大学物理第7章电场题库答案(含计算题答案)

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大学物理第7章静电场中的导体和电介质课后习题及答案

大学物理第7章静电场中的导体和电介质课后习题及答案

1第7章 静电场中的导体和电介质 习题及答案1. 半径分别为R 和r 的两个导体球,相距甚远。

用细导线连接两球并使它带电,电荷面密度分别为1s 和2s 。

忽略两个导体球的静电相互作用和细导线上电荷对导体球上电荷分布的影响。

试证明:Rr =21s s。

证明:因为两球相距甚远,半径为R 的导体球在半径为r 的导体球上产生的电势忽略不计,半径为r 的导体球在半径为R 的导体球上产生的电势忽略不计,所以的导体球上产生的电势忽略不计,所以半径为R 的导体球的电势为的导体球的电势为R R V 0211π4e p s =014e s R =半径为r 的导体球的电势为的导体球的电势为r r V 0222π4e p s =024e s r = 用细导线连接两球,有21V V =,所以,所以Rr=21s s 2. 证明:对于两个无限大的平行平面带电导体板来说,证明:对于两个无限大的平行平面带电导体板来说,(1)(1)(1)相向的两面上,电荷的面密度总是相向的两面上,电荷的面密度总是大小相等而符号相反;大小相等而符号相反;(2)(2)(2)相背的两面上,电荷的面密度总是大小相等而符号相同。

相背的两面上,电荷的面密度总是大小相等而符号相同。

相背的两面上,电荷的面密度总是大小相等而符号相同。

证明: 如图所示,设两导体A 、B 的四个平面均匀带电的电荷面密度依次为1s ,2s ,3s ,4s (1)取与平面垂直且底面分别在A 、B 内部的闭合圆柱面为高斯面,由高斯定理得内部的闭合圆柱面为高斯面,由高斯定理得S S d E SD +==×ò)(10320s s e故+2s 03=s上式说明相向两面上电荷面密度大小相等、符号相反。

上式说明相向两面上电荷面密度大小相等、符号相反。

(2)在A 内部任取一点P ,则其场强为零,并且它是由四个均匀带电平面产生的场强叠加而成的,即电平面产生的场强叠加而成的,即0222204030201=---e s e s e s e s又+2s 03=s 故 1s 4s =3. 半径为R 的金属球离地面很远,并用导线与地相联,在与球心相距为R d 3=处有一点电荷+q ,试求:金属球上的感应电荷的电量。

张三慧《大学物理学:力学、电磁学》(第3版)(B版)(章节题库 静电场)【圣才出品】

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A. B. C.
D. 【答案】D
5.如图 7-1 所示,在带电体 A 旁有一不带电的导体壳 B,C 为导体壳空腔内的一点, 则下列说法中正确的是( )。
图 7-1
A.带电体 A 在 C 点产生的电场强度为零 B.带电体 A 与导体壳 B 的外表面的感应电荷在 C 点所产生的合电场强度为零
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A.线圈中的感应电动势
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B.线圈中的感应电流
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C.通过线圈的感应电荷量
D.线圈回路上的感应电场
【答案】C
4.真空中两平行带电平板相距为 d,面积为 S,且有 d2<<S,带电量分别为+q 与 -q,则两板间的作用力大小为( )。
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【答案】电势降低的方向
4.有一带电球体,其电荷的体密度为 p=k/r,其中 k 为常数,r 为球内任一处的半 径.则球面内任一点的电场强度的大小为____.
【答案】
5.一均匀带电直线长为 l,电荷线密度为+λ,以导线中点O为球心,R 为半径
实物受力可产生加速度,场不能被加速;实物可作参考系.场不能当参考系.
2.怎样认识电荷的量子化和宏观带电体电荷量的连续分布? 答:常见的宏观带电体所带的电荷远大于基本电荷量,在一般灵敏度的电学测试仪器 中,电荷的量子性是显示不出来的.因此在分析带电情况时,可以认为电荷是连续分布的, 这正像人们看到流水时,认为它是连续的,而并不感觉到水是由一个个分子、原子等微观 粒子组成的一样.
2.如图 7-2,真空中一半径为 R 的均匀带电球面,总电荷量为 Q(Q>0)。今在球 面上挖去非常小块的面积 (连同电荷),且假设不影响原来的电荷分布,则挖去 后 球心处电场强度的大小 E=______,其方向为______。

