基于双磨头的磁流变抛光机床与工艺研究

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磁流变抛光技术的国内外研究现状

磁流变抛光技术的国内外研究现状

磁流变抛光技术的国内外研究现状国外研究方面,英国、德国等国家的一些研究机构在磁流变抛光技术上取得了一些突破。

比如,英国利物浦大学的研究人员通过对磁流变液体的流变性能进行优化,实现了对金属材料的高效抛光。

他们采用了一种增强磁场的技术,使磁流变液体的粘度和摩擦系数得到了大幅增加,从而提高了抛光效率。

同时,他们还研究了磁流变液体与工件表面之间的作用力,通过优化作用力的调整,实现了对不同材料的加工和抛光。

在国内方面,磁流变抛光技术的研究虽然起步较晚,但也在近几年取得了一些进展。

例如,中国科学院上海微系统与信息技术研究所的研究人员通过磁场控制技术实现了对玻璃材料的高精度抛光。

他们采用了一种新型的磁流变液体,该液体在磁场作用下可以实现由液体到固体的相变,从而在抛光时形成均匀的压力分布。

研究人员还利用超声波技术改善了抛光的效果,进一步提高了加工精度。

此外,我国的一些高校和科研机构也在磁流变抛光技术的研究方面发表了一些研究论文。

例如,清华大学的研究人员通过电磁场反馈控制技术,实现了对硬脆材料的微纳米级抛光。

他们设计了一种新型的磁流变闪烁抛光器,并对其进行了详细的电磁场优化设计和流体动力学分析。

实验结果表明,该装置可以实现对光学元件表面的微纳米级抛光。

综上所述,磁流变抛光技术在国内外都得到了广泛的关注和研究。

尽管目前在国内的研究还相对较少,但随着我国科技水平的不断提高和高精度制造需求的增加,磁流变抛光技术在国内的研究和应用前景将会更加广阔。

希望本文的综述能够对磁流变抛光技术的进一步研究提供一些参考和启示。

磁流变抛光技术研究进展

磁流变抛光技术研究进展

磁流变抛光技术研究进展
戴立达;张争艳;乔国朝
【期刊名称】《机械设计与制造》
【年(卷),期】2024()3
【摘要】表面质量是精密零部件最重要的性能之一,零件的表面质量主要是由加工过程中不同的工艺参数和方法决定的。

传统的磨抛工艺由于作用在工件上的力很大、嵌入的磨料颗粒、对工艺的控制有限等原因很难使表面粗糙度降低到精密零部件的要求精度。

磁流变抛光(MRF)提供了一种新型高效的方法使工件加工质量达到预期的精度水平。

MRF对工艺控制具有更大的灵活性,并且可以在不破坏表面形貌的情况下完成加工。

综述了磁流变抛光液组分对加工效果的影响、材料去除模型的建立和发展、不同的MRF加工方式和未来磁流变抛光技术发展的新方向,最后总结了目前MRF技术存在的问题总结,并提出了MRF技术未来可能的发展方向。

【总页数】7页(P254-260)
【作者】戴立达;张争艳;乔国朝
【作者单位】河北工业大学机械工程学院;国家技术创新方法与实施工具工程技术
研究中心;中国电子科技集团公司第五十三研究所
【正文语种】中文
【中图分类】TH16;TH161.14
【相关文献】
1.双抛光头磁流变抛光技术与装备研究进展
2.超精密磁流变复合抛光技术研究进展
3.基于磁流变抛光法的光学元件抛光专利技术综述
4.磁流变抛光技术的研究进展
5.磁流变抛光关键技术及工艺研究进展
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基于磁流变抛光法的光学元件抛光专利技术综述

