集成电路设计 课程设计 总 结
CMOS模拟集成电路设计第二版课程设计 (2)
CMOS模拟集成电路设计第二版课程设计一、设计目标本次课程设计目标是：通过对CMOS模拟集成电路设计第二版中的一个电路设计实例进行仿真分析、电路优化及布局设计，深入理解和掌握CMOS模拟集成电路的基本原理及设计方法，培养学生分析和设计模拟集成电路的能力。
二、课程设计内容1.复习：基本模拟电路的分析和设计方法在进行CMOS模拟集成电路设计前，学生需要具备基本模拟电路的分析和设计方法。
本节将对常见的放大电路（比如共射放大电路，共基放大电路和共集放大电路等）的分析和设计方法进行复习。
2.CMOS反相器设计实例讲解本部分将讲解CMOS反相器的结构及原理，并通过具体的例子进行电路设计分析和仿真。
帮助学生了解CMOS反相器的设计方法、电路特性及其影响因素。
3.电路优化与参数选择在本部分，我们将重点介绍电路优化及参数选择的方法。
从电路的性能和稳定性等方面进行优化选择，并通过仿真结果来证明优化参数的效果。
4.布局设计与模拟验证本部分将介绍CMOS模拟集成电路的布局设计及模拟验证方法。
布局设计不仅可以影响电路的性能，也会影响电路的稳定性和可靠性。
通过模拟验证对电路进行分析验证。
三、设计评分方案本次课程设计采用滚动评分的方式，共计100分，具体评分如下：1.复习及设立问题：10分2.设计实例介绍及分析：20分3.参数选择及电路优化：30分4.布局设计及模拟验证：40分四、设计要求1.学生需要独立完成所有实验任务，不允许抄袭2.电路模拟软件使用HSPICE或者Spectre等，本节课程以HSPICE为例3.学生需要提交电路仿真截图、仿真结果以及电路设计原理图等作为实验报告。
五、总结通过本次课程设计的学习，学生可以深入了解CMOS模拟集成电路设计的基本原理及设计方法，并且培养分析和设计模拟集成电路的能力，为以后的研究或工作打下更好的基础。
同时，通过本次课程设计，学生能进一步加深对学过的知识的理解，增强把理论知识转化为实际工程应用的能力，提高实际应用能力和工程素质。
集成电路版图课程设计
从 版 图 设 计 到 仿 真， 进 行 了 系 统 的 学 习。 例 如， 引 入
2“线上线下”混合教学
“同步降压式单片 DC-DC 电源芯片”工程案例，学生从
为了兼顾教师的教学效果和学生的学习效果，结合 原理图设计到仿真、从版图设计到仿真，进行了系统的
大量线上教学经验，集成电路版图设计采取线上与线下 学习。将工程案例进入课程中，理论与实际相联系，利
进的教学模式。如果只采用传统的教学模式，不能实时 看回放视频和录播视频。
掌握学生对知识的掌握情况，会忽略学生对课程的兴趣，
2.3 线下教学
导致课堂效率低。如果过多依赖线上教学模式，师生间
2.3.1 课堂教学
缺乏互动，出现学生不认真听课现象。因此，教师要合
教学中学以致用，将实际工程案例引入线下课堂，
理分配线上、线下教学内容及时间。
对基础知识不解的困惑，如果不及时答疑，会阻碍学生 验的内容。在此基础上，鼓励学生积极参加各类学科竞
学习进程。教师采取线上直播的形式，以班级为单位组 赛和创新实践活动，部分同学参加全国集成电路创新创
织线上授课（钉钉直播），实现师生双向互动。线上课 业大赛、大学生课外科技活动，并获得相应奖项。通过
堂，教师讲授相应的课程内容。另外，在线上教学过程 参与竞赛活动，能够发现教学不足，促进课程的优化，
随着信息技术和互联网技术的快速发展，信息化技 术被广泛地应用于各个领域。在疫情防控期间，传统教 学已不适用目前高校教学，为保证“停课不停教，停课 不停学”[1]，教育部鼓励各地高校充分利用信息技术和 互联网技术为学生提供学习支持，有序地开展高校相关 教学工作 [2]。越来越多教学工作者开始关注“线上线下” 混合式教学，对单一的传统教学进行改革。线上教学最 初源于网络上公开的教学视频，可以实现教学资源的共 享，但是缺乏师生间的互动 [3]。为了加强师生间的互动， 中国大学 MOOC 诞生了，该线上平台不仅实现教学资源 的共享，还能随时进行课堂测试，实现教师与学生间的 互动。