半导体缺陷测量
三代化合物半导体缺陷检测标准
三代化合物半导体缺陷检测标准随着半导体技术的不断发展，三代化合物半导体材料应运而生，成为了当前半导体行业的热门研究领域。
然而，由于其特殊的结构和复杂的物理性质，三代化合物半导体材料在生产过程中往往会出现各种缺陷，这些缺陷可能会严重影响器件的性能和可靠性。
因此，制定一套科学合理的缺陷检测标准对于保证半导体器件的质量至关重要。
三代化合物半导体材料的缺陷检测标准主要涉及到晶体结构缺陷、成分不均匀性和杂质等方面。
首先，晶体结构缺陷是指晶格中的缺失、位错、堆垛错误等。
这些缺陷会导致晶格的畸变和晶体中的电子散射，从而降低了器件的载流子迁移率和性能。
因此，在检测过程中需要关注晶格畸变的程度和晶格缺陷的类型。
其次，成分不均匀性是指材料成分在空间上的分布不均匀。
对于三代化合物半导体材料来说，成分的不均匀性可能导致能带结构的不连续性和界面态的形成，从而影响器件的电子输运性能。
因此，在检测过程中需要关注成分的均匀性和界面的质量。
另外，杂质也是三代化合物半导体材料中常见的缺陷之一。
杂质的存在可能引起能带结构的变化、能带弯曲和损害晶格等问题，从而对器件的性能产生负面影响。
因此，在检测过程中需要关注杂质的种类和浓度，并采取相应的措施来减少其对器件性能的影响。
针对以上缺陷，三代化合物半导体缺陷检测标准主要包括材料表征、电学测试和光学测试等方面。
材料表征主要通过扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）和X射线衍射（XRD）等技术来观察材料的晶体结构和成分分布。
电学测试主要包括电阻测试、霍尔效应测试和载流子迁移率测试等，通过这些测试可以评估材料的电学性能和载流子迁移性能。
光学测试主要通过光致发光（PL）和拉曼散射等技术来研究材料的光学性质和晶格振动。
在三代化合物半导体缺陷检测中，还需要注意测试方法的可重复性和准确性。
为了保证测试结果的可靠性，需要采用多种测试方法相互验证，并与已有的标准进行比对。
此外，在测试过程中还需要注意样品的制备和处理，以避免外界因素对测试结果的影响。
半导体碳化硅外延层中的缺陷及检测技术详解
半导体碳化硅外延层是一种重要的电子材料，在半导体器件的制备过程中扮演着重要的角色。
然而，由于外延层制备过程中存在着较多的缺陷，这些缺陷对其电学性能和稳定性产生不利影响。
对半导体碳化硅外延层中的缺陷进行深入研究并采用相应的检测技术具有重要意义。
一、半导体碳化硅外延层中的缺陷类型半导体碳化硅外延层中存在各种不同类型的缺陷，主要包括晶格缺陷、晶界缺陷和表面缺陷等。
其中，晶格缺陷包括点缺陷、空位和位错等，这些缺陷会导致外延层的结构不完整，影响其电学性能。
晶界缺陷则是指晶粒之间的界面不完整所产生的缺陷，这些缺陷会导致材料的机械、电学和光学性能下降。
表面缺陷则是指外延层表面的不完整，如裂纹、堆垛层错等，这些缺陷同样会降低外延层的质量和性能。
二、半导体碳化硅外延层中的缺陷检测技术1. 显微结构表征技术显微结构表征技术是一种常用的观测外延层缺陷的方法，其中主要包括扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）和原子力显微镜（AFM）等。
这些技术能够以高分辨率观察外延层的缺陷结构，从而准确分析外延层中的各类缺陷，并且可以对其形貌、尺寸和分布进行全面的表征。
2. 光学特性表征技术半导体碳化硅外延层的缺陷对其光学性能有着重要的影响，因此利用光学特性表征技术对外延层中的缺陷进行检测具有重要意义。
这些技术主要包括拉曼光谱、荧光光谱和激光散射等。
利用这些技术可以非常精确地分析外延层材料的光学响应，进而发现其中的缺陷和不完整结构。