基于磁流变抛光法的光学元件抛光专利技术综述

基于磁流变抛光法的光学元件抛光专利技术综述磁流变抛光(MRF)是一种基于磁流变流体的技术,用于光学元件的抛光和表面改善。

它以其高效、精确和可控的特点,成为光学加工中不可或缺的一种手段。

本文将对磁流变抛光法的相关专利技术进行综述。

磁流变抛光法的原理是利用磁流变流体的流变特性实现对光学元件表面的精密抛光。

磁流变流体是一种可以根据外加磁场的强度和方向改变其流变特性的流体。

当磁场施加到磁流变流体上时,它的黏度和流动性会发生变化,从而可以实现对光学元件表面的精细抛光。

这种抛光方法既可用于玻璃、陶瓷等硬质材料的抛光,也可以用于软性材料的抛光。

磁流变抛光法的专利技术主要包括以下几个方面:1. 磁流变流体的制备技术:磁流变流体是磁流变抛光法的核心。

专利技术中涉及了磁流变流体的成分、比例和制备方法等。

一些专利技术提出了采用特定的胶体颗粒和稳定剂来制备高性能的磁流变流体。

2. 磁流变抛光机械装置:磁流变抛光需要一定的机械装置来施加磁场和控制磁流变流体的流动。

专利技术中提出了各种不同的磁流变抛光机械装置,如采用永磁体或电磁铁制造的磁极等。

3. 光学元件的抛光方法:磁流变抛光法可以用于不同类型的光学元件的抛光,如透镜、棱镜、反射镜等。

专利技术中介绍了不同的抛光方法,包括逐点抛光、逐面抛光、全表面抛光等。

这些方法在实际加工中可以根据元件的形状和要求进行选择。

4. 磁流变抛光工艺参数的优化:专利技术中还涉及了磁流变抛光的工艺参数的优化方法。

这些参数包括磁场强度、磁场方向、磁流变流体流量和压力等。

通过优化这些参数,可以实现对光学元件表面的高效、精确抛光。

磁流变抛光法的专利技术不仅应用于光学元件的抛光,还可以用于其他领域的表面改善。

磁流变抛光法可以用于金属材料的抛光、半导体材料的抛光和微机电系统(MEMS)器件的抛光等。

这些应用拓宽了磁流变抛光法的应用领域,也促进了磁流变抛光技术的持续发展和改进。

基于磁流变抛光法的光学元件抛光专利技术综述

基于磁流变抛光法的光学元件抛光专利技术综述

基于磁流变抛光法的光学元件抛光专利技术综述磁流变抛光是一种通过利用磁流变流体的特性来实现表面抛光的技术。

它可以用于光学元件的抛光,以改善其表面质量和光学性能。

本文将综述基于磁流变抛光法的光学元件抛光专利技术。

磁流变抛光技术利用磁流变流体的流变特性,通过调节磁场的强度和方向来控制流体的流动行为,从而实现对光学元件表面的抛光。

磁流变流体一般由磁流变材料和基础流体组成,当施加磁场时,磁流变材料会发生类似于液体变固体的相变,使流体具有较高的黏度和流变性能。

1.磁场控制技术:磁场是磁流变抛光的关键因素,磁场的强度和方向会直接影响磁流变流体的流动行为。

相关专利技术主要涉及磁场控制装置的设计和优化,如磁铁的布置、磁场的稳定性和均匀性等方面。

2.抛光材料选择和制备技术:抛光材料是磁流变抛光的另一个重要方面,它既需要具备较高的磁流变效应,又要具备适当的硬度和表面平整度,以保证对光学元件表面的均匀抛光。

相关专利技术探索了不同的抛光材料和制备方法,如磁流变材料的合成、涂覆和粒度控制等。

3.抛光工艺优化技术:磁流变抛光的工艺参数对抛光效果有着重要的影响,如磁场的强度和方向、抛光时间、抛光速度等。

相关专利技术通过设计合适的工艺参数和优化工艺流程,以提高抛光效率和表面质量。

4.表面检测和评估技术:对抛光后的光学元件进行表面检测和评估是确保抛光效果的关键步骤。

相关专利技术涵盖了不同的表面检测方法和设备,如光学显微镜、激光扫描等,以及表面质量评估的指标和标准。

基于磁流变抛光法的光学元件抛光专利技术主要集中在磁场控制技术、抛光材料选择和制备技术、抛光工艺优化技术以及表面检测和评估技术等方面。

这些专利技术的发展为提高光学元件的表面质量和光学性能提供了重要的技术手段。

磁流变抛光技术发展趋势及抛光工具研究

磁流变抛光技术发展趋势及抛光工具研究
我国从 20 世纪 80 年代中期就开始进行磁性研磨加工的 研究,清华大学研制了五轴联动磁流变数控抛光系统,哈尔滨 工业大学使用自行研制的磁流变抛光设备对光学玻璃和微晶 玻璃进行了加工实验,程灏波研究了电磁抛光装置的结构设 计及特性,程灏波、张峰、孙希威等人分别分析了磁流变抛光 中的磁场,建立了抛光的数学模型,并对驻留时间的算法进行 了研究。以上研究为磁流变抛光技术的实际应用奠定了理论 基础,推动了磁流变抛光技术的发展。
