等离子清洗
等离子清洗机的原理
等离子清洗机的原理
等离子清洗机是一种利用等离子体技术进行表面清洗的设备。
其原理是利用高频电场将气体分子激发成等离子态，产生高能量的电子、离子和自由基等活性粒子，这些活性粒子在与材料表面接触时，能够与表面的污染物发生化学反应或物理轰击，从而实现对表面的清洗和改性。
等离子清洗机具有多种清洗模式，包括常压清洗、真空清洗、大气压力清洗等，可以根据不同的清洗需求选择合适的模式。
此外，等离子清洗机还具有高效、环保、安全等优点，可以广泛应用于电子、半导体、光学、汽车、航空航天等领域。
等离子清洗机的原理是利用等离子体技术产生高能量的活性粒子，通过化学反应或物理轰击实现对表面的清洗和改性。
它具有高效、环保、安全等优点，在多个领域都有广泛的应用前景。
等离子清洗工艺
等离子清洗工艺等离子清洗工艺是一种先进的表面清洗技术，它利用等离子体的化学反应和物理作用，将污染物从表面移除，达到清洁的效果。
该技术广泛应用于电子、半导体、医疗器械、航空航天等领域。
本文将介绍等离子清洗工艺的原理、特点和应用。
一、等离子清洗工艺的原理等离子体是一种带正电荷或负电荷的离子态气体，由于其高能量和高反应性，可以瞬间将表面的有机物、无机物、氧化物、铁锈和涂料等污染物分解成无害的物质，从而清洗表面。
等离子清洗工艺主要分为两类：低压等离子清洗和高压等离子清洗。
低压等离子清洗是在真空室中进行的，利用电子束或高频电场产生等离子体，将表面污染物从表面分解掉。
高压等离子清洗则是利用气体放电产生等离子体，将表面污染物清除。
二、等离子清洗工艺的特点1. 高效清洗：等离子清洗能够快速、彻底地清洗表面污染物，不仅能够清除有机物和无机物，还能够去除铁锈、氧化物和涂料等。
2. 环保节能：等离子清洗不需要使用有机溶剂、酸碱等危险物质，对环境和人体无害，同时能够节约能源和成本，具有很高的经济效益。
3. 适用范围广：等离子清洗技术适用于各种材料的表面清洗，不会对材料产生损害。
同时，它还能够清洗复杂的结构和微小孔洞。
4. 自动化程度高：等离子清洗可以与自动化生产线配合使用，实现全自动清洗和生产，提高了生产效率。
三、等离子清洗工艺的应用等离子清洗技术广泛应用于电子、半导体、医疗器械、航空航天等领域。
例如，电子行业中，等离子清洗可以清洗印刷电路板上的焊接残留物和半导体芯片上的残留物，以保证产品的质量和可靠性。
在医疗器械领域，等离子清洗可以清洗手术器械上的细菌和病毒，防止交叉感染。
在航空航天领域，等离子清洗可以用于清洗发动机叶轮和气动结构，提高机身的效率和可靠性。
总之，等离子清洗工艺是一种高效、环保、适用范围广的表面清洗技术，将会在未来的工业生产和科研领域中得到越来越广泛的应用。
等离子清洗 原理
等离子清洗原理
等离子清洗是一种利用高能离子束清洗物体表面的技术。
其主要原理是通过电离气体，产生等离子体（即带电离子和自由电子）。
这些带电粒子能够与物体表面的污染物相互作用，并将其从物体表面解离和去除。
等离子清洗主要包含以下几个步骤：
1. 气体电离：将对物体表面污染物去除效果好的气体（如氢、氩、氧等）注入清洗室，并加入电流和高电压，使气体电离形成等离子体。
2. 等离子体生成：高能离子束通过电场加速，与气体原子或分子相互碰撞，产生新的离子和电子，形成等离子体。
3. 清洗处理：等离子束由于带有正电荷，会吸附和中和物体表面的负电荷（即污染物），从而使污染物解离并脱离物体表面。
等离子束还能通过碰撞使物体表面的残留物往往发生位移和释放。
4. 后处理：清洗结束后，等离子体失去电场加速，重新组合成气体。
物体表面可采用有效的方法对残留的污染物进行去除或处理。
