浅谈DDR3
ddr3电平标准(一)
ddr3电平标准(一)
DDR3电平标准
1. 什么是DDR3电平标准？
•DDR3是双倍数据传输速率第三代内存标准的简称。
•电平标准指的是在DDR3内存中用于传输和接收数据的电信号水平。
2. DDR3电平标准的作用
•DDR3电平标准定义了内存模块和控制器之间的电信号规范，确保它们能够正确地传输和接收数据。
•通过遵循DDR3电平标准，不同厂商生产的DDR3内存模块和控制器可以互相兼容，提高了内存的可扩展性和可替换性。
3. DDR3电平标准的主要特性
•电压：DDR3内存模块的标准电压为，相对于之前的DDR2内存的来说，电压降低了，能够降低功耗和散热。
•时序：DDR3内存模块的时序要求更严格，能够达到更快的数据传输速率和响应时间。
•串行预取：DDR3内存引入了串行预取技术，能够在同一时钟周期内同时传输多个数据，提高数据传输效率。
•预充电：DDR3内存的存储电路采用了预充电技术，能够降低功耗和噪音。
4. DDR3电平标准的发展趋势
•随着技术的不断进步，DDR3电平标准已经出现了一些改进和升级版本，比如DDR3L、DDR3U等。
•DDR3L降低了电压至，进一步降低了功耗和热量。
•DDR3U将电压降低至，以进一步提高功耗效率。
•这些改进版本的出现使得DDR3内存在低功耗和高性能需求的场景下有更广泛的应用。
结论
•DDR3电平标准是确保DDR3内存模块和控制器能够互相兼容的重要标准。
•DDR3内存通过降低电压、优化时序、引入新的技术等手段，提供了更高的性能和更低的功耗。
•随着技术的不断发展，DDR3电平标准也在不断升级和改进，以满足不同应用场景的需求。
DDR3内存的优势更高的外部数据传输率-电脑资料
DDR3内存的优势更高的外部数据传输率-电脑资料DDR3可以说是最新一代的内存技术，其相比DDR2有了长足的经部，最大优势就是可以把频率进一步提升，且在高频下的功耗相比DDR2要有所降低，。
此外，DDR3最大的优势就是来自I/O方面的性能提升，我们知道DDR内存最大的特点就是数据预取（DataPrefetch）概念。
最初的DDR采用了2bit的数据预取，这就比SDRAM的效率要提高不少。
而DDR2中开始采用了4bit的预取设计，也就是把数据传输率再次提升了一倍。
而DDR3则会实现8bit的数据预取，这样理论效率更进一步。
加上DDR3将支持更高的工作频率，会使得内存带宽进一步提升。
DDR3内存最大的任务就是进一步地提升内存带宽，为FSB越来越高的CPU提供足够的匹配指标。
由于DDR2内存的频率在达到1066MHz的极端频率下的良率及成本都不理想，注定其无法得到厂商的支持以及市场的接受，因此，厂商们寻求另一种更低成本来获得更高频率的内存解决方案，而DDR3，正是基于这一目的的解决平台，电脑资料《DDR3内存的优势更高的外部数据传输率》(https://www.)。
虽然DDR3与DDR2一样存在高延迟的缺点，不过DDR3比DDR2拥有更高频率的优势，目前DDR3内存的起跑频率就已经是在1066MHz 了，而随后厂商将主推频率为1600/2000MHz的产品，势必将大幅度抛离DDR2内存。
相较DDR2800的6.4G的带宽，DDR32000可以提供16G的带宽，为前者的近2.5倍。
性能的优势，加上预计将较低的成本，所以各大厂商也纷纷力挺DDR3内存，将其看为下一代的高带宽选择。
DDR3要满足的需求就是：1．更高的外部数据传输率2．更先进的地址/命令与控制总线的拓朴架构3．在保证性能的同时将能耗进一步降低为了满足上述要求，DDR3在DDR2的基础上?用了以下新型设计：1．8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。
ddr3显卡
ddr3显卡DDR3（Double Data Rate 3）是一种内存技术标准，用于显卡和计算机主板上的显存。
它是DDR（Double Data Rate）的第三代版本，相比于之前的DDR2，DDR3具有更高的速度和更低的功耗。
首先，DDR3显卡具有更高的带宽和更快的速度。
DDR3显存可以以每个时钟周期传输两倍的数据，这意味着它比DDR2显存有更高的带宽和更快的数据传输速度。