大学物理 第7章 《静止电荷的电场》思考题

大学物理 第7章 《静止电荷的电场》思考题

第7章 《静止电荷的电场》复习思考题一、填空题1. 在点电荷系的电场中,任一点的电场强度等于每个点电荷电场的 和,这称为场强叠 加原理 . 答案:矢量2.电偶极子的电偶极矩是一个矢量,它的大小是ql (其中l 是正负电荷之间的距离),它的方向是 由 电荷。

答案:负电荷指向正电荷3无限大带电面,面电荷密度σ,则其两面的电场强度大小 。

答案:02σε4. 静电场中某点的电场强度,其数值和方向等于 。

答案:单位正电荷在电场中所受的力5.* 如图所示,正点电荷Q 的电场中,A 点场强为100N/C ,C 点场强为 36N/C ,B 是AC 的中点,则B 点的场强为________N/C 。

答案:56.25N/C6.如图所示, 真空中有两个点电荷, 带电量分别为Q 和Q -, 相距2R 。

若以负电荷所在处O 点为中心, 以R 为半径作高斯球面S , 则通过该球面的电场强度通量e Φ= 。

答案:0/Q ε-7.一均匀静电场,电场强度(400600)V/m E i j =+,则电场通过阴影表面的电场强度通量是___ ___ (正方体边长为 1cm )。

答案:0.04V/m8.把一个均匀带电量Q +的球形肥皂泡由半径1r 吹胀到2r ,则半径为R (12r R r <<)的高斯球面上任一点的场强大小E 由204q Rπε变为______________。

答案:09. 如图所示,半径为R 的均匀带电球面,总电荷为Q ,设无穷远处的电势为零, 则球内距离球心为r 的P 点处的电势为____________。

答案: RQU 04επ=二、单项选择题1.根据场强定义式0q FE =,下列说法中正确的是:( )()A E 的方向可能与F的方向相反。

()B 从定义式中明显看出,场强反比于单位正电荷;()C 做定义式时0q 必须是正电荷;()D 电场中某点处的电场强度就是该处单位正电荷所受的力;答案:D2.真空中两块互相平行的无限大均匀带电平面。

大学物理(第四版)课后习题及答案 静电场

大学物理(第四版)课后习题及答案 静电场
电场强度E的方向为带电平板外法线方向。
证2:如图所示,取无限长带电细线为微元,各微元在点P激发的电场强 度dE在Oxy平面内且对x轴对称,因此,电场在y轴和z轴方向上的分量之 和,即Ey、Ez均为零,则点P的电场强度应为
积分得 电场强度E的方向为带电平板外法线方向。 上述讨论表明,虽然微元割取的方法不同,但结果是相同的。
(2)由于正、负电荷分别对称分布在y轴两侧,我们设想在y轴上能 找到一对假想点,如果该带电环对外激发的电场可以被这一对假想点上 等量的点电荷所激发的电场代替,这对假想点就分别称作正、负等效电 荷中心。等效正负电荷中心一定在y轴上并对中心O对称。由电偶极矩p 可求得正、负等效电荷中心的间距,并由对称性求得正、负电荷中心。 解:(1)将圆环沿y轴方向分割为一组相互平行的元电偶极子,每一元 电偶极子带电
行,对电场强度通量贡献为零。整个高斯面的电场强度通量为 由于,圆柱体电荷均匀分布,电荷体密度,处于高斯面内的总电荷 由高斯定理可解得电场强度的分布, 解:取同轴柱面为高斯面,由上述分析得 题7.16:一个内外半径分别R1为R2和的均匀带电球壳,总电荷为Q1,球 壳外同心罩一个半径为 R3的均匀带电球面,球面带电荷为Q2。求电场 分布。电场强度是否是场点与球心的距离r的连续函数?试分析。
题7.16分析:以球心O为原点,球心至场点的距离r为半径,作同心球面 为高斯面。由于电荷呈球对称分布,电场强度也为球对称分布,高斯面 上电场强度沿径矢方向,且大小相等。因而,在确定高斯面内的电荷 后, 利用高斯定理 即可求的电场强度的分布 解:取半径为r的同心球面为高斯面,由上述分析 r < R1,该高斯面内无电荷,,故
E=0 在距离圆孔较远时x>>r,则 上述结果表明,在x>>r时。带电平板上小圆孔对电场分布的影响可以忽 略不计。 题7.15:一无限长、半径为R的圆柱体上电荷均匀分布。圆柱体单位长 度的电荷为,用高斯定理求圆柱体内距轴线距离为r处的电场强度。