等离子清洗具有高效、非接触和无损等特点，可以应用于许多工业领域，如半导体制造、航空航天等，用于清洗金属、陶瓷、玻璃等材料的表面。
等离子清洗机清洗原理
等离子清洗机清洗原理
等离子清洗机是一种利用等离子体技术进行清洗的设备。
清洗过程中，首先将待清洗的物体放置在清洗室内，然后通过产生高频电场和电离气体的作用，将气体转化为等离子体。
等离子体是由正离子和自由电子组成的高度电离化的气体。
在等离子体中，正离子和自由电子之间存在着电荷平衡，呈现出电中性状态。
同时，等离子体的高温、高能量特性也使其具有强大的清洗能力。
清洗过程中，等离子体会释放出大量的化学能量。
这些能量可以通过碰撞和相互作用，使污渍表面的物质分解和转化为其他物质。
同时，等离子体中的活性氧、活性氮等物质也会与污渍发生反应并被清除。
此外，等离子清洗机还可以利用等离子体的物理冲击效应，对待清洗物体进行表面清洗。
等离子体中带有的正离子会以高速撞击待清洗物体表面，将表面的污渍和有机物质冲刷掉。
综上所述，等离子清洗机清洗原理主要是通过产生等离子体以及等离子体的热效应、化学效应和物理效应，对待清洗物体进行全面清洗。
这种清洗方式具有很高的清洁效果和广泛的适用性，被广泛应用于电子、光学、航空航天等领域。
等离子清洗工作原理
等离子清洗工作原理等离子清洗工作原理什么是等离子清洗？等离子清洗是一种利用等离子体（包括氧气等离子体和惰性气体等离子体）进行表面处理和清洗的技术方法。
它可以用于去除物体表面的有机污染物、金属氧化物、附着的颗粒物等。
等离子体是什么？等离子体是一种由电离的气体分子和自由电子构成的物质状态。
在一定的条件下，气体分子可以吸收充足的能量，电子脱离分子成为自由电子，从而形成等离子体。
等离子体具有高电离度、高电导率和高能量状态的特点。
氧气等离子清洗的工作原理氧气等离子清洗采用的是氧气等离子体（氧等离子体）对物体表面进行清洗的原理。
具体步骤如下： - 产生氧等离子体：将氧气通入到一个特殊的清洗室中，通过高频电场或者微波辐射等方法激发氧气分子，使其脱离电荷，并形成氧等离子体。
- 清洗物体表面：将待清洗的物体放置在清洗室中，通过调整电场强度和等离子体浓度，使氧等离子体覆盖到物体表面。
氧等离子体在物体表面产生离子撞击和化学反应，将有机污染物、金属氧化物和颗粒物等清除掉。
- 清洗后处理：清洗后物体的表面可能会被氧化，需要进行适当的后处理，如用惰性气体或者某种化合物处理。
惰性气体等离子清洗的工作原理惰性气体等离子清洗是利用惰性气体等离子体对物体表面进行清洗的原理。
具体步骤如下： - 产生惰性气体等离子体：将惰性气体（如氖、氩等）通过高频电场或者微波辐射等方法激发，使其成为惰性气体等离子体。
- 清洗物体表面： - 物理清洗：通过惰性气体等离子体的电子和离子撞击作用，将物体表面附着的异物和污染物剥离。
- 化学清洗：将惰性气体等离子体辅以适当的化学药剂，使其与物体表面的污染物发生反应，降解和清除。
- 清洗后处理：清洗后物体的表面可能会因为气体等离子体的撞击而变得粗糙，需要进行抛光等适当的处理。
等离子清洗的优点•高效：等离子清洗能够在较短时间内完成对物体表面的清洗和处理，提高清洗效率。
•无残留：等离子清洗过程中使用的气体能够完全转化为无害的气体，不会在物体上留下任何残留物质。
等离子体清洗原理
等离子体清洗原理
等离子体清洗是一种利用等离子体产生的化学反应和物理作用清洗表面的技术。
其原理主要包括等离子体体积放电、电子轰击和化学反应。
等离子体体积放电是将气体或者气体混合物引入一个封闭容器，通过加热、电磁场激励或者高电压放电等方法将气体电离形成等离子体。
等离子体形成后，电子、离子和种子等多种粒子开始对表面进行清洗。
