上海奇亿半导体整流桥KBPC3510参数
常用整流桥参数
KBPC3502 200 35 1.1 KBPC
KBPC3510 1000 35 1.1 KBPC
KBPC5002 200 50 1.0 KBPC
KBPC5010 1000 50 1.0 KBPC
整流桥参数 KBPC系列 KBPC3510 :
产品型号
1000V
方桥
KBPC2510
HY
二极管
整流桥
25A
1000V
方桥
KBPC3510
HY
二极管
整流桥
35A
1000V
方桥
KBPC5010
HY
二极管
整流桥
50A
1000V
方桥
KBU1006 600 10 1.1 KBU
KBJ1002 200 10 1.1 KBJ
KBJ1006 600 10 1.1 KBJ
BR102 200 10 1.1 BR10
KBU1502 200 15 1.0 KBU
KBU1506 600 15 1.0 KBU
KBJ1502 200 15 1.0 KBJ
DF1506 600 1 1.1 DIP
RB155 600 1.5 1.1 WOB
RB156 800 1.5 1.1 WOB
KBP06 600 1.5 1.1 KBP
2W06 600 2 1.1 WOB
KBPC108 800 3 1.1 KBPC1
BR36 600 3 1.1 BR3
KBL02 200 4 1.1 KBL
KBJ1506 600 15 1.0 KBJ
KBJ2502 200 25 1.0 KBJ
KBJ2506 600 25 1.0 KBJ
常见的快充整流桥堆KBP310、UD4KB80等型号大全
（neya）ASEMI品牌旗下常用于快充行业的，使用氮化镓材料的整流桥有多款，相比传统充电器，有哪些优势？1、充电效率高。
氮化镓的带隙比硅高得多，这意味着它可以随时间传导更高的电压。
带隙较大也意味着电流可以比硅更快地流过GaN制成的芯片，从而可以更快地进行处理，充电更快。
2、散热快。
氮化镓与前两代的半导体相比，禁带宽度大、导热系数更高。
而且可在200以上的高温下工作，能承载更高的能量密度，可靠性高，能够将过度充电的可能性降低。
3、体积小。
氮化镓材料本身优异的性能，使得做出来的氮化镓比传统硅基IGBT/MOSFET 等芯片面积更小，同时由于更耐高压，大电流，氮化镓芯片功率密度更大，因此功率密度/面积远超硅基。
此外由于使用氮化镓芯片还减少了周边的其他元件的使用，电容、电感、线圈等被动件比硅基方案少得多，也进一步缩小了体积。
今天就为大家详细列出常见的快充整流桥堆型号大全：NO.型号参数封装封装形式1DB207S2A 1000V DBS-4贴片2ABS2102A 65W ABS-4贴片3RABS2102A 1000V ABS-4贴片4TMBF3103A 65W TMBF贴片5TMBFR3103A 65W TMBF贴片6RYBS30103A 65W TMBF贴片7D4KB1004A 45W D3K插件8TT8M8A 65W TT贴片9MSB3073A 65W MSBL贴片10DBF3103A 50W DBF贴片11DBF4104A 65W DBF贴片12GBP-4插件13GBP-4插件14GBP-4插件15KBP-4插件16GBL4064A 600V GBL-4插件17GBL4084A 800V GBL-4插件18GBL4104A 1000V GBL-4插件19GBL6066A 600V GBL-4插件20GBL6086A 800V GBL-4插件21GBL6106A 1000V GBL-4插件22GBL8068A 600V GBL-4插件23GBL8088A 800V GBL-4插件24GBL8108A 1000V GBL-4插件25UD4KB804A 800V DIP-4插件。
ASEMI整流桥KBP210参数，KBP210规格书，KBP210尺寸
ASEMI整流桥KBP210参数，KBP210规格书，KBP210尺⼨编辑-Z
ASEMI整流桥KBP210参数：
型号：KBP210
最⼤重复峰值反向电压（VRRM）：1000V
最⼤RMS电桥输⼊电压（VRMS）：700V
最⼤直流阻断电压（VDC）：1000V
最⼤平均正向整流输出电流（IF(AV)）：2.0A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：60A
每个元件的典型热阻（ReJA）：10℃/W
每个元件的典型结电容（Cj）：25pF
⼯作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-55 to +150℃
最⼤瞬时正向压降（VF）：1.1V
最⼤直流反向电流（IR）：10uA
KBP210封装规格：
总长度：23.9mm
本体长度：11.2mm
引脚长度：12.7mm
宽度：14.7mm
⾼度：3.73mm
脚间距：3.85mm
KBP210特征：