中国大学 MOOC 的兴起，有效地推动了其他线 上教学平台发展，例如对分易平台、雨课堂平台、超星 平台、智慧树平台、腾讯课堂等。如果采取纯线上教学， 学生学习缺乏积极性，需要对学生提出较高的自我管理 要求，而大学生自我管理能力较差，因此不能采取纯线 上教学。王艳 [4] 等人通过案例结合对分易课堂传感器技 术课程进行教学改革，充分调动了学生的学习主动性， 有效地提高教学质量。申继伟 [5] 等人提出数字化教学资 源建设，将建立的数字化资源运用于模拟电子线路课程 中，进而推动移动式教学改革。边心田 [6] 等人提出基于 OBE 理念的教学模式，并运用于应用光学课程中，取得 了较好的教学成果。如何有效地将线上教学与线下教学 相结合，提高教学质量，这是每位高校教师值得认真思 考的问题。本文以集成电路版图设计课程为例，对“线
数字集成电路-电路系统与设计第二版课程设计
数字集成电路-电路系统与设计第二版课程设计
一、课程设计介绍
数字集成电路是现代电路设计中的重要组成部分，也是计算机科学与工程的重要分支。
本课程设计旨在通过对数字集成电路的系统与设计进行探究，并结合具体的案例来设计和实现数字集成电路，使学生能够熟悉数字集成电路的基本原理、设计方法和实现技术。
本课程设计主要包含以下内容：
1.数值系统和编码
2.逻辑功能设计：组合逻辑电路和时序逻辑电路
3.集成电路设计方法和流程
4.VHDL和FPGA实现数字逻辑电路
5.数字信号处理器
通过本次课程设计，学生将掌握数字集成电路的系统性设计思路和实现方法，具备数字电路设计的基本能力和实际操作技术，能够针对具体应用场景提出解决方案，实现数字电路的设计、验证和调试。
二、课程设计要求
1. 课程设计题目
本次课程设计的题目为“4位计数器设计”。
2. 软件工具
VHDL编程软件和EDA工具
1。
数字集成电路课程设计报告-4bits超前进位加法器全定制设计
第1章概述1.1 课程设计目的•综合应用已掌握的知识•熟悉集成电路设计流程•熟悉集成电路设计主流工具•强化学生的实际动手能力•培养学生的工程意识和系统观念•培养学生的团队协作能力1.2 课程设计的主要内容1.2.1 设计题目4bits超前进位加法器全定制设计1.2.2 设计要求整个电路的延时小于2ns整个电路的总功耗小于20pw总电路的版图面积小于60*60um1.2.3 设计内容功能分析及逻辑分析估算功耗与延时电路模拟与仿真版图设计版图数据提交及考核，课程设计总结第2章功能分析及逻辑分析2.1 功能分析74283为4位超前进位加法器，不同于普通串行进位加法器由低到高逐级进位，超前进位加法器所有位数的进位大多数情况下同时产生，运算速度快，电路结构复杂。
其管脚如图2-1所示：图2-1 74283管脚图2.2推荐工作条件（根据SMIC 0.18工艺进行修改）表2-1 SMIC 0.18工艺的工作条件2.3直流特性（根据SMIC 0.18工艺进行修改）表2-2 SMIC 0.18直流特性2.4交流（开关）特性（根据SMIC 0.18工艺进行修改）表2-3SMIC 0.18工艺交流（开关）特性2.5真值表表2-4 4位超前进位加法器真值表2.6表达式定义两个中间变量Gi和Pi：所以：进而可得各位进位信号的罗辑表达如下2.7电路原理图超前进位加法器原理：对于一个N位的超前进位组，它的晶体管实现具有N+1个并行分支且最多有N+1个晶体管堆叠在一起。
由于门的分支和晶体管的堆叠较多使性能较差，所以超前进位计算在实际中至多智能限制于2或4位。
为了建立非常快速的加法器，需要把进位传播和进位产生组织成递推的树形结构，如图2-2所示。
一个比较有效的实现方法是把进位传播层次化地分解成N位的子组合：Co,0=GO+POCi,0Co,1=G1+P1G0+P1P0 Ci,0=( G1+P1G0)+(P1P0) Ci,0=G1:0+P1:0 Ci,0Co,2=G2+P2G1+P2P1G0+P2P1P0Ci,0=G2+P2Co,1 2-1 Co,3=G3+P3 G2+P3P2G1+P3P2P1G0+P3P2P1P0Ci,0=(G3+P3G2)+(P3P2)Co,1=G3:2+P3:2Co,1 在公式2-1中，进位传播过程被分解成两位的子组合。
