一种带三级预放大的高速高精度CMOS比较器

合集下载

一种高精度动态CMOS比较器的设计与研制

一种高精度动态CMOS比较器的设计与研制

种 高精度 动态 C MOS比较器 ,采用 二级 差分 比较和 一级动 态 正反馈 lth结构实现 了高比较 精度 。预增益 和 L th a c ac
级 的应 用 降低 了 功 耗 。设 计 中 充 分 考 虑 了 工 艺 离 散 性 和 使 用 环 境 温 度 与 电 源 变 化 的 影 响 ,保 证 了 成 品 率 和 电 路 在 变 化
工作环 境下性 能指标 的实现 。仿真 结果表 明 ,设计 的 高速 动态 比较器 L B ( es Sg i cn i)为士 .5 S L at inf a t t i B 01 mV,输入 动 态范 围为 D( 为地 电压 , D为 电源 电压 ) ,相应 于 l 4位 比较精 度 。功耗 62 mW,工 作频率 36 z .8 .MH 。电路
境 的适 应 能 力 。该 比较器 可 以应 用于 高 精 度模 数 转 换 器 中 ,实 现 1 4位 以上 的模 数 转换 。
2 比较 器 电路 结 构 设 计
图 l 出一 两级 比较 器 的基 本 结构 ,包 括 一 级 差 分 比较 加 一级 反 示 相放 大 。采 用 差 分输 入 便 于 控 制 比较 器 跳 变 电压 的离 散性 ,使 之 对 工 艺和 电源 电压 的变 化 不敏 感 ,而 反 相级 则 补 偿 了差 分输 入 级增 益 低 的 缺 陷 ,对 输 出信 号 进 行放 大 。 这种 结 构 的 比较 器 增益 可 写为 :
但 在 高 速 高 精 度 的应 用 场 合 ,如 本 文设 计 的 用 于 l 精 度 的 A/ 转 换 器 中 ,由于 要 综 合 考虑 比较 器 4位 D 的增 益 、 失调和 转 换 速 率 ,不 能 简 单地 依 赖 这 些 参 数 的调 整 来 取 得 高 增 益 。 另外 ,这 种 结 构 只 能工 作 于静 态 条 件 ,而在 如 A/ D、D/ 转 换 器 等 应 用 场 合 ,每 次 比较 都 由一 时钟 信 号 控 制 , 比较器 在 信 号 的 A 跳 变 沿 进 行 比较 ,处于 动 态 工作 状态 ,再 考 虑 到功 耗 的 降低 等 ,对 电路 性 能提 出了 更 多 的要 求 。

高速CMOS钟控比较器的设计

高速CMOS钟控比较器的设计
S C0 1 m C S工 艺模 型 和 18V 电源 电压 下 , 用 H pc 对 比较 器 电 路 进 行 仿 真 , 果 表 明 在 50MH MI .8 MO . 采 sie 结 0 z的 时 钟 频 率 下 , 度 可 达 0 3m 功 耗 仅 为 2 . w 。该 电路 可 以应 用 在 高 速 FahA C电路 中 。 精 . V, 66 l D s
p we u py Wa i l td b pc .Th e ut fsmu ain s o ta tc n a h e ear s l t n o . o r s p l s smuae y Hs ie er s lso i l t h w ti a c iv e oui f0 3 mV ta5 0 o h o a 0 MHzc o k r t lc ae,a d t ep we o s mp in i ny 2 . x .T e cru tc n b s d i g s e d Fl h ADC d sg . n h o rc n u t so l 6 6 l o W h ic i a e u e nhih—p e a s ei n
Absr c : B s d o r a l e —ac h o y.ah g s e d co k d c mp rtrwa e in d.I c n it fa p e mp i t a t a e n p e mp i rlth t e r i f ih-p e l c e o aao sd sg e t o ssso ra l—
i f r,a d cso ic i a d o tu u fr a e n0. 8 Im MI e e iin cr u t n u p tb fe .B s d o 1 x S C CMOS p c s h o a ao ic i wi . r e s,t e c mp r trcru t t a 1 8 V o h