[4] T.Y. Hou, X.H. Wu. A multiscale finite element method for elliptic problems in composite materials and porous media, Journal of computational physics, 1997,13:169~189.
图 1 手持式磁流变抛光机内部结构 如图 1 和图 2 所示,绕有线圈的软磁体铁心构成了电磁 铁,随着线圈电压的变化,电磁铁的磁场发生变化。当工具端 部浸入磁流变液时,在工具端部的磁流变液的表观黏度也发 生变化,随着电磁铁的旋转发生旋转运动,对工件进行抛光作 业。工具端部为凹形结构,有保持磁流变抛光液的作用。工 具的旋转运动由直流电机提供。直流电机与电磁铁之间由连 轴器连接。对于旋转运动的电磁铁的供电,采用电刷供电的 方式。电磁铁线圈的两端连在电刷上,电刷与镶嵌于外壳中
知道了多尺度形函数 之后,则可以得到单元 K 的粗尺 理论基础。
度有限元矩阵
(27) 参考文献: (28) [1] X.Frank Xu. A multiscale stochastic finite element method源自则全局矩阵 H 和 F 分别为
on elliptic problems involving uncertainties,2007. [2] X.Frank Xu..A stochastic computational method for evaluation

基于磁流变抛光法的光学元件抛光专利技术综述

基于磁流变抛光法的光学元件抛光专利技术综述

基于磁流变抛光法的光学元件抛光专利技术综述
磁流变抛光(MRF)技术是一种利用磁流变液体对光学元件进行抛光的方法。

该方法在光学制造领域具有广泛的应用,可以用于抛光各种形状和材料的光学元件,如透镜、棱镜、平板等。

本文将综述基于磁流变抛光法的光学元件抛光专利技术。

目前,磁流变抛光技术在光学元件抛光领域已经形成了一系列的专利技术。

这些专利
技术涉及到磁流变液体的制备方法、磁流变液体与光学元件的接触方式、磁流变液体的应
用压力控制等方面。

下面将分别介绍几个代表性的专利案例。

专利案例一:一种基于磁流变抛光法的平板光学元件抛光装置及方法。

该专利技术提
出了一种用于平板光学元件抛光的装置和方法。

该装置包括磁流变液体供给装置、磁场装
置和支撑平台等组件。

该方法通过控制磁流变液体的流动和磁场的作用,实现对平板光学
元件表面的抛光。

除了上述专利案例,还存在很多其他基于磁流变抛光法的光学元件抛光专利技术。


些技术在提高光学元件制造效率、减小表面光学散射等方面具有重要的应用价值。

磁流变
抛光技术在实际应用中还存在一些需要解决的问题,如磁流变液体的稳定性、磁场的加工
精度等。

对于这些问题的解决将进一步推动磁流变抛光技术在光学制造领域的应用。

基于磁流变抛光技术的实验装置研究

基于磁流变抛光技术的实验装置研究
机 械 设 计 与 制 造

第l 0期
20 0 8年 l 0月
1 一 58
Ma h n r De in c iey sg

Ma u a t r n f cu e
文章编号 :0 1 39 (0 8 1— 18 0 10 — 97 2 0 )0 0 5 — 2
基 于磁 流变抛 光技 术 的实验 装 置研 究
Ke r s M a n t r e l g c l n s i g M RF; o i i g s o ; a n tc f l y wo d : g e o h o o ia ih n ; i f P l h n p t M g e i ed s i
中图分 类号 : H1 8 T 5 0 9 文 献标识 码 : T 2 。G 8 . 2 6 A
【 摘
要】 在介绍了磁流变抛光的基本原理的基础上 , 对磁流变抛光的实验装置进行了分类设计 , 从
工件与抛光盘的相对位置和磁流变液的注入形式考虑, 分别通过平置式、 倒置式和正置式, 使抛光装置与
不同机 床进行整合 , 实现 了模块化设计理念。同时对 不同的整合方案进行 了比较 , 出合理的设计 方案 。 得 关键词 : 流变抛光 ; 流变液 : 光 区; 磁 磁 抛 磁场
近年来 , 随着科学技术的发展 , 对高性能 的非球面零件 的需 求越来越迫切 。 在激光核聚变、 航空 、 航天、 宇宙探测 、 军事侦察以
及彩色显像管制造业等诸 多领域对非球面光学部件 的要求与 日
2实验装置设计
基于磁流变抛光技术的实验装置的研制具有以下几个特点:
( ) 达 到 磁流 变抛 光 的工 艺 加 工条 件 。 1基本
的注入形式考 虑, 磁流变抛光装置主要有三种形式 : 平置式、 倒置 式及正置式 。

