门或复 合逻辑门等逻辑符号及它们之间的连线构成的图形。
TTL 集成“与非”门的外形和引脚排列 a)外形 bOS 集成门电路以绝缘栅场效应管为基本元件组成, MOS 场效应管有 PMOS 和NMOS 两类。CMOS 集成门电路 是由 PMOS 和 NMOS 组 成的互补对称型逻辑门电路。它具 有集成度更高、功耗更低、抗干扰能力更强、扇出系数更大 等优点。
三、其他类型集成门电路
1. 集电极开路与非门(OC 门) 在这种类型的电路内部,输出三极管的集电极是开路的, 故称集电极开路与非门,也称集电极开路门,简称 OC 门。
OC 门 a)逻辑符号 b)外接上拉电阻
74LS01 是一种常用的 OC 门,其外形和引脚排列如图所 示。
74LS01 的外形和引脚排列 a)外形 b)引脚排列
2. 主要参数 TTL 集成“与非”门的主要参数反映了电路的工作速度、抗 干扰能力和驱动能力等。
TTL 集成“与非”门的主要参数
TTL 集成“与非”门具有广泛的用途,利用它可以组成很多 不同逻辑功能的电路,其外形和引脚排列如图所示。如 TTL“ 异或”门就是在 TTL“与非”门的基础上适当地改动和组合而成 的;此外,后面讨论的编码器、译码器、触发器、计数器等 逻辑电路也都可以由它来组成。
电气自动化技术《教案-CMOS逻辑门电路》

CMOS逻辑门电路一、学习目标1.了解CMOS门电路的工作原理;2.掌握CMOS集成门的使用考前须知;3.掌握CMOS其他门电路的特性,了解其应用;二、问题导入1〕CMOS逻辑门电路与TTL逻辑门电路有何不同?2〕CMOS逻辑门电路为何会广泛的应用?三、知识点1.CMOS反相器1〕电路结构电路结构和符号如图1所示。
〔a〕电路结构〔b〕电路符号图1电路结构和符号2) 开关等效电路设定:V DD=+5V,V IH=5V,V IL=0V,且V DD>|V TN|+|V TP|当V IL=0时,T1的V GS=0,T1截止;T2的V GS= -V DD,T2导通;故V OH=V DD。
当V IH=V DD时,T2的V GS=0,T2截止;T1的V GS=V DD,T1导通;故V OL=0 。
2.其他常用的CMOS门电路1).CMOS与非门和或非门电路CMOS与非门电路见图2,或非门见图3。
图2与非门电路图3或非门电路2〕CMOS传输门电路结构和符号如图25所示。
开关状态由加在P和N的控制信号决定。
当P=0V,N=V DD时,两个MOS管均导通,A-B接通。
当P=V DD,N=0V时,两个MOS管均截止,A-B断开。
图4 电路结构和符号3〕双向模拟开关双向模拟开关电路如图5〔a〕所示,图5〔b〕为逻辑符号。
图5双向模拟开关3.CMOS集成逻辑门电路使用中的几个实际问题1〕器件选择应根据带负载能力、工作速度、最高工作频率等参数为标准。
2〕引脚排列3〕使用考前须知①输入电压必须处于VDD 和VSS 之间②焊接时,电烙铁容量不大于20W,并有良好的接地。
③安装在印制电路板上时,输入端应接入限流电阻。
④多余输入端应接到电源上或并到有用端或低电平上。
⑤测试时先通电,断电时先断开信号源。
⑥拔插电路板电源时,先切断电源。
⑦存放CMOS芯片时,要屏蔽。
第六章数字逻辑电路基础PPT课件

2、常用PC机显示卡
MDA,CGA,EGA VGA(SVGA,TVGA)
52
3、显示卡的主要指标
分辨率:显示卡能支持的在屏幕上显示的最多 像素数。用每行像素数乘以每列的像素数表示。
颜色数:由属性缓冲区所用的二进制位数决定。 N位二进制可表示2N种颜色。
• MOS电路属于单极型电路,CMOS电路具有高速度、功耗 低、扇出大、电源电压范围宽、抗干扰能力强、集成度高等 一系列特点,使之在整个数字集成电路中占据主导地位的趋 势日益明显。
31
补充:视频显示终端 一、显示器分类及原理:
