温度对半导体的电压电流影响实验
温度升高,二极管在正向电流不变的情况下的正向电压 ,反向电流 。
温度升高,二极管在正向电流不变的情况下的正向电压,反向电流。
1.引言1.1 概述概述部分的内容可以包括以下内容：在现代电子技术中，二极管作为一种常见的电子元件，广泛应用于各种电路中。
温度是二极管正常工作时不可避免的一个因素。
随着环境温度的升高，二极管的物理性质和电学性能都会发生变化。
本文旨在探讨温度升高对二极管正向电压和反向电流的影响。
正向电压是指在二极管正向偏置时通过二极管的电压，而反向电流是指在二极管反向偏置时通过二极管的电流。
温度升高对二极管正向电压的影响，是指在二极管正向电流不变的情况下，温度的变化对二极管正向电压的影响程度。
正向电压是二极管正常工作时必须具备的特性之一，也是用于控制二极管导通和截止的重要参数之一。
同样，温度升高对二极管反向电流的影响，是指在二极管反向电压不变的情况下，温度的变化对二极管反向电流的影响程度。
反向电流是指在二极管处于反向偏置时流经二极管的电流，反向电流越小，表示二极管的正常工作越稳定。
了解温度对二极管正向电压和反向电流的影响，不仅可以帮助我们更好地设计和选择合适的二极管，也对于保证电子设备的稳定运行和延长其使用寿命具有重要意义。
接下来，本文将从温度升高对二极管正向电压的影响、温度升高对二极管反向电流的影响两个方面展开探讨，并总结其对二极管特性的整体影响。
1.2文章结构1.2 文章结构本文将围绕温度升高对二极管在正向电流不变的情况下的正向电压和反向电流的影响展开讨论。
具体结构如下：第二部分将重点探讨温度升高对二极管正向电压的影响。
首先，我们将介绍正向电压的基本概念，并解释正向电压在电路中的作用。
然后，我们将详细探讨温度升高对二极管正向电压的影响，包括温度对电压-电流特性曲线的影响、温度对漏电流的影响等。
在这一部分，我们将提出两个关键要点，以展示温度升高对二极管正向电压的影响。
第三部分将重点研究温度升高对二极管反向电流的影响。
我们将简要介绍反向电流的概念，并解释反向电流在电路中的重要性。
PN结的物理特性—实验报告
半导体PN 结的物理特性实验报告姓名：陈晨 学号：12307110123 专业：物理学系 日期：2013年12月16日 一、引言半导体PN 结是电子技术中许多元件的物质基础具有广泛应用，因此半导体PN 结的伏安特性是半导体物理学的重要内容。
本实验利用运算放大器组成电流-电压变换器的方法精确测量弱电流，研究PN 结的正向电流I ，正向电压U ，温度T 之间的关系。
本实验桶过处理实验数据得到经验公式，验证了正向电流与正向电压的指数关系，正向电流与温度的指数关系以及正向电压与温度的线性关系，并由此与计算玻尔兹曼常数k 与0K 时材料的禁带宽度E ，加深了对半导体PN 节的理解。
二、实验原理 1、 PN 结的物理特性（1）PN 结的定义：若将一块半导体晶体一侧掺杂成P 型半导体，即有多余电子的半导体，另一侧掺杂成N 型半导体，即有多余空穴的半导体，则中间二者相连的接触面就称为PN 结。
（2）PN 结的正向伏安特性：根据半导体物理学的理论，一个理想PN 结的正向电流I 与正向电压U 之间存在关系 ①，其中I S 为反向饱和电流，k 为玻尔兹曼常数，T 为热力学温度，e 为电子电量。
在常温（T=300K ）下和实验所取电压U的范围内， 故①可化为 ②，两边取对数可得 。
（3）当温度T 不变时作lnI-U 图像并对其进行线性拟合，得到线性拟合方程的斜率为e/kT ，带入已知常数e 和T ，便得玻尔兹曼常数k 。
2、反向饱和电流I s（1）禁带宽度E ：在固体物理学中泛指半导体或是绝缘体的价带顶端至传导带底端的能量差距。
对一个本征半导体而言，其导电性与禁带宽度的大小有关，只有获得足够能量的电子才能从价带被激发，跨过禁带宽度跃迁至导带。