大学物理下册期末复习计算题

大学物理下册期末复习计算题

大学物理下册期末复习计算题第7章真空中的静电场*1.一半径为R 的带电导体球,电荷为-Q 。

求:球内、外任意一点的电场强度。

1.解:由高斯定理可求出电场强度的分布(1分)∑⎰=⋅int q S d E(3分)(4分) (2分) (2分)解:由高斯定理可求出电场强度的分布(1分)∑⎰=⋅int q S d E(3分)(4分) (2分) (2分)*2.一半径为R 的带电导体球,电荷为Q 。

求:(1)球内、外任意一点的电场强度;(2)球内、外任意一点电势。

解:由高斯定理可求出电场强度的分布(3分) (2分)当r>R 时 (3分) 当r ≤R 时 (4分)⎪⎪⎩⎪⎪⎨⎧=-<>-R r R Q R r R r r Q E 4 042020πεπε=⎪⎩⎪⎨⎧<>R r R r r q E0 420πε=r qdr r q V r 02044πεπε=⎰∞=R qdr r q dr V RRr 020440πεπε=+⎰⎰∞=⎪⎪⎩⎪⎪⎨⎧=-<>-R r R Q R r R r r Q E 4 0 4202πεπε=*3. 如图所示,一长为L ,半径为R 的圆柱体,置于场强为E 的均匀电场中,圆柱体轴线与场强方向平行,求穿过圆柱体下列端面的电通量。

(1)左端面(2)右端面 (3)侧面 (4)整个表面解: 根据电通量定义 (1)左端面⎰⎰⎰-=-==⋅=121cos s s R E dS E EdS s d E ππφ(4分)(2)右端面⎰⎰===⋅=2030cos R E ES EdS s d E s πφ(4分) (3)侧面⎰⎰==⋅=02cos 2πφEdS s d E s (1分)(4)整个表面0321=++=s s s s φφφφ(3分)4. 三个点电荷1q 、2q 和3q -在一直线上,相距均为R 2,以1q 与2q 的中心O 作一半径为R 2的球面,A 为球面与直线的一个交点,如图。

习题解答---大学物理第7章习题--2

习题解答---大学物理第7章习题--2

专业班级_____ ________学号________第七章静电场中的导体和电介质一、选择题:1,在带电体A旁有一不带电的导体壳B,C为导体壳空腔的一点,如下图所示。

则由静电屏蔽可知:[ B ](A)带电体A在C点产生的电场强度为零;(B)带电体A与导体壳B的外表面的感应电荷在C点所产生的合电场强度为零;(C)带电体A与导体壳B的表面的感应电荷在C点所产生的合电场强度为零;(D)导体壳B的、外表面的感应电荷在C点产生的合电场强度为零。

解答单一就带电体A来说,它在C点产生的电场强度是不为零的。

对于不带电的导体壳B,由于它在带电体A这次,所以有感应电荷且只分布在外表面上(因其部没有带电体)此感应电荷也是要在C点产生电场强度的。

由导体的静电屏蔽现象,导体壳空腔C点的合电场强度为零,故选(B)。

2,在一孤立导体球壳,如果在偏离球心处放一点电荷+q,则在球壳、外表面上将出现感应电荷,其分布情况为 [ B ](A)球壳表面分布均匀,外表面也均匀;(B)球壳表面分布不均匀,外表面均匀;(C)球壳表面分布均匀,外表面不均匀;(D)球壳的、外表面分布都不均匀。

解答 由于静电感应,球壳表面感应-q ,而外表面感应+q ,由于静电屏蔽,球壳部的点电荷+q 和表面的感应电荷不影响球壳外的电场,外表面的是球面,因此外表面的感应电荷均匀分布,如图11-7所示。