这使得DDR3显卡在处理高分辨率图形、复杂的计算任务和多媒体应用程序时性能更强大。
其次，DDR3显卡具有更低的功耗。
DDR3显存采用了更先进的制造工艺，使其能够以更低的电压工作。
相比之下，DDR2显存通常需要使用更高的电压来实现相同的工作。
这不仅有助于降低功耗，还减少了显卡的发热量，提高了整个系统的稳定性。
此外，DDR3显卡对于超频（Overclocking）也更友好。
超频是指将显卡或其他硬件组件工作在超过默认频率的状态下，以提高性能。
DDR3显卡的设计使得它们在超频时更具可靠性，能够处理更高的时钟频率。
这使得玩家和专业用户可以通过超频来获得更出色的图形渲染和更流畅的游戏体验。
然而，DDR3显卡也有一些限制。
首先，DDR3技术已经过时，现在市场上主流的显卡已经使用了DDR4或GDDR5及更高版本的显存。
这意味着DDR3显卡的性能和功能相对较弱，无法与最新的游戏和应用程序兼容。
其次，DDR3显卡的容量相对较小，一般在1GB到4GB之间，无法满足一些对显存需求较高的任务。
综上所述，DDR3显卡是一种过时的显存技术，尽管它具有更高的带宽和更快的速度，更低的功耗以及较高的超频能力，但它的性能和功能相对较弱，无法与最新的游戏和应用程序兼容。
随着技术的不断发展，DDR3显卡将被更新的显存技术所取代。
DDR3基本知识
DDR3基本知识一、DDR3简介DDR3（double-data-rate three synchronous dynamic random access memory）是应用在计算机及电子产品领域的一种高带宽并行数据总线。
DDR3在DDR2的基础上继承发展而来，其数据传输速度为DDR2的两倍。
同时，DDR3标准可以使单颗内存芯片的容量更为扩大，达到512Mb至8Gb，从而使采用DDR3芯片的内存条容量扩大到最高16GB。
此外，DDR3的工作电压降低为1.5V，比采用1.8V的DDR2省电30%左右。
说到底，这些指标上的提升在技术上最大的支撑来自于芯片制造工艺的提升，90nm甚至更先进的45nm制造工艺使得同样功能的MOS管可以制造的更小，从而带来更快、更密、更省电的技术提升。
DDR3的发展实在不能说是顺利，虽然在2005年就已经有最初的标准发布并于2007年应用于Intel P35 “Bearlake”芯片组上，但并没有像业界预想的那样很快替代DDR2，这中间还经历了对SDRAM业界影响深远的金融危机，不但使DDR3占领市场的速度更加减慢，还使DDR3在技术上一度走在世界领先地位的内存大厂奇梦达倒闭，实在是让人惋惜。
虽然如此，DDR3现今是并行SDRAM家族中速度最快的成熟标准，JEDEC标准规定的DDR3最高速度可达1600MT/s（注，1MT/s即为每秒钟一百万次传输）。
不仅如此，内存厂商还可以生产速度高于JEDEC标准的DDR3产品，如速度为2000MT/s的DDR3产品，甚至有报道称其最高速度可高达2500MT/s。
二、DDR存储器特性1) 时钟的上升和下降沿同时传输数据DDR存储器的主要优势就是能够同时在时钟循环的上升和下降沿提取数据，从而把给定时钟频率的数据速率提高1倍。
例如，在DDR200器件中，数据传输频率为200 MHz，而总线速度则为100 MHz。
2) 工作电压低DDR1、DDR2和DDR3存储器的电压分别为2.5、1.8和1.5V，因此与采用3.3V的正常SDRAM芯片组相比，它们在电源管理中产生的热量更少，效率更高。
ddr3芯片
ddr3芯片DDR3芯片是一种双倍数据速率第三代动态随机存取存储器（DRAM）芯片。
它在电子计算机中扮演着重要的角色，广泛用于个人电脑、服务器、工作站和其他高性能计算设备中。
下面是关于DDR3芯片的介绍，总计1000字。
首先，DDR3芯片是在DDR2芯片的基础上进行了改进和优化的产品。
DDR3芯片的主频可以达到800MHz至2133MHz，从而提供更高的数据传输速度。
这使得计算机可以更快地读取和写入数据，从而提高系统的整体性能和响应速度。
DDR3芯片的工作电压为1.5伏特，相比于之前的DDR2芯片的1.8伏特，功耗更低，能够提供更高的能效。
这在笔记本电脑和其他移动设备中尤其重要，因为它可以延长电池的使用时间。
DDR3芯片采用了更复杂的内部组织结构和电路设计，从而提高了数据传输的稳定性和可靠性。