电子轰击是等离子体清洗中最主要的机理。
等离子体中的电子和离子具有高能量，它们通过碰撞作用将表面的污染物和氧化物剥离、清除，并将部分材料重新氧化还原。
化学反应是等离子体清洗中的另一个重要原理。
等离子体中的激活能较低，可以在表面上引发各种化学反应，如电离还原、氧化还原、氧化、还原等反应，从而消除或转化表面的有机或无机污染物。
另外，等离子体清洗还受到等离子体成分、气体压力、温度、电压等条件的影响。
根据不同清洗需求，可以调整这些条件来得到更好的清洗效果。
等离子清洗的作用应用及特点介绍
等离子清洗的作用应用及特点介绍等离子清洗的作用机制主要是通过等离子体产生的高温与活性气体分子与表面杂质作用，使之脱附、溶解或转化为易挥发的物质，从而达到清洗或改性的目的。
等离子清洗主要包括等离子喷雾清洗、等离子辉光清洗和等离子蚀刻等。
等离子喷雾清洗是将高频电源输入等离子体发生器，产生等离子体喷射到被清洗物体的表面进行清洗的一种技术。
它可以去除表面的油污、杂质以及氧化物等，能够显著提高表面的粗糙度。
等离子喷雾清洗适用于表面精密清洗、油漆前的净化以及涂层前的表面处理等工艺。
等离子辉光清洗是利用辉光放电产生的等离子体与表面进行接触反应，达到清洗效果的一种技术。
它可以清除表面的润滑剂、灰尘以及容易附着的杂质等，对表面进行了彻底的清洁。
等离子辉光清洗适用于电镀涂层前的表面处理、晶圆清洗以及光学元件清洗等工艺。
等离子蚀刻是利用等离子体产生的高能粒子对表面进行蚀刻的一种技术。
它可以改变表面形貌、提高材料的亲水性、增加表面活性、增强涂层附着力等。
等离子蚀刻适用于半导体、涂层、光学、表面改性等领域。
1.无机溶剂清洁：等离子清洗不需要使用有机溶剂或化学清洁剂，大大减少了环境和健康的风险。
2.反应活性高：等离子体产生的高温和活性气体分子具有极高的反应活性，能够有效去除表面的有机和无机杂质。
3.清洁效果好：等离子清洗可以在微米或亚微米尺度上清洗表面，能够彻底去除表面的污染物，提高表面的洁净度。
4.处理速度快：等离子清洗的作用速度快，清洗效率高，能够提高工作效率。
5.对材料的影响小：等离子清洗的温度和压力可以控制，对材料的影响较小，能够保护物体的表面。
6.易于操作：等离子清洗设备操作简单，易于控制和维护。
总之，等离子清洗作为一种新型的清洗技术，在各行业的应用中具有独特的作用机制和优势特点。
通过等离子体产生的高温和活性气体分子，可以去除表面的杂质、溶解物质、改变表面结构，从而达到清洗、改性等目的。
未来，随着科技的不断进步，等离子清洗技术将得到更广泛的应用和发展。
等离子清洗设备原理
等离子清洗设备原理
嘿，大家知道吗，有一种超酷的设备叫做等离子清洗设备。
那它的原理是什么呢？其实啊，就好像我们打扫房间一样。
想象一下，房间里有各种灰尘、污渍，我们需要把它们清理干净，让房间焕然一新。
等离子清洗设备的原理就类似这样。
它是利用等离子体来进行“清洁工作”的。
等离子体就像是一群超级活跃的“小清洁工”，它们充满了能量。
这些“小清洁工”可以和物体表面的各种污染物“大战一场”，把它们快速地分解、去除。
比如说，在一些制造过程中，物体表面可能会有油脂啊、氧化物啊之类的脏东西。
这时候，等离子清洗设备就派上用场啦！它启动后，产生的等离子体就会冲上去，把那些脏东西清理得干干净净。
就像我们用力擦拭桌子，能把上面的污渍擦掉一样，等离子清洗设备用等离子体的力量，把那些我们肉眼看不到的、顽固的污染物都解决掉。