故选(B )。

3. 当一个带电导体达到静电平衡时:[ D ](A) 表面上电荷密度较大处电势较高 (B) 表面曲率较大处电势较高。

(C)导体部的电势比导体表面的电势高。

(D)导体任一点与其表面上任一点的电势差等于零。

4. 如图示为一均匀带电球体,总电量为+Q ,其外部同心地罩一、外半径分别为r 1、r 2的金属球壳、设无穷远处为电势零点,则在球壳半径为r 的P 点处的场强和电势为: [ D ](A )E=r Q U r Q 0204,4πεπε=(B )E=0,104r Q U πε= (C )E=0,rQ U 04πε=(D )E=0,204r Q U πε=5. 关于高斯定理,下列说法中哪一个是正确的? [ C ](A )高斯面不包围自由电荷,则面上各点电位移矢量D为零。

(完整版)大学物理学(课后答案)第7章

(完整版)大学物理学(课后答案)第7章

第七章课后习题解答一、选择题7-1 处于平衡状态的一瓶氦气和一瓶氮气的分子数密度相同,分子的平均平动动能也相同,则它们[ ](A) 温度,压强均不相同 (B) 温度相同,但氦气压强大于氮气的压强 (C) 温度,压强都相同 (D) 温度相同,但氦气压强小于氮气的压强分析:理想气体分子的平均平动动能32k kT ε=,仅与温度有关,因此当氦气和氮气的平均平动动能相同时,温度也相同。

又由理想气体的压强公式p nkT =,当两者分子数密度相同时,它们压强也相同。

故选(C )。

7-2 理想气体处于平衡状态,设温度为T ,气体分子的自由度为i ,则每个气体分子所具有的[ ](A) 动能为2i kT (B) 动能为2iRT(C) 平均动能为2i kT (D) 平均平动动能为2iRT分析:由理想气体分子的的平均平动动能32k kT ε=和理想气体分子的的平均动能2ikT ε=,故选择(C )。

7-3 三个容器A 、B 、C 中装有同种理想气体,其分子数密度n 相同,而方均根速率之比为()()()1/21/21/222::2A B Cv v v =1:2:4,则其压强之比为A B C p :p :p[ ](A) 1:2:4 (B) 1:4:8 (C) 1:4:16 (D) 4:2:1=,又由物态方程p nkT =,所以当三容器中得分子数密度相同时,得123123::::1:4:16p p p T T T ==。

故选择(C )。

7-4 图7-4中两条曲线分别表示在相同温度下氧气和氢气分子的速率分布曲线。

如果()2p O v 和()2p H v 分别表示氧气和氢气的最概然速率,则[ ](A) 图中a 表示氧气分子的速率分布曲线且()()22p p O H /4v v =(B) 图中a 表示氧气分子的速率分布曲线且()()22p p O H /1/4v v =(C) 图中b 表示氧气分子的速率分布曲线且()()22p p O H /1/4v v =(D) 图中b 表示氧气分子的速率分布曲线且()()22p p O H /4v v =分析:在温度相同的情况下,由最概然速率公式p ν=质量22H O M M <,可知氢气的最概然速率大于氧气的最概然速率,故曲线a 对应于氧分子的速率分布曲线。

大学物理第7章电场题库答案(含计算题答案)

大学物理第7章电场题库答案(含计算题答案)

大学物理第7章电场题库答案(含计算题答案)-CAL-FENGHAI-(2020YEAR-YICAI)_JINGBIAN9题图 第七章 电场填空题 (简单)1、两无限大平行平面的电荷面密度分别为σ+和σ+,则两无限大带电平面外的电场强度大小为σε ,方向为 垂直于两带电平面并背离它们 。

2、在静电场中,电场强度E 沿任意闭合路径的线积分为 0 ,这叫做静电场的 环路定理 。

3、静电场的环路定理的数学表达式为 0l E dl =⎰ ,该式可表述为 在静电场中,电场强度的环流恒等于零 。

4、只要有运动电荷,其周围就有 磁场 产生;5、一平行板电容器,若增大两极板的带电量,则其电容值会 不变 ;若在两极板间充入均匀电介质,会使其两极板间的电势差 减少 。

(填“增大”,“减小”或“不变”)6、在静电场中,若将电量为q=2×108库仑的点电荷从电势V A =10伏的A 点移到电势V B = -2伏特的B 点,电场力对电荷所作的功A ab = 92.410⨯ 焦耳。