3. 电学性能表征技术半导体碳化硅外延层的缺陷会影响其电学性能，因此通过电学性能表征技术可以检测外延层中的缺陷。
这些技术主要包括电子束诱导电流（EBIC）、深能量电子捕捉谱（DLTS）和微观电磁声谱等。
这些技术能够量化外延层中的缺陷浓度和类型，并且可以准确地分析缺陷对外延层电学性能的影响。
4. X射线和能谱技术X射线和能谱技术是一种常用的物质表征技术，通过测量外延层材料的X射线衍射图谱和能谱图谱，可以准确地鉴定外延层中的各类缺陷。
晶圆缺陷检测原理
晶圆缺陷检测原理晶圆缺陷检测（Wafer defect inspection）是半导体制造过程中不可或缺的一环。
它是将一个晶圆上的所有芯片边缘和表面进行精细扫描，寻找潜在或已存在的缺陷，以便于制造商确定晶圆是否合格，以及确定是否需要进行后续操作或废弃。
晶圆缺陷可能来源于很多方面，例如：在晶圆制造的各个环节中出现了污染或机器设备故障，或者手动处理等过程中人为因素造成的人为因素。
因此，精确检测是否存在缺陷非常重要。
晶圆缺陷检测的原理是基于模式比较。
其过程往往采用多种技术，包括光学、实际测量、声学等。
这些技术可以分类为两类：一种是基于表面的，另外一种是基于体积的。
基于表面的方法可以检测晶圆上的缺陷，而基于体积的技术则可以检测晶圆内部的缺陷。
下面我们对晶圆缺陷检测的原理进行更详细的解释。
基于表面缺陷的检测方法通常，晶圆缺陷检测主要采用光学技术。
它使用各种光源和摄像机，通过照明和影像来检测晶圆上的表面缺陷。
这些缺陷可能包括瑕疵、污染、芯片的附加元件、沟槽、斑点等。
这些缺陷有时会很微小，甚至小于芯片的尺寸，必须进行高精度的检测。
1. 感兴趣区域（ROI）选择在进行检测的时候，晶圆通常会被分成很多区域。
每个感兴趣的区域需要被设计出来。
这些区域通常包括芯片区域和其他的一些区域。
2. 检测器矫正通常，使用的检测器都要经过矫正，以获得准确的信号和像素计数。
在使用检测器之前，通常需要进行检测器的矮化（噪声降低）、平坦化和校正。
3. 图像分析图像分析，是晶圆缺陷检测的关键环节。
在这一步骤中，应该尽可能利用图像处理算法，提取出各个区域内的缺陷。
这些算法通常包括过滤器、数字卷积、边界检测器等。
检测到的缺陷通常被标记为无用、可疑、或是警告。
对于基于体积缺陷的检测方法，常常使用的技术是透射率和声波技术。
1. 透射率该方法通过测量透射率和反射率，使将被测试的物体放在光源旁边，并检测透射率和反射率，从而检测物体的厚度、密度和构造状况。
半导体目检检验流程
半导体目检检验流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
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半导体 aoi 测试内容
半导体 aoi 测试内容半导体AOI测试，即自动光学检查测试，是一种常用于半导体制造流程中的非接触式检测技术。
它可以帮助制造商在生产过程中快速检测并排除可能存在的缺陷，提高产品质量和生产效率。
AOI测试利用光学技术对半导体芯片的表面进行检查，以确认芯片上的电路连接是否正确、元件放置是否准确以及是否存在其他制造缺陷。
相比传统的手工检查方法，AOI测试具有高效、快速、精确的特点。
AOI测试设备会通过光学传感器获取待测芯片的图像。
然后，利用图像处理和模式识别算法，AOI测试设备会将图像与预先设定的标准进行比较，以检测出芯片表面是否存在缺陷。
这些缺陷包括焊接缺陷、元件放置偏移、短路、开路等。
在AOI测试中，测试程序的编写是非常重要的。
测试程序需要根据芯片的设计规格和制造要求，确定需要检查的关键区域和检查项目。
测试程序会根据这些要求，对芯片进行全面的检查，并将检测结果反馈给制造商。
除了传统的2D AOI测试，还有一种更先进的3D AOI测试技术。