总之，等离子清洗设备的原理就是利用神奇的等离子体来给物体做一个深度清洁，让它们变得干净又整洁，是不是很有趣呢？下次再看到经过等离子清洗的东西，你就可以想象那些活跃的“小清洁工”在努力工作啦！。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
H2 Plasma是和表面的O2反映生成 H20， O2 Plasma是和C 反映 生成 CO2来除去污染物.
(CH2)n + 3/2nO2 → nCO2 + nH2O)
2/9
8/1/12
Confidential
Plasma 基本作用
1. 表面有机物除去 : 脱脂效果 2. 有机物除去后表面活性化 : 酸洗效果
金属表面常常会有油脂、油污等有机物及氧化层，在进行溅射、油漆、粘合、健合、焊接、铜焊 和PVD、CVD涂覆前，需要用等离子处理来得到完全洁净和无氧化层的表面。 在这种情况下的等离子处理会产生以下效果：
1.1灰化表面有机层 －表面会受到化学轰击（氧 下图）
－在真空和瞬时高温状态下，污染物部分蒸发 －污染物在高能量离子的冲击下被击碎并被真空带出 －紫外辐射破坏污染物 因为等离子处理每秒只能穿透几个纳米的厚度，所以污染层不能太厚, 指纹污染也适用。
8/9
8/1/12
Confidential
Plasma Simulation Experiment
Conclusion:
1.There are no finding contamination (No Cl element) problem on die surface after Plasma unit. 2. No finding reliability test failure after plasma cleaning unit. 3. Based on the wire pull and ball shear data after plasma no finding abnormal data. 4. Finding low wire pull & low ball shear after die contamination. 5. Plasma cleaning process is effected for die contamination.
Simulation Experiment Flow：
Handing Contamination
No Plasma With Plasma
EDX
Normal Wire Bonding
168 cycle TC
Retest
8/1/12
Confidential
Ir-reflow 260*3
Normal Test 6/9
Gas Ar
8/1/12
混合比
适用 例
100%
金属脱脂 及 活化/氧化物除去/不需氧化除去hybrid 电路的 epoxy /亲水化
5/9
Confidential
Plasma Simulation Experiment For SOT-23
PACKAGE:SOT-23 LEADFRAME TYPE:SOT-23 COPPER WIRE:1.0mil TOTAL BONDS:2 WIRE BOND MACHINE: K&S+ copper kit PLASMA MACHINE:VSP-88H
Q'ty
（NSOP/NSOL)
Out
（Ir-reflow ）
Out
VDSON
（Ball Lift） （168 cycle TC）
288
0ppm/0ppm
288
260℃*3Times
288
0
0
0/288
Conclusion：1.There are no finding contamination (No Cl element) problem on die surface after Plasma unit.