它引入了8位预取机制，使得每次读写操作可一次传输8个字节的数据，进一步提高了内存的访问速度。
DDR3芯片支持双通道和三通道内存架构，这意味着计算机可以同时访问多个内存模块，并将数据传输分配到不同的通道上，从而提高数据传输的并行性和吞吐量。
这使得DDR3芯片在处理大量数据和多任务处理时表现优秀。
DDR3芯片有着较大的容量范围，从1GB到16GB不等。
这使得计算机可以安装更大容量的内存，进一步提高系统的性能和响应能力。
特别是在高性能应用和大型数据库处理中，DDR3芯片能够提供足够的内存容量来处理大量的数据和运行复杂的应用程序。
此外，DDR3芯片具有良好的兼容性。
它可以与之前的DDR2芯片和之后的DDR4芯片共存，并且可以与各种操作系统和处理器架构配合使用，包括英特尔、AMD和ARM等。
这样，用户可以在不更换整个系统的情况下，仅仅通过更换内存模块来升级和扩展内存容量。
最后，DDR3芯片的价格相对较低，因为它是较早的技术，并且已经有成熟的制造工艺和规模化生产。
这使得DDR3芯片成为广大用户的首选，特别是那些对于性价比有要求的用户。
DDR3和DDR2和DDR的工作原理及技术区别
DDR3和DDR2和DDR的工作原理及技术区别DDR3、DDR2和DDR（又称为DDR1）是计算机系统中常见的内存标准。
它们在工作原理和技术上有一些区别，下面是关于它们的详细介绍。
1. DDR3（Double Data Rate 3）：DDR3是一种内存技术标准，它是DDR2的升级版本。
DDR3相比于DDR2有更高的带宽和更低的功耗。
工作原理：DDR3内存的工作原理是在时钟的上升沿和下降沿两个时刻读取数据，因此它被称为双倍数据率。
数据传输速度是时钟速度的两倍，例如DDR3-1600的内存模块实际传输速度为3200MB/s。
技术区别：-电压：DDR3的工作电压为1.5V，比DDR2的电压低，可以节省功耗并降低发热。
-带宽：DDR3的带宽比DDR2更高。
DDR2的带宽是每个内存信号线上每个时钟周期传输的位数乘以时钟速度，而DDR3通过使用更高的时钟速度和每个时钟周期传输的字节大小来提高带宽。
-寻址能力：DDR3的寻址能力比DDR2更高，可以支持更大的内存容量。
-内存频率：DDR3支持更高的内存频率，从800MHz到2133MHz以上。
2. DDR2（Double Data Rate 2）：DDR2是DDR的升级版，它具有更高的频率、更低的功耗和更高的密度。
工作原理：DDR2内存也是在上升沿和下降沿两个时刻读取数据，实现双倍数据率传输。
技术区别：-电压：DDR2的工作电压为1.8V，比DDR的电压低，能够降低功耗。
-带宽：DDR2的带宽比DDR更高。
DDR2使用更高的频率和每个时钟周期传输的字节大小来提高带宽。
-寻址能力：DDR2具有更高的寻址能力，能够支持更大的内存容量。
-内存频率：DDR2的内存频率从400MHz到1066MHz。
3. DDR（Double Data Rate）：DDR是首个双倍数据率内存技术的标准，它在之前的SDRAM的基础上提高了数据传输速率和带宽。
工作原理：DDR内存是在上升沿读取数据。
ddr3的工作原理
ddr3的工作原理
DDR3的工作原理是基于双倍速技术（Double Data Rate）和内存控制器的协同工作。
它采用了8位数据通道，与内存控制器进行通信，实现数据的读取和写入。
DDR3内存的工作频率通常为800 MHz至2133 MHz，并且由
于其采用了双倍速技术，数据传输速度是实际工作频率的两倍。
例如，DDR3-1600的内存实际工作频率为800 MHz，但数据
传输速度达到了每秒1600百万次数据传输。
DDR3内存模块中的单个存储单元被组织成一个存储单元矩阵，由许多存储单元组成。
每个存储单元可以存储一个位的数据。
内存控制器通过内部总线向存储单元发送读取和写入命令。
在读取数据时，内存控制器向存储单元发送读取地址和读取命令。
存储单元根据接收到的命令将相应的数据位从存储单元矩阵中读取出来，并通过数据总线传送给内存控制器。
在写入数据时，内存控制器向存储单元发送写入地址、写入命令和数据。
存储单元接收到命令后将相应的数据位写入存储单元矩阵中的相应位置。
DDR3内存还具有预取功能，即在内存控制器发出读取命令时，存储单元会预先读取与所请求数据相邻的数据位，并将其存储在内部缓冲区中。