CMOS高增益比较器

CMOS高增益比较器

三、相关参数具体仿真
在仿真前一定要首先确定运放的实际负载,包括电阻、电容负载,还 应包括电流源负载,只有负载确定之后,仿真出的结果才是有意义的。 不同的应用场合对运放的性能指标要求也不一样,并不需要在任何时 候都要将运放的所有指标都进行仿真,所以,在仿真之前要明确应该要 仿真运放的哪几项指标,那几项指标是可以不仿真的。在仿真时,要对 不同的指标分别建立仿真电路,这样有利于电路的检查。 DC、AC分析是获得电路某一性能指标信息的一种手段,它需要一些 相关的条件来支持,当我们忽略了某一条件或者根本没有弄清还有哪些 条件时,DC、AC分析的结果就可能与实际情况不一致,导致错误的发生。 瞬态仿真则是反映出电路工作的现象,只有瞬态仿真通过,才能说明电 路具备了相应的能力。
输入失调电压仿真电路
注:对单电源运放,Vi取幅度为共模点的直流电压,对双电源运放Vi = 0。 测出VO值。则有VOS = |VO - Vi| (mV)
• 比较阈值 定义:
实际比较器输入与比较参考电平之间的差值需要大于一定数值后比较器 才能输出正确的数字信号。此最小值就是阈值。
Vin+ Vref Vin
V-
M1
M2
V+ Rz Vout
R1 Cc M3 GND M4 M5
CL
一种典型的两级差分运放结构
增益:
g m2g m5 Av= (g ;g ds6 )
主要 极点: p1 =- g 输出电阻:
g m5 1 p 2 =CL m5 rO2,4 rO5,6 CC
g m2 带宽: GB= CC
注:Vi为幅度为1,相位为0的交流信号 (vsin)。对电路进行AC分析(1Hz~1GHz )。 负载RL、CL根据实际电路确定。

高速高精度钟控比较器的设计

高速高精度钟控比较器的设计
2 6 W n h c u a y i 0 i .r o a d t e a c r c s 1 bt h i u t i a p i a l r h g — p e ih r s l t n n lg t — ii l c n e t r .T e c r i s p l b e f ih s e d h g — e ou i a ao —o d gt o v re c c o o a
的设计。
关 键 词 :高 速 比 较 器 :高精 度 比较 器 :钟 控 比较 器 :正 反 馈 ;回 馈 噪 声 中图 分 类 号 :T 3 N4 文 献标 识 码 :A 文 章编 号 :1 7 — 2 6( 0 0) 0 01 5 0 6 4 6 3 2 1 1— 8 — 4
D e i n o g s e g r s l i n l c e o pa a or sg fhi h— pe d hi h— e o uto co k d c m rt
LIDa n,XI Xio— n N a nig
(h nagU i ri eh o g , h na g 1 80 C ia S e yn n esyo c nl y S eyn 10 7 , hn ) v t fT o
Abs r c :To g r n e l bt h g r s l i n f n A/ co v r e , a i h— p e h g r s l in lc d c mpa ao ta t ua a te a 0一 i i h— e outo ora D n e t r h g s e d i h—e out o co ke o r tr
第 l 8卷 第 l 0期
Vo . 8 1 1 N .0 o1
电 子 设 计 工 程

高速高精度比较器的设计

高速高精度比较器的设计

高速高精度比较器的设计冯奕翔;李哲英【期刊名称】《北京联合大学学报(自然科学版)》【年(卷),期】2011(025)003【摘要】With the analysis of preamplifier latch comparator,a high speed and high resolution comparator used for 12 bit and 1 MS/s SAR ADC was designed.The prototype was designed in 0.5 μm CMOS CSMC process.Based on the Hspice simulation tool,a new way to measure the offsets of preamplifier and latch was proposed.With improvements of existing offset calibration method,the offsets of preamplifier and latch are lower than before.The Cadence Spectre simulation results show that its speed can reach 20 MHz and the resolution is 0.8 mV.%根据预放大锁存快速比较理论,设计了一种应用于12 bit、1 MS/s逐次转换型模数转换器的比较器。