3D AOI测试可以提供更高的检测精度和更低的误报率。
它通过结合多个光学视角和先进的图像处理算法，可以更准确地检测出微小的缺陷。
半导体AOI测试在半导体制造过程中起到了至关重要的作用。
它可以帮助制造商及早发现潜在的制造缺陷，避免不良产品流入市场。
同时，AOI测试还可以提高生产效率，减少人工成本，加快产品的上市速度。
然而，AOI测试也存在一些局限性。
由于其是一种表面检测技术，它无法检测到芯片内部的缺陷。
对于一些需要进行深层次检查的芯片，需要采用其他的测试方法，如X射线检测或电子显微镜检测。
半导体AOI测试是一种重要的半导体制造流程中的检测技术。
它可以帮助制造商提高产品质量和生产效率，降低制造成本。
随着半导体技术的不断发展，AOI测试技术也在不断进步，为半导体制造业带来更多的便利和效益。
物理实验技术中的半导体测量方法与技巧
物理实验技术中的半导体测量方法与技巧半导体测量方法与技巧引言：半导体是现代科技中不可或缺的组成部分，其在电子器件和光学器件方面的应用越来越广泛。
在研发和生产过程中，准确测量半导体材料的性能是至关重要的。
本文将探讨物理实验技术中的半导体测量方法与技巧。
一、电阻测量技术：电阻是半导体材料性能的重要参数。
常见的电阻测量方法有两、四探针法和霍尔效应测量法。
两、四探针法常用于测量片状样品的电阻，通过外加电流和测得的电压来计算电阻值。
霍尔效应测量法则是测量材料内部电子的移动和电荷密度，通过外加磁场，测量电压和电流，计算出电导率和霍尔系数，从而得到材料的导电性质。
二、光学测量技术：半导体材料在光学器件中有重要应用。
光学测量技术在半导体的研发和生产过程中扮演着关键的角色。
在光学上，常见的测量方法有透射谱、反射谱和激发光谱。
透射谱和反射谱可用于分析材料的光吸收和光反射特性，从而确定半导体材料的能带结构和能量带隙。
激发光谱则用于研究半导体材料的光激发效果，通过测量材料在不同激发条件下的发光光谱，可以获取材料的光电转换性能。
三、电子显微镜技术：电子显微镜是一种非常强大的物理实验工具，对于半导体材料的表面形貌和微观结构的观测、分析具有重要意义。
传统的扫描电子显微镜(SEM)能够提供高分辨率的表面观测，可以检测材料的表面缺陷、颗粒分布和晶体结构等信息。
透射电子显微镜(TEM)则可以提供更高分辨率的微观结构观察，对于材料内部组织和原子尺寸特征的研究非常有用。
四、微操控技术：在实验过程中，往往需要对半导体样品进行精确的操作和定位。
微操控技术是一种可以实现对微小尺寸物体的定位、移动和操控的技术。
在半导体测量中，微操控技术可以用于调整探针与半导体之间的距离，保证测量的准确性和可重复性。
一些高级微操控技术还可以用于在半导体材料上进行纳米结构的制备和操控。
结论：物理实验技术中的半导体测量方法与技巧为半导体材料的研发和生产提供了重要的支持。
半导体器件中的深度缺陷检测和测量
半导体器件中的深度缺陷检测和测量半导体器件是一种重要的电子元器件，广泛应用于现代电子技术中。
半导体器件的制造需要考虑到许多参数，其中最重要的是电子能级。
电子能级对半导体器件的性能和特性具有很大影响，如果存在深度缺陷，则会导致半导体器件的性能下降或完全失效。
因此，深度缺陷检测和测量是半导体器件制造中的一项关键技术。
深度缺陷指的是在半导体材料中存在的能级深的空穴或电子态。
它们的存在会影响半导体器件的性能和可靠性。
因此，深度缺陷的检测和测量是半导体器件的关键过程。
目前，许多成熟的深度缺陷检测和测量技术已广泛应用于半导体器件制造中。
首先，注入电荷法是一种常用的深度缺陷检测方法。
该方法利用瞬态电流的反应来测量深度缺陷。
它需要在测试中施加电荷，并测量在电荷注入期间电流的变化。
根据这些数据，可以计算出存在于被测材料中的缺陷浓度和深度分布。
