模拟电路复习
模拟电路复习资料
3. 小信号模型分析 （2）放大电路分析（例5.2.5）
vo g m vgs Rd
vi vgs ( g m vgs ) R vgs (1 g m R)
g m Rd vo Av vi 1 gm R
Ri Rg1 // Rg2
s
Ro Rd
vo v o v i Ri Avs Av vS v i v S Ri RS
判别方法：反馈端与输入端为同一端，并联反馈； 反馈端与输入端为两端，串联反馈
即 vid=vi- vf iid=ii-if
7.1.5 电压反馈与电流反馈
电压反馈与电流反馈由反馈网络在放大电路输出 端的取样对象决定
电压反馈：反馈信号xf和输出电压成比例，即xf=Fvo
电流反馈：反馈信号xf与输出电流成比例，即xf=Fio
满足 VDS (VGS VT )
假设成立，结果即为所求。
3. 小信号模型分析 （2）放大电路分析（例5.2.5） 解：例5.2.2的直流分析已 求得：I DQ 0.5mA VGSQ 2V
VDSQ 4.75V
g m 2K n (VGSQ VT )
s
2 0.5 ( 2 1)mA / V 1mA / V
分别判断图P1.24所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。
解：（a）可能 （b）不能 （c）不能 （d）可能
（g）可能。 （h）不合理。因为G-S间电压将大于零。 （i）不能。因为T截止。
五、现有直接耦合基本放大电路如下： A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.共源电路 E.共漏电路 设Re<Rb，且ICQ、IDQ均相等。 选择正确答案填入空内，只需填A、B、…… （1）输入电阻最小的电路是 ，最大的是 ； （2）输出电阻最小的电路是 ； （3）有电压放大作用的电路是 ； （4）有电流放大作用的电路是 ； （5）高频特性最好的电路是 ； （6）输入电压与输出电压同相的电路是 ；反相的电路是 解：（1）C，D E （2）B （3）A C D （4）A B D E （5）C （6）B C E， A D
模拟电路课程复习考试试题及答案B
《模拟电路》复习纲要B一、单项选择题1．在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（）。
A、输入电阻小，输出电阻大B、输入电阻小，输出电阻小C、输入电阻大，输出电阻小D、输入电阻大，输出电阻大2．如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。
A、阻挡层（耗尽层）不变，反向电流基本不变B、阻挡层（耗尽层）变厚，反向电流基本不变C、阻挡层（耗尽层）变窄，反向电流增大D、阻挡层（耗尽层）变厚，反向电流减小3．理想运放的两个重要结论是（）。
A、虚地与反相B、虚短与虚地C、虚短与虚断D、断路与短路4．直接耦合多级放大电路（）。
A、只能放大直流信号B、只能放大交流信号C、既能放大直流信号也能放大交流信号D、既不能放大直流信号也不能放大交流信号5．N沟道结型场效应管中的载流子是（）。
A、自由电子B、空穴C、电子和空穴D、带电离子6．对滞回比较器的叙述正确的是（）。
A、滞回比较器有一个阈值电压B、滞回比较器具有滞回特性，且有一个阈值电压C、滞回比较器有两个阈值电压，输入电压向单一方向变化时，输出电压跃变两次D、滞回比较器有两个阈值电压，输入电压向单一方向变化时，输出电压跃变一次7．在基本共射极放大电路中，若适当增加R C,则电压放大倍数和输出电阻将分别变化为（）。
A、放大倍数变大，输出电阻变大B、放大倍数变大，输出电阻不变C、放大倍数变小，输出电阻变大D、放大倍数变小，输出电阻变小8．以下对场效应管放大电路的叙述正确的是（）。
A、场效应管是电流型控制器件，组成放大电路时其输入电阻大B、场效应管是电压型控制器件，组成放大电路时，其输入电阻小C、场效应管放大电路的放大倍数比晶体管组成的放大电路小D、场效应管组成放大电路时电压放大系数大9．通用型集成运放输入极通常采用（）电路。
A、差分放大B、互补推挽C、基本共射极放大D、电流源10．功率放大电路与电压放大电路、电流放大电路的共同点是（）。