这样，在下一次读取请求发出时，存储单元可以更快地提供数据，从而提高内存读取的效率。
总之，DDR3内存通过双倍速技术和内存控制器的协同工作，实现了高速和高效的数据读取和写入。
它是现代计算机系统中常用的内存类型之一。
DDR3基本知识
DDR3基本知识一、DDR3简介DDR3（double-data-rate three synchronous dynamic random access memory）是应用在计算机及电子产品领域的一种高带宽并行数据总线。
DDR3在DDR2的基础上继承发展而来，其数据传输速度为DDR2的两倍。
同时，DDR3标准可以使单颗内存芯片的容量更为扩大，达到512Mb至8Gb，从而使采用DDR3芯片的内存条容量扩大到最高16GB。
此外，DDR3的工作电压降低为1.5V，比采用1.8V的DDR2省电30%左右。
说到底，这些指标上的提升在技术上最大的支撑来自于芯片制造工艺的提升，90nm甚至更先进的45nm制造工艺使得同样功能的MOS管可以制造的更小，从而带来更快、更密、更省电的技术提升。
DDR3的发展实在不能说是顺利，虽然在2005年就已经有最初的标准发布并于2007年应用于Intel P35 “Bearlake”芯片组上，但并没有像业界预想的那样很快替代DDR2，这中间还经历了对SDRAM业界影响深远的金融危机，不但使DDR3占领市场的速度更加减慢，还使DDR3在技术上一度走在世界领先地位的内存大厂奇梦达倒闭，实在是让人惋惜。
虽然如此，DDR3现今是并行SDRAM家族中速度最快的成熟标准，JEDEC标准规定的DDR3最高速度可达1600MT/s（注，1MT/s即为每秒钟一百万次传输）。
不仅如此，内存厂商还可以生产速度高于JEDEC标准的DDR3产品，如速度为2000MT/s的DDR3产品，甚至有报道称其最高速度可高达2500MT/s。
二、DDR存储器特性1) 时钟的上升和下降沿同时传输数据DDR存储器的主要优势就是能够同时在时钟循环的上升和下降沿提取数据，从而把给定时钟频率的数据速率提高1倍。
例如，在DDR200器件中，数据传输频率为200 MHz，而总线速度则为100 MHz。
2) 工作电压低DDR1、DDR2和DDR3存储器的电压分别为2.5、1.8和1.5V，因此与采用3.3V的正常SDRAM芯片组相比，它们在电源管理中产生的热量更少，效率更高。
DDR3内存深度解析
DDR3内存深度解析2007年第⼆季度开始，DDR3平台就会全⾯启动。
从去年开始，全球各⼤内存芯⽚⼚商已经陆续推出DDR3颗粒，在今年秋季IDF展会上已经出现⽐较成熟的DDR3内存模组，估计明年开始将⼤量投⼊⽣产。
另⼀⽅⾯，全球最⼤的主板芯⽚供应商Intel 已经在蓝图上公布明年第⼆季度就会推出⽀持DDR3内存的新平台，看来草船、东风皆备，内存终于再次⾯临更新换代。
DDR2内存技术简单回顾 IT业界的正式内存规格是由JEDEC-- Joint Electronioc Device Engineering Council制定的，这包括了DDR、DDR2以及准备推出的DDR3，在官⽅规格中DDR最⾼速度为DDR400，但由于制程进步，DDR的速度已经完全超越了官⽅原定标准，故此后期出现了超⾼速DDR566并⾮官⽅规格。
继DDR400之后，JEDEC已认定DDR2为现时主流内存标准，虽然名字上只差毫厘，但DDR2和DDR2是完全不兼容的，⾸先DDR2的为240Pin接⼝⽐DDR的184Pin长，另外电压也⽐DDR的2.5v低许多，在1.8v的同频率下DDR2可⽐DDR低⼀半功耗，⾼频低功耗是DDR2内存的优点，⽽缺点则是DDR的延迟值⽐较⾼，在同频率下效能较低。
不单在规格上不兼容，其实DDR和DDR2在技术上有很⼤分别。
我们⽤的内存是透过不停充电及放电的动作记录数据的，上代SDRAM内存的核⼼频率就相等于传送速度，⽽每⼀个Mhz只会有传送1 Bit的数据，采⽤1 Bit Prefetch。
故此SDRAM 100Mhz的频宽为100Mbps。
但随着系统内部组件速度提升，对内存速度的要求增加，单纯提升内存频率已经不能应付需求，幸好及时发展出DDR技术。