集成电路课程设计报告三输入异或门电路
4.3a
Select Edge to ActC nt
1.000
4.4a
Select Mi nimum Width
2.000
4.4c
Select to Select Spac ing
2.000
异或门的应用范围广，在实际应用中可以用来实现奇偶发生器或模2加法器，
还可以用作加法器、异或密码、异或校检、异或门倍频器、可控反相器等等。虽
然异或不是开关代数的基本运算之一，但是在实际运用中我们依然会相当普遍地 使用到分立的异或门。因此，我们为了熟练了解、掌握异或门这一基本逻辑电路， 对异或门电路进行了这次课程设计。
2.1
Active Mi nimum Width
3.000
2.2
Active to Active Spac ing
3.000
2.3a
Source/Drain Active to Well Edge
5.000
2.3b
Source/Drain Active to Well Space
5.000
2.4a
WellCo ntact(Active) to Well Edge
异或门（英语:Exclusive-OR gate，简称XOF^ate,又称EOF^ate、ExOF^ate）是数字逻辑中实现逻辑异或的逻辑门。有多个输入端、1个输出端，多输入异或
门可由2输入异或门构成。
三输入异或门在数字集成逻辑电路中主要用来实现逻辑异或的功能。对于三 输入异或门来说，若输入为偶数（此处包括0）个高电平1,则输出为低电平0； 否则输出为高电平1。
异或门的逻辑表达式：
进一步可得到一位比较器的真值表：
A
B
功率集成电路技术理论与设计课程设计
功率集成电路技术理论与设计课程设计概述功率集成电路技术是电力电子技术的核心之一。
它将集成电路制造技术与功率电子技术相结合，实现了电路小型化、集成化、高效化、智能化。
本文档将介绍关于功率集成电路技术的理论和设计。
理论部分1. 功率半导体器件功率半导体器件是功率电子器件的核心，如晶闸管、场效应管、IGBT等。
功率集成电路的制造过程就是将这些器件集成到同一片晶圆上，再增加驱动和保护电路等其他元件，形成了集成电路。
2. 功率集成电路功率集成电路是指将功率半导体器件、驱动电路、控制电路、保护电路等集成在一起的电路。
功率集成电路可实现电源、电控、信号处理、检测等多种功能。
3. 基础电路功率集成电路的设计需要基础电路的支持，如逆变器、整流器、升压降压变换器等。
其中，逆变器是功率集成电路最主要的应用领域之一，它可以将直流电能转换为交流电能，广泛应用于电力系统中，如UPS系统、家用电力系统和工业控制系统等。
4. 控制策略功率集成电路的控制策略有很多种，如开关控制、PWM控制、谐振控制等。
其中，PWM控制是功率集成电路最常用的控制策略之一，它可以实现功率半导体器件的精确控制，提高功率转换效率，降低功率损耗。
设计部分1. 设计流程功率集成电路的设计流程包括选型、电路设计、印制电路板设计、元器件焊接等多个步骤。
要完成一个完整的功率集成电路设计，需要在每个步骤中认真分析问题，制定合理的解决方案，最终形成一个完整的产品。
2. 电路设计电路设计是功率集成电路设计的核心。
在这一步骤中，需要选取合适的功率半导体器件和控制策略，设计合理的驱动电路、保护电路和控制电路等。
同时，需要对电路进行仿真和分析，确保电路的工作稳定性和效率。
3. 印制电路板设计印制电路板设计是将电路板图形化，并在板上制作出具有特定功能的电路元件的过程。
它是内部连接、布局、强度、EMI/EMC以及适配和装配等部分的实现。
在印制电路板设计中，需要充分考虑电路板的大小、受力情况、线路绕线等因素。
CMOS集成电路设计基础第二版课程设计
CMOS集成电路设计基础第二版课程设计概述CMOS集成电路设计基础是半导体工程的重要内容之一，它是电子工程师必须要掌握的技能。
本次课程设计旨在通过实践，让学生更好地了解CMOS集成电路设计的基本理论和方法，并且能够灵活地应用到实际项目中。
设计任务本次课程设计的任务是设计一个基础的CMOS集成电路。