(一般)7、当导体处于静电平衡时,导体内部任一点的场强 为零 。

8、电荷在磁场中 不一定 (填一定或不一定)受磁场力的作用。

9、如图所示,在电场强度为E 的均匀磁场中,有一半径为R 的半球面,E 与半球面轴线的夹角为α。

则通过该半球面的电通量为 2cos B R πα-⋅ 。

10、真空中两带等量同号电荷的无限大平行平面的电荷面密度分别为σ+和σ+,则两无限大带电平面之间的电场强度大小为 0 ,两无限大带电平面外的电场强度大小为σε 。

11、在静电场中,电场力所做的功与 路径 无关,只与 起点 和 终点位置 有关。

12、由高斯定理可以证明,处于静电平衡态的导体其内部各处无 净电荷 ,电荷只能分布于导体 外表面 。

因此,如果把任一物体放入空心导体的空腔内,该物体就不受任何外 电场的影响,这就是 静电屏蔽 的原理。

(一般)13、静电场的高斯定理表明静电场是 有源 场, (一般)14、带均匀正电荷的无限长直导线,电荷线密度为λ。

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9题图第七章 电场 填空题 (简单)1、两无限大平行平面的电荷面密度分别为σ+和σ+,则两无限大带电平面外的电场强度大小为σε ,方向为 垂直于两带电平面并背离它们 。

2、在静电场中,电场强度E 沿任意闭合路径的线积分为 0 ,这叫做静电场的 环路定理 。

3、静电场的环路定理的数学表达式为 0lE dl =⎰u r rg Ñ ,该式可表述为 在静电场中,电场强度的环流恒等于零 。

4、只要有运动电荷,其周围就有 磁场 产生;5、一平行板电容器,若增大两极板的带电量,则其电容值会 不变 ;若在两极板间充入均 匀电介质,会使其两极板间的电势差 减少 。

(填“增大”,“减小”或“不变”)6、在静电场中,若将电量为q=2×108库仑的点电荷从电势V A =10伏的A 点移到电势V B = -2伏特的B 点,电场力对电荷所作的功A ab = 92.410⨯ 焦耳。

(一般)7、当导体处于静电平衡时,导体内部任一点的场强 为零 。

8、电荷在磁场中 不一定 (填一定或不一定)受磁场力的作用。

9、如图所示,在电场强度为E 的均匀磁场中,有一半径为R 的半球面,E 与半球面轴线的夹角为α。

则通过该半球面的电通量为 2cos B R πα-⋅ 。

10、真空中两带等量同号电荷的无限大平行平面的电荷面密度分别为σ+和σ+,则两无限大带电平面之间的电场强度大小为 0 ,两无限大带电平面外的电场强度大小为σε 。

12、由高斯定理可以证明,处于静电平衡态的导体其内部各处无 净电荷 ,电荷只能分布于 导体 外表面 。

因此,如果把任一物体放入空心导体的空腔内,该物体就不受任何外 电场的影响,这就是 静电屏蔽 的原理。

(一般)13、静电场的高斯定理表明静电场是 有源 场, (一般)14、带均匀正电荷的无限长直导线,电荷线密度为λ。

它在空间任意一点(距离直导线的垂直距离为x 处)的电场强度大小为02xλπε ,方向为 垂直于带电直导线并背离它 。

(一般)16、静电场中a 、b 两点的电势为a b V V <,将正电荷从a 点移到b 点的过程中,电场力做 负 功, 电势能 增加 。

(综合)17、(如图)点电荷q 和-q 被包围在高斯面内,则通过该高斯面的电通量sE d S →→⋅⎰Ñ等于零 。

18、带电体处于静电平衡状态时,它所带的电荷只分布在 外表面 ,导体内 部 无净 电荷,且越尖的表面处电场强度 越强 。

(一般)19、在静电场中,导体处于静电平衡的条件是 导体内部 和 表面都没有电荷的作宏观定向运动 。

21、无极分子的极化属 位移 极化(填位移或取向)(综合)22、在静电场中作一球形高斯面,A 、B 分别为球面内的两点,把一个点电荷从A 点移到B 点时,高斯面上的电场强度的分布 改变 ,通过高斯面的电通量 不改变 。