（2）根据半导体物理学的理论，理想PN 结的反向饱和电流Is 可以表示为③，代入②得 ，其中I 0为与结面积和掺杂浓度等有关的常数，γ取决于少数载流子迁移率对温度的关系，通常取γ=3.4，k 为玻尔兹曼常数，T 为热力学温度．E 为0K时材料的禁带宽度。
pn结的伏安特性与温度特性测量(精)
PN结的伏安特性与温度特性测量半导体PN结的物理特性是物理学和电子学的重要基础内容之一。
使用本实验的仪器用物理实验方法，测量PN结扩散电流与电压关系，证明此关系遵循指数分布规律，并较精确地测出玻尔兹曼常数(物理学重要常数之一),使学生学会测量弱电流的一种新方法。
本实验的仪器同时提供干井变温恒温器和铂金电阻测温U与热力学温度T关系，求得该传感器的灵敏度，并电桥，测量PN结结电压be近似求得0K时硅材料的禁带宽度。
【实验目的】1、在室温时，测量PN结扩散电流与结电压关系，通过数据处理证明此关系遵循指数分布规律。
2、在不同温度条件下，测量玻尔兹曼常数。
3、学习用运算放大器组成I-V变换器测量10-6A至10-8A的弱电流。
U与温度关系，求出结电压随温度变化的灵敏度。
4、测量PN结结电压be5、计算在0K时半导体（硅）材料的禁带宽度。
6、学会用铂电阻测量温度的实验方法和直流电桥测电阻的方法。
【实验仪器】FD-PN-4型PN结物理特性综合实验仪（如下图）,TIP31c型三极管（带三根引线）一只，长连接导线11根（6黑5红），手枪式连接导线10根，3DG6（基极与集电极已短接，有二根引线）一只，铂电阻一只。
【实验原理】1、PN 结伏安特性及玻尔兹曼常数测量由半导体物理学可知，PN 结的正向电流-电压关系满足：[]1/0-=KT eU e I I (1)式(1)中I 是通过PN 结的正向电流，I 0是反向饱和电流，在温度恒定是为常数，T 是热力学温度，e 是电子的电荷量，U 为PN 结正向压降。
由于在常温(300K)时，kT /e ≈0.026v ，而PN 结正向压降约为十分之几伏，则KT eU e />>1,(1)式括号内-1项完全可以忽略，于是有：KT eU e I I /0= (2)也即PN 结正向电流随正向电压按指数规律变化。
若测得PN 结I-U 关系值，则利用(1)式可以求出e /kT 。
PN结正向压降与温度关系的研究和应用实验报告
PN结正向压降与温度关系的研究和应用实验报告摘要：本实验通过测量PN结正向偏置情况下的正向压降随温度的变化，研究PN结的温度特性，并探索其在实际应用中的可能的应用。
引言：PN结是半导体器件中最基本的结构之一，其正向特性在电子学领域具有重要的应用价值。
而PN结的温度特性对于器件的工作稳定性和可靠性有较大的影响。
因此，研究PN结的温度特性，尤其是正向压降与温度的关系，对于提高器件性能有着重要意义。
实验目的：1.研究PN结的温度特性，特别是正向压降随温度的变化规律；2.探索PN结温度特性相关的应用，例如热敏电阻等。
实验原理：PN结在正向偏置情况下，通过正向电流使得P区载流子与N区载流子复合，产生电压降。
根据热力学原理，温度升高会提供更多的热能，促使载流子的热激发增加，从而降低正向电压的阻挡力。
因此，PN结正向压降与温度呈负相关。
实验步骤：1.搭建实验电路：将PN结与电源和电流测量仪连接，确保电路连接正确。
2.在实验装置中设置好温度传感器，与PN结接触。
3.调节电源的正向电流，并分别测量不同温度下的正向压降和电流。
4.依次调节不同温度下的电流，重复步骤3，记录数据。
实验结果：将测得的正向电流和压降数据制成表格，并绘制电压-温度曲线和电流-温度曲线。
讨论：通过分析实验结果，可以发现PN结的正向压降随着温度的升高而逐渐降低，且呈现较大的线性关系。
这与实验原理的推测相符合。
应用：基于PN结正向压降与温度的关系，我们可以将其应用于热敏电阻的制备和温度测量。
热敏电阻可以根据PN结的特性，根据温度的变化来改变电阻值，从而实现温度的感应和测量。