CRT、液晶、等离子等
32
Project
PDP
Digital Micro Mirror Device (DMD)
22
23
1)脉宽由充放电的时间参数确定 2)充放电波形通过逻辑门限整形获取规整的时钟脉冲。
24
2 集电极开路(OC)门和三态(TS)门的应用
集电极开路门(OC)
a) 利用电路的“线与”特征方便地完成某些特定的逻辑功能。
b)实现多路信息采集,使两路以上的信号共用一个传输通道(总线)。 c)实现逻辑电平的转换,以推动荧光数码管、继电器、 MOS器件等多种数字集成电路。
N OIOm/aI x IS
其中IOmax为最大允许灌电流,,IIS是一个负载门灌入本级的电 流(≈1.4mA)。N0越大,说明门的负载能力越强
6
CMOS: 74HCT
IOH = – 4 mA IOL = 4 mA IIH = 1 A IIL = – 1 A
TTL: 74LS
IOH = – 400 A IOL = 8 mA IIH = 20 A IIL = – 0.4 mA
逻辑门电路授课课件

3.1.4 CMOS反相器
1.电路结构
CMOS逻辑门电路是由N沟道MOSFET和P沟
υI
道MOSFET互补而成。
2.工作原理
(设VDD>(VTN + |VTP|),且VTN = |VTP|) (1)当υi=0V时,TN截止,TP导通。输出υO≈VDD。 (2)当υi=VDD时,TN导通,TP截止,输出υO≈0V。
传输延迟时间 tpd/ns(CL=15pF)
75 10 13 2.9
功耗 (mW) 1(1MHz) 1.5 (1MHz) 1 (1MHz) 0.0003~7.5
延时功耗积 (pJ) 75 15 13
0.00087~22
3.1.9 NMOS门电路(略)
3.2 TTL逻辑门
3.2.1 BJT的开关特性
⑴ 扇入数:一个门电路输入端接入同类门电路的最大数目,取决于门电 路的输入端的个数。
⑵ 扇出数:一个门电路输出端能带同类门电路的最大数目,它表示带负 载的能力。
驱动门的所带负载分为灌电流负载和拉电流负载两种情况:
① 带灌电流负载
② 带拉电流负载
如NOH= NOL则取两者的最小值为门的扇出系数。
各类数字集成电路主要性能参数的比较
3.1.5 CMOS逻辑门电路
1.CMOS与非门
两个并联的P沟道和两个串联的N沟道增强型MOS管组成。
VDD
TP1
TP2
(1)当A、B中只要一个为低时,就会使与 之相连的NMOS管截止,PMOS管导
通,输出为高;
L
(2)当A、B全为高时,两串联的NMOS
B TN2
管导通,两并联的PMOS管截止,输 出为低。
VDD
TTL和CMOS门电路

TTL和CMOS门电路摘要:门电路是构成各种复杂数字电路的基本逻辑单元,TTL和CMOS门电路作为目前应用最广的两种门电路,掌握TTL和CMOS 门电路的逻辑功能和电气特性,对于正确使用数字集成电路是十分必要的。
本文对于TTL和CMOS门电路的初学者有一定的参考作用。
关键词:TTL门电路;CMOS门电路1.引言随着数字集成电路的问世和大规模集成电路工艺水平的不断提高,为数字电路的应用开拓了无限广阔的天地。
从制造工艺上可以将目前使用的数字集成电路分为双极型、单极型和混合型三种。
在数字集成电路发展的历史过程中,首先得到推广应用的是双极型的TTL 电路。
由于其体积小、重量轻、可靠性好,至今仍是最流行的集成电路系列之一。
CMOS集成电路出现于20世纪60年代后期,随着其制造工艺的不断进步,CMOS电路逐渐成为当前集成电路的主流产品。
本文将简要总结TTL和CMOS这两种目前使用最多的数字集成电路。
2.TTL门电路TTL门电路是以双极型三极管作为开关器件的集成电路。
在TTL 门电路的定型产品中有反相器(非门)、与门、或门、与非门、或非门、与或非门和异或门几种常见的类型。