采用上华0.5μm CMOS工艺,基于Hspice仿真工具,提出了测量预放大器和锁存器的失调电压的新方法。

对已有失调校准技术进行改进,进一步降低了预放大器和锁存器的失调电压,显著提高了比较器的精度。

采用Cadence Spectre进行仿真,结果表明,在5 V单电源电压、20 MHz时钟频率时,分辨率可以达到0.8 mV,满足12 bit SAR ADC的精度要求。

应用于14bitSARADC的高精度比较器的设计_陈幼青

应用于14bitSARADC的高精度比较器的设计_陈幼青

28卷 第6期2011年6月微电子学与计算机MICROELECT RONICS &COM PUTE RV ol .28 N o .6June 2011收稿日期:2010-08-20;修回日期:2010-11-01基金项目:福建省自然科学基金重点项目(2007J0003);福建省自然科学基金(2009J05143);福建省新世纪优秀人才支持计划项目(XSJRC2007-26)应用于14bit SA R ADC 的高精度比较器的设计陈幼青,何明华(福州大学物理与信息工程学院,福建福州350000)摘 要:基于预防大锁存理论,设计了一款带有三级前置运算放大器和latch 再生电路的高精度比较器.为了实现高精度,采用了输入失调储存(IOS )和输出失调储存(O OS )级联的消失调方法,有效降低了比较器的输入失调电压.传统的比较器动态失调测试方法非常耗时,为此采用新的带负反馈网络的动态失调测试电路,从而大大提高了比较器的设计和仿真效率.Hhnec CZ 6H (0.35μm )工艺下,仿真表明,比较器能够分辨的最小信号为33.2μV ,满足14bit SA R AD C 对比较器的性能要求.关键词:SA R ;比较器;动态失调测试电路中图分类号:T N432 文献标识码:A 文章编号:1000-7180(2011)06-0109-04Design of High -esolution Comparator Applied in 14bit SAR ADCCHEN You -qing ,H E M ing -hua(College o f Phy sics and Info rmatio n Engineering ,Fuzhou Unive rsity ,F uzhou 350000,China )A bstract :Based on preamplifie r -la tch theo ry ,a high -re so lutio n co mpa rato r w ith three pre -amplifier s and a la tch is presented .In or der to achieve hig h -resolution ,bo th IO S and OO S offset cancella tion technique is used ,w hich suc -cessf ully decreases the input offset vo ltag e .T he traditio nal dy namic o ffset test me tho d is time co nsuming ,so a new dy namic o ffse t te st bench containing a negative feedback loop is adopted ,w hich efficiently speeds up the desig n and simulatio n .T he simulatio n r esults show that comparato r can distinguish 33.2μV under hhnec CZ6H (0.35μm )process .It is suitable fo r the 14bit SA R ADC .Key words :SA R ;comparato r ;dy namic o ffse t te st bench1 引言SA R 型ADC 具有中等速度、中等精度、低功耗、低成本等综合优势[1-2],在工业测控仪器、医疗成像设备、安防安检系统等中低速数据采集和信号处理系统中具有广泛的应用,此外,还可作为ADC IP 核广泛应用于SoC 中[3].