这在实际工业控制和家用电器中具有广阔的应用前景。
结论：通过本实验研究PN结的温度特性，我们发现PN结的正向压降随着温度升高而逐渐降低，并且可以将该特性应用于热敏电阻的制备和温度测量中。
实验结果对于提高PN结的性能和应用具有重要参考价值。
半导体材料热电效应研究实验报告
半导体材料热电效应研究实验报告[实验目的]测量半导体pn结电压--温度的对应关系。
[实验原理]pn结构成的二极管和三极管的伏安特性对温度有很大的依性，利用这一特点可以制造pn结温度传感器和晶体管温度!器。
[仪器介绍和使用]本实验所用装置由三部分组成:主控仪器箱(恒流源、电流测量及显示系统、制冷加热控制系统和计算机接口系统);栏池(内装样品及制冷元件、加热元件、测温:二极管);其中样品由绝热材料密封，升温由黄铜载体内发热体提供热量，降温采两级:-级为冷风，二级为BiTe系半导体制冷。
这样，当需要于室温时，两级同时工作。
而由高温回到室温时则由冷风使其速冷却。
采用黄铜做载体是因为其热导率高、热容适中。
加冷却功率均可调节。
仪器可实时观测到样品导电能力随温度的化[操作步骤][1]检查连接线无误后打开仪器电源开关。
[2]按“设置”按键，显示屏显示0010STAR,代表设置开始度，通过“+”、“一”按键修改要设定的初始温度。
再按“设按键，显示屏显示0080END,代表设置结束温度，通过“+”按键修改要设定的结束温度。
再按“设置”按键，显示屏显示0ET，代表设置模式，可不做设置。
再按“设置”按键显示屏显当前样品池的温度和样品的电压值。
黑客攻防自学编程入门效基发器学习编程”半导体激光价格半导体按“运行”按键，仪器进入测量工作后会首先自动调整温到初始温度，然后再加热、测量,当达到结束温度时自动停机。
因此，我们在仪器达到初始温度开始测量，完成表1所给出温度节点的电压值。
关闭仪器电源，整理试验结果。
[实验数据及后处理]测量半导体pn结的电压一温度对应关系，完成表1，并根据验数据作图(如图1,横坐标为开氏温度，纵坐标为电压。
1仅给出了20~60°C 的测量值。
半导体材料的热电特性:其热电特性非常显著，因此，用作温度传感器的材料。
一般而言，在较大的温度范围内，体都具有负的电阻温度系数。
半导体的导电机制比较复杂，输运作用的载流子为电子或空穴。
PN结正向伏安特性与温度的研究
温度对pn结正向伏安特性的实验研究
实验设备
需要使用恒温箱、电流表、 电压表等设备，以及pn 结二极管样品。
实验步骤
在恒温箱中设定不同的温度， 测量不同温度下的正向电压和 电流值，记录数据并进行分析 。
实验结果
通过实验数据可以观察到随 着温度升高，正向电流增大 ，正向电压略有减小。
温度对pn结正向伏安特性的应用前景
Part
02
pn结正向伏安特性
pn结正向伏安特性的定义与原理
定义
pn结正向伏安特性是指在正向偏置 条件下，pn结的电压-电流关系特性 。
原理
当外加正向电压时，pn结内部的电场 被削弱，电子和空穴的扩散运动增强 ，形成正向电流。随着正向电压的增 加，正向电流也相应增加。
影响pn结正向伏安特性的因素
研究不足与展望
01 02 03
实验条件限制
虽然实验结果与理论模型基本一致，但由于实验条件的限 制，部分高温度下的数据点存在一定的误差。未来可以通 过改进实验设备和方法，提高实验数据的准确性和可靠性 。
理论模型简化
为了简化分析，本研究采用了简化的理论模型。然而，实 际pn结的物理过程可能更加复杂，涉及到更多的物理效应 。未来可以进一步完善理论模型，以更准确地描述pn结的 物理特性。
感谢您的观看
STEP 03
能源转换
STEP 02
利用pn结正向伏安特性随温 度变化的特性，可以开发新型 能源转换器件，如热电转换器 等。
STEP 01
电子器件优化
了解温度对pn结正向伏安特 性的影响，有助于优化电子器 件的性能，提高其稳定性。
温度传感器