尽管它们逻辑功能各异,但输入端、输出端的电路结构形式基本相同。
2.1 反相器2.1.1 反相器的电路结构与逻辑关系反相器是TTL集成门电路中电路结构最简单的一种。
图1给出了74系列TTL反相器的典型电路。
图1 TTL反相器典型电路图1所示电路由三部分组成:T1、R1和D1组成的输入级,T2、R2和R3组成的倒向级,T4、T5和R4组成的输出级。
反向器输入和输出之间是反向关系,即Y=A'。
2.1.2 反相器的外部特性及参数为了正确地解决门电路与门电路、门电路与其他电路的连接问题,必须了解门电路的输入特性、输出特性、负载特性、传输特性和噪声容限等问题。
2.1.2.1 电压传输特性如果把图1所示反相器电路输出电压随输入电压的变化用曲线描绘出来,就得到了图2所示的电压传输特性。
第六章 数字电路基本器件及组合逻辑电路 第四节TTL集成逻辑门

态时输出端得到的低电平值。典型值为0.3V。 c.关门电平Uoff:在保证输出电压为额定高电平3.6V的
90%时,允许的最大输入低电平值。一般Uoff≥0.8V。
数字电路基本器件及组合逻辑电路
即总的输出P为二个OC门单独输出P1和P2的“与”,等效 电路如图6-21 (b)所示。可见,OC与非门的“线与”可以 用来实现与或非逻辑功能。
数字电路基本器件及组合逻辑电路
②实现“总线”(BUS)传输 如果将多个OC与非门按图6-22所示连接,当某一个门 的选通输入Ei为“1”,其他门的选通输入皆为“0”时,这 时只有这个OC门被选通,它的数据输入信号Di就经过此选通 门被送上总线(BUS)。为确保数据传送的可靠性,规定任 何时刻只允许一个门的输出数据被选通,也就是只能允许一 个门挂在数据传输总线(BUS)上,因为若多个门被选通, 这些OC门的输出实际上会构成“线与”,就将使数据传送出 现错误。
TTL与非门是采用双极型的晶体管-晶体管形式集成的 与非逻辑门电路。
数字电路基本器件及组合逻辑电路
6.4.1 TTL与非门电路组成
图6-13是TTL与非门(CT54/74系列)的典型电路,它 由三部分组成:
输入级:由多发射极管VT1和电阻R1组成,完成“与” 逻辑功能。
中间级:由VT2和电阻R2、R3组成,从VT2的集电极和发 射极同时输出两个相位相反的信号,作为VT3、VT4输出级的 驱动信号,使VT3、VT4始终处于一管导通而另一管截止的工 作状态。
数字电路基本器件及组合逻辑电路
6.4.4 集成与非门芯片介绍 常用的TTL与非门集成电路有7400和7420等芯片,采用
通信工程设计与监理《TTL和CMOS系列数字集成电路简介教案》

TTL和CMOS系列数字集成电路简介
一、教学目标:
TTL电路的定义及分类、CMOS电路的定义及分类、CMOS集成电路的性能及
二、教学重点、难点:
重点掌握TTL电路分类和CMOS电路分类
三、教学过程设计:
1TTL电路的定义:
TTL电路以双极型晶体管为开关元件,所以又称双极型集成电路。
双极型数字集成电路是利用电子和空穴两种不同极性的载流子进行电传导的器件。
2TTL电路的分类:
1)74-系列
2)74H-系列
3)74S-系列
4)74LS-系列
5)74ALS-系列
6)74AS-系列
3CMOS电路的分类:
1)标准的4000B/4500B系列
2)74HC-系列
3)74AC-系列
讲完之后问个问题:TTL系列和CMOS系列数字集成电路的区别?TTL系列:是电流控制器件,速度快、功耗大,双极型数字集成电路,噪声容限窄。
CMOS系列:是电压控制器件,速度慢、功耗低,单极型数字集成电路,噪声容限宽
四、课后作业:
1填空
1.1TTL电路又称数字集成电路,CMOS电路又
称数字集成电路〔双极型、单极型〕
1.2数字集成电路是国际上通用的标准电路。
〔74
系列〕
五、本节小结:对本节内容进行小结。