基于磁流变抛光法的光学元件抛光专利技术综述

基于磁流变抛光法的光学元件抛光专利技术综述

基于磁流变抛光法的光学元件抛光专利技术综述随着光电子科技的迅猛发展,光学元件的制造技术也在不断向前发展。

在光学元件的制造过程中,抛光是一个非常重要的工艺步骤,影响着光学元件的表面质量、形状精度和光学性能。

传统的光学元件抛光方法存在着一定的局限性,而磁流变抛光法则是一种新型的抛光技术,其基于磁流变效应,可以实现对光学元件的高效抛光。

本文将从磁流变抛光技术的基本原理、应用现状以及相关专利技术进行综述,以期为相关领域的研究提供一定的参考和借鉴。

一、磁流变抛光技术的基本原理磁流变效应是指在磁场的作用下,磁流变材料的流变应力发生变化的效应。

磁流变材料是一类特殊的材料,当它处于磁场中时,可以通过改变磁场的强度和方向来控制其流变应力的大小和方向。

磁流变材料具有较高的灵活性和可调节性,因此在光学元件抛光中引入磁流变材料可以实现对抛光过程的精确控制。

磁流变抛光技术主要包括以下几个步骤:首先是将磁流变材料与磨削磨粉混合物混合,形成磨削液;然后将光学元件与磨削液放置在磁场中进行抛光,通过改变磁场的强度和方向来调节磁流变材料的流变应力,从而控制抛光过程中磨损的形态和速度;最后是清洗和表面处理,以获得最终的光学元件。

磁流变抛光技术的核心在于对磁流变材料的流变特性进行精确控制,在磁场的调节下实现对光学元件表面的高效抛光。

这种技术不仅可以有效减小表面的粗糙度,提高光学元件的光学性能,而且可以实现对光学元件形状的精确修整,满足不同光学器件对表面质量和形状精度的要求。

目前,磁流变抛光技术已在光学元件制造领域得到了较为广泛的应用。

以抛光镜片为例,磁流变抛光技术可以用于调整镜片的表面形貌、提高其光学性能,使得镜片在激光器、望远镜、测量仪器等领域具有更为优越的应用价值。

磁流变抛光技术还可用于对光学晶体的表面进行抛光。

晶体制品由于材料本身的特殊性,通常具有较强的吸湿性和易溶性,采用传统的抛光方法往往难以获得理想的抛光效果,而磁流变抛光技术的可控性可以在一定程度上解决这一难题,使得晶体表面的抛光更为精细。

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基于双磨头的磁流变抛光机床与工艺研究黄文;张云飞;郑永成;罗清;侯晶;袁志刚【摘要】针对传统单磨头磁流变抛光技术的不足,提出了一种新的双磨头磁流变抛光方法,并研制了一台八轴数控双磨头磁流变抛光机,具备了大口径平面、非球面及连续位相板的超精密、高效率加工能力。

分别研究了大、小磨头材料去除特性及面形修正能力,不仅获得了稳定、有效的大、小抛光斑,而且获得了超精的大、小平面工艺样件。

φ50 m m小平面经小磨头一次连续抛光,在φ45 mm内其面形精度PV由0.21λ收敛至0.08λ、RMS由0.053λ收敛至0.015λ;430 mm ×430 mm大平面经大磨头3次迭代抛光,在410 mm ×410 mm内其面形精度PV由0.4λ收敛至0.1λ、RM S由0.068λ收敛至0.013λ。