4/9
8/1/12
Confidential
Plasma 基本作用
氧化物去除 金属氧化物会与处理气体发生化学反应（下图）
这种处理要采用氢气或者氢气与氩气的混合物。有时也采用两步处理工艺。 第一步先用氧气氧化表面， 第二步用氢气和氩气的混合物去除氧化层。也可以同时用几种气体进行处理。
针对键合（Wire Bonding）的作用 好的键合常常被电镀、粘合、焊接操作时的残留物削弱， 这些残留物能够通过等离子方法有选择地去除。 同时氧化层对键合的质量也是有害的，也需要进行等离子清洁。
Decap RDSON Reliability （Ball Lift） （168 cycle TC）
20/20
0/265
No Ball Lift
After
PKG SOT-23
WB Performance
Test
Passed Unit Retest
RDSON/ Decap RDSON Reliability
USL LSL Min. Max. AVG Sigma CPK
Wire pull (g)
No Plasma
12.3 10.3 11.6 11.0 11.4 12.6 12.4 11.8 10.6 12.8 11.5 14.6 11.4 11.2 11.6 4.6 12.3 12.9 12.5 7.8 11.3 11.6 9.1 12.6 11.5
Plasma Simulation Experiment For Handing Contamination
Handing Pollution，No Plasma
Handing Pollution，No Plasma, EDX Result
Ball Lift
Before
PKG SOT-23
WB Performance
─
5
4.6
14.6
11.3
1.91
1.10
With Plasma
16.5 14.0 15.3 15.7 16.5 16.6 16.3 16.8 17.4 15.4 14.3 17.9 16.3 15.7 16.4 14.5 13.5 16.4 15.8 15.3 16.7 16.5 16.3 16.3 14.0
─
5
13.5
17.9
15.9
1.10
3.30
5 37.4 35.0 37.6 23.0 38.0 36.7 35.4 36.1 34.0 35.5 35.4 36.5 36.6 36.5 36.5 33.0 36.0 34.0 35.8 35.4 36.1 34.2 30.4 41.2
Q'ty
（NSOP/NSOL)
Test Out
Passed Unit （Ir-reflow ）
Retest Out
288
6900ppm/3472ppm
285
260℃*3Times
（3pcs open）
265
RDSON/ VDSON
20/0
Handing Pollution，With Plasma
Handing Pollution，With Plasma, EDX Result
2. No finding reliability test failure after plasma unit.
7/9
8/1/12
Confidential
Plasma Simulation Experiment For WB Performance Wire bond performance：Wire pull and Ball shear data (S/S: 25PCS/Per model)
H2O
C-H C=C C-C 有机物
Leadframe 污染表面
All PLASMA
CO2
Cleaning (有机物除去)
C-O C=O O-C=O C-O-O
Leadframe 表面活性
Ni, Pd, Au
Plating
3/9
8/1/12
Confidential
一、金属表面去油及清洁
Plasma 基本作用
Plasma Clean Evaluation For Handing Pollution
Prepared by :Yining Liu Review by :Hailin Zeng Oct.11,2012
Hydrogen Plasma
Chemical Energy
H
H
OH
H OH
Plasma 基本工作原理
─
25
23
41.2
35.1
3.30
1.02
With Plasma
42.4 41.3 43.5 42.0 42.1 41.3 43.7 47.2 44.8 42.1 43.6 43.5 42.5 42.1 42.6 43.1 43.5 44.1 41.2 43.6 44.3 44.8 43.7 42.6 39.1
Oxygen Plasma
Chemical Energy
OO
O
C
OO C
Argon Plasma
Physical Energy
C
Ar
Ar
C
OOO C C C C C C C C C C C CC
Pad
◈ 表示的是使用Argon, O2 及 H2 Plasma的洗净原理 .
Argon Plasma使用于把表面 污染物物理的去除.
9/9
8/1/12
Confidential
─
25
39.1
47.2
43.0
1.56
3.85
Conclusion： 1. Based on the wire pull and ball shear data after plasma no finding abnormal data.
2. Finding low wire pull & low ball shear after die contamination (no plasma).