数字电路cmos型和ttl型门电路介绍及使用

数字电路cmos型和ttl型门电路介绍及使用一、CMOS门电路CMOS 门电路一般是由MOS管构成,由于MOS管的栅极和其它各极间有绝缘层相隔,在直流状态下,栅极无电流,所以静态时栅极不取电流,输入电平与外接电阻无关。
由于MOS管在电路中是一压控元件,基于这一特点,输入端信号易受外界干扰,所以在使用CMOS门电路时输入端特别注意不能悬空。
在使用时应采用以下方法:1、与门和与非门电路:由于与门电路的逻辑功能是输入信号只要有低电平,输出信号就为低电平,只有全部为高电平时,输出端才为高电平。
而与非门电路的逻辑功能是输入信号只要有低电平,输出信号就是高电平,只有当输入信号全部为高电平时,输出信号才是低电平。
所以某输入端输入电平为高电平时,对电路的逻辑功能并无影响,即其它使用的输入端与输出端之间仍具有与或者与非逻辑功能。
这样对于CMOS与门、与非门电路的多余输入端就应采用高电平,即可通过限流电阻(500Ω)接电源。
2、或门、或非门电路:或门电路的逻辑功能是输入信号只要有高电平输出信号就为高电平,只有输入信号全部为低电平时,输出信号才为低电平。
而或非门电路的逻辑功能是输入信号只要有高电平,输出信号就是低电平,只有当输入信号全部是低电平时输出信号才是高电平。
这样当或门或者或非门电路某输入端的输入信号为低电平时并不影响门电路的逻辑功能。
所以或门和或非门电路多余输入端的处理方法应是将多余输入端接低电平,即通过限流电阻(500Ω)接地。
二、TTL门电路TTL门电路一般由晶体三极管电路构成。
根据TTL电路的输入伏安特性可知,当输入电压小于阐值电压UTH,即输入低电平时输入电流比较大,一般在几百微安左右。
当输入电压大于阈值电压UTH时,输入高电平时输入电流比较小,一般在几十微安左右。
由于输入电流的存在,如果TT L门电路输入端串接有电阻,则会影响输入电压。
其输入阻抗特性为:当输入电阻较低时,输入电压很小,随外接电阻的增加,输入电平增大,当输入电阻大于IKΩ时,输入电平就变为阈值电压UTH即为高电平,这样即使输入端不接高电平,输入电压也为高电平,影响了低电平的输入。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
上一讲内容回顾:CMOS 反相器结构和工作原理+V DDB 1G 1D 1S 1u Au YT NT PB 2D 2S 2G 2VSS+-uGSNu +-GSPAY 0V+V DD u Au GSN|u GSP |T NT Pu Y 0V<U th(N)>|U th(P)|截止导通V DD V DD >U th(N)<|U th(P)|导通截止0V设U th(N)=2V ,U th(P)=-2V ,V DD =5V 。
T R ONPu Y +V DD V DD SN T P T R ONNu Y +V DD 0V SN T PAY导通导通截止截止u A =0V 时u A =V DD 时电压传输特性和电流传输特性i D ++V DDB 1G 1D 1S 1u I-u OT NT PB 2D 2S 2G 2V SSA BCDE FU th(N)V DDU THU th(P)U NLU NHu O / Vu I / VD A BC E Fi D /mAu I / VU TH电压传输特性电流传输特性1. 常用逻辑功能的CMOS 门电路 (一)CMOS 逻辑与非和或非门电路 ①与非门A B T N1T P1T N2T P2Y 0 00 11 01 1截通截通通通通截截通截截截截通通1110与非门u A+V DD +10VVSST P1T N1T P2T N2A B Y u Bu Y0101AB Y =AB Y②或非门或非门B A Y +=u A+V DD +10V V SS T P1T N1T N2T P2ABYu B u YA B T N1T P1T N2T P2Y 0 00 11 01 1截通截通通通通截截通截截截截通通1000ABY (二)CMOS 漏极开路输出门电路(OD 门) 为什么需要OD 门能否将普通2个及以上的CMOS 门电路的输出直接连在一起,进而实现“线与”! 