比较器是SA R ADC 的关键模块,它在很大程度上直接影响了AD 转换器的各项性能参数,如速度、精度、功耗等.对于12bit 以上的SA R 型ADC ,除了要进行数字校准之外,对比较器的结构设计、输入失调电压处理提出了更大的挑战.14bit SAR ADC 要求比较器的分辨率达到16bit 以上.为了达到16bit 的比较精度,同时满足整个ADC 200kS /s 的速度要求,比较器采用了带三级前置运算放大器和latch 再生电路的比较器结构,同时采用输入失调储存和输出失调储存级联的消失调技术.2 比较器的电路结构和输入失调电压处理传统的比较器有运放结构的开环比较器和latch 锁存再生的闭环比较器.运放结构的比较器具有有精度较高、失调电压较小等优点[4],对小信号响应速度快,但对于大信号响应速度慢,输出电压与时微电子学与计算机2011年间成负指数关系.Latch 比较器对小信号响应慢,但由于使用了正反馈,对大信号响应速度比较快,输出电压与时间成正指数关系,但它的失调电压较大,容易受噪声干扰,对于14bit 的SA R 型ADC ,比较器单独使用运放结构的比较器或者latch 锁存比较器,都无法达到要求,因此需要将两种比较器结构级联,即预放大锁存比较器结构[5-6].预放大级对输入信号逐级放大,当信号被放大到Latch 再生电路能够有效识别的幅度时,Latch 电路再通过正反馈将信号迅速放大到数字电路能够有效识别的幅度.此外,比较器输入端与latch 再生电路通过前置运放进行隔离,有效降低了latch 再生电路回程噪声的影响[7].对于高精度A DC ,比较器通常要进行消失调处理.latch 级的失调电压一般在50~100mV ,运放的失调电压大约为5~20mV .latch 级的失调电压除以预防大的增益后,等效到比较器输入端的失调电压变得很小.因此,对于此种电路结构,主要是要消除运放的失调电压的影响.常用的失调电压消除方法有两种,一种是输入失调储存(IOS ),一种是输出失调储存(OOS )[6].IOS 是将失调电压储存在输入耦合电容上,OOS 是将失调电压储存在输出耦合电容上.Latch 级的失调电压通常比较大,常常要求前面预放大级的增益足够大,但是IOS 的速度相对比较慢,而OOS 中的预放大级增益不能太大,否则电容上的电压饱和后无法反映失调电压的真实大小.鉴于此,同时考虑速度问题,采用三级前置运放,这样可以将增益分配到各个运放,每个运放的增益都不需要太大[8],同时采用输入失调存储和输出失调存储级联的办法消除输入失调电压的影响,如图1所示.图1 比较器的结构图1中,op1、o p2、op3是三个前置运算放大器,增益大小分别设为A 1,A 2和A 3;C 1和C 2是失调校准电容.失调校准时,开关组S1断开,S2、S3、S4开关组闭合,此时比较器输入共模电平,op1的差分输入是V os1,差分输出是V o1;op2的差分输入是V os2和V o2,差分输出是V o2;o p3的差分输入是V os3和V o3,差分输出是V o3,那么,V o1=V os1(-A 1)(1)(V o2+V os2)(-A 2)=V o2(2)(V o3+V os3)(-A 3)=V o3(3)正常工作时,开关组S2、S3、S4断开,S1闭合,op1的差分输入是V os1和需要比较的信号V i ,差分输出为V o1′;op2的差分输入是V os2和V i2,差分输出是V o2′;o p3的差分输入是V os3和V i3,输出是V o3′;此时第一级到第三级的增益变为A 1′,A 2′,A 3′.