设计要求如下：•根据给定的电路功能需求，设计出电路的逻辑图和布图；•确定所需器件的参数，并进行器件选择；•进行器件级仿真，验证电路性能；•绘制电路的波形图，并对电路性能进行评估；•撰写电路设计报告，详细阐述电路设计思路、仿真结果以及评估结论。
设计流程1. 电路功能需求分析首先，我们需要明确电路的功能需求，该层面主要用于预备设计过程，确定电路表现和性能的要求，例如：•输入电压范围•输出电压范围•电路增益•电路带宽•输出电流2. 电路逻辑图设计电路的逻辑设计阶段，需要根据上一步的功能需求分析确定电路的工作模式，并建立电路的逻辑图。
3. 器件参数确定与器件选择电路的器件参数确定，主要是指确定每个单元电路的器件长度和宽度，在确保满足电路性能需求的基础上进行器件选择。
在本步骤中，可使用器件参数提取工具等辅助工具进行参数验证和器件选型。
4. 器件级仿真经过前三个阶段，我们已经得到了电路的逻辑图和器件选择信息，接下来就可以对电路进行器件级仿真，进行电路性能评估，这将有助于确定器件参数的最终值并进行电路优化。
5. 波形图绘制与性能评估在完成器件级仿真后，我们可以根据仿真结果对电路的性能进行评估，并绘制出电路的波形图，以便进行更详细的分析和评估。
6. 设计报告撰写最后，我们需要将整个设计过程进行总结，并将电路设计思路、仿真结果和评估结论等内容进行详细撰写，以便为后续的电路设计和实际项目工作提供参考。
总结本篇文章简单介绍了CMOS集成电路设计基础的课程设计内容和设计流程，通过实践完成本次课程设计，不仅可以提升学生的基础理论知识，也能够为学生今后从事电路设计和项目实践提供很大的帮助。
超大规模集成电路设计导论课程设计
超大规模集成电路设计导论课程设计介绍超大规模集成电路（Very Large-Scale Integration，简称VLSI）是指将许多电子器件、电子元件和电路系统高度集成在一起，形成一个功能强大的芯片。
VLSI 技术是电子信息科学与技术的重要分支之一，应用范围广泛，从计算机芯片到计算机网络、通信系统、控制系统等领域都有广泛的应用。
本文将介绍超大规模集成电路设计导论课程设计的相关内容。
课程设计任务超大规模集成电路设计导论课程设计的任务是设计一个最小的超大规模集成电路芯片，实现指定的功能。
学生需完成以下任务：1.设计一个基于MOSFET电路的逻辑电路。
学生需要掌握MOS场效应管的基本工作原理，了解CMOS电路的基本操作和管路的结构。
2.进行电路级仿真。
学生需要使用常用的电路设计软件进行电路仿真，如HSpice、Cadence等。
3.进行物理级设计。
学生需要熟悉并掌握芯片物理设计的相关知识，包括版图设计、布线、电源分配等。
4.进行芯片测试。
学生需要设计并实现相应的测试电路，并进行芯片测试，以验证芯片的正确性和稳定性。
设计流程超大规模集成电路设计导论课程设计的设计流程可以分为以下几个步骤：步骤一：确定电路功能在超大规模集成电路设计导论课程设计中，首先需要确定电路的功能。
学生需要根据课程要求，确定芯片的功能模块，例如逻辑门、存储器等。
步骤二：电路设计在确定电路功能之后，学生需要进行电路设计。
主要的工作包括选择电路拓扑结构，确定器件大小和参数等。
步骤三：电路仿真完成电路设计后，学生需要进行电路仿真。
通过仿真可以预测电路的性能和工作过程，根据仿真结果进行电路调整和参数优化。
步骤四：物理级设计完成电路仿真之后，需要进行物理级设计。
主要的工作包括版图设计、布线和电源分配等。
学生需要熟练运用芯片设计软件，如Cadence等。
步骤五：芯片制造完成物理级设计后，学生需要将设计好的芯片提交到芯片制造厂家进行生产加工。
学生需要了解芯片制造的相关知识和技术，如光刻工艺、腐蚀工艺等。
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八、工艺流程（包括从原始片到钝化光刻的所有芯片制造前道工艺）
1.清洗；晶向：(100)类型：N-Si电阻率：2-4欧姆厘米
2.预氧化；500nm
3.N阱光刻
4.N阱注入；2E13/cm2
5.N阱推进；结深7-8µm