DDR与SDRAM的分别在于传统SDRAM只能于充电那⼀刻存取数据，故此每⼀下充电放电的动作，只能读写⼀次，⽽DDR却把技术提升⾄在充电及放电时都能存取数据，故此每Mhz有两次存取动作，故此DDR会⽐SDRAM在同⼀频率下效能提⾼⼀倍，⽽100Mhz的DDR却可达⾄200Mbps存取速度，由于每⼀个Mhz都要有⼆次的资料存取，故此DDR每⼀Mhz会传送2Bit，称为2Bit Prefetch，⽽DDR颗粒频率每提升1Mhz，所得的效果是SDRAM的两倍。
ddr3时钟频率范围
ddr3时钟频率范围【原创版】目录1.DDR3 内存的概述2.DDR3 时钟频率的范围3.DDR3 时钟频率与数据传输率的关系4.DDR3 时钟频率的实际应用5.总结正文一、DDR3 内存的概述DDR3（Double Data Rate 3）是一种内存技术，它属于 SDRAM （Synchronous Dynamic RAM）同步动态随机存取存储器的一种。
相较于前代 DDR2 内存，DDR3 内存在性能、功耗和稳定性等方面都有所提升。
其主要特点包括：1.提高数据传输率：DDR3 内存的核心频率是 DDR2 的两倍，使得数据传输率得到显著提升。
2.降低功耗：DDR3 内存采用了更低的电压，有效地降低了功耗。
3.提高稳定性：DDR3 内存的芯片密度更高，且采用了更先进的制造工艺，从而提高了内存的稳定性和可靠性。
二、DDR3 时钟频率的范围DDR3 内存的时钟频率范围为 100MHz 至 1600MHz。
其中，最低的100MHz 时钟频率主要应用于一些低性能的嵌入式系统，而最高的1600MHz 时钟频率则主要应用于高性能的服务器和显卡等设备。
三、DDR3 时钟频率与数据传输率的关系DDR3 内存的数据传输率是其时钟频率的两倍。
这是因为 DDR3 内存在每个时钟周期的上升沿和下降沿各传输一次数据，即每次传输两个数据，所以其数据传输率是时钟频率的两倍。
例如，当 DDR3 内存的时钟频率为100MHz 时，其数据传输率为 200MB/s；而当时钟频率为 1600MHz 时，其数据传输率可达 3200MB/s。
四、DDR3 时钟频率的实际应用根据不同的应用场景，DDR3 内存的时钟频率会有所差异。
以下是一些常见的 DDR3 内存时钟频率应用实例：1.桌面计算机：常见的 DDR3 内存时钟频率为 1333MHz 和 1600MHz，分别对应数据传输率为 1600MB/s 和 2133MB/s。
2.服务器：高性能服务器通常采用更高时钟频率的 DDR3 内存，如1866MHz 和 2133MHz，对应的数据传输率分别为 2400MB/s 和 2933MB/s。
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C、AC上过冲下过冲
见DDR3手册P49
D、差分输入信号条件 （单端测试 与差 分测试）
E、tDVAC是数据超出Vih保持的时间。
3、DC与AC 交流特性 建立保持时间1
示波器带宽的限制导致信号斜率的限制，选用1
3、DC与AC 交流特性 建立保持时间2 IS (total setup time) = IS (base) + Δ ISDQ IH (total hold time) = IS (base) + Δ IHDQ A、Base值选取 地址/命令的建立保持时间的 tBase
结合了ROM和RAM的长处; 具备(EEPROM的性能，还 不会断电丢失数据同时可 以快速读取数据. 擦写方便、非易失性、可 读可写访问速度快、功耗 低 、体积小利用浮置栅上
的电容存储电荷来保存信 息，因为浮置栅不会漏电， 所以断电后信息仍然可以 保存。
NANDF NOR LASH FLASH
写入和擦除 的速度比 NOR快、高 存储密度、 执行擦除操 作十分简单
写入和擦除 速度慢、传 输效率很高、 读速度比 NAND稍快 一些
SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器， 同步是指内存工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为 基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据 不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。