A、都使输出电压大于输入电压B、都使输出电流大于输入电流C、都使输出功率大于信号源提供的输入功率D、以上三点都正确二、填空题1．共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率______共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于______电路。
模电复习题答案
模电复习题答案一、选择题1. 在模拟电路中，运算放大器的基本工作模式包括：A. 非线性区B. 线性区C. 饱和区D. 所有以上答案：B. 线性区2. 理想运算放大器的输入阻抗是：A. 有限的B. 无穷大C. 零D. 1欧姆答案：B. 无穷大3. 一个理想的运算放大器的输出阻抗是：A. 无穷大B. 零C. 有限的D. 1欧姆答案：B. 零4. 负反馈在放大器中的作用是：A. 增加增益B. 减少增益C. 提高稳定性D. 降低噪声答案：B、C、D5. 差分放大器的主要优点是：A. 提高增益B. 抑制共模信号C. 减少噪声D. 降低功耗答案：B. 抑制共模信号二、填空题1. 运算放大器的________特性使其在模拟电路设计中得到广泛应用。
答案：高输入阻抗，低输出阻抗2. 在设计放大器时，通常使用________来提高电路的稳定性和增益。
答案：负反馈3. 差分放大器能够有效地放大两个输入端之间的________，而抑制两个输入端共同的信号。
答案：差模信号4. 理想运算放大器的开环增益是一个非常大的数值，通常表示为________。
答案：无穷大5. 在模拟电路中，________是用来描述电路对信号进行线性或非线性处理的能力。
答案：放大能力三、简答题1. 简述运算放大器的基本组成及其工作原理。
答案：运算放大器通常由输入级、中间级和输出级组成。
输入级通常为差分放大器，用于接收两个输入信号并放大它们之间的差异。
中间级通常由多级放大器构成，用于提供增益。
输出级则将信号转换为适合负载的电压或电流。
运算放大器的工作原理基于负反馈原理，通过调整反馈网络，可以实现不同的放大功能。
2. 解释什么是负反馈，并说明它在放大器设计中的作用。
答案：负反馈是指将放大器的输出信号的一部分以相反相位反馈到输入端的过程。
在放大器设计中，负反馈可以减少增益，但同时可以提高电路的稳定性和线性度，降低非线性失真和噪声，改善频率响应。
四、计算题1. 假设有一个非理想的运算放大器，其开环增益为1000，输入阻抗为2MΩ，输出阻抗为100Ω。
模拟电子技术基础复习资料
模拟电路基础复习资料一、填空题1. 在P型半导体中, 多数载流子是（空隙）, 而少数载流子是（自由电子）。
2. 在N型半导体中, 多数载流子是（电子）, 而少数载流子是（空隙）。
3. 当PN结反向偏置时, 电源的正极应接（ N ）区, 电源的负极应接（ P ）区。
4．当PN结正向偏置时, 电源的正极应接（ P ）区, 电源的负极应接（ N ）区。
5. 为了保证三极管工作在放大区, 应使发射结（正向）偏置, 集电结（反向）偏置。
6．根据理论分析, PN结的伏安特性为,其中被称为（反向饱和）电流, 在室温下约等于（ 26mV ）。
7. BJT管的集电极、基极和发射极分别与JFET的三个电极（漏极）、（栅极）和（源极）与之相应。
8. 在放大器中, 为稳定输出电压, 应采用（电压取样）负反馈, 为稳定输出电流, 应采用（电流取样）负反馈。
9. 在负反馈放大器中, 为提高输入电阻, 应采用（串联－电压求和）负反馈, 为减少输出电阻, 应采用（电压取样）负反馈。
10.放大器电路中引入负反馈重要是为了改善放大器. 的电性. ）。
11. 在BJT放大电路的三种组态中, （共集电极）组态输入电阻最大, 输出电阻最小。
（共射）组态即有电压放大作用, 又有电流放大作用。
12.在BJT放大电路的三种组态中，.共集电. ）组态的电压放大倍数小于1，.共.）组态的电流放大倍数小于1。
13. 差分放大电路的共模克制比KCMR＝（）, 通常希望差分放大电路的共模克制比越（大）越好。
14. 从三极管内部制造工艺看, 重要有两大特点, 一是发射区（高掺杂）, 二是基区很（薄）并掺杂浓度（最低）。