6.N+区光刻；
7.N+注入；B+ 2E15/cm2
8.P+区光刻；
1.预氧化；SiO2 200nm
2.去预氧化层并生长60nm氧化层；
3.沉积Si3N4，150nm LPCVD
4.场区氧化，1.2m
5.掩蔽氧化；100nm
6.生长栅氧化层；60nm沉积PSG；450°C，SiH4+PH3+O2；500nm
9.Al-Si溅射沉积；厚1.1m
10.沉积钝化层；SiOxNy或PI ;500nm
十、自我评价（包括正确性、规范性、可用性、创新点、不足）
集成电路课程实习使我不仅掌握了L-Edit的许多实用技巧，同时加深了我对半导体工艺及集成电路设计的种种认识，所学颇丰，受益匪浅。本次的实习与前期的《半导体工艺原理与技术》、《集成电路设计》两门课程相辅相成，首先，教学课上授予了我丰富的理论知识及扎实的基功，同时这次的课程设计是在我们学完这两门课后应用本课程及以前积累的知识而进行的综合性、开放性、设计性的实践训练，是培养我们工程意识和创新能力的重要环节。
1.0
3.3
孔到扩散区（N+，P+）边缘
1.0
3.4
铝覆盖引线孔（各边）
1.0
4
铝引线
4.1
铝条宽度
5.0
4.2
短距离铝条间距
5.0
4.3
长距离铝条间距
5.0
4.4
内部Vss、VDD铝条宽度（驱动部分除外）
7
5
压焊点（铝）
5.1
压焊铝块大小
120*120
5.2
压焊铝块间距
80
5.3
压焊铝块下到P阱（除VDD）各边间距
五、光刻版版次和阴阳
序号
光刻胶
阴阳（黑白）
备注
1
N阱
正胶
白
2
有源区
正胶
黑
场氧化区
3
N沟道调整
正胶
白
4
多晶硅栅
正胶
黑
5
N+注入
正胶
白
6
P+注入
正胶
白
7
预刻孔
正胶
白
预孔比刻孔要大一些
8
刻孔
正胶
白
9
铝连线
正胶
黑
10
压焊块
正胶
黑
六、对位标记、对位次序、胖瘦标记、检测电阻设计
对位标记：
对位次序：M2→M1 M3→M1 M4→M1 M5→M1 M6→M1 M7→M1 M8→M7 M9→M8 M10→M9
实习开始，拿到课题，“画出2输入端与非门的原理图，用L-Edit软件画出3微米硅栅N阱CMOS工艺的版图，列出工艺中需要的薄膜制备工艺和性能参数”，起初觉得它并不困难，但实践出真知，实习让我知道了自己的眼高手低，也让我找出并弥补了些许不足。由于接触L-edit软件次数不多，所以对其运用还不是太熟悉，这就需要加量加力的出时间，多练习，查资料，敢设计，敢出错。其实课题老师也讲过,但如何将其应用到实际的版图设计中仍然有很大的难度，更需要注意的是如铝线宽度、压焊块间距等细节上的要求。在规范性方面,我参考了老师的集成电路设计规则以及CMOS工艺流程与MOS电路版图举例,所以整个设计是符合要求规范的。对于3微米工艺,像铝线宽度这样的规则是需要特别注意的。我们设计了五个压焊点以及2个测试电阻，从而使器件可进行有效的测试，确保器件的可用性。刚开始由于版图很小，同时画出的东西必须十分精确，因此在画图的过程中就必须经常去看看设计规则。确保画出的版图大小是正确的。经过几天时间终于将一些基本的器件画完整了。接着就是根据原理图进行连线。虽然它看起来很简单，但其实连线是要靠智慧的，不能按照原理图按部就班的连。虽然到最后不会有错，但是由于你没有在连线的过程中进行有效的布局，你连出来的东西很可能在实际应用中就是一件废品或者会有很大的浪费。所以在连线的过程中就必须考虑它的实际可用性，同时为了突出你的版图的与众不同还必须有自己的创新点。所谓创新点就是在你所设计的版图中必须有你想出的独一无二的构思。同时还必须考虑版图的大小问题，版图的利用率。在我所设计的版图中，对于这两方面，我做的还不是很突出，我想这应该就是我在设计版图中的不足。在可用性方面我认为我设计的版图基本上是可以使用的，因为我在画图的过程中还不断地参考老师给我们的例子。所以我相信我画的版图是有用的。但在创新的方面我还做的不足，由于我是第一次使用这软件，缺少实际应用的经验以及相关的知识。所以在创新点方面我想在短时间内是很难有所突破的。不过我相信只要我有了足够的经验和时间，我还是能够创造出有用的东西。