此外，激光光谱学也是一种常用的深度缺陷检测方法。
该方法是通过激光光谱法来测量半导体材料中的光吸收谱。
在这种方法中，激光产生的光会与半导体材料相互作用，激发其中的电子和空穴等载流子。
半导体材料吸收了激光光子后，它的运动状态会发生变化，光吸收谱也会随之变化。
通过分析这些变化，可以得出半导体材料中深度缺陷的位置和浓度等信息。
此外，Ti:sapphire激光微打孔技术也是一种常用的深度缺陷检测方法。
这种技术利用激光微打孔技术来破坏半导体材料的结构，然后通过分析微打孔后电流和电压的变化来检测深度缺陷。
这种方法能够检测到非常细微的缺陷，因此非常适合用于半导体器件的制造。
总之，深度缺陷检测和测量是半导体器件制造中非常关键的过程。
目前，众多的深度缺陷检测和测量技术已经成熟应用于半导体器件的制造中，并得到了广泛应用。
对于半导体器件制造过程的控制和质量保证来说，这些技术都具有非常重要的意义。
半导体器件缺陷测试方法
半导体器件缺陷测试方法Testing of semiconductor device defects is a critical step in ensuring the reliability and performance of electronic components. Semiconductor devices are widely used in various electronic devices such as computers, smartphones, and telecommunication equipment. Therefore, it is essential to develop effective methods for detecting and analyzing defects in semiconductor devices.半导体器件缺陷测试是确保电子元件可靠性和性能的关键步骤。
半导体器件广泛应用于计算机、智能手机和通信设备等各种电子设备中。
因此，对半导体器件的缺陷进行有效的检测和分析方法的研发具有重要意义。
There are several methods for testing semiconductor device defects, each with its own advantages and disadvantages. One common method is electrical testing, which involves applying electrical signals to the device and measuring its response. Electrical testing can detect defects such as short circuits, open circuits, and excessive leakage current. However, it may not be effective in detecting defects such as metal contamination or crystal defects.有几种方法可以测试半导体器件的缺陷，每种方法都有其优缺点。
半导体缺陷检测 流程
半导体缺陷检测的流程一般包括以下步骤：
1. 芯片准备：将芯片从封装中取出，并清洁芯片表面和测试点。
2. 功能测试：通过编写测试程序，对芯片进行功能测试，以验证芯片是否正常工作。
3. 电学测试：通过测量芯片的电学参数，如电压、电流、电阻等，对芯片进行电学测试，以验证芯片的电学性能是否符合要求。
4. 光学测试：通过使用激光扫描仪等设备，对芯片的外观和表面缺陷进行光学测试。
5. 机械测试：通过测试芯片的机械性能，如硬度、韧性等，验证芯片是否具有良好的耐用性。