15．在差分放大电路中发射极接入长尾电阻后, 它的差模放大倍数将（不变）, 而共模放大倍数将（减小）, 共模克制比将（增大）。
16. 多级级联放大器中常用的级间耦合方式有（阻容）, （变压器）和（直接）耦合三种。
17. 直接耦合放大器的最突出的缺陷是（零点漂移）。
模拟电路课程复习考试试题及答案A
《模拟电路》复习纲要A一、单项选择题1．温度升高后，在纯净的半导体中（）。
A、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同B、空穴增多，自由电子数目不变C、自由电子增多，空穴不变D、自由电子和空穴数目都不变2．场效应管的主要优点是（）。
A、输出电阻小B、输入电阻大C、是电流控制D、组成放大电路时电压放大倍数大3．在负反馈放大电路中，当要求放大电路的输入阻抗大，输出阻抗小时，应选用的反馈类型为（）。
A、串联电压负反馈B、串联电流负反馈C、并联电压负反馈D、并联电流负反馈4．二极管的正向电流在202mA的基础上增加一倍，它两端的压降（）。
A、也增加一倍B、增加一倍以上C、略有增加D、不变5．在一个由NPN型晶体管构成的放大电路中，关于晶体管三个电极的电位，下列说法正确的是（）。
A、集电极电位一定最高B、集电极电位一定最低C、发射极电位一定最高D、基极电位一定最低6．差分放大电路由双端输入变为单端输入，差模电压放大倍数（）。
A、增加一倍B、减小一半C、不变D、按指数规律变化7．电流负反馈在电路中的主要作用是（）。
A、提高输入电阻B、降低输出电阻C、增大电路增益D、稳定静态工作点8．为了稳定放大电路的输出电压，那么对于高内阻的信号源来说，放大电路应引入（）负反馈。
A、电流串联B、电流并联C、电压串联D、电压并联9．欲将正弦波电压移相＋90度，应选用（）。
A、反相比例运算电路B、同相比例运算电路C、积分运算电路D、微分运算电路10．放大电路在低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（）。
A、耦合电容和旁路电容的存在B、半导体管极间电容和分布电容的存在C、半导体管的非线性特性D、放大电路的静态工作点不合适二、填空题1. 差分放大器的基本特点是放大______、抑制______。
2. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结______、集电结______。
3. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值______。
模拟电路期末复习题库
模拟电路期末复习题库1. 二极管的正向特性分成两段：一段呈线性，一段呈非线性（平方律）。
2. 二极管的反向特性分成两段：一段呈水平状态（截止），一段呈垂直状态（击穿）。
3. 二极管正向导通时，视同短路；反向截止时，视同断开。
4. 整流、检波、隔离、发光等功能都是二极管的正向运用，其中，发光二极管正向压降最大。
5. 光电二极管、变容二极管和稳压二极管都是二极管的反向运用。
6. 判断二极管在电路中是否导通的方法是，从正极沿着电路兜一圈，回到负极，将各个电压求代数和。
图示三种电路中，二极管有正向导通的，也有反向截止的。
7. 三极管放大的实质是基极电流的微小变化引起了集电极电流很大的变化。
这个电流在负载上形成电压，使信号从电路输出端看起来，比输入电压大了很多。
8. 判断三极管放大电路是何种组态的方法是：先看看基极有没有电容下地，如果有则是共基极放大电路；如果没有，则看看信号从哪个端子输出，从集电极输出则是共发射极放大，否则是共集电极放大。
9．为保证信号被放大后不失真，必须为三极管设置合理的静态工作点。
10. 由于受温度影响，放大电路必须保证三极管的静态工作点稳定。
11. 共发射极放大电路既有电压放大能力又有电流放大能力，但是输出信号与输入信号是反相的。
12. 共集电极放大电路又称为射极跟随器，无电压放大能力，有电流放大能力，输入电阻最大，输出电阻小。
13. 共基极放大电路有电压放大能力，无电流放大能力，输入电阻小，频率特性好。
14. 无论是NPN还是PNP三极管，都服从电流分配规律和电流放大规律：I B+I C=I E，I C＝βI B。