虽然这次的作品略显稚嫩，但当画完最后一笔，“no DRC errors”时，还是有一种说不出的喜悦涌上心头，大概这也是一个电路设计者最简单的快乐与幸福。
最后由衷的感谢峰老师的指导与监督！
十一、同组成员互评（包括正确性、规范性、创新点、商洽或不足）
阿龙同学在这次的课程设计中是和我是一组的，经过一周多的合作我们画的版图总体上是一样的，我们一起经过讨论以及努力完成了这次的课程设计。合作期间经过我的仔细观察以及研究，阿龙同学所画的版图也是经过自己的认真思考后，按照正确的操作和逻辑图以及CMOS工艺来完成的。因为我们是一组的，因此在画版图的过程中我们俩互相帮助，彼此谁有问题就提出来，两个人一起思考，一起讨论，一起解决问题。在设计版图的过程中都是一同解决问题，一起前进的。画版图的时候我们经常在一起讨论，对于对方的错误也是及时指出并改正。这使我们在画图的时候省去了不少的时间。因为两人都在画图，只要一进行比对就很容易发现不同的地方。然后就开始检查，很容易的就能将错误的地方找出来。我对他画的图的评价基本上和对我自己画的图一样，在其他方面都表现的不错，比如在版图的正确性，可用性以及规范性上都认真对待，严格按照要求作图，按照设计规则一步一步完成的。但是因为缺乏经验，无法对其进行有效的美化。这也是我们的不足之处。相信经过这次的课程设计，我们都得到了很多，收获了很多，使我们对集成电路工艺，以及相关知识都有了更加透彻的了解和认识。最后希望我们以后都能够像这次一样认真的对待每一件事，认真的完成每一件事。
在整个课程设计中，我与同学们积极交流大家的设计并将一些细节与大家分享来提高自己的设计水平。因为自己的设计经验不足，我的器件的版图创新做得还不够好,版图细节还有许多不足。在器件尺寸方面,有的细节问题没有去仔细思考,这样可能导致版图的排布不是非常紧凑。我会把握住这次课程设计的机会充实自己，在今后的学习中,努力地去学习各方面的知识,不断的弥补自身的不足,提高自己的学习和工作能力。
P阱边缘到P+外边缘间距
7.0
1.6
P阱边缘的P+区与外界N+间距
11
1.7
P阱与P阱间距
12
1.8
隔离区（保护环）宽度
0
2
沟道、栅
2.1
沟道长度
3.0
2.2
栅氧化层覆盖源漏
1.0
2.3
栅端超出隔离区长度
1.0
2.4
栅覆盖源漏
0
2.5
栅覆盖栅端
1.0
3
引线孔
3.1
引线孔尺寸
3.0*3.0
3.2
预刻孔各边比引线孔大
CCZU
数理学院电子科学与技术专业
《集成电路设计》课程设计
总结
专业：电子科学与技术
班级：091
学号：********
姓名：sherry
指导教师：峰
时间：2013/1/8~/2013/1/13
一、设计题目：
画出2输入端与非门的原理图，用L-Edit软件画出3微米硅栅N阱CMOS工艺的版图，列出工艺中需要的薄膜制备工艺和性能参数。
4.0
5.4
压焊铝块下到P+或N+间距
16.0
5.5
与周围铝条间距（金丝球焊）
35
5.6
与内侧、两边铝条间距（超声焊）
40
5.7
与外围铝条间距（超声焊）
50
5.8
到划片槽间距（无外包铝条）
70
5.9
压焊铝块比各边钝化孔大
4.0
6
其它
6.1
划片槽宽度
60
6.2
划片槽边缘到内部N+区间距
30
6.3
外包铝条外侧到划片槽间距
9.P+区注入；N+或As+ 5E15/cm2
10.P+、N+退火和再分布；
11.APCVD沉积SiO2；500nm
12.致密；900°C，O2，30min
13.栅区光刻（预孔）；
14.栅氧化；80nm
15.N沟道光刻；用N阱反版
16.N沟道开启调整注入；2E11/cm2，注B+ Vt降低，N+升高。
胖瘦标记：
检测电阻：
测试电阻用来检测N阱、P+、N+等掺杂浓度。通常可根据要求电阻的大小，选择图形的方块数，并与铝块相连，以便测量。
PMOS管调试
NMOS管调试
七、版图设计（包括各次光刻版、对位标记、胖瘦标记、画片槽、
调试管、检测电阻等）
N阱
有源区
N沟道调整
多晶硅栅
N+注入
P+注入
预刻孔
刻孔
铝连线
压焊块
十二、指导教师意见
-你真棒!
-谢谢您.
成绩