利用pn结正向伏安特性随温 度变化的特性，可以制作温 度传感器，用于测量温度。
半导体材料_实验报告(3篇)
第1篇一、实验目的1. 熟悉半导体材料的性质，掌握半导体材料的制备方法。
2. 学习使用四探针法测量半导体材料的电阻率和薄层电阻。
3. 掌握半导体材料霍尔系数和电导率的测量方法。
4. 了解太阳能电池的工作原理，并进行性能测试。
二、实验原理1. 半导体材料：半导体材料具有介于导体和绝缘体之间的电导率，其电导率受温度、掺杂浓度等因素影响。
本实验所用的半导体材料为硅（Si）。
2. 四探针法：四探针法是一种测量半导体材料电阻率和薄层电阻的常用方法。
通过测量电流在半导体材料中流过时，电压的变化，可以得到材料的电阻率和薄层电阻。
3. 霍尔效应：霍尔效应是一种测量半导体材料霍尔系数和电导率的方法。
当半导体材料中存在磁场时，载流子在运动过程中会受到洛伦兹力的作用，导致载流子在垂直于电流和磁场的方向上产生横向电场，从而产生霍尔电压。
4. 太阳能电池：太阳能电池是一种将光能转化为电能的装置。
本实验所用的太阳能电池为硅太阳能电池，其工作原理是光生电子-空穴对在PN结处分离，产生电流。
三、实验仪器与材料1. 实验仪器：四探针测试仪、霍尔效应测试仪、太阳能电池测试仪、数字多用表、温度计等。
2. 实验材料：硅（Si）半导体材料、太阳能电池等。
四、实验步骤1. 四探针法测量半导体材料电阻率和薄层电阻（1）将硅半导体材料切割成合适尺寸的样品。
（2）将样品放置在四探针测试仪上，按照仪器操作步骤进行测量。
（3）记录实验数据，计算电阻率和薄层电阻。
2. 霍尔效应测量半导体材料霍尔系数和电导率（1）将硅半导体材料切割成合适尺寸的样品。
（2）将样品放置在霍尔效应测试仪上，按照仪器操作步骤进行测量。
（3）记录实验数据，计算霍尔系数和电导率。
3. 太阳能电池性能测试（1）将硅太阳能电池放置在太阳能电池测试仪上。
（2）按照仪器操作步骤进行测试，记录实验数据。
（3）计算太阳能电池的短路电流、开路电压、填充因子等参数。
五、实验结果与分析1. 四探针法测量半导体材料电阻率和薄层电阻根据实验数据，计算得到硅半导体材料的电阻率和薄层电阻分别为：ρ =0.3Ω·m，Rt = 0.1Ω。
PN结正向压降温度特性及正向伏安特性的研究
PN结正向压降温度特性及正向伏安特性的研究PN结正向压降温度特性及正向伏安特性的研究随着半导体元件的不断发展，越来越多的应用场景需要对PN结的正向压降温度特性和正向伏安特性有更深入的了解。
本文将通过理论分析和实验验证的方式，对这两个特性进行详细研究。
首先，我们来看PN结正向压降温度特性。
PN结的正向压降是指在正向偏置的情况下，PN结两端的电压降。
正向压降与PN结内的载流子浓度有关，载流子浓度越高，正向压降越小。
同时，温度的变化也会对正向压降产生影响。
一般来说，正向压降随着温度的升高而减小。
这是因为在高温下，载流子浓度会增加，使得PN结内电场的分布变得更加均匀，从而减小了正向压降。
但是，在非常高的温度下，由于载流子的热激发效应，反向偏置电压也会增加，进而导致正向压降的增加。
因此，在设计半导体元件时需要考虑温度对正向压降的影响。
其次，我们来看PN结的正向伏安特性。
正向伏安特性描述了PN结在正向偏置下的电流与电压之间的关系。
根据欧姆定律，正向电流与正向电压成正比，即I = Is * (exp(qV / (nkT)) - 1)，其中I为正向电流，V 为正向电压，Is为逆饱和电流，q为电子电荷量，k为玻尔兹曼常数，T 为绝对温度，n为器件的非理想因子。
从这个公式可以看出，正向电流与温度成正比，也就是说，随着温度的升高，正向电流也会增加。
这是因为在高温下，载流子的热激发效应增强，使得正向电流增大。
但是，需要注意的是，当温度达到一定值时，PN结可能会因为过热而损坏。
为了验证以上理论分析，我们进行了实验研究。