由此表明,所研制的双磨头磁流变抛光机床具有较好的材料去除特性和较强的面形修形能力。

%Aiming at some deficiencies of traditional one-polishing-head magnetorheological fin-ishing (MRF) technique ,a new two-polishing-head MRF method was studied and a two-polis-hing-head computer controlled MRF machine with 8 axes was developed .The machine has the ability to produce large aperture flat ,asphere and continuous phase plate with high figure accu-racy and high material removal rate .Material removal characteristic and figure correction abil-ity for each of large and small polishing heads were studied .Each of two heads individually ac-quired stable and valid polishing removal function and ultra-precision flatsample .After a sin-gle polishing iteration using small polishing head ,the figure error peak value(PV) in 45 mm diameter of a 50 mm diameter small plano optics significantly improved from 0 .21 λ to 0 .08λ(0 .053λ to 0 .015λ root-mean-square) .After three polishing iterations using large polishing head ,the figure error in 410 mm × 410 mm of a 430 mm × 430 mm large plano optics significant-ly improved from 0 .40λto 0 .10λPV (0 .068λto0 .013λRMS) .These results show that the two-polishing-head MRF machine has good material removal stability and excellent figure cor-rection capability .【期刊名称】《应用光学》【年(卷),期】2014(000)003【总页数】6页(P494-499)【关键词】双磨头磁流变抛光;大口径连续位相板;材料去除特性;面形修正能力【作者】黄文;张云飞;郑永成;罗清;侯晶;袁志刚【作者单位】中国工程物理研究院机械制造工艺研究所,四川绵阳621900;中国工程物理研究院机械制造工艺研究所,四川绵阳621900;中国工程物理研究院机械制造工艺研究所,四川绵阳621900;中国工程物理研究院机械制造工艺研究所,四川绵阳621900;成都精密光学工程研究中心,四川成都610041;成都精密光学工程研究中心,四川成都610041【正文语种】中文【中图分类】TN205;TH161引言磁流变抛光是近十多年才发展起来的一种高确定性柔性抛光技术,它主要利用磁流变抛光液的可控流变特性进行加工,即通过控制外加磁场的强度和分布来控制磨头的柔度和形状,通过控制磨头的加工轨迹和驻留时间来实现定量加工[1-2]。

与传统数控抛光技术相比,磁流变抛光具有极高加工精度、极高收敛效率与极低表面缺陷等显著工艺特点,能够高效、低成本地解决平面及非球面的超精密加工难题,被誉为是光学制造界的革命性技术[3-7]。

国家若干重大型光学工程急需大量的大口径平面、非球面或连续位相板等光学元件[8]。

目前,采用单磨头磁流变抛光技术,很难满足大口径平面及非球面不同加工阶段(去亚表面缺陷、修全频段误差)以及不同误差结构(低频、中频及高频)的加工需求,而大口径连续位相板复杂的“大振幅、小周期”波面结构对单磨头抛光技术提出了更为严峻的挑战。

大磨头抛光斑尺度较大,比较适合大口径元件的超精加工、大周期波面结构的精确控制、中低频误差的定量修正以及材料的高效去除。

小磨头的抛光斑尺度较小,在小口径元件的超精加工、小周期波面结构的精确控制、中高频误差的定量修正以及材料的微量去除等方面更具优势。

通过组合大、小磨头的差异化工艺能力,可为平面、非球面,特别是位相板的超精、高效加工提供一种更优工艺方法,能更好地实现精度与效率的优化匹配[9-10]。

美国 QED公司于2008年底成功研发了一台型号为Q22-750P2的三轴双磨头磁流变抛光机[11],其最大加工尺寸为1 000mm×750mm,但仅具备平面的平行线加工能力,不过对我国却实施了严格装备禁运。

基于美国的禁运以及国内的急需,本文研制了一台以大、小双柔性磨头为核心的八轴磁流变抛光机床,完全具备了大口径平面、非球面及连续位相板的双磨头组合超精密加工能力,不仅获得了满足高精度面形快速收敛的大、小尺度抛光斑特征,而且实现了大、小口径平面的超精、高效加工。

1 双磨头磁流变抛光机床的工程化研制双磨头磁流变抛光机床主要基于磨头与工件复合摆运动原理及构型方法来进行工程化设计,其以“一维可摆动双柔性磨头”为核心和“独立式双Z轴龙门床身”为主体,主要由双Z轴龙门床身、双柔性磨头和双循环系统以及集成控制系统等单元模块组成。