那么,V o1′=(V os1+V i )(-A 1′)(4)V o2′=(V os2+V i2)(-A 2′)(5)V o3′=(V os3+V i3)(-A 3′)(6)由于正常工作的时候,op2和op3的输入是高阻节点,因此C 1和C 2上的电荷保持不变,因此有,V o1-V o2=V o1′-V i2(7)V o2-V o3=V o2′-V i3(8)由以上八个式子可求得ΔV os3=V i3+V os3-V i A 1′A 2′=(A 1′-A 1)A 2′V os1+A 2′-A 21+A 2V os2+11+A 3V os3(9)对于整个比较器系统,关注的是消失调处理后第三级运放输入端的残余输入失调电压,由上式可知,由于增益变化使得第一和第二级运放的输入失调电压未消除干净.考虑latch 级的失调电压和开关注入到电容上的失调电荷(设开关注入到C 1和C 2上的失调电荷分别为ΔQ 2、ΔQ 3),将残余输入失调电压等效到第一级运放的输入端,可得ΔV os ,eq =A 1′-A 1A 1′V os1+A 2′-A 2(1+A 2)A 1′A 2′V os2+1(1+A 3)A 1′A 2′V os3+V osL A 1′A 2′A 3′+ΔQ 2A 1′C 1+ΔQ 3A 1′A 2′C 2(10)由上式可知,暂不考虑增益变化的影响,消失调处理后,比较器残余的等效输入失调电压主要受第三级运放、la tch 的失调电压和开关注入到电容上的失调电荷的影响.对于第二级运放,既有输入失调存储,又有输出失调存储.级联处理后,第二级运放的输入失调电压被消除干净,而第三级运放和latch 级的失调电压除以增益A 1′A 2′A 3′,等效到输入端失调电压变得很小.考虑DAC 输入到比较器的最后一次比较信号110 第6期陈幼青,等:应用于14bit SA R ADC 的高精度比较器的设计的幅度,若与消失调处理时加的共模电平相差比较大,第二级运放由于增益变化造成的残余失调电压除以分母的增益,值很小,可以忽略不计.但是,第一级运放由于增益变化造成的残余失调电压对于高精度比较器来说,是最致命的影响因素,要求第一级运放运放的版图设计高度对称,并且使用大尺寸管子,减小失配,或者处理DAC 的输出信号幅度,减小增益变化的影响.3 比较器的电路设计SA R ADC 的参考电压为2.5V ,对比较器精度的要求为16bit ,那么,1/2LSB ≈38μV ,latch 级的失调电压大约为50~100m V ,设latch 失调电压100mV ,并考虑余量设计,要达到相应的比较精度,将前置运放的总增益设为80dB ,因为第一运放要对小信号进行快速响应,带宽设计比较大,但增益比较小,设为20dB ,后两级都为30dB ,并考虑latch 再生时产生的回程噪声,第二、三级采用casco de 结构,由于中间隔离了两个运放,回程噪声对第一级运放的影响很小,且考虑DAC 的输出信号幅度,第一级运放就不采用cascode 结构.运放都采用了带弱正反馈的电路结构,输出端增加了过驱动恢复开关,如图2所示,其中图(a )是第一级运放结构,图(b )是第二、三级运放结构.图2 前置运算放大器的电路结构图3是latch 再生电路和输出波形整形电路.La tch 再生电路是两个反相器首尾连接的电路结构,并通过时钟控制来实现采样和再生两个工作状态.Latch 采样时,开关S3和S4断开,S1和S2闭合,预防大级输出的信号输入到latch 再生电路的输入节点上,再生锁存时,S1和S2打开,S3和S4闭合,latch 电路迅速锁存再生,然后通过钟控SR锁存器和反相器进行输出波形整形.图3 latch 再生电路和钟控S R 锁存器4 比较器的输入失调电压仿真和结果分析比较器的工作过程可分为消失调处理和正常比较两个阶段,比较器的输入失调电压包括静态失调电压,如管子的阈值电压失配造成的DC 失调,以及动态失调电压,如开关电荷注入等,因此,无法像传统的运放结构比较器那样进行DC 扫描,从而得到输入失调电压.这种动态比较器的输入失调电压通常只能通过瞬态仿真,一次又一次的尝试,看比较器能够分辨的最小信号为多少,这种逐次逼近的测试方法,在多个corner 仿真和参数扫描时,工作量非常大,仿真效率很低.为了提高仿真效率,采用带负反馈网络的动态失调测试电路.图4是测试电路原理图.差分放大器将比较器的输出信号“0”和“1”信号转为“-1”和“1”信号,从而改变积分器的积分方向,即,积分器的输出信号的斜率的正负,积分器的输出信号加到比较器的负端,差分放大器和积分器构成了负反馈网络,通过负反馈使整个测试系统最终达到平衡状态.