首先，我们搭建了一个实验平台，用来测试PN结的正向压降温度特性和正向伏安特性。
实验中，我们分别采用了不同的温度和正向偏置电压，测量了PN结两端的电压和电流。
实验结果与理论分析基本吻合，验证了我们的理论模型的准确性。
综上所述，PN结的正向压降温度特性和正向伏安特性对于半导体元件的设计和使用非常重要。
了解这两个特性的变化规律可以帮助我们选择合适的工作温度和正向偏置电压，以确保半导体元件的正常工作。
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实验 温度、光对半导体导电特性的影响
一．实验目的与意义
无论是半导体单晶材料、PN 结、还是器件，其电学特性（如：电阻率ρ、I-V 曲线、载流子迁移率μ）均受温度、光（辐射）影响，因此，从原理上讲，半导体产品的应用受环境温度、辐射限制大。
所以在设计、使用半导体产品时必须考虑环境因素。
通过本实验的学习，加深学生对半导体导电性理论的理解，培养学生自行设计实验方法，实际动手操作，观察现象，进行理论分析的能力。
二．实验原理
1.电阻率的测量：
设样品电阻率ρ均匀，样品几何尺寸相对于探针间的距离可看成半无穷大。
引入点电流源的探针其电流强度为I ，则所产生的电力线有球面对称性，即等位面是以点电流源为中心的半球面，如图1-1所示。
在以r 为半径的半球上，电流密度j 的分布是均匀的。
图1-1 探针与被测样品接触点的电流分布
2
2r
I
j π=
（1-1） 若E 为r 处的电场强度，则
2
2r
I j E πρ
ρ=
= (1-2) 取r 为无穷远处的电位ф为零，并利用 dr
d E φ
-
=，则有： ⎰
⎰⎰∞
∞-=-=)
(0
22r r
r r dr
I Edr d ϕπρϕ （1-3） I
r
()r
I
r πρφ2=
（1-4） 式（1-2）就是半无穷大均匀样品上离开点电流源距离r 的点的电位与探针流过的电流和样品电阻率的关系式，它代表了一个点电流对距离为r 处的点的电势的贡献。
图1-2 四根探针与样品接触示意图
对于图1-2所示的情形，四根探针位于样品中央，电流从探针１流入，从探针４流出，则可将1和４探针认为是点电流源，由式（1-3）得到探针２和３的电位为：
⎪⎪⎭
⎫ ⎝⎛-=
24122112r r I πρϕ (1-5) ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛-=
3413
3112r r I π
ρϕ (1-6) 探针２、3电位差为：3223ϕϕ-=V ，由此得出样品电阻率为：
I
V C
r r r r I V 23
1
341324122311112=⎪⎪⎭
⎫
⎝⎛---=-πρ （1-7） 式(1-7)就是利用直流四针探法测量电阻率的普遍公式。
当电流取I =C 时，则有ρ=V 23，可由数字电压表直接读出电阻率。
实际测量中，最常用的是直线四探针。
即四根探针位于同一直线上，并且间距相等，设相邻两探针间距为S ，则半无穷大样品有：
S S C 28.62==π （1-8）
通常只要满足样品的厚度，以及边缘与探针的最近距离大于四倍探针间距，样品近似半无穷大，能满足精度要求。
1． 块状和棒状样品的电阻率
四探针测试仪探针间距均为1mm ，块状和棒状样品外形尺寸与探针间距比较，符合半无穷大边界条件，有C=2π, 因此，只要I =6.28I 0，I 0为该电流量程满刻度值，由电压表读出的数值就是电阻率。
2． 片状样品的电阻率
片状样品其厚度与探针间距比较，不能忽略，测量时要提供对样品的厚度、测量位置的修正系数。
⎪⎭
⎫
⎝⎛⎪⎭⎫
⎝⎛=S d D S W G 0ρρ (1-9) 式中：ρ0为半无穷样品的电阻率；⎪⎭
⎫
⎝⎛S
W
G 为样品厚度W 与探针间距S 的修正函数，可由附录1查得；⎪⎭
⎫
⎝⎛S d D 为样品形状和测量位置的修正函数，可由附录2查得。
当圆形硅片的厚度满足