据读预取）。
DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更 为省电;DDR2的4bit预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够1600Mhz的速度， 由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而 首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。
浅谈 DDR3
杨先生 2016.11.23
DDR发展史
存储的概念： 只读存储器ROM（read only memory）
EROM：可编程的ROM； EPROM：可擦除可编程ROM ； EEPROM：电可擦除可编程ROM ； NAND FLASH / NORFLASH：Flash Memory闪存； 随机存储器RAM（random access memory） SRAM：Static RAM/静态存储器 DRAM：Dynamic RAM/动态存储器 SDRAM：同步动态随机存储器
分探头测量与单端探头同时测量DDR的同一DQSP/N数据时钟信号，单端探头与差分探头P 脚为测量同一点，使用游标测量出不同通道同一信号的相位差；最后点击菜单“vertical” 中“deskew”选项， 在deskew time选项中填入测量出的相位差，再次测量同一信号，使得两个探头的相位差为 零。
12、地址线/命令/控制信号线与时钟信号走线的误差为+-400mil，组内走线误差为+-50mil
13、数据信号组的走线长度与时钟信号线的误差为+-500mil，组内同一信道的信号线走线误差为+50mil(+-25mil)最好
电源滤波建议 每个电源管脚放置一个100nf的陶瓷滤波电容，并紧靠电源管脚摆放；整个DDR3功能单元供电电源至 少有一个10uf的对地滤波电容 VREF布线建议如下： 1、根据SSTL-15 协议要求，VREF参考电压为0.49~0.51DVDDIF,VREF分压电阻必须使用1%精度电阻，为 了降噪，VREF走线宽度不得小于20mil。 2、控制器与DDR3颗粒的VREF参考电平就近用分压电路得到 3、每个Vref pin要加去耦电容且走线尽量宽 ，与其它信号线间隔20-25mil 4、如果有条件进行包地处理。
4、DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准
DDR2： 1、增加数据预读取 2、延迟增加但是增加Post CAS技术、 ODT 、OCD。 3、DDR2内存采用的是支持1.8V电压的SS计，而DDR2为4bit预取 2、 DDR3内存采用的是支持1.5V电压的SSTL15标准 3、增加reset、zq校准功能 DQM 4、突发长度（Burst Length，BL=8/4） 5、寻址时序（Timing） 6、参考电压分成两个:命令与地址信号的VREFCA和数据总线的VREFDQ 7、点对点连接（Point-to-Point，P2P）。
VTT（DDR_VTT）布线建议如下： 1、 在总线末端放置终端电阻，在电阻末端布VTT电源线。 2、VTT走线（最好用局部电源铜皮）要做够宽，保证载流能力。 3、VTT电源芯片尽量靠近终端电阻，减小回路消耗。 4、 每四个信号间方式1个或2个0.1uF去耦电容，减小对VTT的干扰。 5、VTT电源走线（或铜皮）处应放置10~22uF的大电容，且保证2个以上。 6、采用LDO供电（整个DDR电源都要用LDO供电） 7、VTT 表面走线宽度至少150mil，推荐250mil
DDR区别比较
DDR3工作模式
MR0：BL（4/8）、突发传输类 型（顺序/交错）、CAS延迟、 写恢复时间WR MR1：DLL使能、TDQS使能、 输出使能、AL MR2：自刷新温度范围、自动 刷新使能、CAS写潜伏CWL、 AL、RTT调整、 输出阻抗调 整
MR3：多用途寄存器MR，用于 控制器读取DDR3颗粒的一些信 息。
RAM
ROM
访问速度快、掉电后数据会丢失、 掉电后数据不会丢、存取速度低、只读数