21Y Y Y =A B YC DY 1Y 2是否可以如此连接与应用10产生一个很大的电流 漏极开路输出CMOS 门电路(OD 门)AB Y AB Y =V R L V DD2DD1A BV SS用途:输出缓冲/驱动器;输出电平的变换;满足大功率负载电流的需要;实现线与逻辑。
应用举例“线与”连接方法R LV DD G 1A B Y 2G 2CD Y 1Y A BY C D R L V DD Y 2Y 1G 1G 2“线与”逻辑符号21Y Y Y ⋅=AB Y =1CD Y =2CD AB CD AB Y +=⋅= R L 的选择 m '个V DD V IHV ILV ILR L(max)L IH OH OH DD L R mI nI V V R =+-≤I OHI IHn 个OH L IH OH DD V R mI nI V ≥+-)(V OHV DD V IL V IL V IL R L m 个m 、m'是负载门电路分别为高、低电平时,负载门输入端进或出电流的数目。
负载门为CMOS 门电路情况下,m 和m '相等。
V OLI OL I IL (max)/)(OL IL L OL DD I I m R V V ≤'+-(min)(max)||L IL OL OLDD L R I m I V V R ='--≥ (三)CMOS 传输门和双向模拟开关及CMOS 异或门TG C C u o /u iu i /u oCCu i /u o u o /u iV DD 时,传输门导通。
01==C C ,时,传输门截止。
10==C C ,传输门的一个用途可作模拟开关,用来传输连续变化的模拟电压信号。
TG Cu i /u o u o /u i SW u o /u i u i /u o C SWu o u i C R L C =1时开关接通;C =0时开关截止。
利用CMOS 传输门和CMOS 反相器可以组合成各种复杂的逻辑电路,如:异或门、同或门、触发器等。
用反相器和传输门构成异或门电路TG 1TG 2AB YA BYB A Y ⊕=A =1、B =0时,TG 1截止,TG 2导通,Y = =1;B A =0、B =1时,TG 2截止,TG 1导通,Y =B =1;A =0、B =0时,TG 2截止,TG 1导通,Y =B =0;A =1、B =1时,TG 1截止,TG 2导通,Y = =0;B 01100 00 11 01 1YA B(四)三态输出CMOS 门电路三态输出的CMOS 反相器 控制端低电平有效三态门:Y AEN V DDA Y EN=时,反相器正常工作。
0EN 时,输出呈现高阻态。
1=EN 低电平有效⎩⎨⎧===)()(10EN Z EN A Y 控制端高电平有效三态门:A Y EN高电平有效⎩⎨⎧===)()(01EN Z EN A Y 三态门有三种状态:高电平、低电平、高阻态。
注意:高阻状态不是逻辑状态!三态输出反相器应用举例用三态输出反相器接成总线结构…1EN 1A 1G 2EN 2A 2G nEN nA nG ……总线用三态输出反相器实现数据双向传输ENYOD 1G 2G 总线ID IO D D /(五)CMOS 电路的特点与使用注意问题 ①CMOS 电路的优点• 静态功耗小;允许电源电压范围宽20V);扇出系数大,噪声容限大。
②CMOS 电路的正确使用 输入电路的静电保护• 所有与CMOS 电路直接接触的工具、仪表等必须可靠接地。
• 存储和运输CMOS 电路,最好采用金属屏蔽层做包装材料。