使⽤的塑料材料带有美国保险商实验室可燃性识别94V-0
印刷电路板安装的理想选择
内置印刷电路板⽀架
⾼外壳介电强度
⾼温焊接保证265 /10秒。
整流桥KBP310参数介绍，分析选择整流桥应该注意哪些方面。
KBP310-参数导读
ASEMI整流桥堆KBP310，DIP-4封装，正向最大整流3A，反向耐压1000V,正向压降1.1V,正向峰值浪涌电流60A，反向泄漏电流10UA.其外观参数如下：
KBP310-该怎样选用合适的整流桥？
在整流行业里，很多人对整流桥的理解有两个误区，一个是有的人认为选用什么型号的整流桥，从输出端输出的电流和电压就是多少，而实际，整流的型号参数只是给了一个承受范围，它的作用就是在这个在一定的电压和电流范围内可以把交流电变成直流电，而对最终输出的电压和电流是没有影响的，第二个误区便是输出电流和电压是多少，选用的便是多大的整流桥，这也是错的，桥堆上标明的电流和电压是表示所能承受的最大值，而我们所输出的电流和电压实际只是一个有效值，以KBP310为例，如果我们要输出3A的电流，那么应该选用至少能承受3√2 A的电流的，而且因为叠加的原因，这个数值还要再翻一倍，最后算下来大约是10A左右，所以，一般设计电路都要留2/3的余量。
整流桥技术参数理论知识KBPC3510
40
30
20
10
0
50
100
150
TEMPERATURE, C
FIG. 4 - TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
10
1.0
0.1
0.01
0
20
40
60
80
100 120 140
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE
E-mail: rectifier@ thyristors@
2/2
Parameter
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current at TC=55℃ Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave superimposed
打造最具竞争力的电力半导体产品
To be the most competitive Power Semiconductor Devices manufactory.
LIUJING reserves the right to change limits, test conditions and dimensions. 윤정은 이 칼타로그 중에 데이트, 테스트 조건, 외형사이즈에 대한 최종 해석권을 가지고 있습니다.
Voltage: 50 to 1000V Current:35A
Liujing rectifier co., Ltd.
KBPC2510-ASEMI整流桥KBPC2510
KBPC2510-ASEMI整流桥KBPC2510编辑-ZKBPC2510在KBPC-4封装⾥采⽤的4个芯⽚，其尺⼨都是140MIL，是⼀款单相整流⽅桥。
KBPC2510的浪涌电流Ifsm为300A，漏电流(Ir)为10uA，其⼯作时耐温度范围为-55~150摄⽒度。
KBPC2510采⽤GPP硅芯⽚材质，⾥⾯有4颗芯⽚组成。
KBPC2510的电性参数是：正向电流(Io)为25A，反向耐压为1000V，正向电压(VF)为1.05V，其中有4条引线。
KBPC2510参数描述型号：KBPC2510封装：KBPC-4特性：单相整流⽅桥电性参数：25A1000V芯⽚材质：GPP正向电流(Io)：25A芯⽚个数：4正向电压(VF)：1.05V芯⽚尺⼨：140浪涌电流Ifsm：300A漏电流(Ir)：10uA⼯作温度：-55~+150℃引线数量：4KBPC2510⽅桥封装系列。
它的本体长度为11.1mm，加引脚长度为24.1mm，宽度为28.55mm，⾼度为28.55mm，脚宽度为6.35mm。
KBPC2510浪涌过载额定值⾼达300安培、通⽤4路端⼦、卡扣式、环绕式、焊接或P.C.板安装等特性。
以上就是关于KBPC2510-ASEMI整流桥KBPC2510的详细介绍。
强元芯电⼦是⼀家集科研开发、制造、销售为⼀体的国家⾼新技术企业。
12年专注于整流桥、电源IC、及肖特基、快恢复⼆极管、汽车电⼦的研发与⽣产，致⼒于半导体⾏业，专注电源领域。
ASEMI产品⼴泛应⽤于：开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、⼯业⾃动化控制设备、汽车电⼦以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、电磁炉等⼤⼩家电。
整流桥四脚接法实物图手把手教学
整流桥四脚接法实物图手把手教学
想要知道整流桥KBPC3510如何接线，首先我们要认识正、负极性全波整流桥电路。