此外，还有一些专门的半导体制程缺陷检测方法，包括以下步骤：
1. 建立数据库：数据库中包括多种半导体制程缺陷的图片。
2. 按照半导体制程缺陷的形貌特征，将所述半导体制程缺陷进行分类。
3. 扫描晶片，并通过识别所述半导体制程缺陷的形貌特征，在所述晶片上获得多个预选区域。
4. 通过半导体制程缺陷识别系统，提取所述预选区域中所述半导体制程缺陷的图片特征，并识别所述半导体制程缺陷的类型。
5. 根据所述半导体制程缺陷的类型，确定扫描机器的最佳扫描参数。
6. 根据所述最佳扫描参数，扫描所述晶片，并识别所述晶片上所述半导体制程缺陷的类型及位置。
当识别某一种半导体制程缺陷时，将扫描机器的参数设置为该类型半导体制程缺陷对应的最佳扫描参数时，扫描机器获得的半导体制程缺陷图片能够最清晰地显示该类型的半导体制程缺陷。
以上信息仅供参考，如有需要，建议咨询专业人士。
半导体材料中的缺陷分析及解决方案研究
半导体材料中的缺陷分析及解决方案研究近年来，随着半导体技术的快速发展和应用的广泛推广，半导体材料的缺陷分析及解决方案引起了研究者们的广泛关注。
缺陷是指半导体材料中出现的任何损害、扭曲或不完整的部分，它们可能对半导体器件的性能产生直接的或间接的影响。
因此，准确分析半导体材料中的缺陷并提出相应的解决方案，对于提高半导体器件的性能和可靠性具有重要意义。
首先，对于半导体材料中的缺陷进行准确分析是解决问题的关键。
常用的缺陷分析方法包括光学显微镜观察、透射电子显微镜和扫描隧道显微镜等。
光学显微镜观察是最常用的方法之一，它通过对样品进行不同角度和不同焦距下的显微观察，可以直接观察到样品表面的缺陷。
透射电子显微镜可以观察到更小尺寸的缺陷，其原理是通过电子束的透射来观察样品内部的微结构。
扫描隧道显微镜则可以用来观察表面原子的排列情况和缺陷的形态。
这些分析方法的结合可以全面、准确地了解半导体材料中的缺陷情况，为解决问题提供准确的基础信息。
针对不同类型的半导体材料缺陷，研究者们也提出了各种不同的解决方案。
例如，在硅和硅基材料上，常见的缺陷有晶格缺陷、异质结缺陷和氧化层缺陷等。
针对晶格缺陷，可以通过晶体生长过程中严格控制原子的布局和结构来减少缺陷的产生。
异质结缺陷可以通过设计和优化界面结构、控制材料的生长条件等方法来减少。
而氧化层缺陷则可以通过改变氧化工艺或添加适当的掺杂剂来解决。
这些解决方案都是通过调整材料的结构和性质来减少或消除缺陷的形成和影响。
另外，对于半导体材料中的缺陷，还可以通过掺杂和修复技术来解决。
掺杂是指向半导体材料中引入适当的杂质，以改变器件的性质和缺陷分布。
例如，可以通过加入掺杂剂改变材料的能带结构，从而消除或减少缺陷的影响。
修复技术则是指通过热处理或者添加特殊材料来修复已经形成的缺陷。
例如，在半导体材料中加入硅或氧化物等材料，可以填补晶格缺陷，提高材料的完整性和稳定性。
此外，半导体材料缺陷的分析和解决方案也可以借鉴其他领域的经验和技术。
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目镜的放大倍数M目为M目=A2B2/A1B1=250/F2
显微镜观察时总的放大倍数M为M =M物·M目=△/F1·250/F2
3.XJG-05型金相显微镜极其光学系统原理
位错腐坑在腐蚀过程中沿着位错线长度方向发展，腐蚀坑始终是尖底形的。显微镜明场观察时，真实的位错腐蚀坑是黑的，因为尖底蚀坑的微细台阶侧面不能将反射光反射回物镜中。
在高温下，位错在滑移中遇到障碍受阻时，后面接连而来的滑移位错也依次停下来，排成一排，出现位错排，高密度的位错排构成系属结构，它沿（110）晶向，大量的系属结构组成三角形或六角结构。