其中,龙门床身的主要作用是满足大口径光学元件加工对机床行程、精度、速度及加速度等性能的要求,配置了X、Y、Z1、Z2 4个直线轴和A1、A2、B、C4个旋转轴,X轴安装在龙门底座上,Y轴安装在龙门横粱上,Z1、Z2两轴均安装在Y轴上,A1、A2两轴分别安装在Z1、Z2轴上,B、C两轴组成二维转摆工作台并固定在X轴上。

双柔性磨头的主要作用是确保抛光液能形成有效、可控及稳定的柔性缎带与去除特征,大、小磨头分别安装在A1、A2轴上,其大小分别为φ300mm和φ50mm且其轮轴方向均与Y轴平行。

双循环系统的主要作用是确保抛光液在抛光过程中可循环使用以及主要工艺参数,如流量、粘度及温度等,能在一定范围内稳定调控,大、小流量循环系统分别为大磨头和小磨头提供抛光液,并整体安装在一个柜子中且置于床身后侧。

控制系统基于840D数控系统构建,主要实现了 X、Y、Z1、Z2、A1、A2、B、C等运动量、磁场、粘度、流量等过程量、抛光斑采集、缎带特征标定等工艺流程的的综合集成控制。

实际研制的双磨头磁流变抛光机床如图1所示。

图1 双磨头磁流变抛光机床Fig.1 Two-polishing-head MRF machine双磨头磁流变抛光机床主要通过大、小磨头来实现去除函数尺度及效率等关键特征的宽范围调节。

大、小磨头的工况完全独立,小磨头工作时,大磨头先回非工作位(即A1、Z1两轴回零位);大磨头工作时,小磨头同样须先回非工作位(即A2、Z2两轴回零位)。

由于配置了8个运动轴,因此本机床不仅支持平面及非球面的螺旋线加工,而且支持平行线加工。

以大磨头加工非球面为例,采用螺旋线时,通过X、Y、Z1、B、C五轴加工即可,其中,X、Z1、B、C四轴联动、X轴实现大磨头径向进给、C轴实现大磨头主运动切削。

采用平行线时,通过X、Y、Z1、A1、B五轴加工即可,其中,Y、Z1、A1、B 四轴联动、X轴实现大磨头横向进给、Y轴实现大磨头主运动切削。

另外,本机床最大平面加工尺寸为1 000mm×1 000mm、最大非球面加工尺寸为430mm×430mm。

2 大、小磨头的材料去除特性工艺研究在磁流变抛光中,磨头的材料去除特性主要通过磨头的抛光去除函数来描述,而磨头的抛光去除函数又主要通过磨头的抛光斑来表征。

磨头的材料去除特性或去除函数或抛光斑特性,主要包括去除有效性和去除稳定性2个方面,其中,去除有效性关系到抛光斑能否使用的问题,去除稳定性关系到抛光斑能否长时使用的问题。

由此可见,磨头的材料去除特性是磁流变抛光能否实现面形高精度收敛、材料高效率去除、工艺长时间稳定的基础和关键。

而在实际工艺过程中,抛光斑的优化控制主要通过抛光液的组份设计与配比、抛光区的磁场大小及分布、抛光液的缎带宽度及厚度、柔性缎带的浸入深度等关键工艺参数来实现。

2.1 大、小磨头的去除有效性工艺研究材料去除有效性主要包括其形态有效性和效率有效性2个方面。

当抛光斑外形轮廓呈单峰分布、外形尺寸及其长宽比适中、且其宽度方向对称性较好时,则认为抛光斑形态有效。

当抛光斑峰值去除效率为(2~18)λ/min、体积去除效率为(0.02~0.5)mm3/min时,则认为抛光斑效率有效。

仅当形态与效率均有效时,抛光斑才能满足高确定性抛光工艺条件。

为研究大磨头抛光斑的有效性,专门对大磨头进行了斑采集工艺实验。

在这里,选用氧化铈水基磁流变抛光液作为抛光介质。

首先,匹配好大磨头参数并获得稳定的柔性缎带;然后,按照标准工艺流程,在一块小口径平面元件(材料为UBK7、大小为φ50mm)上连续采集2个抛光斑;最后,分析测量这2个抛光斑的去除形态与效率特征,并对其有效性进行评估。

小磨头的去除有效性研究方法与大磨头完全相同,采用此方法,同样可获得小磨头的去除有效性评估。

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