方可更方便的理解整流桥在电路中接线。
如下图所示，桥式电路是由四只整流二极管连接而成，交流电压在正极与负极相连的两个连接点处输入。
正极性电压输出端在负极与负极相连之处，在正极与正极相连处接地，这正是整流桥桥式整流电路的电路特征。
之后，我们回过头来看一下KBPC3510在外部是怎幺接线的。
如下图产品排列方向特殊的那个引脚就是1是直流正极，1对角的4是直流输出的负极。
其余两个引脚就是交流电压的输入端了。
那如果是外形是圆形的圆桥或是长方形的方桥整流全桥接线：其里面有四个二极管。
四个引脚，长脚的就是直流输出的正极，和其相对的是直流输出负极，剩余的两个是交流电压的输入端。
还有的就是半桥的接线：半桥。
上海奇亿半导体整流桥KBPC5010参数
KBPC 50A
Maximum raings and electrical characteristics;
UNITS
Maximum Recurent peak Reverse Voltage Maximum Average Forward rectified Current(9.5mm)Lead Length at Ta=50℃ Peak Forward Surge Current,8.3msБайду номын сангаасSingle half Sine-wave superimposed On rated load Maximum Forward Voltage Drop Per Bridge Element at 25A D.C Maximum DC Reverse Current Ta=25℃ Storage Temperature Range Operating Temperature Range
50
100
200
400
600
800
1000
V A A
50 400 1.1 10.0 -65~90 -65~90
V uA ℃ ℃
上海奇亿半导体有限公司
上海奇亿半导体有限公司
KBPC50005
THRU
（单向 50 安培桥式整流器） SINGLE PHASE 50 AMP BRIDGE RECTIFIERS
KBPC5010
VOLTAGE RANGE ( 电压范围 )
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10.0
uA
储存温度
-65~90
℃
Operating Temperature Range
工作温度
-65~90
℃
上海奇亿半导体有限公司
Peak Forward Surge Current,8.3ms Single half Sine-wave superimposed On rated load Maximum Forward Voltage Drop Per Bridge Element at 25A D.C
Maximum DC Reverse Current Ta=25℃ Storage design 300-400 ameres surge capability Mounting; Hole thru for Φ 5mm
优越的散热设计 抵抗 300-400 安培的浪涌冲击 5mm 的螺丝孔径固定
KBPC 35A
Maximum raings and electrical characteristics;
最大循环 峰值反向电压
KBPC 35005
50
KBPC 3501
100
KBPC 3502
200
KBPC 3504
400
KBPC 3506
600
KBPC 3508
800
KBPC
UNITS
3510
1000 V
最大平均
正向整流电流
35
A
单一正向
峰值浪涌电流
400
A
最大正向压降
（单一元件）
1.1
V
最大 DC 反向漏电流
没有详细说明的环境温度为 25 度 60Hz 单相半波电抗或电感负荷 容性负荷时浪涌电流减少 20%
TYPE NUMBER
Maximum Recurent peak Reverse Voltage Maximum Average Forward rectified Current(9.5mm)Lead Length at Ta=50℃
Rating 25℃ ambient temperature uniess otherwise secified. Single pahse half wave 60 Hz resistive of inductive load. For capacitive load,derate current by 20%.
上海奇亿半导体有限公司
KBPC35005
KBPC3510
THRU
（单向 35 安培桥式整流器）
SINGLE PHASE 35 AMP BRIDGE RECTIFIERS
VOLTAGE RANGE ( 电压范围 )
50 TO 1000 Volts
CURRENT ( 电流强度 )
35Amperes
FEATYRESK(特性)：