普通放大镜的放大倍数有限，不能用来观察微小的物体，因此需要用显微镜。最简单的显微镜可看作是由两片凸透镜组成的光学系统。如图五所示。靠近物体有透镜L1叫物镜，靠近眼睛的透镜叫目镜。被观察的物体AB放在物镜的焦点之外，通过物镜后可获得一个倒立的实像A1B1，它恰好位于目镜的焦点之内，目镜将此像再次放大，在明视距离S处成虚像A2B2，A2B2为眼睛这一光学系统的目标，在视网膜上成的像便是物体通过显微镜获得的最终图像，相对于物体是倒立的。
滑移时除了沿某一滑移面外，滑移方向也是一定的。滑移方向一般都是取原子距离最小的晶列方向，因为每移动一次必须移动一个院子距离或原子间距的整数倍。在原子距离小的晶列方向滑移，所需要的能量最小。所以这样的景象晶向是最容易滑移的方向。
（2）硅中位错线的特点及观察：
位错线一般开口在晶体表面上，在位错管道附近存在着应力场。原子排列受到破坏，内能较高，化学活性较强，往往比其他地方低，较易失去电子而导致优先腐蚀，且往往因有活性杂质聚集于管道周围，更加强了位错区的优先腐蚀。适当选择腐蚀剂就会在晶体表面位错露头处显出化学腐蚀凹坑。硅（111）面是双层原子，相邻双层的面间距最小，共价键面密度最大，腐蚀速度最慢。故在位错露头处出现的蚀坑一般以(111)面系为其侧面，{111}面系在硅中组成四面体，所以蚀坑应该是正四面体与所观察的晶面交线的图形。显然，（111）面蚀坑为三角形，（100）面为正方形，（110）面为菱形。如晶面偏离，则该面与正四面体的交线形状也会改变，蚀坑形状发生偏移。
然后，位错读数以及明视场直径读数存在主观上的误差，尤其有些位错位于明视场边界处的，存在主观上的舍取。
通过本实验，我了解到了半导体晶体缺陷的相关知识，也学会了测量半导体晶体位错个数或者位错密度的方法以及原理，也加深了对显微镜调焦等操作过程。总体来说，本实验相对来说还是比较容易的，太多的操作没有，主要就是调焦。但是，实验原理方面尤其晶体缺陷这还是有点不是很理解。
八、误差分析
本实验还是会有误差的
首先，有可能会因为晶体腐蚀时间不够长，导致有些位错并没有腐蚀。
（4）按需要的放大倍数选择物镜和目镜
（5）调节孔径光阑和视觉光阑，使之目镜中观察到视场大小合适，强度适中。
（6）调焦：先用粗动手轮调至物镜工作距离，出现模糊的图像，再用微动手轮进一步精确调焦，使图像清晰可辨。
（7）记录此时明视场直径大小及其中位错个数，并重复测量至5次。
（8）记录此时目镜、物镜的放大倍数。
3.面位错
层错属于面缺陷，它是由于原子层次排布次序错误形成的，也称为堆垛层错。就是在正常的层次中缺少一层原子或插入一层原子。
二、实验目的
（1）了解金相显微镜构造极其操作
（2）了解晶体缺陷，及位错的特点及测量
（3）了解显微镜放大原理
三、实验仪器
大型金相显微镜XJG-05
四、实验原理
1.位错极其检测
（1）位错的一般特点：
半导体缺陷测量
一、概述
在半导体晶体的生长过程和器件的制造过程中，会产生许多晶体缺陷。有些缺陷在适量的程度内是有益的。如必要的外来掺杂原子以及均匀而少量的位错等。然而，大多数，晶体缺陷是有害的。有些缺陷的存在，直接影响晶体的物理化学性质，从而使半导体器件的电学性能和光学性能发生显著的变化，影响器件的可靠性和成品率。因此，研究晶体缺陷的产生、分布及数量，找出其形成、发展和制备工艺与器件参数的关系是极其有用的。
位错是半导体中最主要的缺陷，它属于线缺陷，一般称为位错线。位错线有一定的长度，它的一端必须终止于晶体的表面或界面上，也可以头尾自己相接构成位错环。
晶体往往沿某些晶面发生滑移，通常把这些晶面称为滑移面。构成滑移面的条件是该面上原子的面密度大，面间距大，晶面间原子的相互约束力弱，这些平面也就容易相对滑移。如金刚石型结构晶体的（111）面，其位错线一般都躺在（111）面上。