此外，反向饱和电流也服从上述规律：I CE0＝（1+β）I CB0例如，一只三极管工作在放大区，测量I B从20μA增大到40μA时，I C 从1mA增大到2mA，则ΔI B＝20μA，ΔI C＝1mA，它的交流放大β值为50。
一只三极管的I CE0＝200μA，当基极电流为20μA时，集电极电流为1mA，则该管的直流β＝50，I CB0＝4μA。
模拟电子复习题
模拟电路复习题 第一章一：填空题1.半导体三极管处在饱和状态时，e 结和c 结的偏置情况是___________2.将PN 结的N 区接电源的正极，P 区接电源的负极，则为PN 结的_______偏置。
3.按照二极管的材料分,可分为________二极管和锗二极管两种。
4.PN 结加正偏导通，加反偏截止，称为PN 结的________________性能。
5.某放大状态的晶体管，知β＝50，测得其I E ＝2.04mA ，忽略穿透电流，则其I B 为________________mA 。
6.PN 结正向偏置时，应该是P 区的电位比N 区的电位________________。
7.N 型半导体是在本征半导体中掺入_______价元素构成的，其多数载流子是_______。
8.某放大状态晶体管，知I B =0.02mA,β=50，忽略其穿透电流，则I E =_________mA 。
9.图示电路中，二极管导通时压降为0.7V ，若U A =0V,U B =3V,则U O 为________。
10.PN 结反向偏置时，应该是N 区的电位比P 区的电位__________11.某放大状态的晶体三极管，当I B =20μA 时，I C =1mA ，当I B =60μA 时，I C =3mA 。
则该管的电流放大系数β值为__________。
12.图示电路，二极管VD 1，VD 2为理想元件出，则U AB 为_________伏。
二：选择题1．PN 结加反向偏置时，其PN 结的厚度将（ ） A ．变宽B ．变窄C ．不变D ．不能确定2．理想二极管构成的电路如题2图，其输出电压u 0为（ ）A ．-10VB ．-6VC ．-4VD ．0V3．NPN 型三级管，处在饱和状态时是（ ） A ．U BE <0,U BC <0 B ．U BE >0,U BC >0 C ．U BE >0,U BC <0 D ．U BE <0,U BC >04．某放大状态的三极管，测得各管脚电位为：①脚电位U 1=2.3V ，②脚电位U 2=3V ，③脚电位U 3=-9V ，则可判定（ ） A ．Ge 管①为e B ．Si 管③为e C ．Si 管①为eD ．Si 管②为e5、在N 型半导体中，多数载流子为电子，N 型半导体是（ ） A ）带正电 B ）带负电 C ）不带电 D ）不能确定6、如果在NPN 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为（ ）A ）放大状态B ）截止状态C ）饱和状态D ）不能确定7.加在二极管上的正向电压从0.65V 增大10%，流过的电流增大量为（ ） A ）大于10% B ）小于10% C ）等于10% D ）不变 8.半导体三极管的特点是( )A.输入电流控制输出电流B.输入电压控制输出电压C.输入电流控制输出电压D.输入电压控制输出电流 9.实验测得放大电路中半导体三极管的三个电极位分别为U 1=3.2V,U 2=2.5Ｖ,U 3=12Ｖ,则( )A.该管为硅管B.1为基极，2为发射极，3为集电极C.该管为NPN型D.该管为PNP型E.1为集电极，2为基极，3为发射极10.理想二极管构成的电路如题2图，该图是( )A.V截止U=-4V=+4VB.V导通U=+8VC.V截止U=+12VD.V导通U11．某锗三极管测得其管脚电位如题3图所示，则可判定该管处在（）A．放大状态B．饱和状态C．截止状态D．无法确定伏态12. 对半导体三极管，测得其发射结正偏，集电结反偏，此时该三极管处于( )。
模拟电路考研复习及答案(十套)
最宽的是
组态。
二．
选择题
1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO,uBE 的变化情况为（
A．β增加，ICBO,和 uBE 减小
B. β和 ICBO 增加，uBE 减小
C．β和 uBE 减小，ICBO 增加