读写时间相等，且与地址无关
据、非易失性
SRAM
DRAM
SDRA M
EROM
EPROM EEPROM
FLASH
利用双稳 态触发器 来保存信 息、只要 不掉电信 息不会丢 失的、速 度非常快
利用MOS 单一的系 可编程的、
4、相邻信号走线间距满足3W原则
5、DDR周边的线应尽量远离此区域
6、每一组DQS、DQ、DM走同一层，且参考相同的GND 层
7、DQS、DM、CK控制4W原则
8、负载stub尽可能短。建议clock走线 stub<150mils，CTRL 走线stub<200mils，ADD/CMD走线 stub<260mils
注意：1、VTT 与VREF 走线/平面在同一层，必须具有150mil 的距离，推荐它们在不同层 2、上电时序：VTT 开始上电必须在VDDQ 之后，避免器件latch-up，推荐VTT 和VREF 同时上电。
DDR3测试方法以及测试内容
测试方法
1、校准示波器：对示波器进行预加热（泰克示波器） 菜单“Utilittes”中“instrument calibration”选项，点击“run spc”进行SPC（signal
path compensation）校准
2、探头校准：校准差分探头与单端探头的相位差。 首先调节单端探头的offset为0.75V，调节单端/差分探头幅值为200mV/div；然后使用差
9、为了避免串扰，数据信号组与地址/命令/控制信号组之间的走线间距至少20mil，建议它们在不同的 信号层走线。
10、所有信号的走线长度控制在2inch(5cm)最好。。
11、所有DDR 的差分时钟线CK 与CK#必须在同一层布线，误差+-20mil(+-10mil 最好)，最好在内层布线以 抑制EMI。如果系统有多个DDR 器件的话，要用阻值100~200ohm（分叉点小于1000mil） 的电阻进行差 分端接。
3、在DDR3颗粒端测量写数据、写地址、写控制信号等；在CPU端测量读数据信号。
注意：在测试地址信号、控制信号的时候注意探头正负与信号PN相对应
测试内容
注意DDR3与DDR3L手册参数不同
1、供电电压 A、绝对电压范围如下：
B、工作电压条件
2、DC 与 AC 直流特性 A、DC电压特性与输入条件
DDR2/DDR II（Double Data Rate 2）SDRAM是由
JEDEC（电子设备工程
联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准
最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的
基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数
DDR SDRAM(Dual Date Rate SDRAM)简称DDR，也就是“双倍速率SDRAM“的意 思。DDR可以说是SD-RAM的升级版本，DDR在时钟信号上升沿与下降沿各传 输一次数据，这使得DDR的数据传输速度为传统SDRAM的两倍。由于仅多采用
了下降沿信号，因此并不会造成能耗增加。至于定址与控制信号则与传统 SDRAM相同，仅在时钟上升沿传输。
DDR3需要注意的问题
PCB原则
1、信号走线分布在邻近地平面走线层，避免信号走线穿过电源或地分割区域，必须保证DDR信号走线 都有完整的GND参考平面。布线时避免改变走线参考层面；相邻走线层走线尽力垂直交叉，避免平行走 线
2、所有信号线尽量短，并在走线路径上少打过孔，保证走线阻抗的连续性。
3、端接VTT的电阻如果使用阻排，同一阻排上的信号必须属于同一DDR信号线组，尤其避免DQS与地址/ 控制线分布在同一阻排上。
数据的建立保持时间的 tBase
B、斜率计算 时钟斜率的计算：（VIL,diff,max见2.D）
地址/命令的建立保持时间的Δ t
数据的建立保持时间的Δ t
C、建立保持时间查表
根据时钟与地址命令斜率的计算，得出建立 保持时间的补偿值
读写判断
根据前导码（可能不准确，常用方法） 根据边沿对齐（常用方法） 根据控制信号线（示波器探头不够用） 根据经验---幅值大小（可能不准确）
管的栅电 统时钟同 一次性
容存储电 步所有的
荷来储存 地址数据
信息，因 和控制信
此通过不 号，提高