XJG-05型金相显微镜的光学系统采用优质镧系光学玻璃设计的负目镜，平场大视场的物镜，及双目观察系统，能再明场、暗场及偏光下进行观察、投影和摄像。图六是其光学系统的光路图：
五、实验步骤
（1）获取样品，并置之于腐蚀液中，15min以上。
（2）将样品正确的按装在载物台上。
（3）打开总电源及氙灯电源，触发氙灯使之处于照明状态。
若物体AB处于凸透镜的焦点之外，两倍焦点以内的位置，通过透镜折射，在两倍焦距以外，形成一个放大的倒立实像。如图三所示。
若物体AB在凸透镜焦点以内，则成像的特点如图四所示。象A1B1与物体AB在凸透镜的同一侧，是A1B1/AB=S/F（S为人眼的明视距离，一般取250mm；F为焦距）
A1B1/AB透镜的放大倍数，用M表示，则M=S/F=250/F
腐蚀液的配制要求蚀坑出现率高、特征性强、再现性好。硅的常用腐蚀液的配方有多重，我们采用的是1961提出的Sirtl腐蚀液，其配方是50克GrO3加100毫升H2O组成标准液，使用时再以标准液：HF=1：1的比例现配先用。为了控制腐蚀速率，可增减HF量（2:1到1:2之间）
2.基本原理
（1）透镜及其放大原理
2.线缺陷
位错属于线缺陷，是半导体中最主要的缺陷。位错是由于晶体中部分原子滑移生成晶格排列“错乱”形成的。它于晶体范性形变密切相关。位错分为螺位错、刃位错以及两者兼有的混合位错。位错的存在，增强对载流子的散射，从而影响载流子迁移率；位错在禁带中形成施主、受主能级，起复合中心作用，而影响载流子的寿命；位错还可以引起PN结结面不整，而影响晶体管击穿电压和放大倍数。
所谓晶格缺陷是指在实际晶体中，由于各种原因，会使晶格的周期发生错乱。这些原因包括范性形变引起的晶格变形和滑移、晶体生长时产生的原子排列错乱以及杂质等。这种晶格的不完整性就称为晶格缺陷。晶格缺陷分点缺陷、线缺陷和面缺陷。
1.点缺陷
最简单的点缺陷是空位。空位是晶格点阵上的原子失去后留下的，一般称为肖特基缺陷。另一种点缺陷是间隙原子，它是占据在晶体空隙处的额外原子。如果一个间隙原子和一个空位同时发生在临近的地方，则将这种间隙原子—空位统称为弗伦克尔缺陷。空位和间隙原子一般称为单原子缺陷。单原子缺陷还可以产生更复杂的复合缺陷或集合团，或形成沉积团，被称为为缺陷。
所以视场面积为 S=4 r2=4*3.14*(6.75*10-3)2=5.723*10-4mm2
又平均位错个数为N=（N1+ N2+N3+N4+N5）/5 =(11+12+7+10+12)/5 =10.4
则位错密度 =N/S =10.4/(5.723*10-4) = 1.82*104个/mm2
七、实验总结
（9）关闭电源，整理实验仪器。
六、实验数据记录及处理
目镜放大倍数为M目=10
物镜放大倍数为M物=40
明视场直径D=5.4mm
位错个数为N1=11 N2=12 N3=7 N4=10 N5=12
所以，显微镜总放大倍数为M=M目·M物=10*40=400
则视场真正的半径为r=D/(2M) =5.4/(2*400) =6.75*10-3mm
透镜分为凸透镜和凹透镜，如图二所示。O点称透镜的广信。凡过光心的光线不改变方向，过光心的任意直线叫透镜的光轴。过两个球心又过光心的直线叫主光轴。其他光轴叫副光轴。光轴附近的光线叫近轴光线。
平行主轴的近轴光线经过凸透镜折射，会聚于焦点F处。位于焦点F处的点光源经凸透镜后变成平行光轴的光线。近轴平行光通过凹透镜折射并不使光线会聚，而成发散状。这些发散光线反方向的延长线交于焦点。
由上式可见，似乎减小F可随意增大透镜的放大倍数。其实不然，由于单片透镜寻在像差，放大倍数不能无限增大。况且物体也不能离眼睛太近。因为超越人眼的调节能力将无法成像。透镜公式还可以写为：1/U+1/V=1/F（U为物体至透镜的距离；V为像至透镜的距离）物距和焦距恒为正值，而像距可正可负。正值为倒立实像。