这样,只要仿真一次就可以获得比较器的输入失调电压.平衡时,积分器的输出信号必然穿越让比较器输出发生翻转的实际阈值电压,此时,积分器输出信号与比较器的正端输入信号的差值的平均值,就是比较器的等效输入失调电压.比较器的失调电压是由于电路元件的失配造成的,这种失配通常是随机的,在流片前,无法测出真正的失调电压,因此,动态失调电压测试前,可以先用M onte carlo 方法将运放的DC 失调电压范围测出来,然后系统失调仿真时,通过人为加等效的直流电压源模拟前置运放和latch 的失调电压.图5是比较器在M OS 工艺的co rner 为ss ,电容为tt mip ,直流电压源变化10%,即5.5V ,温度为-40℃情况下的的比较器输入失调电压仿真结果,该情况是多个corner 仿真、电源电压和温度参数扫描最坏的一111微电子学与计算机2011年种情况,由图示可知,该情况下比较器消失调处理后残余的等效输入失调电压为33.2μV ,满足精度要求.图4 钟控比较器动态失调测试电路图5 比较器输入失调电压仿真结果5 结束语通过采用三级前置运算放大器和latch 再生电路的比较器结构以及输入失调储存和输出失调储存级联的消失调技术,实现了高精度要求.带负反馈网络的动态失调电压测试电路有效提高了设计和仿真效率.仿真表明,比较器能够分辨的最小信号为33.2μV ,满足14bit SAR ADC 对比较器的精度要求,但是比较器的速度只有30M H z ,可以进一步优化设计,实现高速高精度,扩大比较器的应用范围.参考文献:[1]裴晓敏.8通道10b 的R -C 混合式SA R A DC 的设计[J ].现代电子技术,2008(9):83-85.[2]陈娟娟,钟德刚,徐静平.用于便携式设备的12位低功耗SA R A /D 转换器[J ].微电子学,2008,38(3):401.[3]Lo ng Sha nli ,W u Jianhui ,Xia Xiao juan ,et al .A 1.8-V 3.1mW succe ssiv e approx imation A DC in system -on -chip [J ].A nalog Integ ra ted Circuits a nd Sig nal P ro -cessing ,2008,56(3):205-2011.[4]冯楚华,陶建中,于宗光.一种用于数字功放的低功耗宽输入电压比较器[J ].微电子学与计算机,2008(11):109-112.[5]殷湛,郭立,杨吉庆.一种用于流水线A DC 的高速电压比较器[J ].微电子学与计算机,2006(2):182-184.[6]孙彤,李冬梅.一种0.2-mV 20-M H z 600-μW 比较器[J ].微电子学,2007,37(2):270-272.[7]李亮,臧佳锋,徐振,等.高速低功耗钟控比较器的设计[J ].半导体技术,2008,33(1):11-13.[8]林武平,郭良权,于宗光.新型高速低功耗动态比较器[J ].半导体技术,2008,33(12):1119-1120.作者简介:陈幼青 女,(1983-),硕士研究生.研究方向为模拟集成电路设计.何明华 男,(1971-),博士,教授.研究方向为嵌入式系统与系统级芯片设计.(上接第108页)[7]鲁云平,宋军,姚雪梅.基于免疫原理的网络入侵检测算法改进[J ].计算机科学,2008,35(9):116-119.[8]蔡涛,鞠时光,仲巍,等.面向存储安全系统的新型人工免疫算法[J ].计算机科学.2008,35(8):60-63.[9]陈云芳,王汝传.基于免疫算法的分类器设计[J ].计算机科学,2008,35(12):133-135.[10]陈君波,叶庆卫,周宇,等.一种新的混合变异粒子群算法[J ].计算机工程与应用,2007,43(7):59-60.作者简介:许小润 女,(1982-),硕士.研究方向为数字图像处理、模式识别.吴贵芳 男,(1978-),博士,副教授.研究方向为数字图像处理、模式识别.张庆华 男,(1964-),硕士,高级工程师.研究方向为机器视觉.112。