(填改变或不改变)23、在静电场中各点的电场场强E 等于该点电势梯度的 负值 ,其数学表达式为 V =-∇E 。

17题图判断题 (简单)1、静电场高斯定理表明,闭合曲面上的电场强度只由曲面内的电荷决定。

( × )2、安培环路定理说明电场是保守力场。

( × )3、感生电场和静电场是完全一样的电场。

( × )4、均匀带电圆环中心的电势为零。

( × )5、通过一闭合曲面的电通量为该曲面所包围的所有电荷的代数和除以真空电容率。

( √ )6、在静电场中,电场强度大的点,电势一定高。

( × )7、静电场力所作的功等于电势能的增量。

( × )8、把平行板电容器内充满介质后,其内部场强将减小。

( √ )9、通过任一闭合曲面的电场强度通量等于零。

( × ) 10、匀强电场的电力线是等间距的互相平行的直线。

( √ )11、、描述导体内各点电荷流动情况的物理量为电流密度j ,其大小为j dI ds =;(× ) (综合) 12、有人认为:(1)如果高斯面上E 处处为零,则高斯面内必无电荷;(2)如果高斯面内无电荷,则高斯面上E 处处为零。

( × )单项选择题静电场的电场强度定义式为0FE q =u vu v ,所以可得: ( )(A )静电场的场强的方向取决于所受力的方向; (B )静电场的场强的大小取决于受力点电荷的大小; (C )静电场的场强方向取决于场源电荷;(D )静电场的场强取决于场源电荷和受力点电荷。

1、(简单)两条无限长平行直导线相距为r ,均匀带有等量同种电荷,电荷线密度为λ。

两导线构成的平面上任意一点x 处的电场强度为(1)r οπελ2; (2)11()2i x r x λπε+-o r ; (3)11()2i x r xλπε--o r; (4)02、(简单)电量为Q 的两等量同号点电荷相距为2d ,当选择无穷远处的电势为零时,它们连线中点的电势为( ) (1)02Q dπε ; (2)0; (3)202Q d πε; (4)02Q dπε-。

3、(一般综合)边长为a 的正方体中心放置一个点电荷Q ,则通过任一侧面的电通量为 ( ) (1)04Q πε (2)06Q ε (3)02Q πε (4)0Qπε4、(简单)若通过某一闭合曲面的电通量为零时,下列说法正确的是 ( ) (1)闭合曲面上的场强为零; (2)闭合面内的电荷代数和为零; (3)闭合曲面内的场强为零; (4)无法判断。

5、(简单)在静电场中,若高斯面内净电荷为零(Q 1+Q2+…+Qn=0),,下列说法正确的是:A 、高斯面上各点的场强E 只能由高斯面外的电荷产生。

B 、表达式0sqE d S ε⋅=∑⎰u u v u v Ñ仍成立。

C 、高斯面上各点的场强E 处处为零。

D 、以上说法都不正确。

6、(简单)当一个带电导体达到静电平衡时:A 、表面上电荷密度较大处电势较高。

B 、表面曲率较大处电势较高。

C 、导体内部电势比导体表面的电势高。

D 、导体内任一点与其表面上任一点的电势差等于零7、(简单)高斯面内的净电荷为零,则在高斯面上所有各处的电场强度E 是:A 、处处为零;B 、处处不为零;C 、不一定为零;D 、以上说法都不对。

8、(简单)在静电场中,关于场强和电势的关系说法正确的是: A 、场强E 大的点,电势一定高;电势高的点,场强E 也一定大。

B 、场强E 为零的点,电势一定为零;电势为零的点,场强E 也一定为零。

C 、场强E 大的点,电势一定高;场强E 小的点,电势却一定低。

D 、场强E 为零的地方,电势不一定为零;电势为零的地方,场强E 也不一定为零.9、(综合)对位移电流,下列说法正确的是:[ ](1)位移电流是由变化电场产生的; (2)位移电流的磁效应不服从安培环路定理; (3)位移电流的热效应服从焦耳-楞次定律;(4)位移电流是由变化磁场产生的;10、(综合)电磁波的电场强度E v 、磁场强度H v 和传播速度μv 的关系是:[ ](1)三者互相垂直,而E v 和H v 相位相差12π;(2)三者互相垂直,而E v 和H v 和μv构成右手螺旋关系; (3)三者中E v 和H v 是同方向的,但都与μv垂直; (4)三者中E v 和H v 是任意方向的,但都必须与μv垂直;11、(一般综合)(如图所示)闭合曲面S 内有—点电荷q ,P 为S 面上一点,在S 面外A 点有—点电荷`q ,若将`q 移至B 点,则( )(A)穿过S 面的电通量改变、P 点的电场强度不变; (B)穿过S 面的电通量不变,P 点的电场强度改变; (C)穿过S 面的电通量和P 点的电场强度都不变; (D)穿过S 面的电通量和P 点的电场强度都改变。