D. β、ICBO 和 uBE 都增加
2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（ ）
，要消除此失真，应改用
。
8．理想运算放大器工作在线性放大区时具有
和
特性。
二．选择题
1． 在一个由 NPN 型晶体管构成的放大电路中,关于晶体管三个电极的电位,下列
说法正确的是( )
D．阻当层变厚，反向电流减小
3．某放大电路在负载开路时的输出电压为 4V,接入 3kΩ的负载电阻后输出电压
降为 3V，这说明放大电路的输出电阻为（ ）
A. 10kΩ B. 2kΩ C. 1kΩ D. 0.5kΩ
4.在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（ ）
A. 输入电阻小，输出电阻大
）。
A. 输入电阻 B. 输出电阻 C. 击穿电压 D. 跨导
3．双端输出的差分放大电路主要（ ）来抑制零点飘移。
A. 通过增加一级放大
B. 利用两个
C. 利用参数对称的对管子
D. 利用电路的对称性
4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（ ）。源自A. 变大B. 变小
C. 不变
4．如图所示运放电路，已知 R1=6k，R2=4k，R3= R4= R5=6k，R6= R7=12k，R8=6k， RF1=24k，RF2=4k，RF3=6k，R=2k，ui1=5mv，ui2=-5mv, ui3=6mv, ui4=-12mv。 试求：（1）运放电路 A1、A2、A3 的功能。（2）uo1、 uo2、 uo
模拟电路知识点
模拟电路知识点摘要：本文旨在概述模拟电路的基本概念、组成部分以及关键知识点。
模拟电路是电子工程的基础，涉及信号的放大、过滤、转换和处理。
通过本文，读者将了解模拟电路的工作原理、常见类型以及实际应用。
1. 引言模拟电路处理连续变化的电信号，与数字电路处理离散信号相对。
它们在通信系统、音频和视频设备、传感器和控制系统中发挥着重要作用。
2. 基本元件- 电阻器（Resistor）：限制电流流动的元件，遵守欧姆定律。
- 电容器（Capacitor）：存储电能的元件，对直流电阻抗无穷大，对交流电提供路径。
- 电感器（Inductor）：存储磁能的元件，对直流电提供路径，对交流电产生阻抗。
- 二极管（Diode）：允许电流单向流动的半导体器件。
- 晶体管（Transistor）：放大和开关电子信号的关键元件。
3. 电路分析基础- 基尔霍夫电压定律（KVL）：在一个闭合回路中，所有电压的代数和等于零。
- 基尔霍夫电流定律（KCL）：在任何节点，流入节点的电流总和等于流出节点的电流总和。
- 超定电路与欠定电路：超定电路具有多余电源，欠定电路则缺少足够的信息来解出所有未知量。
4. 放大器原理- 共射放大器（Common Emitter Amplifier）：最常见的晶体管配置，提供良好的电压和电流增益。
- 共集放大器（Common Collector Amplifier）：也称为发射极跟随器，提供较高的输入阻抗和较低的输出阻抗。
- 共基放大器（Common Base Amplifier）：具有高输入阻抗和高输出阻抗，常用于高频应用。
5. 滤波器类型- 低通滤波器（Low Pass Filter, LPF）：允许低频信号通过，阻止高频信号。
- 高通滤波器（High Pass Filter, HPF）：与低通滤波器相反，允许高频信号通过。
- 带通滤波器（Band Pass Filter, BPF）：只允许特定频率范围的信号通过。
《模拟电路》重点复习内容
《模拟电路》重点复习内容第一章半导体器件掌握：1，二极管、稳压管二极管的伏安特性。
2，三极管的输入特性、输出特性。
3，场效应管的输出特性、转移特性。
理解：1，PN结的单向导电性。
2，三极管的放大作用。
3，场效应管的放大作用。
了解：1，半导体中的两种载流子。
2，N型半导体和P型半导体以及PN结的形成。
第二章放大电路的基本原理和分析方法（重点）掌握：1，放大的基本概念；放大电路主要技术指标的含义。
2，放大电路的静态和动态、直流通路和交流通路的概念及其画法。