5.0〈S
W
时，有： ⎪⎭
⎫
⎝⎛⋅=S d D W I V 53.4ρ （1-10）
2.由ρ-T 曲线可知温度对电阻率影响很大，实验测得的高阻单晶硅片与掺杂单晶硅片ρ-T 曲线完全不同，这可由电阻率公式说明：
本征半导体电阻率ρi ： )
(1p n i i q n μμρ+=
（2-1）
掺杂半导体电阻率ρ： )
1
p n pq nq μμρ+=
（2-2）
本征半导体电阻率由载流子浓度n i 决定，n i 随温度上升而急剧增加，室温附近，温度每增加8℃，硅的n i 就增加一倍，因为迁移率只稍有下降，所以电阻率将相应地降低一半左右。
300K 时，ρi 约为2.3*105
Ω·cm 。
对掺杂半导体，有杂质电离和本征激发两个因素存在，由有电离杂质散射和晶格散射，两种散射机构的存在，因而，复杂。
图2-1是掺杂单晶硅ρ-T 曲线示意图。
ρ
T
A
B
C
-- 本征半导体 — 掺杂半导体
D
图2-1 Si 的ρ-T 曲线示意图
温度较低时，本征激发可忽略，载流子主要由杂质电离提供，它随着温度升高，而增加；散射主要由电离杂质决定，迁移率随温度升高也增大，所以，ρ-T 曲线下降（AB 段）。
温度继续升高，杂质已全部电离，本征激发还不显著，载流子基本不变，而晶格振动散射成为主要影响因素，迁移率虽温度升高而降低，所以，ρ-T 曲线上升（BC 段）。
温度继续升高，本征激发很快增加，本征载流子的产生远远超过迁移率减小对电阻率的影响，本征激发成为最主要影响因素，表现出与本征半导体相似的特性（CD 段）。
三．实验内容
学生自行设计一半导体材料、芯片或器件的电学特性随环境温度或光注入变化的实验方案，在实验室现有条件下，进行测试，并对实验现象和结果进行分析、讨论，给出合理的理论解释。
四．实验样品与仪器
SZ82四探针测试仪，晶体管特性图示仪，YY2814LCR 自动测试仪，调温探针台，温控仪，白炽灯等，高阻单晶硅片，掺杂单晶硅片，pn 芯片，晶体管、二极管。
五．实验步骤
以半导体电阻率随温度的变化为例： 1、实验方法
采用SZ82四探针测试仪，温控仪，测量高阻单晶硅片、掺杂单晶硅片的电阻率随温度的变化，即做出电阻率-温度（ρ-T ）曲线，对比高阻单晶硅与掺杂单晶硅ρ-T 曲线的不同。
2、测试数据：
按实验五调试四探针仪，硅片置于温控仪测试台上，从室温开始升温，每隔几℃测一组（ρ，T ）值，分别列表记录测试结果，绘出高阻单晶硅片与掺杂单晶硅片的ρ-T 曲线。
由室温电阻率与硅掺杂浓度关系（附表ρ-n 曲线），得到硅片样品的杂志浓度含量。
六．数据处理 记录掺杂半导体电阻率随温度变化数据，画出ρ-T 图，分析误差。
ρ
T
A
B
C
-- 本征半导体 — 掺杂半导体
D
数据图反映的是上图BC段，电阻率随温度上升而上升。
BC段杂质已进入强电离区，本征激发不显著，载流子浓度基本不变，晶格振动散射成为主要的影响因素，随温度升高晶格振动散射加剧，迁移率随温度的升高而降低，故ρ-T曲线呈上升趋势（BC段）。
由于AB段温度太低，CD段温度太高，由于实验仪器的工作温度限制，上述两段超出测量范围，所以没有反映出AB段、CD段趋势的数据。
七．讨论题
实验数据误差分析。
电阻率测量误差：实验设备接触不好，接触过松会产生放电对实验设备如探针造成损坏，过紧会产生形变，影响载流子的分布；边缘不完全垂直于探针，使探针间间距有差异，从而导致电压分布的差异；零位的波动影响，输入电流为0时，输出不为0；以及样品或测量档位的不对称也可能导致零位变化，从而影响测量结果。
温度测量误差：实验仪器精度不够，接触不完全，导致数据来回跳变及变化幅度较大。
八．实验思考与总结
通过这次实验，初步了解电阻率随温度的变化情况，加深了对本征半导体以及掺杂半导体的电阻率随温度的变化趋势的理解，实验上观察了掺杂半导体的电阻率随温度的变化，加深了实验测量电阻率方法——四探针法测量电阻率的理解。