ADC中高速比较器的设计文献综述

ADC中高速比较器的设计文献综述

---------------------------------------------------------------范文最新推荐------------------------------------------------------ ADC中高速比较器的设计+文献综述摘要模数转换器(ADC)作为模拟电路和数字电路之间的转换电路,是众多电子类产品的重要模块。

随着视频、通讯等技术的迅速发展,高速、中分辨率ADC 的需求日益增长。

比较器作为ADC的关键模块,其速度、功耗等性能对整个转换电路的速度和功耗都有着至关重要的影响。

本论文基于预放大再生理论,采用SMIC 1.2V 0.065μm CMOS工艺,设计了一种适用于SAR ADC 的高速低功耗比较器电路,并进行了版图设计。

该比较器由前臵预放大级、锁存级和输出级构成。

前臵放大器的引入提高了比较器的速度,并降低了锁存器的失调电压。

同时采用均衡补偿技术,有效地抑制了回馈噪声。

电路的仿真均是在Cadence环境中进行。

仿真结果显示,在1.2V电源电压条件下,当时钟频率为1GHz1 / 22时,比较器功耗为0.3936mW,失调电压在-0.3mV到0.1mV之间。

比较器能够满足SAR ADC的性能要求。

8668关键词CMOS比较器预放大正反馈锁存器回馈噪声毕业设计说明书(论文)外文摘要TitleDesign of high speed low power comparator for ADCsAbstractAnalog-to-digital converters (ADCs) are important building blocks in many electronic products. The requirements for high-speed, medium-resolution ADC keep growing with the rapid development of video and communication technology. The speed and power consumption of the ADC is critically affected by the speed, power consumption and other properties of the comparator, which is a key module of the ADC.---------------------------------------------------------------范文最新推荐------------------------------------------------------The thesis is based on pre-amplification and regeneration theories. The high speed low power comparator is designed for SAR ADCs. And it's designed in the SMIC 0.065μm CMOS process with a supply voltage of 1.2V. The comparator is formed with a pre-amplifier stage, a latch stage and an output stage. The speed is improved and the offset voltage is reduced both by the pre-amplifier, and the kickback noise is inhibited by the neutralization technique.一般地,电子类产品的控制信号与处理信号是数字信号,而现实世界存在的以及电子产品间的通信信号为连续变化的模拟信号,这就需要将模拟信号转换为可以被处理的数字信号。

一种高速高精度CMOS电流比较器

一种高速高精度CMOS电流比较器

针对输入失调问题 , 文献 [] 6 提出 了一种补偿方法 。
可是这种方法虽然从一定程度上降低 了输入失调 , 却 因为需要另加补偿 电路 , 使得 比较器 的电路形式
变得复杂 , 且引入了因调零而产生的延时。文献[] 7 报导的双输入结构的电流比较器 , 在文献[] 6 的基础
上从一定程度上进一步 降低 了延时 , 提高 了精度 。 然而, 比较器的偏置电路复杂且不对称 , 该 容易受工
艺偏差影 响, 引起较大的输入失调。另外 , 这个 比较 器的输入阻抗较大 , 在输入电流变化较小时会产生 较大的延时 。针对 以上 电路 的缺点, 本文提出了一
Hale Waihona Puke 结构由文献[] 5提出 , 如图 1 所示, 为简化起见 , 面 后
省去了反相器 。它是将两个共源共栅 电流镜 的输 出
电流之差通过 C S MO 反相器 比较放大 , 得到最后 的
维普资讯
第2 9卷 第 4期 20 0 6年 1 2月
电 子 器 件
Chn s or a fEe to vcs ie eJ un lo lcrn Deie
V0. 9 No. 12 4 De . 0 6 c20
A v lHi h S e d a d Hi h Ac u a y CM OS Cu r n mp r t r No e g p e n g c r c r e tCo a a o
EEA oC: 5 0 2 7 D