12、(综合)导体处于静电平衡状态时:( ) (1)导体所带的电荷均匀的分布在导体内; (2)表面曲率较大处电势较高;(3)导体内部任何一点处的电场强度为零,导体表面处电场强度的方向都与导体表面垂直; (4)导体内部的电势比导体表面的电势低。

13、(简单)电量为q 的两等量同种点电荷相距为2 r ,它们连线中点的电场强度大小为:( )(1)0 (2)02q r πε (3)202qr πε (4)02qr πε-11题图14、(简单)电场的环路定理lE dl⋅=⎰u u r rÑ说明了静电场是();(1)无源场;(2)在闭合回路中各点的电场强度为零;(3)有源场;(4)电场是闭合场;15、(一般综合)一条无限长的直导线带均匀的正电荷,电荷线密度为λ。

它在空间任意一点的电场强度(设该点到导线的垂直距离为x):()(1)0 ;(2)大小为2xλπεo,方向垂直背离直导线;(3)无法确定;(4)大小为2xλπεo,方向垂直指向直导线16、(简单)关于高斯定理得出的下述结论正确的是 ( )。

(A)闭合曲面内的电荷代数和为零,则闭合曲面上任一点的电场强度必为零;(B)闭合曲面上各点的电场强度为零,则闭合曲面内一定没有电荷;(C)闭合曲面上各点的电场强度仅由曲面内的电荷决定;(D)通过闭合曲面的电通量仅由曲面内的电荷决定。

17、(简单)取无限远处为零电势点,在一对等量同号点电荷连线的中点处 [ ]A.点0的电场强度和电势均为零;B.点0的电场强度和电势均不为零;C.点0的电场强度为零,电势不为零;D.点0的电场强度不为零,电势为零。

18、(一般综合)在负点电荷激发的电场中,将一个电子从电场中某点移到无限远的过程中下述结论正确的是()A.电场力对电子做正功,电子的电势能减少;E.电场力对电子做正劝,电子的电势能增加;C.电场力对电子做负功,电子的电势能减少;19、(简单)在静电场中,若高斯面内净电荷为零,下列说法正确的是:( ) A 、高斯面上各点的场强E 只能由高斯面外的电荷产生。

B 、表达式0⋅=∑⎰u u v u v Ñsq E d S ε仍成立。

C 、高斯面上各点的场强E 处处为零。

D 、以上说法都不正确。

20、(一般综合)已知空间某区域为匀强电场区,下面说法中正确的是( )。

(A)该区域内,电势差相等的各等势面距离不等; (B)该区域内,电势差相等的各等势面距离不一定相等; (C)该区域内,电势差相等的各等势面距离一定相等; (D)该区域内,电势差相等的各等势面一定相交。

21、(一般综合)两个同号的点电荷相距r ,要使它们的电势能增加一倍,则应该 [ ] A .电场力做功使点电荷之间的距离增大为2r B 。

电场力做功使点电荷之间的距离增大为4r c .外力做功使点电荷之间的距离减少为r /2 D .外力做功使点电荷之间的距离减少为r /422、(一般综合)一平行板电容器充电以后与电源断开,然后减小两极板之间的距离,则[ ]A .极板上的电荷减少.B .两极板之间的电场强度不变C .电容器的电容量减少D .电容器储存的能量不变23、(简单)在任意静电场中,下列说法正确的是 [ ]. A. 通过某一面元的电场线数越多,面元所在处的电场越强;B. 通过与电场线垂直的面元的电场线数越多,面元所在处的电场越强;C. 面元所在处的电场线越密,该处的电场越强;D. 通过与电场线垂直的单位面积的电场线越多,则该处的电场越强.A. 检验电荷q0在静电场中某点的电势能越大,则该点的电势就越高;B. 静电场中任意两点间的电势差的值,与检验电荷q0有关,q0越大,电势差值也越大;C. 静电场中任一点电势的正、负与电势零点的选择有关,任意两点间的电势差与电势零点的选择无关;D. 静电场中任意两点间的电势差与电势零点的选择有关,对不同的电势零点,电势差有 不同的数值.计算题1、(一般综合)求无限长载流圆柱体内、外的磁场分布。

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