多余的输入端不能悬空• 可以按功能要求接电源或接地,或与其它输入端并联使用。
输入电路需过流保护• 低内阻信号源时,输入端与信号源之间串进保护电阻; • 输入端接有大电容时,应在输入端和电容之间串联接入保护电阻;• 输入端接长线时,应在门电路的输入端串联接入保护电阻。
2. 74LS 系列TTL 门电路(一)LSTTL 非门结构与工作原理TTL 集成门电路发展主要经历了四个系列,74系列、74H 系列、74S 系列、74LS 系列。
前三个系列已经被淘汰,74LS 系列虽面临淘汰,但是目前仍有使用,故课程仅简单介绍74LS 系列原理。
利用肖特基管的低导通电压~和多数载流子形成电流特性抗深饱和提高速度。
R R R D 3V CCY 28K120KA RB 1.5K T 2T 3T 45120T 5R 44KR C 3K T 6u o u i D 2R 612K D 1SBD b e e cb c电压关系表u I /V u O /V 0.3 3.4(4.3)3.40.3真值表0110A Y D2、D3的作用D2在T5导通的瞬间起作用,可抽取T4的基区电荷,加速其截止过程。
D3在T5导通的过程中起作用,此时T2的集电极电位比T5的集电极电位低,可以通过D3给负载电容放电,而这个放电电流又去驱动T5,减小了电路的导通延迟。
T6电路的作用T2由截止变导通,先驱动T5饱和导通,然后T6才导通,对T5进行分流,饱和度将变浅。
使其从饱和变截止时更加迅速。
T5变截止的瞬态,由于T6比T5晚截止,使T5有很好的泄放回路而很快脱离饱和,提高了电路工作速度。
(二)LSTTL 门电路的特性曲线和一些规定参数 i iu iR Pu iR L 低入V OH V CC R L 高入V OL u i /V u o /V04.3V/3.4V 1.1V D 3V CC Y R 28K R 120K A R B1.5K T 2T 3T 4R 5120T 5R 44K R C 3K T 6u ou i D 2R 612K D 10.5 1.0 1.5 2.00u i /V i i/mA -0.23 1.1V <40μA ,P /k R Ω1.1101.01.0020u i /V 0.8R OFF ≈1k R ON ≈10k 低电平输入电流|I IL |≤0.23mA高电平输入电流|I IH |≤40μA 低电平输出电流|I OL |≤8mA 高电平输出电流|I OH |≤0.4mA 低电平输出电压|V OL |≤0.4V 高电平输出电压|V OH |≥2.4V 负载开路时电压4.3V ,当有负载时约3.4V 注意:TTL 门电路悬空的输入端相当于接高电平。
为了防止干扰,一般应将定义为高电平的悬空输入引脚,通过一个几千欧的电阻接电源。
也可以根据逻辑情况与其它输入引脚接在一起使用。
(三)TTL 功耗问题 TTL 功耗有静态功耗PD 和动态功耗PT 。
由于静态时TTL 工作CC8速度TTL(LS)大小(µ30%功耗噪声容限扇出系数集成度快(mW)(0.4V 左右)小(20≤)低CMOS 较快(74HC)小W)大(≥V DD )大(≥50)高多余输入端的处理措施处理原则:不能影响输入与输出之间的逻辑关系。
①可并联起来使用;②可根据逻辑关系的要求接地或接高电平。
• TTL 电路多余的输入端悬空表示输入为高电平。
一般可根据门电路逻辑功能将多余的输入端通过上拉电阻(1~3K)接电源正端(逻辑1的处理);直接把多余端接地(逻辑0的处理)。
尽量把多余的输入端并联使用;虽然可以通过大电阻接地(逻辑1的处理),但最好不要采用。
• CMOS 电路,多余的输入端不允许悬空,否则电路将不能正常工作。
对于CMOS 电路对多余输入端,尽量根据门电路逻辑功能并联使用,或者根据需要直接接地(逻辑0的处理);或直接接V DD (逻辑1的处理)。