3，放大电路的静态工作点（Q点）求解以及动态技术指标A u,R i,R o的分析和计算。
（必考）理解：1，三极管放大电路的三种组态（共射、共集、共基）的电路组成、工作原理和性能特点。
2，场效应管组成的共源和共漏放大电路的电路组成、工作原理和性能特点。
了解：1，多级放大电路的三种耦合方式（阻容耦合、变压器耦合、直接耦合）的原理和特点。
2，多级放大电路放大倍数和输入电阻、输出电阻的估算方法。
3，场效应管放大电路与双极型放大电路相比较的特点。
第三章放大电路的频率响应掌握：1，频率响应的基本概念。
理解：1，含有一个时间常数的单管共射放大电路中f L、f H的估算方法。
2，波特图的意义和画法。
了解：1，频率失真的含义。
2，三极管频率参数的含义。
3，多级放大电路的通频带与其各级放大电路的通频带之间的定性关系。
第四章功率放大电路理解：OTL和OCL互补对称电路的组成和工作原理，最大输出功率和效率的估算。
了解：1，功率放大电路的主要特点和类型；2，集成功率放大电路的特点。
第五章集成运算放大电路（重点）掌握：1，集成运放主要技术指标的含义。
2，差分放大电路的静态工作点，以及差模电压放大倍数、差模输入电阻和差模输出电阻的计算方法。
理解：1，差分放大电路的组成和工作原理，以及差分放大电路在四种不同输入、输出方式时差分放大电路的性能特点。
2，各种电流源（镜像电流源、比例电流源、微电流源）的工作原理和特点。
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三.多级放大电路
1.三种耦合方式 2.总电压放大倍数 3.输入输出电阻 4.差分放大电路 1）电路形式，特征 2）差模共模信号定义 3）四种输入输出方式 4）输入输出电阻计算
四. 集成运放
1.镜像电流源 2.运放线性应用特点 3.运放非线性应用特点
五. 频率响应
1.通频带，fh,fL定义 2.用分贝表示放大倍数 3.共e放大电路频率响应表达式 4.波特图
1.功率放大电路分类 2.OCL互补对称功率放大电路 1）输出功率 2）效率 3）三极管损耗 3ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ OTL互补对称功率放大电路形式、功率计 算
十. 直流电源
1.单相半波整流：波形，输出平均电压、电 流计算，二极管选择 2.单相桥式整流：波形，输出平均电压、电 流计算，二极管选择 3.单相桥式整流电容滤波：输出平均电压计 算 4.硅稳压管稳压电路：限流电阻计算 5.集成稳压器78、79、117型号识别及应用
六. 反馈
1.正负反馈的判别 2.四种负反馈组态判断及其特点 3.深度负反馈判断，反馈系数和电压放大倍 数计算 4.负反馈对放大电路稳定性，通频带，非线 性失真，输入输出电阻的影响
七. 集成运放的应用
1.反相、同相比例运算，电压跟随器 2.加法运算 3.加减运算，差分运算 4.积分运算 5.其它运算
八 . 信号的产生和信号的转换
1.RC正弦波振荡条件，起振条件 2.RC正弦波振荡电路形式，频率计算 3.电压比较器 1）简单比较器：阈值电压计算，电压传输特性 2）滞回比较器：上、下限阈值电压计算，电压传输 特性 4.矩形波发生器：振荡周期计算，波形 5.三角波发生器：电路形式
九. 功率放大电路
一.半导体器件基础
1. 二极管 1）单向导电性使其正向电阻小，反向电阻大， 导通二极管的管压降 2）二极管应用 3）特殊二极管：稳压管，发光二极管 2. 晶体管：放大条件，三个工作区，电压电流关 系 3. 场效应管：外特性及三个工作区
二. 分立元件放大电路
1.共e放大电路分析计算：静态分析，放大倍 数，输入电阻，输出电阻 2.静态工作点稳定放大电路的分析计算：静 态分析，放大倍数，输入电阻，输出电阻 3.共c放大电路分析计算：静态分析，放大倍 数，输入电阻，输出电阻 4.共源放大电路分析计算
• 以基本概念、基本电路、基本分析方法为主线 • 概念和性能指标：每个术语的意义，如何应用 • 基本电路：电路结构特征、性能特点、基本功能、适用 场合
– – – – – – – – – – 基本放大电路 集成运放 运算电路 有源滤波电路 正弦波振荡电路 电压比较器 非正弦波振荡电路 信号变换电路 功率放大电路 直流电源