种高速高精度 C MO S电流 比较 器
柳娟娟 , 冯全源
( 西南交 通大学 微 电子研究所 , 成都 603 ) 101

要: 针对传统 电流 比较器速度慢, 精度低 等问题 , 提出了一种新型 C S电流 比较器电路。我们采用 C S MO MO 工艺
  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
Vol. 31, No. 4
Journal of Semiconductors
April 2010
A high-speed and high-resolution CMOS comparator with three-stage preamplifier
Jiang Li(江利)1; 2; , Xu Weisheng(许维胜)1; 2 , and Yu Youling(余有灵)1; 2
1. Introduction
In analog-to-digital converters, the comparator plays a crucial role in the overall performance. An accurate and fast comparator is a key element in any high-resolution and high-speed data converter. The performance of the comparator, especially speed, power dissipation and offset voltage may have an important effect on the whole performance of ADCŒ1 . Moreover, the specifications must be met in the presence of non-idealities such as those arising from device mismatch in VLSI technology. A commonly used topology for realizing high-speed and high-resolution comparators consists of a preamplifier employing offset voltage storage, followed by a regenerative latch. The preamplifier in the comparator typically consists of an identical single-pole amplifier with sufficient gain, high-speed and low power dissipationŒ2 . The design of the preamplifier is described and simple equations are introduced to calculate gain, residual input offset voltage and converting time in the article. In this design, preamplifier gain is sensitive to residual input offset voltage and converting time. Increasing the bandwidth of the preamplifier and reducing the time constant can speed up the comparator, but they can also reduce the equivalent input signal strength because of the increased noise bandwidth and the residual error from incomplete settlingŒ3 . As a result, more gain is required for the preamplifier. In the design with constrained power dissipation, it is likely to apply to narrow bandwidth. Thus, there exists a complex trade-off between various parameters in the preamplifier design. In this paper a three-stage preamplifier with input offset voltage storage serves as a vehicle for exploring these trade-offsŒ4 . This paper analyzes the systemic structure of the comparator, describes the circuit structure of the preamplifier, optimizes the gain and offset voltage, and designs the latch comparator.
(1 School of Electronics and Information, Tongji University, Shanghai 201804, China) (2 Research Institute of Semiconductor, Tongji University, Shanghai 201804, China)
Байду номын сангаас
2. Principle of the preamplifier-latch
The principle of the preamplifier-latch is that the preamplifier amplifies the input signal and the amplified signal is inputted into the latch comparator. For high accuracy application, an effective way of reducing the DC offset voltage due to the feedthrough charge is to use a fully differential scheme for the comparator. In such circuits, not only are clock-feedthrough effects reduced, but power supply noise and 1/f noise also tend to be cancelled. A single-stage high-gain and offset-cancelling comparator will have a long response time. Therefore, highresolution and high-speed comparators use a multistage design. Each stage of the multistage design uses one of the low-gain amplifier stages. Figure 1 depicts a three-stage fully differential comparator with input offset storage (IOS). Each stage is coupled to the next one with the capacitor. By closing the feedback loop around each stage independently, the possible instability problem of a three-stage amplifier with one feedback loop is eliminated. The circuit operates as follows. During the offset storage mode, the feedback switches are closed, a unity-gain feedback loop is established around each gain stage, and the offset voltage of the comparators is stored on the input capacitors. In the tracking mode, the feedback around the comparators is opened and the input differential voltage is sensed and amplified by A3 , where A is the voltage gain of each amplifier stage. The output of the comparator is stored by a latch that produces a logic level at its output. If VoffA and VoffL represent the input offset voltage of the first comparator and the latch respectively, the residual input referred offset voltage is given by Voffset Q0 Q1 VoffL VoffA C C 3 : 1CA C1 A (1)
Abstract: The accuracy of A/D and D/A converters depend largely upon their inner comparators. To guarantee 12-bit high resolution for an A/D converter, a precise CMOS comparator consisting of a three-stage differential preamplifier together with a positive feedback latch is proposed. Circuit structure, gain, the principle of input offset voltage storage and latching time constant for the comparator will be analyzed and optimized in this article. With 0.5 m HYNIX mixed signal technology, the simulation result shows that the circuit has a precision of 400 V at 20 MHz. The test result shows that the circuit has a precision of 600 V at 16 MHz, and dissipates only 78 W of power dissipation at 5 V. The size of the chip is 210 180 m2 . The comparator has been successfully used in a 10 MSPS 12-bit A/D converter. The circuit can be also used in a less than 13-bit A/D converter. Key words: high speed comparator; CMOS comparator; input offset storage; latch DOI: 10.1088/1674-4926/31/4/045006 EEACC: 1265H; 2570D
相关文档
最新文档